JPS6044842B2 - Ｆｅｔ自励振混合回路 - Google Patents
Ｆｅｔ自励振混合回路Info
- Publication number
- JPS6044842B2 JPS6044842B2 JP14333276A JP14333276A JPS6044842B2 JP S6044842 B2 JPS6044842 B2 JP S6044842B2 JP 14333276 A JP14333276 A JP 14333276A JP 14333276 A JP14333276 A JP 14333276A JP S6044842 B2 JPS6044842 B2 JP S6044842B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- impedance element
- capacitor
- gate
- mixing circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はデュアルゲートＦＥＴを使用した自励振混合回
路に関するものである。
路に関するものである。
従来のテレビジョンチューナあるいはラジオチューナな
どの自励振混合回路においては、能動素子としてバイポ
ーラトランジスタが使用されていたため、素子の非直線
性の影響で混変調妨害および内部変調妨害などに対すす
る性能が十分に得られていない欠点があつた。
どの自励振混合回路においては、能動素子としてバイポ
ーラトランジスタが使用されていたため、素子の非直線
性の影響で混変調妨害および内部変調妨害などに対すす
る性能が十分に得られていない欠点があつた。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくし、諸妨
害特性に対する性能を向上させる自励振混合回路を提供
するにある。
害特性に対する性能を向上させる自励振混合回路を提供
するにある。
以下図において本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明の第一の実施例で基本的な構成を表わし
、高周波系の各回路要素から成り立つていＪる。図にお
いて、１は高周波信号入力端子、２は下信号出力端子、
３はソース１２を接地したデュアルゲートＦＥＴで、１
０が第１ゲート、１１が第２ゲート、１３がドレインで
ある。
、高周波系の各回路要素から成り立つていＪる。図にお
いて、１は高周波信号入力端子、２は下信号出力端子、
３はソース１２を接地したデュアルゲートＦＥＴで、１
０が第１ゲート、１１が第２ゲート、１３がドレインで
ある。
６、９、７１４はそれぞれコンデンサ、４は容量性イン
ピータンス素子、５は誘導性インピーダンス素子、７は
容量性インピーダンス素子、８は正同調用インダクタで
ある。
ピータンス素子、５は誘導性インピーダンス素子、７は
容量性インピーダンス素子、８は正同調用インダクタで
ある。
次に動作について説明する。
ドレイン１３に発生する高周波電圧はコンデンサ６と容
量性インピーダンス素子１により分圧され、これが誘導
性インピーダンス素子５と容量性インピーダンス素子４
により第２ゲート１１に帰還され、これらのコンデンサ
６、容量性インピーダンス素子４および７、誘導性イン
ピーダンス素子５、コンデンサ１４およびＦＥＴのドレ
インインピーダンス、第２ゲートインピーダンスで決定
される共振周波数で発振する。この発振信号と高周波信
号入力端子１から入力された信号はＦＥＴで混合および
増幅されドレイン１３からコンデンサ１４ドレインイン
ピーダンス、インダクタ８およびコンデンサ９から成る
π形のＩＦ同調回路を介してＩＦ信号として下信号出力
端子２から出力される。コンデンサ６はＩＦ周波数帯と
局発周波数帯のインピーダンス分離を良くして発振、混
合および増幅動作を確実に行なわせる作用をもち、ＩＦ
周波数帯と発振周波数帯の周波数差が少ない場合には比
較的小さな容量値を必要とする。
量性インピーダンス素子１により分圧され、これが誘導
性インピーダンス素子５と容量性インピーダンス素子４
により第２ゲート１１に帰還され、これらのコンデンサ
６、容量性インピーダンス素子４および７、誘導性イン
ピーダンス素子５、コンデンサ１４およびＦＥＴのドレ
インインピーダンス、第２ゲートインピーダンスで決定
される共振周波数で発振する。この発振信号と高周波信
号入力端子１から入力された信号はＦＥＴで混合および
増幅されドレイン１３からコンデンサ１４ドレインイン
ピーダンス、インダクタ８およびコンデンサ９から成る
π形のＩＦ同調回路を介してＩＦ信号として下信号出力
端子２から出力される。コンデンサ６はＩＦ周波数帯と
局発周波数帯のインピーダンス分離を良くして発振、混
合および増幅動作を確実に行なわせる作用をもち、ＩＦ
周波数帯と発振周波数帯の周波数差が少ない場合には比
較的小さな容量値を必要とする。
第２ゲートに接続した容量性インピーダンス素子４はＦ
ＥＴの第２ゲートが容量性インピーダンスをもてば不要
となる場合があるが、バラツキ等の不確定要因を考える
と接続する必要がある。なお、テレビジヨンチユーナの
ように発振周波数を可変にする必要のある場合には、誘
導性インピーダンス素子５のインダクタンスあるいは容
量性インピーダンス素子７の容量を可変にすれば良い。
第２図は本発明の第二の実施例で第一の実施例の容量性
インピーダンス素子４をコンデンサ１７で、容量性イン
ピーダンス素子７を可変容量ダイオード１５で構成し発
振周波数を可変にしたもの−である。
ＥＴの第２ゲートが容量性インピーダンスをもてば不要
となる場合があるが、バラツキ等の不確定要因を考える
と接続する必要がある。なお、テレビジヨンチユーナの
ように発振周波数を可変にする必要のある場合には、誘
導性インピーダンス素子５のインダクタンスあるいは容
量性インピーダンス素子７の容量を可変にすれば良い。
第２図は本発明の第二の実施例で第一の実施例の容量性
インピーダンス素子４をコンデンサ１７で、容量性イン
ピーダンス素子７を可変容量ダイオード１５で構成し発
振周波数を可変にしたもの−である。
図において、１は高周波信号入力端子、２はＩＦ信号出
力端子、３はソース１２をバイパスコンデンサ３０で接
地したデユアルゲートＦＥＴで、１０が第１ゲート、１
１が第２ゲート、１３がドレインである。８はＩＦ同調
用コイルである。
力端子、３はソース１２をバイパスコンデンサ３０で接
地したデユアルゲートＦＥＴで、１０が第１ゲート、１
１が第２ゲート、１３がドレインである。８はＩＦ同調
用コイルである。
６，９，１４，１６，１７それに２８はコンデンサであ
る。
る。
１５は可変容量ダイオード、１８は共振コイルである。
端子１９は＋Ｂ電圧供給端子で第１ゲートへは抵抗２３
および２４によつて、第２ゲートへは抵抗２１および２
２によつてそれぞれバイアスが供給される。また、ドレ
イン１３へはチヨークコイル２７およびＩＦ同調用コイ
ル８を介して電圧が供給される。ＦＥＴ３はソース抵抗
２５により自己バイアスがかかる。端子２０の同調電圧
端子から抵抗２６を介して可変容量ダイオード１５に同
調電圧を印加し、容量を可変にする。なお、２９，３０
，３１はバイパスコンデンサである二ノ この例では第
１の実施例の誘導性インピーダンス素子５を共振インダ
クタ１８で、容量性インピーダンス素子４をコンデンサ
１７で置き換え、容量性インピーダンス素子７を直流阻
止または発振周波数の可変範囲を制御するコンデンサ１
３と可・変容量ダイオード１５から成る可変容量素子群
で置き換えたもので可変容量ダイオード１５に印加する
電圧によつて発振周波数を変化させ、高周波信号入力端
子１から入力された複数の高周波信号に対してＩＦ信号
出力端子２から一定周波数の下”信号を取り出すもので
ある。
および２４によつて、第２ゲートへは抵抗２１および２
２によつてそれぞれバイアスが供給される。また、ドレ
イン１３へはチヨークコイル２７およびＩＦ同調用コイ
ル８を介して電圧が供給される。ＦＥＴ３はソース抵抗
２５により自己バイアスがかかる。端子２０の同調電圧
端子から抵抗２６を介して可変容量ダイオード１５に同
調電圧を印加し、容量を可変にする。なお、２９，３０
，３１はバイパスコンデンサである二ノ この例では第
１の実施例の誘導性インピーダンス素子５を共振インダ
クタ１８で、容量性インピーダンス素子４をコンデンサ
１７で置き換え、容量性インピーダンス素子７を直流阻
止または発振周波数の可変範囲を制御するコンデンサ１
３と可・変容量ダイオード１５から成る可変容量素子群
で置き換えたもので可変容量ダイオード１５に印加する
電圧によつて発振周波数を変化させ、高周波信号入力端
子１から入力された複数の高周波信号に対してＩＦ信号
出力端子２から一定周波数の下”信号を取り出すもので
ある。
第３図は本発明の第三の実施例で第一の実施例の誘導性
インピーダンス素子５を共振インダクタ１８とコンデン
サ１６および可変容量ダイオード１５から成る可変容量
素子群の並列共振回路で置き換えたものである。
インピーダンス素子５を共振インダクタ１８とコンデン
サ１６および可変容量ダイオード１５から成る可変容量
素子群の並列共振回路で置き換えたものである。
図において、３２はインダクタンス、３３はバイパスコ
ンデンサ、３４はコンデンサである。この例では容量性
インピーダンス素子７としてコンデンサ３４を使用し、
