JPS6045029A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6045029A JPS6045029A JP58153520A JP15352083A JPS6045029A JP S6045029 A JPS6045029 A JP S6045029A JP 58153520 A JP58153520 A JP 58153520A JP 15352083 A JP15352083 A JP 15352083A JP S6045029 A JPS6045029 A JP S6045029A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- resin
- treatment
- semiconductor device
- hardening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は樹脂封止形半導体装置の製造方法、詳（、＜ｔ
ｒｉ、ジャンクションレジンコーティングレジンの硬化
処理をはじめ、樹脂封止成形加工の各工程処理条件の確
立に関するものである。
ｒｉ、ジャンクションレジンコーティングレジンの硬化
処理をはじめ、樹脂封止成形加工の各工程処理条件の確
立に関するものである。
従来例の構成とその問題点
樹脂封止形半導体装置の製造上８を概略的にのべると、
す〜ドフレームに半導体素子チップをはんだで接着し、
外部電極リードに前記チップの電極部から、たとえば、
アルミニウム細線で接続を行ったのち、四チノグの表面
にジャンクンヨンコーティングレジン（以下、ＪＣＢと
略称する）を塗布し、硬化処理し、次に、エポキシ系封
止樹脂による成形加工を行い、この成形後に、熱硬化処
理過程を付加して、同樹脂のガラス転移点を向１−さぜ
るのが通例である。また、リードフレームからの分離、
いわゆる、外部リードの成形を行った後に、同外部リー
ドに、錫寸たｄ、はんだめっきを付着させるめっき処理
あるいは溶ｒ：＜＋！ＩｔＪ、んだ浴への浸漬処理を行
う。なお、めっき処理あるい（ｄ、溶融はんだ浴への浸
清処」１１１には、各種の薬品を使用ずるので、それら
の薬品を取り除くための水洗工程と、その後の加熱乾燥
処理とが必要であった。
す〜ドフレームに半導体素子チップをはんだで接着し、
外部電極リードに前記チップの電極部から、たとえば、
アルミニウム細線で接続を行ったのち、四チノグの表面
にジャンクンヨンコーティングレジン（以下、ＪＣＢと
略称する）を塗布し、硬化処理し、次に、エポキシ系封
止樹脂による成形加工を行い、この成形後に、熱硬化処
理過程を付加して、同樹脂のガラス転移点を向１−さぜ
るのが通例である。また、リードフレームからの分離、
いわゆる、外部リードの成形を行った後に、同外部リー
ドに、錫寸たｄ、はんだめっきを付着させるめっき処理
あるいは溶ｒ：＜＋！ＩｔＪ、んだ浴への浸漬処理を行
う。なお、めっき処理あるい（ｄ、溶融はんだ浴への浸
清処」１１１には、各種の薬品を使用ずるので、それら
の薬品を取り除くための水洗工程と、その後の加熱乾燥
処理とが必要であった。
上述の製造工程によれば、多くの加熱処理過程を経る間
に、樹脂の絶縁性の低下や半導体素子チップの接着強度
の低下など、半導体装置の特性劣化、信頼性低下がしば
しば起こっていた。
に、樹脂の絶縁性の低下や半導体素子チップの接着強度
の低下など、半導体装置の特性劣化、信頼性低下がしば
しば起こっていた。
発明の目的
本発明は、工程要因による特性劣化、信頼性低下を生じ
ない半導体装置の製造方法を提供するものである。
ない半導体装置の製造方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は、要約するに、リードフレームの所定部に半導
体素子を接着し、同半導体素子の各電極部を外部リード
に接続したのち、ＪＣＢを塗布し、温度Ｔ１で熱処理を
行なう工程、温度Ｔ２の条件で樹脂のトランスファ封止
成形を行なう工程、温度Ｔ３で前記封止樹脂の硬化処理
を行なう工程、および外部リードの電極処理後に温度Ｔ
４で乾燥処理を行なう工程を有するもので、前記各工程
の温度条件′ｆｆ：（’ｒ、≧１９０℃＋ ”ａ＞ Ｔ
ｚ”＃ＴＳ （但し、Ｔ２≧１６０°Ｃ）に設定した半
導体装置の製造方法であり、これにより、工程の熱サイ
クルの影響が極めて小さく、特性の劣化、信頼性の低下
がほとんど起こらない。
体素子を接着し、同半導体素子の各電極部を外部リード
に接続したのち、ＪＣＢを塗布し、温度Ｔ１で熱処理を
行なう工程、温度Ｔ２の条件で樹脂のトランスファ封止
成形を行なう工程、温度Ｔ３で前記封止樹脂の硬化処理
を行なう工程、および外部リードの電極処理後に温度Ｔ
４で乾燥処理を行なう工程を有するもので、前記各工程
の温度条件′ｆｆ：（’ｒ、≧１９０℃＋ ”ａ＞ Ｔ
ｚ”＃ＴＳ （但し、Ｔ２≧１６０°Ｃ）に設定した半
導体装置の製造方法であり、これにより、工程の熱サイ
クルの影響が極めて小さく、特性の劣化、信頼性の低下
がほとんど起こらない。
実施例の説明
以下、半導体素子のチップサイズ３１ＮＩＲＸ ３ ｍ
Ｗのパワートランジスタを例に、その製造工程により、
本発明の実施例をのべる。
Ｗのパワートランジスタを例に、その製造工程により、
本発明の実施例をのべる。
ＪＣＲとして、シリコーン（シリコン樹脂）を用い、封
止成形樹脂として、エポキシ樹脂を用いて、パワートラ
ンジスタの製造を行なった。ＪＧＨの硬化熱処理温度Ｔ
１．トランスファ樹脂封止成形工程の温度Ｔ２．封止成
形後の硬化処理温度Ｔ５および水洗後の乾燥温度Ｔ４を
遂次変更して実施したところ、第１表のような判定結果
がイ９られた１、なお、第１表中の判定記号で、○印は
良好、Δ印は良で、いずれも合格判定、Ｘ印は不合格判
定である。テスト項目は、ＲＴＲＢテストが、高温（１
ｏｏ″Ｃ）。
止成形樹脂として、エポキシ樹脂を用いて、パワートラ
ンジスタの製造を行なった。ＪＧＨの硬化熱処理温度Ｔ
１．トランスファ樹脂封止成形工程の温度Ｔ２．封止成
形後の硬化処理温度Ｔ５および水洗後の乾燥温度Ｔ４を
遂次変更して実施したところ、第１表のような判定結果
がイ９られた１、なお、第１表中の判定記号で、○印は
良好、Δ印は良で、いずれも合格判定、Ｘ印は不合格判
定である。テスト項目は、ＲＴＲＢテストが、高温（１
ｏｏ″Ｃ）。
逆バイアス（１ｏｏＶ ）印加時のリーク電流を測定し
、その変動によってＪＣＲおよび封止樹脂の未硬化度を
判定するもの、ヒートショックテストが、−６５°Ｃと
１６０″Ｃとの温度条件を交互に転じ、断線、成形樹脂
の充填性を判定するもの、プレッシャクツカーテストが
、１２１°ｃ、２気圧の条件下でリードフレームと成形
樹脂との界面における水分の浸透度を判定するもので、
これらのテストによって、信頼性の総合的な判定を行う
ことができる。
、その変動によってＪＣＲおよび封止樹脂の未硬化度を
判定するもの、ヒートショックテストが、−６５°Ｃと
１６０″Ｃとの温度条件を交互に転じ、断線、成形樹脂
の充填性を判定するもの、プレッシャクツカーテストが
、１２１°ｃ、２気圧の条件下でリードフレームと成形
樹脂との界面における水分の浸透度を判定するもので、
これらのテストによって、信頼性の総合的な判定を行う
ことができる。
（吠下案ら）
第１＠かられかるように、これらのテスト結果では、Ｊ
ＣＲの硬化温度Ｔ１を最も高温に設定し、ついで、リー
ド成形後の乾燥処理温度Ｔａ 、樹脂成形後の硬化熱処
理温度Ｔ３ 、トランスファモールド時の金型温度Ｔ２
と、順次低温になるように、それぞれの処理条件温度を
設定すれば、総合的に信す・ｎ性の高いものが得られる
ことを示している。
ＣＲの硬化温度Ｔ１を最も高温に設定し、ついで、リー
ド成形後の乾燥処理温度Ｔａ 、樹脂成形後の硬化熱処
理温度Ｔ３ 、トランスファモールド時の金型温度Ｔ２
と、順次低温になるように、それぞれの処理条件温度を
設定すれば、総合的に信す・ｎ性の高いものが得られる
ことを示している。
寸だ、トランスファモールド時の金型温度が適正であれ
ば、その後の硬化熱処理を廃止しても、十分な信頼性が
得られることも明らかになった。
ば、その後の硬化熱処理を廃止しても、十分な信頼性が
得られることも明らかになった。
これらの実験結果をまとめると、次のような技術的所見
が得られる。
が得られる。
第１に、ＪＣＲの硬化温度を高くして、十分な硬化処理
を施しておけば、その後の熱処理は、なるべく、低い温
度で行うのが好ましい。
を施しておけば、その後の熱処理は、なるべく、低い温
度で行うのが好ましい。
