JPH0546536B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siを表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を計る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を発する様になる或いは、高速で繰返
し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや螢光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有光に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過して
来る光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に光導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちであつた。この現象は、殊に支持体が通常、電
子写真分の野に於いて使用されているドラム状支
持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於
いて解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子(X)のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルフアス材料、
所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化ア
モルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化
アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的表記
として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から構成
される光導電性を示す非晶質層を有する光導電部
材の構成を以後に説明される様な特定化の下に設
計されて作成された光導電部材は実用上著しく優
れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材
と較べてみてもあらゆる点において凌駕している
こと、殊に電子写真用の光導電部材として著しく
優れた特性を有していること及び長波長側に於け
る吸収スペクトル特性に優れていることを見出し
た点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない光導電部材を提供することを主た
る目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に光導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、支持体上に設設けられる
層と支持体との間や積層される層の各層間に於け
る密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、、通常の電子写真法が極
めて有効に適用され得る程度に、静電像形成の為
の帯電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多
湿雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測され
ない優れた電子写真特性を有する光導電部材を提
供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、該支持体上に、シリコン原子とゲルマニウム
原子とを含む非晶質材料で構成された、第１の層
領域とシリコン原子を含む非晶質材料で構成さ
れ、光導電性を示す第２の層領域とが前記支持体
側より順に設けられた層構成の非晶質層とを有
し、前記非晶質層中には酸素原子が前記第２の層
領域側に層厚方向に連続的に減少する分布状態で
含有されていることを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位影の響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、非晶質層１０２
を有し、該非晶質層１０２は自由表面１０５を一
方の端面に有している。 非晶質層１０２は、支持体１０１側よりゲルマ
ニウム原子を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）（以後「ａ
−SiGe（Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構成された第
１の層領域(G)１０３とａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れ、光導電性を有する第２の層領域(S)１０４とが
順に積層された層構造を有する。 第１の層領域(G)１０３中に含有されるゲルマニ
ウム原子は、該第１の層領域(G)１０３の層厚方向
及び支持体１０１の表面と平行な面内方向に連続
的であつて且つ均一に分布した状態となる様に前
記第１の層領域(G)１０３中に含有される。 本発明に於いては、第一の層領域(G)上に設けら
れる第２の層領域(G)中には、ゲルマニウム原子は
含有されておらず、この様な層構造に非晶質層を
形成することによつて可視光領域を含む、比較的
短波長から比較的長波長迄の全領域の波長の光に
対して光感度が優れている光導電部材とし得るも
のである。 又、第１の層領域中に於けるゲルマニウム原子
の分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連
続的に分布しているので第１の層領域(G)と第２の
層領域(S)との間に於ける親和性に優れ、半導体レ
ーザ等を使用した場合の、第２の層領域(S)では殆
んど吸収し切れない長波長側の光を第１の層領域
(G)に於いて、実質的に完全に吸収することが出
来、支持体面からの反射による干渉を防止するこ
とが出来る。 又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層
領域と(G)第２の層領域(S)とを構成する非晶質材料
の夫々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面に於いて化学的な安定性
の確保が充分成されている。 本発明において、第１の層領域(G)中に含有され
るゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成される様に所望に従つて適宜
決められるが、通常は１〜9.5×10⁵atomic ppm、
好ましくは100〜８×10⁵atomic ppm、最適に
は、500〜７×10⁵atomic ppmとされるのが望ま
しいものである。 本発明に於いて第１の層領域(G)と第２の層領域
(S)との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させ
る為の重要な因子の１つであるので形成される光
導電部材に所望の特性が充分与えられる様に、光
導電部材の設計の際に充分なる注意が払われる必
要がある。 本発明に於いて、第１の層領域(G)の層厚T_Bは、
通常の場合、30Å〜50μ、好ましくは、40Å〜
40μ、最適には、50Å〜30μとされるのが望まし
い。 又、第２の層領域(S)の層厚Ｔは、通常の場合、
0.5〜90μ、好ましくは１〜80μ、最適には２〜50μ
とされるのが望ましい。 第１の層領域(G)の層厚T_Bと第２の層領域(S)の
層厚Ｔの和（T_B＋Ｔ）としては、両層領域に要
求される特性と非晶質層全体に要求される特性と
の相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材の
層設計の際に所望に従つて、適宜決定される。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（T_B
＋Ｔ）の数値範囲としては通常の場合１〜100μ、
好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされるの
が望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚T_B及び層厚Ｔとしては、通常はT_B／
Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適
宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚T_B及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくは、T_B／Ｔ≦0.9₁
最適にはT_B／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚T_B及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
いものである。 本発明に於いて、第１の層領域(G)中に含有され
るゲルマニウム原子の含有量が１×10⁵atomic
ppm以上の場合には、第１の層領域(G)の層厚T_B
としては、成可く薄くされるのが望ましく好まし
くは30μ以下、より好ましくは25μ以下、最適に
は20μ以下とされるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には支持体と非晶質層との間の密
着性の改良を計る目的の為に非晶質層中には、酸
素原子が含有される。非晶質層中に含有される酸
素原子は、非晶質層の全層領域に万偏なく含有さ
れても良いし、或いは、非晶質層の一部の層領域
のみに含有させて偏在させても良い。 又、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ(O)が非晶
質層の層厚方向に於いては、均一であつても、分
布濃度Ｃ(O)が層厚方向には不均一であつても良
い。 本発明に於いて、非晶質層に設けられる酸素原
子の含有されている層領域(O)は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、非晶質層の
全層領域(O)を占める様に設けられ、支持体と非晶
質層との間の密着性の強化を計るのを主たる目的
とする場合には、非晶質層の支持体側端部層領域
を占める様に設けられる。 前者の場合、層領域(O)中に含有される酸素原子
の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強
化を確実に計る為に比較的多くされるのが望まし
い。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布、
させ非晶質層の自由表面側に於いて比較的低濃度
に分布させるか或いは、非晶質層の自由表面側の
表層領域には、酸素原子を積極的には含有させな
い様な酸素原子の分布状態を層領域(O)中に形成す
れば良い。 本発明に於いて、非晶質層に設けられる層領域
(O)に含有される酸素原子の含有量は、層領域(O)自
体に要求される特性、或いは該層領域(O)が支持体
に直に接触して設けられる場合には、該支持体と
の接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。 又、前記層領域(O)に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該
他の層領域との接触界面に於ける特性との関係も
考慮されて、酸素原子の含有量が適宜選択され
る。層領域(O)中に含有される酸素原子の量は、形
成される光導電部材に要求される特性に応じて所
望に従つて適宜決められるが、通常の場合、
0.001〜50atomic％、好ましくは、0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましいものである。 本発明に於いて、層領域(O)が非晶質層の全域を
占めるか、或いは、非晶質層の全域を占めなくと
も、層領域(O)の層厚T_Oの非晶質層の層厚Ｔに占
める割合が充分多い場合には、層領域(O)に含有さ
れる酸素原子の含有量の上限は、前記の値より充
分少なくされるのが望ましい。 本発明の場合には、層領域(O)の層厚T_Oが非晶
質層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上
となる様な場合には、層領域(O)中に含有される酸
素原子の量の上限としては、通常は、30atomic
％以下、好ましくは、20atomic以下、最適には
10atomic％以下とされるのが望ましいものであ
る。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の層領域(O)中に含有される酸素原子の層厚
方向の分布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域(O)の層厚を示
し、t_Bは支持体側の層領域(O)の端面の位置を、t_T
は支持体側とは反対側の層領域(O)の端面の位置を
示す。即ち、酸素原子の含有される層領域(O)はt_B
側よりt_T側に向つて層形成がなされる。 第２図には、層領域(O)中に含有される酸素原子
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。 第２図に示される例では、酸素原子の含有され
る層領域(O)が形成される表面と該層領域及び前記
第２の層領域(O)の表面とが接する界面位置t_Bより
t₁の位置までは、酸素原子の分布濃度ＣがC₁なる
一定の値を取り乍ら酸素原子が形成される層領域
及び前記第２の層領域(O)に含有され、位置t₁より
は濃度C₂より界面位置t_Tに至るまで徐々に連続的
に減少されている。界面位置t_Tにおいては酸素原
子の分布濃度ＣはC₃とされる。 第３図に示される例においては、含有される酸
素原子の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに到るま
で濃度C₄から徐々に連続的に減少して位置t_Tにお
いて濃度C₅となる様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、位置t_Bより位置t₂までは酸
素原子の分布濃度Ｃは濃度C₆と一定値とされ、
位置t₂と位置t_Tとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている（ここで実質的に零とは検出限
界量未満の場合である）。 第５図の場合には、酸素原子の分布濃度Ｃは位
置t_Bより位置t_Tに到るまで、濃度C₈より連続的に
徐々に減少され、位置t_Tにおいて実質的に零とさ
れている。 第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃
度Ｃは、位置t_Bと位置t₃間間においては、濃度C₉
と一定値であり、位置t_Tにおいては濃度C₁₀とさ
れる。位置t₃と位置t_Tとの間では、分布濃度Ｃは
一次関数的に位置t₃より位置t_Tに至るまで減少さ
れている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置t_Bより位置t₄までは濃度C₁₁の一定値を取り、
位置t₄より位置t_Tまでは濃度C₁₂より濃度C₁₃まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置t_Bより位置t_T
に至るまで、酸素原子の分布濃度Ｃは濃度C₁₄よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少してい
る。 第９図においては、位置t_Bより位置t₅に至るま
では酸素原子の分布濃度Ｃは、濃度C₁₅より濃度
C₁₀まで一次関数的に減少され、位置t₅と位置t_Tと
の間においては、濃度C₁₆の一定値とされた例が
示されている。 第１０図に示される例においては、酸素原子の
分布濃度Ｃは位置t_Bにおいて濃度C₁₇であり、位
置t₆に至るまではこの濃度C₁₇より初めはゆつく
りと減少され、t₆の位置付近においては、急激に
減少されて位置t₆では濃度C₁₃とされる。 位置t₆と位置t₇との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t₇で濃度C₁₉となり、位置t₇と位置t₈との間で
は、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t₈に
おいて、濃度C₂₀に至る。位置t₈と位置t_Tの間にお
いては、濃度C₂₀より実質的に零になる様に図に
示す形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域(O)中
に含有される酸素原子の層厚方向の分布状態の典
型例の幾つかを説明した様に、本発明において
は、支持体側において、酸素原子の分布濃度Ｃの
高い部分を有し、界面t_T側においては、前記分布
濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する酸素原子の分布状態が層領域(O)に設けら
れている。 本発明において、非晶質層を構成する酸素原子
の含有される層領域(O)は、上記した様に支持体側
の方に酸素原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域(B)を有するものとして設けられるのが望
ましく、この場合には、支持体と非晶質層との間
の密着性をより一層向上させることが出来る。 上記局在領域(B)は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置t_Bより5μ以内
に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域(B)は、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域（L_T）とされる場合
もあるし、又、層領域（L_T）の一部とされる場
合もある。 局在領域を層領域（L_T）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される非晶質層に要求され
る特性に従つて適宜決められる。 局在領域(B)はその中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最
大値Cmaxが通常は500atomic ppm以上、好適に
は800atomic ppm以上、最適には1000atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る層領域(O)は、支持体側からの層厚で5μ以内（t_B
から5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Cmaxが
存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、必要に応じて非晶質層を構成
する第１の層領域(G)及び第２の層領域(S)中に含有
されるハロゲン原子Ｘとしては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第１の層領域(G)を形成するには例えばグロー
放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレー
テイング法等の放電現象を利用する真空堆積法に
よつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領
域(G)を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガスとゲルマ
ニウム原子（Ge）を供給し得るGe供給用の原料
ガスと、必要に応じて水素原子(H)導入用の原料ガ
ス又は／及びハロゲン原子(X)導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧
状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されてある所定の支持
体表面上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃
度を所望の変化率曲線に従つて制御し乍らａ−
SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成された
ターゲツト、或いは該ターゲツトとGeで構成さ
れたターゲツトの二枚を使用して又は、SiとGe
の混合されたターゲツトを使用した必要に応じて
He、Ar等の稀釈ガスで稀釈されたGe供給用の原
料ガスを必要に応じて、水素原子(H)又は／及びハ
ロゲン原子(X)導入用のガスをスパツタリング用の
堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を
形成すると共に、前記Ge供給用の原料ガスのガ
ス流量を所望の変化率曲線に従つて制御し乍ら前
記ターゲツトをスパツタリングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、
Si₄H₁₀等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH₄、Si₂H₆が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては
GeH₄、Ge₂H₆、Ge₃H₈、Ge₄H₁₀、Ge₅H₁₂、
Ge₆H₁₄、Ge₇H₁₀、Ge₈H₁₈、Ge₉H₂₀等のガス状
態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効