容量性インピーダンス素子４としてコンデンサ１７を使
用して、共振インダクタ１８と並列に接続した可変容量
ダイオード１５の容量を変化させ、並列共振回路の等価
インダクタンスを変えて発振周波数を変化させるもので
ある。インダクタ３２は可変容量ダイオＫｇドＩ５を直
流的に接地するためのものである。第４図は本発明の第
四の実施例である。
ンデンサ、３４はコンデンサである。この例では容量性
インピーダンス素子７としてコンデンサ３４を使用し、
容量性インピーダンス素子４としてコンデンサ１７を使
用して、共振インダクタ１８と並列に接続した可変容量
ダイオード１５の容量を変化させ、並列共振回路の等価
インダクタンスを変えて発振周波数を変化させるもので
ある。インダクタ３２は可変容量ダイオＫｇドＩ５を直
流的に接地するためのものである。第４図は本発明の第
四の実施例である。
この例では第一の実施例の誘導性インピーダンス素子と
して共振インダクタ１Ｌど町変容量ダイオード１５から
成る直列共振回路を使用し、端子２０から抵抗２６を介
して可変容量ダイオード１５に印加する電圧を変えて可
変容量ダイオード１５の容量値を変化させ、直列共振回
路の等価インダクタンスを変えて発振周波数を変化させ
るものである。この例では第一の実施例の容量インピー
ダンス素子７としてコンデンサ３４を使用し、容量性イ
ンピーダンス素子４としてコンデンサ１７を使用したも
のである。以上説明したように、テレビジヨンチユーナ
およびラジオチユーナに本発明の自励振混合回路を採用
することにより、３次以上の非直線性によつて生じる混
変調妨害および内部変調妨害に対する性能が向上する。
して共振インダクタ１Ｌど町変容量ダイオード１５から
成る直列共振回路を使用し、端子２０から抵抗２６を介
して可変容量ダイオード１５に印加する電圧を変えて可
変容量ダイオード１５の容量値を変化させ、直列共振回
路の等価インダクタンスを変えて発振周波数を変化させ
るものである。この例では第一の実施例の容量インピー
ダンス素子７としてコンデンサ３４を使用し、容量性イ
ンピーダンス素子４としてコンデンサ１７を使用したも
のである。以上説明したように、テレビジヨンチユーナ
およびラジオチユーナに本発明の自励振混合回路を採用
することにより、３次以上の非直線性によつて生じる混
変調妨害および内部変調妨害に対する性能が向上する。
特に、正チユーナにおいては、アメリカチヤネルの６チ
ヤネルの映像搬送波周波数、音声搬送波周波数および局
発周波数が上記非直線性によりカラーヒートを生ずる６
チャネルカラーヒート妨害およびヨーロツパチヤネルの
４チヤネルの音声搬送波周波数と局発周波数が上記非直
線性によりカラーヒートを生ずる４チャネルカラーヒー
ト妨害に対して効果がある。
ヤネルの映像搬送波周波数、音声搬送波周波数および局
発周波数が上記非直線性によりカラーヒートを生ずる６
チャネルカラーヒート妨害およびヨーロツパチヤネルの
４チヤネルの音声搬送波周波数と局発周波数が上記非直
線性によりカラーヒートを生ずる４チャネルカラーヒー
ト妨害に対して効果がある。
第１図は本発明によるデユアルゲートＦＥＴを使用した
自励振混合回路の第一の実施例て基本構成を示す。 第２図、第３図、第４図は第１図に示すものの具体的な
回路構成図である。１・・・高周波信号入力端子、２・
・・ＩＦ信号出力端子、３・・・デユアルゲートＦＥＴ
ｌ４・・・容量性インピーダンス素子、５・・・誘導性
インピーダンス素子、６・・・コンデンサ、７・・・容
量性インピーダンス素子、８・・・ＩＦ同調用インダク
タ、９・・・コンデンサ、１０・・・第１ゲート、１１
・・・第２ゲート、１２・・・ソース、１３・・・ドレ
イン、１４・・・コンデンサ、１５・・・可変容量ダイ
オード、１６・・・コンデンサ、１７・・・コンデンサ
、１８・・・共振インダクタ、２１〜２６・・・抵抗、
２９〜３１，３３・・・バイパスコンデンサ、３２・・
・インダクタ、３４・・・コンデンサ。
自励振混合回路の第一の実施例て基本構成を示す。 第２図、第３図、第４図は第１図に示すものの具体的な
回路構成図である。１・・・高周波信号入力端子、２・
・・ＩＦ信号出力端子、３・・・デユアルゲートＦＥＴ
ｌ４・・・容量性インピーダンス素子、５・・・誘導性
インピーダンス素子、６・・・コンデンサ、７・・・容
量性インピーダンス素子、８・・・ＩＦ同調用インダク
タ、９・・・コンデンサ、１０・・・第１ゲート、１１
・・・第２ゲート、１２・・・ソース、１３・・・ドレ
イン、１４・・・コンデンサ、１５・・・可変容量ダイ
オード、１６・・・コンデンサ、１７・・・コンデンサ
、１８・・・共振インダクタ、２１〜２６・・・抵抗、