第２に、水洗後の乾燥処理では、封止樹脂中に充填され
ている二酸化硅素粒子に付着する水分を蒸発させる必要
があるので、比較的高温、好ましくは、ＪＣＢ硬化温度
に近い温度が適当である。
ている二酸化硅素粒子に付着する水分を蒸発させる必要
があるので、比較的高温、好ましくは、ＪＣＢ硬化温度
に近い温度が適当である。
第３に、トランスファモールド工程を比較的低温にする
のは、金型内に注入される成形用績・１脂の粘度の変動
が少なく、同樹脂の充填性や金型の摩耗を改善するうえ
で有効であるが、１５０″Ｃ未満では動粘度が高くなり
、実用的でない。
のは、金型内に注入される成形用績・１脂の粘度の変動
が少なく、同樹脂の充填性や金型の摩耗を改善するうえ
で有効であるが、１５０″Ｃ未満では動粘度が高くなり
、実用的でない。
なお、実施例では、ＪＣＲとしてシリコーン。
成形用樹脂としてエポキシ系樹脂を用いたが、そのほか
にも、ＪＯＢにポリイミド系、成形樹脂にシリコーン系
まだはポリエステル系を用いて、同様の条件設定により
、信ｄｉｉ’ｌ性を高めることができる。
にも、ＪＯＢにポリイミド系、成形樹脂にシリコーン系
まだはポリエステル系を用いて、同様の条件設定により
、信ｄｉｉ’ｌ性を高めることができる。
発明の効果
本発明によれば、樹脂封止形半導体装置の製造工程にお
けるそれぞれの温度条件を適すノな関係、すなわち、前
述の各処理温度を、Ｔ １−〈： １９０°（ｊ。
けるそれぞれの温度条件を適すノな関係、すなわち、前
述の各処理温度を、Ｔ １−〈： １９０°（ｊ。
Ｔ４）Ｔ２≧Ｔｓ（但し、Ｔ ２ ） １５０ ’Ｃ）
ノ条ｆ’ｌｌｃ設定することにより、信頼性のすぐれ
た半導体装置を実現することができる。
ノ条ｆ’ｌｌｃ設定することにより、信頼性のすぐれ
た半導体装置を実現することができる。
Claims (2)
- （１）リードフレームの所定部に半導体素子を接着し、
同半導体素子の各電極部を外部リードに接続したのち、
ジャンクションコーティングレジンを塗布し、温度Ｔ１
で熱処理を行なう工程、温度Ｔ２の条件で樹脂のトラン
スファ封止成形を行なう工程、温度Ｔ、で前記封止樹脂
の硬化処理を行なう工程、および外部リードの電極処理
後に温度Ｔ４で乾燥処理を行なう工程を有するもので、
前記各工程の温度条件をＴ、≧１９０″Ｃ，Ｔ４＞Ｔ２
全Ｔ、（但し、Ｔ２≧１６０’Ｃ）に設定した半導体装
置の製造方法。 - （２）温度Ｔ、の処理工程が温度Ｔ２の処理工程と単一
同化された特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153520A JPS6045029A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153520A JPS6045029A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045029A true JPS6045029A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15564327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153520A Pending JPS6045029A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045029A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882298U (ja) * | 1981-12-01 | 1983-06-03 | 株式会社 トンボ鉛筆 | 修正液容器 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58153520A patent/JPS6045029A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882298U (ja) * | 1981-12-01 | 1983-06-03 | 株式会社 トンボ鉛筆 | 修正液容器 |
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