に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成
作業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点
で、GeH₄、Ge₂H₆、Ge₃H₈が好ましいものとし
て挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF₃、
BrF₅、BrF₃、IF₃、IF₇、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF₄、Si₂F₆、SiCl₄、SiBr₄等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第１の層領
域(G)を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域(G)を作成する場合、基本的には、例え
ばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素と
Ge供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウム
とAr、H₂、He等のガス等を所定の混合比とガス
流量になる様にして第１の層領域(G)を形成する堆
積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等のガ
スのプラズマ雰囲気を形成することによつて、所
望の支持体上に第１の層領域(G)を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易
になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス
又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混
合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂、
SiH₂I₂、SiH₂Cl₂、SiTCl₃、SiH₂Br₂、SiHBr₃等
のハロゲン置換水素化硅素、及びGeHF₃、
GeH₂F₂、GeH₃F、GeHCl₃、GeH₂Cl₂、
GeH₃Cl、GeHBr₃、GeH₂Br₂、GeH₄Br、
GeHI₃、GeH₂I₂、GeH₃I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、GeF₄、GeCl₄、GeBr₄、
GeI₄、GeF₂、GeCl₂、GeBr₂、GeI₂等のハロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な第１の層領域(G)形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物
は、第１の層領域及び前記第２の層領域Ｇ形成の
際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或
いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も
導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。 水素原子を第１の層領域(G)中に構造的に導入す
るには、上記の他にH₂、或いはSiH₄、Si₂H₄、
Si₃H₆、Si₄H₁₀等の水素化硅素をGeを供給する為
のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
はGeH₄，Ge₂H₆、Ge₃H₆、G₈₄H₁₀、Ge₅H₁₂、
Ge₆H₁、，Ge₇H₁₆，Ge₃H₁₈，Ge₉H₂₀等の水素化
ゲルマニウムとSiを供給する為のシリコン又はシ
リコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生
起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される非晶
質層を構成する第１の層領域中に含有される水素
原子Ｈの量又はハロゲン原子Ｘの量又は水素原子
とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合
0.01〜40atomic％、好適には0.05〜30atomic％、
最適には0.1〜25atomic％とされるのが望ましい。 第１の層領域Ｇ中に含有される水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子(X)の量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或いはハ
ロゲン原子(X)を含有させる為に使用される出発物
質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制
市してやれば良い。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域を形成するには前記した第１の層
領域(G)形成用の出発物質(I)の中より、Ge供給用
の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第
２の層領域(S)形成用の出発物質〕を使用して、
第１の層領域(G)を形成する場合と同様の方法と条
件に従つて行うことが出来る。 即ち、本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層領域(S)を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、グロー放電法によ
つて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第２層領域
(S)を形成するには、基本的には前記したシリコン
原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガスと共
に、必要に応じて水素原子(H)導入用の又は／及び
ハロゲン原子(X)導入用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されてあ
る所定の支持体表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）からな
る層を形成させれば良い。又、スパツタリング法
で形成する場合には、例えばAr、He等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの
雰囲気中でSiで構成されたターゲツトをスパツタ
リングする際、水素原子(H)又は／及びハロゲン原
子(X)導入用のガスをスパツタリング用の堆積室に
導入しておけばよい。 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム
原子の含有される第１の層領域(G)の上に設けら
れ、ゲルマニウム原子の含有されない第２の層領
域(S)には、伝導特性を制御する物質を含有させる
ことにより、該層領域(S)の伝導特性を所望に従つ
て任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される第２の層領域(S)を構成するａ−
Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物
を挙げることが出来る。 具体的には、Ｐ型不純物としては、周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ、Gaである。ｎ型不純物
としては、周期律表第族に属する原子（第族
原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒素）、Sb（アンチ
モン）、Bi（ビスマス）等であり、殊に好適に用
いられるのは、Ｐ、Asである。 本発明に於いて、第２の層領域(S)に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量は、該層領域(S)
に要求される伝導特性、或いは該層領域(S)に直に
接触して設けられる他の層領域(S)の特性や、該他
の層領域(S)との接触界面に於ける特性との関係
等、有機的関連性に於いて、適宜選択することが
出来る。 本発明に於いて、第２の層領域及(S)中に含有さ
れる伝導特性を制御する物質の含有量としては、
通常の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適には
0.05〜500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 第２の層領域(S)中に伝導特性を制御する物質例
えば第族原子、或いは、第族原子を構造的に
導入するには、層形成の際に第族原子導入用の
出発物質、或いは、第族原子導入用の出発物質
をガス状態で堆積室中に、第２の層領域を形成す
る為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。
この様な第族原子導入用の出発物質と成り得る
ものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採
用されるのが望ましい。その様な第族原子導入
用の出発物質として具体的には硼素原子導入用と
しては、B₂H₆、B₄H₁₀、B₃H₉、B₅H₁₁、B₆H₁₀、
B₆H₁₂、B₆H₁₄等の水素化硼素、BF₃、BCl₃、
BBr₃、等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、AlCl₃、GaCl₃、Ga（CH₃）₃、InCl₃、TlCl₃
等も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH₃、P₂H₄等の水素化燐、PH₄I、PF₃、
PF₅、PCl₃、PCl₃、PBr₃、PBr₅、PI₃等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、Ａ(s)H₃、Ａ(s)F₃、
A₃Cl₃、ASBr₃、ASF₅、SbH₃、SbF₃、SbF₅、
SbCl₃、SbCl₅、BiH₃、BiCl₃、BiBr₃等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、非晶質層に酸素原子の含有さ
れた層領域(O)を設けるには、非晶質層の形成の際
に酸素原子導入用の出発物質を前記した非晶質層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層
中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。層
領域(O)を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した非晶質層形成用の出発物質の中か
ら所望に従つて選択されたものに酸素原子導入用
の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質
をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、酸素原子(O)を構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子(H)又は及びハロゲン原
子(X)を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比
で混合して使用するか、又は、シリコン原子Siを
構成原子とする原料ガスと、酸素原子(O)及び水素
原子(H)を構成原子とする原料ガスとを、これも又
所望の混合比で混合するか、或いは、シリコン原
子（Si）を構成原子とする原料ガスと、シリコン
原子（Si）、酸素原子(O)及び水素原子(H)の３つの
構成原子とする原料ガスとを混合して使用するこ
とが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子(O)を構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。 具体的には、例えば酸素（O₂）、オゾン（O₃）、
一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO₂）、一二酸
化窒素（N₂O）、三二酸化窒素（N₂O₃）、四二酸
化窒素（N₂O₄）、五二酸化窒素（N₂O₅）、三酸化
窒素（NO₃）、シリコン原子（Si）と酸素原子(O)
と水素原子(H)とを構成原子とする、例えば、ジシ
ロキサン（H₃SiOSiH₃）、トリシロキサン
（H₃SiOSiH₂OSiH₃）等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。 スパツターリング法によつて、酸素原子を含有
する第一の非晶質層（Ｉ）を形成するには、単結
晶又は多結晶のSiウエーハー又はSiO₂ウエーハ
ー、又はSiとSiO₂が混合されて含有されている
ウエーハーをターゲツトとして、これ等を種々の
ガス雰囲気中でスパツタリングすることによつて
行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子を必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツタ−リング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO₂とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO₂の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スととしてのの稀釈ガスの雰囲気中で又は少なく
とも水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)を構成
原子として含有するガス雰囲気中でスパツタリン
グすることによつて成される。酸素原子導入用の
原料ガスとしては、先述した、グロー放電の例で
示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガス
が、スパツタリング法の場合にも有効なガスとし
て使用され得る。 本発明に於いて、非晶質層の形成の際に、酸素
原子の含有される層領域(O)を設ける場合、該層領
域(O)に含有される酸素原子の分布濃度Ｃ(O)を層厚
方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態
