JPS612349A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS612349A JPS612349A JP59122574A JP12257484A JPS612349A JP S612349 A JPS612349 A JP S612349A JP 59122574 A JP59122574 A JP 59122574A JP 12257484 A JP12257484 A JP 12257484A JP S612349 A JPS612349 A JP S612349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- polyimide resin
- resin films
- resin film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/131—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
- H10W74/137—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed the encapsulations being directly on the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は特性安定化のための接合の露出した表面を保護
樹脂としてポリイミド樹脂で被覆した半導体装置の製造
方法に関する。
樹脂としてポリイミド樹脂で被覆した半導体装置の製造
方法に関する。
半導体装置の特性安定化のために接合の露出した表面を
ジャンクション・コーティング・レジン（ＪｃＲ）と呼
ばれる樹脂によって被覆することは周知である。このＪ
ＣＲの材料として縮合反応型のポリイミド樹脂がシリコ
ーンゴムなどに比して耐熱性が高く、また耐薬品性１機
械特性および電気特性がすぐれているので用いられるが
、この樹脂は一回の塗布で保護のための十分な膜厚を得
ようとすれば粘度を高くしなければならず、加熱処理の
際溶剤が抜は切らなくて空孔が生ずる。このような空孔
を有する保護樹脂層は、例えば次の工程で行われる封止
樹脂によるモールド工程における応力の影響を受けやす
く、接合表面に達して初期良品率と信顛性が著しく低下
するという欠点がある。
ジャンクション・コーティング・レジン（ＪｃＲ）と呼
ばれる樹脂によって被覆することは周知である。このＪ
ＣＲの材料として縮合反応型のポリイミド樹脂がシリコ
ーンゴムなどに比して耐熱性が高く、また耐薬品性１機
械特性および電気特性がすぐれているので用いられるが
、この樹脂は一回の塗布で保護のための十分な膜厚を得
ようとすれば粘度を高くしなければならず、加熱処理の
際溶剤が抜は切らなくて空孔が生ずる。このような空孔
を有する保護樹脂層は、例えば次の工程で行われる封止
樹脂によるモールド工程における応力の影響を受けやす
く、接合表面に達して初期良品率と信顛性が著しく低下
するという欠点がある。
本発明は、上述の欠点を除去してポリイミド樹脂からな
るＪＣＲの厚い膜を形成しても空孔による信頼性の低下
のない半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
るＪＣＲの厚い膜を形成しても空孔による信頼性の低下
のない半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
本発明によれば半導体装置の接合の露出した表面を粘度
の低い樹脂溶液を塗布して加熱処理し、薄いポリイミド
樹脂を形成したのち、その上に粘度の高い樹脂溶液を塗
布して加熱処理し、ポリイミド樹脂膜を積層することに
より上記の目的が達せられる。
の低い樹脂溶液を塗布して加熱処理し、薄いポリイミド
樹脂を形成したのち、その上に粘度の高い樹脂溶液を塗
布して加熱処理し、ポリイミド樹脂膜を積層することに
より上記の目的が達せられる。
第１図は本発明の一実施例によるでき上がった半導体装
置を示し、この装置は第２図、第３図の工程を経て製造
される。第２図においてメサ型半導体チップ１にリード
線２がヘッダ部３において接続されている。このチップ
１のＰＮ接合の露出した側面に第一樹脂層４が塗布され
る。樹脂層４はポリアミック酸を例えばジメチルフォル
ムアミドで溶かして粘度の低い液をつくり、加熱してポ
リイミド樹脂にする。このポリイミド樹脂膜４は薄いた
め空孔が発生することがない。しかしこの樹脂層４のみ
では十分な保護能力がないため第３図に示すように第二
樹脂層５を塗布する。第二樹脂層は、例えばＮ−メチル
・ピロリドンで熔かした粘度の高い液を塗布して保護の
ために十分の厚さを有する膜とされる。つづいて再度の
加熱処理によりポリイミド樹脂膜５を形成する。さらに
第１図に示すように封止樹脂６をモールドするが、厚い
樹脂膜５に空孔が存在してもモールドにより応力が加わ
った際薄い樹脂膜４によりさえぎられて接合の露出した
表面に達することはない。
置を示し、この装置は第２図、第３図の工程を経て製造
される。第２図においてメサ型半導体チップ１にリード
線２がヘッダ部３において接続されている。このチップ
１のＰＮ接合の露出した側面に第一樹脂層４が塗布され
る。樹脂層４はポリアミック酸を例えばジメチルフォル
ムアミドで溶かして粘度の低い液をつくり、加熱してポ
リイミド樹脂にする。このポリイミド樹脂膜４は薄いた
め空孔が発生することがない。しかしこの樹脂層４のみ
では十分な保護能力がないため第３図に示すように第二
樹脂層５を塗布する。第二樹脂層は、例えばＮ−メチル
・ピロリドンで熔かした粘度の高い液を塗布して保護の
ために十分の厚さを有する膜とされる。つづいて再度の
加熱処理によりポリイミド樹脂膜５を形成する。さらに
第１図に示すように封止樹脂６をモールドするが、厚い
樹脂膜５に空孔が存在してもモールドにより応力が加わ
った際薄い樹脂膜４によりさえぎられて接合の露出した
表面に達することはない。
本発明は半導体装置の接合露出表面にＪＣＲとして耐熱
性の高いポリイミド樹脂を形成する場合に先ず薄いポリ
イミド膜を形成し、ついで十分な厚さを有するポリイミ
ド膜を積層するもので、モールド時などに加わる応力に
より良品率の低下あるいは信頼性の低下が著しく減少す
る。第４図はモールド後のもれ電流試験における良品率
、第５図は信頼性試験としての温度８５℃、湿度８５％
の雰囲気中の１０００時間の耐湿性試験における故障率
を、それぞれ従来の一層構造のポリイミド樹脂層を有す
るダイオード、本発明の実施例の二層構造のポリイミド
樹脂層を有するダイオードについて示す。 これにより良品率および信頼性に対する本発明の効果は
明らかである。
性の高いポリイミド樹脂を形成する場合に先ず薄いポリ
イミド膜を形成し、ついで十分な厚さを有するポリイミ
ド膜を積層するもので、モールド時などに加わる応力に
より良品率の低下あるいは信頼性の低下が著しく減少す
る。第４図はモールド後のもれ電流試験における良品率
、第５図は信頼性試験としての温度８５℃、湿度８５％
の雰囲気中の１０００時間の耐湿性試験における故障率
を、それぞれ従来の一層構造のポリイミド樹脂層を有す
るダイオード、本発明の実施例の二層構造のポリイミド
樹脂層を有するダイオードについて示す。 これにより良品率および信頼性に対する本発明の効果は
明らかである。
Claims (1)
- １）接合の露出した表面がポリイミド樹脂で保護される
半導体装置の製造方法において、接合の露出した表面を
粘度の低い樹脂溶液を塗布して加熱処理し、薄いポリイ
ミド樹脂膜を形成したのち、その上に粘度の高い樹脂溶
液を塗布して加熱処理し、厚いポリイミド樹脂膜を積層
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122574A JPS612349A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122574A JPS612349A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612349A true JPS612349A (ja) | 1986-01-08 |
| JPH0228257B2 JPH0228257B2 (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=14839269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59122574A Granted JPS612349A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612349A (ja) |
-
1984
- 1984-06-14 JP JP59122574A patent/JPS612349A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0228257B2 (ja) | 1990-06-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |