JPS6045078A

JPS6045078A - 光導電部材

Info

Publication number: JPS6045078A
Application number: JP58153671A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-08-23
Filing date: 1983-08-23
Publication date: 1985-03-11
Also published as: DE3430923A1; GB2148018A; FR2555819B1; GB2148018B; US4569892A; JPH0145989B2; FR2555819A1; GB8421391D0; DE3430923C2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体１／＋３　＠　Ｋ　ｆＭ、或いは像形成分野におけ
る電子写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔
光電流（Ｉｐ）　／暗電流（Ｉｄ）　：）が高く、照射
する電磁波のスペクトル特刊ニマッチングした吸収スペ
クトル特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵
抗値を有すること、使用時において人体に対して無公害
であること、更には固体撮ｒ１〆装置においては、残像
を所定時間内に容易に処理することができること等の特
性が要求される。殊に、事務機としてオフィスで使用さ
れる電子写真装置内に組込寸れる電子写真用像形成部材
の場合には、上記の使用時における無公害性は重装な点
である。

この様な点に立脚して最近注目されている光。

導電材料にアモルファスンリコン（以後ａ−８ｉと表記
す）があり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報
、同第２８５５７１．８号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第２９３　：（４１１号公報には光
電変換読取装置への応用が記載されている。

百年ら、従来のａ−８ｌで構成さね、た光導電層を有す
る光導電部材は、暗抵抗値、光感１〆、光応答性等の電
気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境
特性の点、更には経時的安定性の点において、結合的な
特性向上を計る必要があるという更に改良される可き点
が存するのが実情である。

例えば、′隠子写真用ｒ象形成部材に適用した場合に、
高光感度化、高暗抵抗化を同時に削ろうとすると、従来
においては、その使用時において残留電位が残る場合が
度／７観測され、この神の光導電部材は長時間繰り返し
使用し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って
、残ｆ象が生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる或
いは、高速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する
、等の不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の址が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

従ってａ−８ｉ４１料そのものの特性改良が計られる一
方で光導電部材を設言１する際に、上記した様な問題の
総てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就てｒ４う、子写真用像形成部材や固体撮ｆ象装置、読
取装置等に使用される光導電部材としての適用性とその
応用性という観点から認括的に鋭意研究検討を続けた結
果、／リコン原子を母体とし、水素原子α■又は・・ロ
ゲン原子（３）のいずれか一方を少なくとも含有するア
モルファス材料、所謂水素化アモルファスノリコン、ハ
ロゲン化アモルファス／リコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルファスンリコン〔以後これ等の総称的表記ど
してｒ　ａ　−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から
構成され、光導電性を示す光受容層を有する光導電部材
の層構成を以後に説明される殊な特定化の下に設計され
て作成された光導電部祠は実用上著しく優れた特性を示
すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあら
ゆる点において凌駕していること、殊に電子写真用の光
導電部材として著しく優れた特性を有していること及び
長波長側に於ける吸収スペクトル特性ＶＣ優れているこ
とを見出した点に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の隊形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、旨品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的−１、高光感度性、高ＳＮ
比特性を有する光導電部材を提供することでもある。

む非晶質材料で構成された、層領域Ｃ）とシリコン原子
を含む非晶質月料で構成され、光導電性を示す層領域（
Ｓ）とが前記支持体（１ｊｌｌより順に設けられた層構
成の光受容ｊ曽とを有し、該光受容層は、酸素原子を含
有し、その層厚方向に於ける分布濃度が夫々、Ｃ（１）
、　Ｃ（３）、　Ｃ（２）なる第１の層領域（１）、第
３の層領域（３）、第２の層領域（２）を支持体側より
この順で有する事を特徴とする（但し、Ｃ（３）は単独
では最大になることはなく、且つ、Ｃ（１）、Ｃ（２）
、のいずれか１つがＯになる場合は、他の２つばＯでは
なく且つ等しくはないか、又はＣ（３）が０の場合は、
他の２つは０ではない）。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐圧性及び使
用環境特性を示す。

殊に、市５子写真用１象形成部材として適用させた場合
には、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画＠を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い、。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就で詳Ｍｕ
に説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、光受容層１０２を有し、該先受
ｇ層１０２は自由光１ｎ１１υ５を一方の端面に有して
いる。

光受容＋＊　］、　０２は、支持体１０１側よりゲルマ
ニウム原子を含有するａ　−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　（以後
ｒ　ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉと略記する）で構
成さ！＋。

た層領域（Ｇ）　１０３とａ　−Ｓｉ　（１−］、、　
Ｘ）で構成さｆ’Ｌ、光導電性を有する層領域（Ｓ）　
１０４とが順に１１１層−された層構造を有する。

層領域（Ｇ）　１０３中に含有さね、るゲルマニウム原
子は、該層領域（Ｇ）　１０３の層厚方向には連続的で
あって且つ前記支持体１０１の設けられである側とは反
対の側（光受容層１０２の表面１０５側）の方に対して
前記支持体１０　］、　（Ｉ１１の方に多く分布した状
態となる様に前記１・１４領域（Ｇ）１０３中に含有さ
れるか又は、この逆の分布状態となる様に含有されるか
、或いは層領域（Ｇ）１０３中に均一に刃側無く含有さ
れる。

本発明の光導電部拐においては、層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の分布状態が不均一である場合
には、層厚方向においては、前記の様な分布状態を取り
、支持体の表面と平行な面内方向には均一な分布状態と
されるのが望ましい。

本発明に於いては、層領域（Ｑ）上に設けられる層領域
（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておらず、
この様な層構造に光受容層を形成することによって、可
視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄の全
領域の波長の光に対して光感度が優れている光導電部材
とし得るものである。

又、ゲルマニウム原子が不均一に分布する系の場合の好
適な例に於いては、層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウ
ム原子の分布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続
的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃ
が支持体側より層領域（Ｓ）　Ｋ向って減少する変化が
与えられているので、層領域（Ｇ）と層領域（Ｓ）との
間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側
端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃｔ極端に大
きくすることにより、半導体レーザ等を使用した場合の
、層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れない長波長側の光
′ｆ：層領域（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収する
ことが出来、支持体面からの反射による干渉を防止する
ことが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、層領域Ｃ）と層領
域（Ｓ）とを構成する非晶質拐料の夫々が７リコン原子
という共通の構成要素を有しているので、積層界面に於
いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（Ｇ）の層厚を示し、
ｔＢは支持体側の層領域（Ｇ）の端面の位置を、Ｌ、は
支持体側とは反対側の層領域（Ｇ）の端面の位置を示す
。即ち、ゲルマニウム原子の含有される層領域（Ｇ）は
ｔＢ側よりｔ、　１＋ｌｉに向って１鯵形成がなされる
。

第２図には、層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る層領域（Ｇ）が形成される表面と該層領域０）の表１
６１とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位１６．までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成きれる層領域（Ｇ）　
Ｋ含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ１
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置Ｅ
、においではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは０３とさ
れる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位［ｔｆｔＢより位置ｔ１に至る
まで濃ＫＣ＋から徐々に連続的に減少して位置ｔ□にお
いて濃度Ｃ７となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置Ｌ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔ、との間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔ□におい−Ｃ１分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布４匿Ｃは位
ｆ眞ｔＢより位置ｔ、に至る寸で、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔ、ｒにおいて実質的に零とさ
れている。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位ｔｆ￥ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ
０と一定値であり、位置ｔ１においては濃度ＣＩＯとさ
れる。位ｆｉｔ３と位１ｔｔ１との間では、分布濃度Ｃ
は一次関截的に位置ｔ３より位置ｔ１に至るまで減少さ
れている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔ４１では濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置ｔ
４より位置ｔ１までは濃度ＣＩ２より濃度ＣＩ３まで一
次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに至
るまで、ゲルマニウム原子の分布餠度Ｃは濃度ＣＩ４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位ＩｆｔＢより位置ｔ、に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃を現Ｃ１５より
濃度Ｃ＋ａまで一次関数的に減少され、位１ｉｆｔ５と
位置１Ｔとの間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされ
た例が示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布両度Ｃは位置ｔＢにおいて渦度ＣＩ７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃１ｆ：Ｃ＋ｓとされる。

位ｂｔ　ｔａと位１ｉ￥ｔ７との間においては、初め急
激に減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位
置ｔ７で濃度ＣＩ９と々す、位置ｔ７と位置ｔ８との間
では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８にお
いて、濃度Ｃ２０に至る。位置Ｌ８と位置ｔ、の間にお
いては、濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す
如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、層領域Ｃ）中に含有
されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型例
の幾つかを説明した様に本発明においては、支持体側に
おいて、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分含有
し、界面ｔ１側においては、前記分布６”縫度Ｃは支持
体側に較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が層領域（Ｇ）に設けられている。

本発明に於ける光導電部制を構成する非晶質層を構成す
る層領域（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側の方
にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている局
在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５
μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位１准
ｔＢより５μ厚までの全層領域（Ｌｌ）とされる場合も
あるし、又、層領域（Ｌ、１、）の一部とされる場合も
ある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌｌ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質１曽に要求される特性
に従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層埋方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子との和に対して、好
ましくは１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」二、より
好適にば５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」−１最適
にはＩ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　Ｉ）Ｉ）１７１以
上とされる様な分布状態となり得る様に層形成されるの
が望せしい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る層領域（Ｇ）は２、支持体側からの層厚で５μ以内（
ｔＩ３から５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが存在する様に形成されるのが好ましい。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子ａ−υの賃又はハ
ロゲン原子■の伍又は水素原子とノ・ロゲン原子の量の
オＤ（Ｈ＋Ｘ）は、好１しくに１−４０　ａｔｏｍｉｃ
％、より好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃチ、最適には
５〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望本発明にお
いて、層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の
含有量としては、本発明の目的が効果的に達成される様
に所望に従って適５００〜≠Ｘ　］　Ｏ’　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍとされるのが望ましいＯ本発明に於いて層領域（Ｇ）と層領域（Ｓ）との層厚は
、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因子の
１つであるので形成される光導電部材に所望の特性が充
分与えられる様に、光導電部材の設計の際に充分なる注
意が払われる必要がある。

本発明に於いて、層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、好１しく
は、３０Ａ〜５０μ、より好才しくは４゜人〜４０μ、
最適には５０Ａ〜３０μとされるのが望まし２い。

又、層領域（Ｓ）の層厚Ｔｆ−１、好ましくは、０５〜
９０μ、より好ましくけ１〜８０μ、最適にけ２〜５０
μとされるのが望捷しい。

層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと層領域（Ｓ）の層厚Ｔの和（
ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と光受
容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性に
基いて、光導電部材の層設訓の際に所望に従って、適宜
決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）　
の数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、より好
捷しくけ１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが
望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常はＴＢ／Ｔ≦１なる関
係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な数値が選択
されるのが望オしい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９、最適には
ＴＢ／Ｔ≦０８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び
層厚Ｔの値が決定されるのが望せしいものである。

本発明に於いて、層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０′ａｔｏｍｉｃ＋）Ｐ
ｍ以上の場合には、層領域（Ｇ）の層厚ＴＢとしては、
可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μ以下
、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以下とさ
れるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する層領
域（Ｇ）及び層領域（Ｓ）中に含有きれるハロゲン原子
（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ
素゛が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものとして
挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ＋　Ｘ　）で構成
される層領域（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ　５ｉＧｅ　（Ｈ＋　
Ｘ　）で構成される層領域（Ｇ）を形成するには、浩本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ
供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（ｉ［（）
導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化
率曲線に従って制御し乍らａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合には、例えばＡｒ＋Ｈｅ等の不活性ガ
ス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
で８１で構成されたターゲットとＧｅで構成さり、たタ
ーゲットの二枚を使用して、又はｓｌと（ト）の混合さ
れたターゲットを使用してスパッタリングする際、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又に／及びハロゲン原子（Ｘ）
導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してや
れば良い。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ＋Ｈ，＋　＋　５ＬＨＩｌ＋Ｓ　
１ｓＩ（ｓ　＋　８１　ａＨ＋ｏ等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用される
ものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ
、Ｓｊ供給効率の良さ等の点でＳ　ｉＩＬ　＋　Ｓｉ　
２Ｈ６が好捷しいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、Ｇｅｌ
１　、　Ｇｅ２１％　、　Ｇｅ３Ｈ，、Ｇｅ４Ｈ，ｏ、
　Ｇｅ、■、２．　Ｇｅ５Ｈ＋ｓ。

ＧｅＪ］ｏ＋　、Ｇｅ５Ｈ＋ｓ　、ＣｅｏＬｏ　等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に
使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の
取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＩ−Ｌ
　、　Ｇｅ２Ｉ（ａ　、　Ｇｅ：＋Ｈｓが好ましいもの
として挙げられる。

本発明において使用される・・ロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くの・・ロゲン化合物が挙げ
られ、例えば・・ロゲンガス、・・ロゲン化物、・・ロ
ゲン間化合物、・・ロゲンで置換された７ラン誘導体等
のガス状態の又はガス化し得る）・ロゲン化合物が好寸
しく挙げられる。

又、更には、シリコン原子とノ・ロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る０本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フン素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、　ＣｔＦ、　Ｃ１Ｆ、。

ＢｒＦ５　＋　ＢｒＦ３１　ＩＦ３　＋　ＩＦ５　＋　
ＩＣｔ＋　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが
出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、・・ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
５ＩＦ４　＋　５１２Ｆ６　＋　Ｓ＋Ｃ４＋　Ｓ＋Ｂｒ
４等のハロゲン化硅素が奸才しいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、　Ｇｅ供給用の原料ガスと共に８１を供給
し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅ
から成る層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ノ・ロゲン原子を含む層領域（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｊ供給用の
原料ガスとなるノ・ロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ＋　Ｈ２＋　Ｈｅ等
のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして層領
域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起
してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
って、所望の支持体上に層領域（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても
良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法成いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る層領域（Ｇ）
を形成するには、例えばスパッタリング法の場合にはＳ
ｉから成るターゲットと［有］から成るターゲットの二
枚を、或はＳｉとＧｅから成るターゲットを使用して、
これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリングし
、イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シ
リコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単
結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビ
ーム法（ＦＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を
所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事か
出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
同れの場合にも形成される層中に・・ロゲン原子を導入
するには、前記の・・ロゲン化合物又は前記の・・ロゲ
ン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該
ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである
。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｉ］２、或いＣ前記した７ラン類又は
／及び水素化ゲルマニウム、等のガス類をスパッタリン
グ用の１佳に？ｔ　’Ｎ中に導入し７て該ガス類のプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されだノ・ロゲン化合物或いは・・ロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、　ＨＦ、　ＨＣｔ。

ＨＢｒ、Ｈ，Ｉ等の／％０ゲン化水素、５ｉＨｓＦ２＋
　５ｉｌＬＩ２＋５ｉＨｔＣ４１５ｉＨＣ４＋　５ｉＨ
２Ｂｒ、ｌ　５ｊＩ（１３ｒａ等のハロゲン置換水素化
硅素、及びＧｅ１ｌＦ３．　Ｇｅ１ＬＦ２　、　ＧｅＨ
３Ｆ　。

ＣｅＨＢｒ５．　ＣｅＨ２Ｃｔ２．　ＣｅＨｓＣｔ、　
ＣｅＨＢｒ５　、　ＣｅＩ（２Ｂｒ２　。

ＧｅＨ３Ｂｒ　、　ＧｅＨＬ　Ｊ　ＧｅＨ２Ｌ　＋　Ｇ
ｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、等の水素
原子を構成要素の１つとする／％０ゲン化物、ＧｅＦ６
．　ＧｅＣｔ４＋ＧｅＢｒ４＋　ＧｅＬ　＋　ＧｅＦ、
、　、　ＧｅＣ１２，ＧｅＢｒ２＋　ＧｅＩ２等のハロ
ゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し
得る物質も有効な層領域（Ｇ）形成用の出発物質と１７
で挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、層領
域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原丁の導入と同時に
電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子
も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン導
入用の原料として使用される。

水素原子を層領域（Ｇ）中に構造的に導入するには、上
記の他にＨ２、或いは５ＩＨ４＋　Ｓ１２ル。

Ｓ　ｌ　ａＩ（ｓ　＋　Ｓ　ｌ　４　Ｉ（＋ｏ等の水素
化硅素を（ト）を供給する為のゲルマニウム又はゲルマ
ニウム化合物ど、或いは、ＧｅＨ４１Ｇｅ２Ｈｏ　、Ｇ
ｅ３Ｈａ　、Ｇｅ、Ｈ，ｏ　、Ｇｅ５Ｈ４２。

Ｇｅ５Ｈ４２ＧｅＪＩ＋ｏ　、　Ｇｅ８Ｈ＋ｇ　＋　Ｇ
ｅＪ（２ｏ等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為
のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存さ
せて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好捷しい例において、形成される非晶質層を構
成する層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｉ−Ｉ　＋　Ｘ　）は好捷しくけ０．０１
〜４０　ａｔｏｒｎｉ　ｃ％、より好寸しくけ０．０５
〜３０　ａｔｏｍｉｃ％　、最適には０．１〜２５　ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｉ］）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ　Ｓｌ　（Ｈ＋　Ｘ　）で構成され
る層領域（Ｓ）を形成するには、前記した層領域（Ｇ）
形成用の出発物質（Ｉ）の中より、［有］供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔層領域（Ｓ）形
成用の出発物質（■）〕を使用して、層領域（Ｇ）を形
成する場合と、同様の方法と条件に従って行う事が出来
る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、ス
パッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の放
電現象を利用する真空堆積法によって成される。例えば
、グロー放電法によって、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳ１供給用の原料
ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の
支持体表面上にａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ　）からなる層を形
成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合にｄｌ、例えばＡ
ｒ＋Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし
た混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを
スパッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積
室に導入しておけば良い。

ゲルマニウム原子の含有されない層領域（Ｓ）　Ｋこの
様な物質としては、所謂、半導体分野でへＰ型不純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙
げることが出来る。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第１ＩＩ族に
属する原子（第１ＩＩ族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、
ｈｔ　（アルミニウム）、Ｇａ　（ガリウム）、’Ｉｎ
（インジウム）、Ｔｔ（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは　ｐ。

Ａｓである。

βｑ本発明に於いて、層領域（畏）に含有される伝〜導特性を制御１する物質の含有量は、該層領域（８）Ｍに要求される伝導特性、或いは該層領域（８）に直に接
触して設けられる他の層領域の特性や、腰仙の層や支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記の伝導特性を制御する物質を光受容層中に含有
させるのに、該光受容層の所望される層領域に局在的に
含有させる場合、殊に、光受容層の支持体側端部層領域
（Ｅ）に含有させる場合には、該層領域（Ｅ）に直に接
触して設けられる他の層領域の特性や、腰仙の層領域と
の接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特
性を制御する物質の含有量が適宜選択される０本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（０）の含有量とｌ−ては、好寸しく
は、０．０１〜５　Ｘ　１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　
、より好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
　Ｉ）Ｉｎ＋１　、最適には１〜５　Ｘ　１０”　ａｔ
ｏ＋ｎｉｃ　ｐｐｍとされるのが銀型しい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（（コ）が含
有される層領域（ＰＮ）＋ｃ於ける該物質（０）の含有
量が好捷しくは３０　ａｔｏｍｉｃ　１）Ｔ）Ｉ＋１以
上）より好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　Ｉ）ｐｍ以上、
最適には、１００１００ａｔｏ　ｐｐｍ以上の場合には
、前記物質（Ｃ）は、光受容層の一部の層領域に局所的
に含有させるのが望ましく、殊に光受容層の支持体側端
部層領域（１つ）に偏在する様に含有させるのが望まし
い０上記の中、光受容層の支持体１則端部層領域（Ｅ）に前
記の０値以上の含有量となる様に前記の伝ｉ　％性を支
配する物質（０）を含有させることによって、例えば該
含有させる物質（０）が前記のＰ型不純物の場合には、
光受容層の自由表面が０）極性に帯電処理を受けた際に
支持体側から光受容層中へ注入される電子の移動を効果
的に阻１にすることが出来、又、前記含有させる物質カ
ー前記の、Ｉ　ＪＦｌｊ不純物の場合には、光受容層の
自由ｙ（而がＯ極性に帯電処理を受けた際に、支持体１
１１１１から光受容層中へ注入される正札の移動を効果
的に阻＋Ｌすることが出来る０この様に、゛前記端部層領域（Ｅ）に一方の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させる場合には、光受容層の
残りの層領域、即ち、前記端部層領域（Ｅ）を除いた部
分の１−領域（Ｚ）には、他の極性の伝導特性を支配す
る物質を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導特
性を支配する物質を、端部層領域（Ｅ）に含有される実
際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良いＯこの様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（０）の含有量としては、端部層
領域（Ｅ）に含有される前記物質の極性や含有量に応じ
て所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましく
は、　０．００１〜１．０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　
、より好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐＨ
１、最適には０．１−２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて、端部層領域（Ｅ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層
領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、３０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。上記
した場合の池に、本発明にｂ６いてけ、光受容層中に、
−力の極性を有する伝導性を支配する物質を含有させた
層領域と、他力の極性を有する伝導性を支配する物質を
含有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触
領域に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のＰ型不純物を含イ
イする層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを
直に接触する様に設けて所Ｔｉ’ｆｔ　ｐ−ｎ接合を形
成して、空乏層を設けることが出来る。

光受容層中に伝導特性を制御する物１ｉｆｔ　（Ｃ）、
例えば第１ＩＩ族原子或いは第■族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に第１１１族原子導入用の出発物
質或いは第■族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に、第２の層領域を形成する為の他の出発物質と共
に導入してやれば良い。この様な第１ｎ族原子導入用の
出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の
又は、少なくとも層形成東件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが望ましい。その様な第１■原子導入
用としては、＋３Ｊ−Ｉ、　、　１３４１−１．。、　
ＢＪ（、、ＢＪ（、、。

Ｂｏ比０．　Ｂ６１−Ｉ＋２．　Ｂ、Ｈ，４等の水素化
硼素、ＢＦ３．　ＢＣ！β３゜ＢＢｒ３等のハロゲン化
硼素等が挙げられる。この他、ｋ７１ＣＩＪｓ　、　Ｇ
ａＧ１１３．　Ｇａ（ＣＨ３）ａ　、　ＩｎＣｌ３．’
ＬＩＩＧＩＩ３゜等も挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＩ−■
１．Ｐ２■−■４等の水素北隣、ＰＨ４Ｉ　、Ｐｌ”３
゜ＰＰ５．　ＰＣｌ３．　ＰＣｌ５．　ＰＢｒ３．　Ｐ
Ｂｒ３．　ＰＩｌ等のハロゲン北隣が挙げられる。この
他、Ａ、５ｌ（１，Ａ、ｓＦ３゜Ａｓ（Ｊ３．　ＡｓＢ
ｒ３．　ＡｓＦ５．５ｂｌ−Ｊｌ、　ＳｂＦ、　、　Ｓ
ｂＦ、、　、　ＳｂＣ！Ａ３゜５ｂｃ４　、　Ｂ１１−
１．　、　ＢｉＣＪ３．　Ｂ１Ｂｒ３等も第■族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来る
。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子が含有され
る層領域（０）が設けられる。光受容層中に含有される
酸素原子は、光受容層の全層領域に万遍なく含有されて
も良いし、或いは、光受容層の一部の層領域のみに含有
させて遍在させても良い。

本発明に於いては、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（
０）は、光受容層全体としては、その層厚方向に於いて
階段状に不均一である。

に示されるように酸素原子が含有され、その層厚方向に
於ける分布濃度がＣ（ｊ）なる値である第１の層領域（
Ｉｌｌ　０５　、　Ｃ（２）なる値である第２の層領域
（２＋　１０６　、　Ｃ（３）なる値である第３の層領
域（３）　１０７とを有する。又、層領域（Ｇ）　１０
３と層領域（Ｓ）　１０　／ｌの接触界面は、第１と第
２と第３の層領域のいずれにあってもよい。

本発明においては、上記第１．第２．第３の各層領域は
、必ず上記３つの層領域のいずれの層領域中に於いても
酸素原子が含有されている必要はないが、いずれか１つ
の層領域に酸素原子が含有されていない場合には、他の
２つの層領域には酸素原子が必ず含有されており、且つ
それ等の層領域に於ける酸素原子の層厚方向の分布濃度
は異っている必要がある。

詰シ分布濃度Ｃ（］）、Ｃ（２＋、Ｃ（３）のいずれが
１つがＯになる場合には、他の２つは０でなく且つ等し
くならない様に各層領域を形成する必要がある。このよ
うにすることによって帯電処理を受けた際に自由表面１
０８側あるいは支持体１０１側から光受容層１０２中に
電荷が注入されるのを効果的に阻止することが出来ると
同時に、光受容層１０２自体の暗抵抗の向」二及び支持
体１０１と光受容層１０２との間の密着性の向上を計る
ことが出来る。光受容層１．０２が実用的に充分な光感
度と暗抵抗を有し、且つ、光受容層１０２中への電荷の
注入を充分１；１１市しイ（すると共に、光受容層１０
２中に於いて発生するフ第１・キャリアの輸送が効果的
に成される様に（了２するには、第３０層領覧の酸素原子の分布濃度Ｃ（３）
は単独で妊：最大とならない様に光受容層１０２を設則
する必要がある。

この場合、好ましくは第３の層領域の層厚は他の２つの
層領域の層厚よりも充分厚くなる様に光受容層１０２を
設計するのが望ましく、より好ましくは第３の層領域の
層厚は光受容層１０２０層厚の５分の１以上を占める様
に光受容層１０２を設計するのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域ＣＩ）及び第２の層領域
（２）の層厚としては、好ましくは０００３〜３０μ、
より好寸しくけ０．００４〜２０μ、最適には０．００
５〜１０μとされるのが望ましい。

又、第３の層領域（３）の層厚としては、好ましくは１
〜１００μ、より好１しくは１〜８０μ、最適には２〜
５０／Ｌとされるのが望ましい。

第１の層領域（１）及び、第２の層領域（２）を光受容
層中への電荷の注入を阻止する。所謂電荷注入阻止層と
しての機能を主に持たせる様に光受容層を設計する場合
には、第１の層領域（１）及び第２の層領域（２）の層
厚は夫々最大１０μとするのが望ましい。

第３の層領域（３）に電荷発生層としての機能を主に持
たせる様に光受容層を設計する場合には、第３の層領域
（３）の層厚は使用される光源の光の吸収係数に応じて
適宜所望に従って決められる。

この場合通常、電子写真分野に於いて、使用される光源
を使用するのであれば第３の層領域（３）の層厚は精々
１０μ程度あれば良い。

第３の層領域（３）に゛主に電荷輸送層としての機能を
持たせるに（はその層厚は少なくとも５７Ｚあるのが望
ましい。

本発明に於いて酸素原子の含有分布濃度Ｃ（］）。

ＣＦ２）　、及びＣ（３）の最大値としては、シリコン
原子、ゲルマニウム原子及び酸素原子の和（以後［Ｔ　
（５ｉＧｅＯ）　Ｊ　と記す）に対して、好１シ＜ｄ、
６７　ａｔｏｍｉｃ％、より好捷しくは５０　ａｔｏｒ
ｎｉ　ｃ％、最適には４０　ａｔｏｍｉｃ％とされるの
が望ましい。

又、前記分布濃度Ｃ（１）　、　Ｃ（２）　、　Ｃ（３
）がＯでない場合の最小値としては、Ｔ（ＳｉＧｅＯ）
に対して好ましくは１　ａｔｏｍｉｃ　ｐＩ）ｍ、よシ
好ましくは５０ａｔｏ＋ｎｉｃ　ｐｐｍ＋最適には１０
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｌ）ｍ　とされるのが望ましい。

本発明に於いて、酸素原子の分布状態は光受容層全体に
於いては、前記した様に層厚方向に不均一であるが、第
１．第２．第３の各層領域に於いては層厚方向に均一で
ある。

第１２図乃至第１６図には、光受容層全体としての酸素
原子の分布状態の典型的例が示される。尚、これ等の図
の説明に当って断わることなく使用される記号は、第２
図乃至第１０図に於いて使用しだのと同様の意味を持つ
。

第１２図に示される例では、位置ｔ。より位置ｔｏ　ｔ
では酸素原子の分布は濃度Ｃ２１と一定値とされ位置ｔ
、から位置ｔ１までは分布濃度Ｃ２２と一定とされてい
る。

第１３図に示される例では位置ｔＩ］よシ位置ｔｏ。

寸では分布濃度Ｃ２３と一定値とされ位置ｔｌｏより位
置ｔｌ＋までは分布濃度Ｃ２４とされ位置ｔｌ＋から位
置ｔＴ寸では分布濃度Ｃ２ｆｉ　とされて３段階で酸素
原子の分布濃度を減少させている。

第１４図の例では、位１ｔ１１より位置ｊ＋２”ｃでは
分布濃度Ｃ２６とし位置ｔ１２から位置ｔＴまでは酸素
原子の分布濃度ｃ２□とされている。

第１５図の例では、位置ｔ１１より位置ｔ１３までは濃
度Ｃ２８とし位置１Ｂから位置ｔ、４までは濃度Ｃ２Ｑ
表し、位置１＋＜から位置１Ｔまでは濃度ＣＳＯとして
、３段階にステップ状に酸素原子の分布濃度を増加して
いる。

第１６図の例では、位置ｔｏより位置ｔ＋ｓまで分布濃
度Ｃ３１とし位置ｔ１５から位置ｔｅａ　’ｊでは分布
濃度Ｃ３２とし位ｆｉｔ　ｔ＋ａがら位置ｔ。まで分布
濃度ｃ、。

としている。支持体側および自由表面側で酸素原子の分
布濃度が高くなるようにしている。

本発明に於いて、光受容層に酸素原子の含有された層領
域（０）を設けるには、光受容層の形成の際に酸素原子
導入用の出発物質を前記した光受容層形成用の出発物質
と共に使用して、形ｊ戊される層中にその量を制御し乍
ら含有してやれば良い。

層領域（Ｏ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望
に従って選択されたものに酸素原子導入用の出発物質が
加えられる。その様な酸素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（８）又は及びノ・ロゲン原子閃を構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又は、シリコン原子’（Ｓ　ｉ　）を構成原子
とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（５）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合すみか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、／リコン原子（Ｓｉ）　、酸素原
子（０）及び水素原子卸の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。

又、別には、／リコン原子（Ｓｉ）と水素原子卸とを構
成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には、例えば酸素（０２）　、オゾン（０３）　
。

−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸
化窒素（Ｎ２０）　、三二酸化窒素（Ｎ２ｏｓ）　、四
二酸化窒素（Ｎ２ω、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸
化窒素（ＮＯ３）　、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（６）とを構成原子とする。例えば、
ジシロキサン（Ｈ３Ｓ１０ＳＩＨ３）　ｌ　トリシロキ
サン（ＨｓＳｉＯ８ｉＨ，０ＳｉＨＪ等の低級シロキサ
ン等を挙げることが出来る。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層領域
（Ｏ）を形成するには、Ｑｉ結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又はＳｉＯ２ウェーッ・−１又はＳｉとＳ　ｉＯ
２が混合されて含治されているウェーッ・−をターゲッ
トとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリン
グすることによって行えは良い。

例エバ、ＳＩラウェ−−−をターゲットとして使用すれ
ば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びノ・ロ
ゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スノぐツタ−用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｌウェー
ッ・−をスノくツタリングすれば良い。

又、別には、ＳｊとＳｉＯ２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉとＳｉＯ２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スフζツタ−用のガスとしての
稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又
は／及びノ・ロゲン原子（３）を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッタリングすることによって成さ
れる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグ
ロー放電の例で示しだ原料ガスの中の酸素原子導入用の
原料ガスが、スパックリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際だ、酸素原子の含
有される層領域（０）を設ける場合、該層領域（Ｏ）に
含有される酸素原子の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向に変
化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｌ）ｔｈ　
ｐｒｏｆ　１ｌｅ）を有する層領域０）を形成するには
、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（０）を変化させ
るべき酸素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流
量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍も、堆積
室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口をステップ状に変化させ
る操作を行えば良い。

層領域（０）をスパッタリング法によって形成する場合
、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向で
変化させて、酸素原子の層ｊ↓１方向の所望の分布状態
（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一
には、グロー放電法による場合と同様に、酸素原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流Ｉ１１を所望に従って適宜ステップ
状に変化させることによって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えばＳ
ｉとＳｉＯ２との混合さ１れたターゲットを使用するの
であれば、Ｓｌと５ｊ０２との混合比を、ターゲットの
層厚方向に於いて、予め変化させておくことによって成
される。

本発明において使用される支持体としては。

導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体と
しては、例えば、ＮｘＣｒ、ステンレス。

Ａｊｌ　、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　
、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビュリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に＊　Ｎ＋Ｃｒ。

ＡＪ、Ｃｒ、Ｍｏ＋Ａｕ＋Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ＋Ｔｉ
　＋Ｐｔ、Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３＋　ＳｎＯ□＋　ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３”　５
ｎＯ２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムであれば、ＮｉＣｒ　＋　ＡＡ　＋　Ａｇ　＋　
Ｐｂ　、　Ｚｎ　ｒ　Ｎｉ　、　Ａｕ　。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング
等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネ
ート処理して、その表面に導電性が付与される。支持体
の形状としては、円筒状。

ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００を電子写真用像形成部材として使用するのであれば
連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部
材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。

百年ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機
械的強度等の点から、通常は１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１７図に光導電部祠の製造装置の一例を示す０図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには２本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その−例としてたとえば１１０２はＨｅで稀釈された
ＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＳｉＨ４／Ｈ
ｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀釈されだＧｅ
Ｈ４ガス（純度９９．９９９係、以下ＧｅＨ４／ｌ−１
ｅと略す。）ボンベ、１１０４はＮｏガス（純度、９９
．９９％、以下Ｎｏと略す。）ボンベ、１１０５はＨｅ
ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、　１１０６はＨｅ
ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２゜１１３３が開かれ
ていることを確認して、先づメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１．及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０　ｔｏｒ＋−にな
った時点で補助バルブ１１３２，１１３３　、流出バル
ブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に非晶質層を形成する
場合の一例をあげると、ガスボンベ１１０２よりＳｉＨ
４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よりＧｅＨＪＨｅガ
ス、ガスボンベ１１０４よりＨｅガスをバルブ１１２２
，１１２３．１１２４を開いて出口圧ゲージ１１２７．
１１２８．１１２９の圧を１　ｋｇ／Ｃ＋＋！　Ｋ調整
し、流入バルブ１１１２，１１１３．１１１４を徐々に
開けて、マスフロコントローラ１１０７．１１０８，１
．１０９内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１
１１．７　。

１１１８．１１１９　、補助バルブ１１３２を徐ノＺに
開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。この
ときのＳ　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガス流量とＧｅＨ４／Ｈｅ
ガス流計とＮｏガス流耽との比が所望の値になるように
流出バルブ１１　］、　７　、１１１．８　、　］、　
］１９を調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の
値になるように真空計１１３６の読みを見ながらメイン
バルブ１１３４の開口を調整する。そして基体］１３７
の温度が加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の
範囲の温度に設定されていることを確認された後、電源
１１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグ
ロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化
率曲線に従ってＧｃＨ４／ＨｅガスおよびＮｏガスの流
計を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によってバル
ブ１１１８　。

バルブ１１２０の開口を適宜変化させる操作を行なって
形成される層中に含有されるゲルマニウム原子及び酸素
原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体１１３７上に第１の層領域（Ｇ）を形成す
る。所望層厚に第１の層領域（Ｇ）が形成された段階に
於いて、流出バルブ１１１８を完全に閉じること、及び
必要に応じて放電条件を変える以外は、同様な条件と手
順に従って、所望時間グロー放電を維持することで第１
の層領域（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に含有さ
れない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出来る。

第１の層領域（Ｇ）および第２の層領域（Ｓ）中に、伝
導性を支配する物質を含有させるには、第１の層領域（
Ｇ）および第２の層領域（Ｓ）の形成の際に例えばＢ２
Ｈ６、ＰＨ３等のガスを堆積室１１０１・の中に導入す
るガスに加えてやれば良い。

層形成を行っている間（ｄ層形成の均一化を図るため基
体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１第１７図に示しだ製造装置により、シリンダー状のＡＩ
！基体上に第１表に示す条件で電子写真用像形成部材と
しての試料（試＃４彫月−１〜１７−６）を夫々作成し
た（第２表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は、第
１８図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第１９図に示
される。

こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置に設置し
■５．　Ｑ　ｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源
を用い、２１．ｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部拐」二のトナー画像を、■５．　ＯｋＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、いずれの試料も解像力に優
へ、階調１１Ｊ現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られ
た。

上記に於いて、光源をタングステンランプの代りに８１
０　ｎｍ０ＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用い
て、静電像の形成を行った以外（ｄ、上記と同様のトナ
ー画像形成条件にして、各試料に就いてトナー転写画像
の画質評価を行ったところ、いずれの試料も解像力に優
れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像がぞＩられた
。

実施例２第１７図に示した製造装置にＪ：す、シリンダー状のＡ
７１基体上に第３表に示す条件で電子写真用像形成部材
としての試料（試料扁２１−１〜２７−６）を夫々作成
した（第４表）。

各試料に於ける、ゲルマニウム原子の含有分布濃度は第
１８図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第１９図に示
される。

これ等の試料の夫々に就いて、実施例１と同様の両縁評
価テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナ
ー転写画像を４５えた０又、各試料に就いて３８°Ｃ，
ＳＯ係ＲｆＩの環境に於いて２０万回の繰返し使用テス
トを行ったところ、いずれの試料もｌＩｌ！！Ｉ像品質
の低下−１見られなかった。

以」二の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以
下に示す。

基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・・・・・
約２００”Ｃゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層・・約
２５０ｃ放電周波数：　１３．５６　Ｍｌｌｚ反応時反応室反応室内圧、　３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の層構成を説明する為の模
式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々光受容層中の
ゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説明図、第
１１図は光受容層の構成を説明する説明図、第１２図乃
至第１６図は夫々光受容層中の酸素原子の分布状態を説
明するだめの説明図、第１７図は本発明で使用された装
置の模式的説明図で、第１８図、第１９図は夫々本発明
の実施例に於ける各原子の含有分布濃度状態を示す分布
状態図である。１００・・・光導電部材１０１・・支持体１０２・光受容層Ｃ一一□−一嗜−０ −−一→−ＣＯと

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光導電部材用の支持体と、該支持体上にタ藪チテ
僚仔ｔゲルマニウム原子店を含む非晶質４ｇで構成され
た、１く領域（Ｇｅ　）と７リコン原子を含む非晶質月
料で構成され、光導電性を示す１曽領域（Ｓ）とが前記
支持体側より順に設けられた層構成の光受容ｌａとを有
し、該光受容１曽は、酸素原子を含有し、その１脅厚方
向に於ける分布濃度が夫々Ｃ（１）、　Ｃ（３）、　Ｃ
（２）なる第１の層領域、第３の層領域、第２の層領域
を支持体（ｐ、ＩＩよりこの順で有する事を特徴とする
光導電部材（但し、Ｃ（３）は単独では最大になること
はなく、且つＣ（１）、　Ｃ（２）、いずれか１つがＯ
になる場合は、他の２つは０でなく且つ等しくはないか
又は、Ｃ（３）がＯの場合は他の２つは０ではない）。
（２）１曽領域Ｃ）及び・層領域（Ｓ）の少なくともい
ずれか一方に水素原子が含有さｔ′している特許請求の
範囲第１項に記載の光導電部制。
（３）層領域（Ｇ）及び層領域（Ｓ）の少なくともいず
れか一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範
囲第２項に記載の光導電部月。
（４）層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態が不均一である特許請求の範囲第１に記載の光導′
酸部材。
（５）層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態が均一である特許請求の範囲Ｎ３１項に記載の光導
′曲部材。
（６）光受容層中に伝導性を支配する物質が含有されて
いる特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
（７）伝導性を支配する物質が灰期律表第１１１　ｊｒ
ｉξに属する原子である特許請求の範囲８１４５項に記
載の光導電部月。
（８）伝導性を支配する物質が周期イヤ表第■族に属す
る原子である特許請求の範囲第５項に記載の光導電部材
。