（depth profile）を有する層領域(O)を形成するに
は、グロー放電の場合には分布濃度Ｃ(O)を変化さ
せるべき酸素原子導入用の出発物質のガスを、そ
のガス流量を所望の変化率曲線に従つて適宜変化
させ乍ら、堆積室内に導入することによつて成さ
れる。例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通
常用いられている何らかの方法により、ガス流路
系の途中に設けられた所定のニードルバルブの開
口を漸次変化させる操作を行なえば良い。このと
き、流量の変化率は線型である必要はなく例えば
マイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化
率曲線に従つて流量を制御し、所望の含有率曲線
を得ることもできる。 層領域(O)をスパツターリング法によつて形成す
る場合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ(O)を層
厚方向で変化させて、酸素原子の層厚方向の所望
の分布状態（depth profile）を形成するには、
第一には、グロー放電法による場合と同様に、酸
素原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該
ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を所望に
従つて適宜変化させることによつて成される。 第二には、スパツターリング用のターゲツト
を、例えば、SiとSiO₂との混合されたターゲツ
トを使用するのであれば、SiとSiO₂との混合比
を、ターゲツトの層厚方向に於いて、予め変化さ
せておくことによつて成される。 本発明に於いて、形成される非晶質層を構成す
る第２の層領域Ｓ中に含有される水素原子(H)の量
又はハロゲン原子(X)の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常の場合１〜
40atomic％、好適には５〜30atomic％、最適に
は５〜25atomic％とされるのが望ましい。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロールアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In₂O₃、SnO₂、ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Ar、Ag、Pb、Zn、
Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パツタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導
電性が付与される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望に
よつて、その形状は決定されるが、例えば、第１
図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限り
薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体の製造
上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の1102〜1106のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封され
ており、その１例としてたとえば1102は、Heで
稀釈されたSiH₄ガス（純度99.999％、以下
SiH₄／Heと略す。）ボンベ、1103はHeで稀釈さ
れたGeH₄ガス（純度99.999％、以下GeH₄／He
と略す。）ボンベ、1104はHeで稀釈されたSiF₄ガ
ス（純度99.99％、以下SiF₄／Heと略す。）ボン
ベ、1105はNOガス（純度99.999％）ボンベ、
1106はH₂ガス（純度99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１０１に流入させるには
ガスボンベ1102〜1106のバルブ1122〜1126、リー
クバルブ1135が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ1112〜1116、流出バルブ1117〜
1121、補助バルブ1132，1133が開かれていること
を確認して、先づメインバルブ1134を開いて反応
室1101、及び各ガス配管内を排気する。次に真空
計1136の読みが約５×10^-6torrになつた時点で補
助バルブ1132，1133、流出バルブ1117〜1121を閉
じる。 次にシリンダー状基体1137上に非晶質層を形成
する場合の１例をあげると、ガスボンベ1102より
SiH₄／Heガス、ガスボンベ1103よりGeH₄／He
ガス、ガスボンベ1105よりNOガスをバルブ
1122，1123，1124を開いて出口圧ゲージ1127，
1128，1129の圧を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ
1112，1113，1114を徐々に開けて、マスフロコン
トローラ1107，1108，1109内に夫々流入させる。
引き続いて流出バルブ1117，1118，1119、補助バ
ルブ1132を徐々に開いて夫々のガスを反応室1101
に流入させる。このときのSiH₄／Heガス流量と
GeH₄／Heガス流量とNOガス流量との比が所望
の値になるように流出バルブ1117，1118，1119を
調整し、又、反応室1101内の圧力が所望の値にな
るように真空計1136の読みを見ながらメインバル
ブ1134の開口を調整する。そして基体1137の温度
が加熱ヒーター1138により50〜400℃の範囲の温
度に設定されていることを確認された後電源1140
を所望の電力に設定して反応室1101内にグロー放
電を生起させ所望時間グロー放電を維持して、所
望層厚に、基体1137上に第１の層領域(G)を形成す
る。所望層厚に第１の層領域(G)が形成された段階
に於いて、流出バルブ1118を完全に閉じること、
及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同様
な条件と手順に従つて所望時間グロー放電を維持
することで、第１の層領域Ｇ上にゲルマニウム原
子の実質的に含有されない第２の層領域(S)を形成
することが出来る。 第２の層領域(S)中に伝導性を支配する物質を含
有させるには第２の層領域(S)の形成の際に例え
ば、B₂H₆、PH₃等のガスを堆積室1101の中に導
入するガスに加えてやれば良い。 層形成を行つている間は層形成の均一化を計る
ため基体1137はモータ1139により一定速度で回転
させてやるのが望ましい。 以下実施例及び参考例について説明する。 参考例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第１表に示す条件で層形成を行
つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0KVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテス
トチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件にした以外は参考例１と同様にして、層形
成を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて帯電極性
と現像剤の荷電極性の夫々を参考例１と反対にし
た以外は参考例１と同様の条件及び手順で転写紙
上に画像を形成したところ極めて鮮明な画質が得
られた。 参考例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件にした以外は参考例１と同様にして、層形
成を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ３ 参考例１に於いて、GeH₄／HeガスとSiH₄／
Heガスのガス流量比を変えて第１層中に含有さ
れるゲルマニウム原子の含有量を第４表に示す様
に変えた以外は、参考例１と同様にして電子写真
用像形成部材を夫々作成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第４表に示す結果が得られた。 参考例 ４ 参考例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示
すように変える以外は、参考例１と同様にして各
電子写真用像形成部材を作成した。 こうして得られた各像形成部材に就いて、参考
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形
成したところ第５表に示す結果が得られた。 参考例 ５ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第６表に示す条件で層形成を行
つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0KVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテス
トチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 参考例 ６ 参考例１に於いて光源をタングステンランプの
代りに810nmのGaAs系半導体レーザ（10mW）
を用いて、静電像の形成を行つた以外は、参考例
１と同様のトナー画像形成条件にして、参考例１
と同様の条件で作成した電子写真用像形成部材に
就いてトナー転写画像の画質評価を行つたとこ
ろ、解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品
位の画像が得られた。

【表】

【表】

【表】

【表】 ◎：優良
○：良好
△：実用上充分である

【表】 ◎：優良 ○：良好

【表】 以上の本発明の実施例及び参考例に於ける共通
の層作成条件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層……
約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層…
…約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質中の酸素原子の分布状態を説明する為
の説明図、第１１図は、実施例に於いて本発明の
光導電部材を作製する為に使用され装置の模式的
説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……非晶質層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、該支持体上に、シ
   リコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材
   料で構成された、第１の層領域とシリコン原子を
   含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第２
   の層領域とが前記支持体側より順に設けられた層
   構成の非晶質層とを有し、前記非晶質層中には酸
   素原子が前記第２の層領域側に層厚方向に連続的
   に減少する分布状態で含有されていることを特徴
   とする光導電部材。 ２ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
   なくともいずれか一方に水素原子が含有されてい
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ３ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
   なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有され
   ている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
   材。 ４ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
   なくともいずれか一方に水素原子とハロゲン原子
   が含有されている特許請求の範囲第１項に記載の
   光導電部材。 ５ 前記第１の層領域または第２の層領域中に含
   有される水素原子の量が0.01〜〜40atomic％であ
   る特許請求の範囲第２項に記載の光導電部材。 ６ 前記第１の層領域または第２の層領域中に含
   有されるハロゲン原子の量が0.01〜40atomic％で
   ある特許請求の範囲第３項に記載の光導電部材。 ７ 前記第１の層領域または第２の層領域中に含
   有される水素原子とハロゲン原子の量の和が0.01
   〜40atomic％である特許請求の範囲第４項に記
   載の光導電部材。 ８ 前記第１の層領域中に含有されるゲルマニウ
   ム原子の量が１〜9.5×10⁵atomic ppmである特
   許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ９、前記第１の層領域の層厚Ｔが30Å〜50μであ
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １０ 前記第２の層領域の層厚T_Bが0.5〜90μで
   ある特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １１ 前記第１の層領域と前記第２の層領域の層
   厚の和（Ｔ＋T_B）が１〜100μである特許請求の
   範囲第１項に記載の光導電部材。 １２ 前記第１の層領域の層厚Ｔと前記第２の層
   領域の層厚T_BとがT_B／Ｔ≦１とされている特許
   請求の範囲第１項または同第１１項に記載の光導
   電部材。 １３ 前記ゲルマニウム原子の含有量が１×
   10⁵atomic ppm以上でかつ前記第１の層領域の
   層厚が30μ以下である特許請求の範囲第８項に記
   載の光導電部材。 １４ 前記酸素原子の含有量が0.001〜50atomic
   ％である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
   材。 １５ 前記酸素原子の分布濃度の最大値が
   500atomic ppm以上である特許請求の範囲第１
   ４項に記載の光導電部材。