２９〜３１，３３・・・バイパスコンデンサ、３２・・
・インダクタ、３４・・・コンデンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ソース電極が接地され、第１、第２のゲートを備え
たデュアルゲートＦＥＴと、このＦＥＴのドレイン電極
に接続されたコンデンサと、このコンデンサの他端とア
ース間に接続された第１の容量性インピーダンス素子と
、さらにコンデンサの他端とＦＥＴの第２ゲートとの間
に接続された誘導性インピーダンス素子と、ＦＥＴの第
２ゲートとアース間に接続された第２の容量性インピー
ダンス素子とにより発振回路が構成され、ＦＥＴの第１
ゲートに高周波信号が入力され、ＦＥＴのドレイン電極
からＩＦ信号が出力されることを特徴としたＦＥＴ自励
振混合回路。 ２ 第１の容量性インピーダンス素子として可変容量素
子が使用されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のＦＥＴ自励振混合回路。 ３ 誘導性インピーダンス素子として可変インダクタン
ス素子が使用されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＦＥＴ自励振混合回路。 ４ 導性インピーダンス素子が、インダクタとインダク
タに並列に接続された可変容量素子からなる素子群で構
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のＦＥＴ自励振混合回路。 ５ 誘導性インピーダンス素子が、インダクタとインダ
クタに直列に接続された可変容量素子からなる素子群で
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のＦＥＴ自励振混合回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14333276A JPS6044842B2 (ja) | 1976-12-01 | 1976-12-01 | Ｆｅｔ自励振混合回路 |
| US05/759,412 US4112373A (en) | 1976-01-19 | 1977-01-14 | Self-excited mixer circuit using field effect transistor |
| AU21401/77A AU503157B2 (en) | 1976-01-19 | 1977-01-18 | Self excited mixer circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14333276A JPS6044842B2 (ja) | 1976-12-01 | 1976-12-01 | Ｆｅｔ自励振混合回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5368504A JPS5368504A (en) | 1978-06-19 |
| JPS6044842B2 true JPS6044842B2 (ja) | 1985-10-05 |
Family
ID=15336310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14333276A Expired JPS6044842B2 (ja) | 1976-01-19 | 1976-12-01 | Ｆｅｔ自励振混合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6044842B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0546575U (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-22 | 株式会社武内工業所 | 車両表示灯の吸着盤取付装置 |
-
1976
- 1976-12-01 JP JP14333276A patent/JPS6044842B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0546575U (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-22 | 株式会社武内工業所 | 車両表示灯の吸着盤取付装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5368504A (en) | 1978-06-19 |
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