JPH0450584B2 - - Google Patents
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- JPH0450584B2 JPH0450584B2 JP57053601A JP5360182A JPH0450584B2 JP H0450584 B2 JPH0450584 B2 JP H0450584B2 JP 57053601 A JP57053601 A JP 57053601A JP 5360182 A JP5360182 A JP 5360182A JP H0450584 B2 JPH0450584 B2 JP H0450584B2
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のあるレーザー光用の光導
電部材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電部材にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を計る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰り返し使用し続けると、繰返し使
用による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂
ゴースト現象を発する様になる或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや螢光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過して
来る光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から
構成され、光導電生を示す非晶質層を有する光導
電部材の層構成を以後に説明される様な特定化の
下に設計されて作成された光導電部材は実用上著
しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導
電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕し
ていること、殊にレーザー光用の電子写真用の光
導電部材（以下光導電部材と略記することがあ
る。）として著しく優れた特性を有していること
及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優れ
ていることを見出した点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない光導電部材を提供することを主た
る目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電化保持能が充分ある光導電部材
を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度生、
高SN比特性を有する光導電部材を提供すること
でもある。 本発明のレーザー光用の光導電部材は、光導電
部材用の支持体と、該支持体上にシリコン原子と
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質材料
で構成され光導電性を示す第２の層領域とが前記
支持体側より順に設けられた層構成の非晶質層
と、を有し、前記第１の非晶質中におけるゲルマ
ニウム原子の分布濃度は支持体側から5μ以内に
分布濃度1000atomic ppm以上の高い濃度とされ
た部分を有し表面側において支持体側に較べて可
なり低くされた部分を有するよう層厚方向に不均
一とされていることを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性を長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、かつ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、非晶質層１０２
を有し、該非晶質１０２は自由表面１０５を一方
の端面に有している。 非晶質層１０２は、支持体１０１側よりゲルマ
ニウム原子を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）（以後「ａ
−SiGe（Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構成された第
１の層領域（Ｇ）１０３とａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成され、光導電性を有する第２の層領域（Ｓ）１
０４とが順に積層された層構造を有する。 第１の層領域（Ｇ）１０３中に含有されるゲル
マニウム原子は、該第１の層領域（Ｇ）１０３の
層厚方向には連続的であつて且つ前記支持体１０
１の設けられてある側とは反対の側（非晶質層１
０２の表面１０５側）の方に対して前記支持体１
０１側の方に多く分布した状態となる様に前記第
１の層領域（Ｇ）１０３中に含有される。 本発明の光導電部材においては、第１の層領域
（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の分布状
態は、層厚方向においては、前記の様な分布状態
を取り、支持体の表面と平行な面内方向には均一
な分布状態とされるのが望ましいものである。 本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）上に設
けられる第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウ
ム原子が含有されておらず、この様な層構造に非
晶質層を形成することによつて、可視光領域を含
む、比較的短波長から比較的長波長迄の全領域の
波長の光に対して光感度が優れている光導電部材
とし得るものである。 又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウ
ム原子の分布状態は全層領域にゲルマニウム原子
が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向
の分布濃度Ｃが支持体側より第２の層領域（Ｓ）
に向つて減少する変化が与えられているので、第
１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）との間に
於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体
側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを
極端に大きくすることにより、半導体レーザ等を
使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど
吸収し切れない長波長側の光を第１の層領域
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を防止する
ことが出来る。 又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層
領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する光
導電部材の夫々がシリコン原子という共通の構成
要素を有しているので、積層界面に於いて化学的
な安定性の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が
示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１層領域
（Ｇ）の層厚を示し、tBは支持体側の第１の層領
域（Ｇ）の端面の位置を、tTは支持体側とは反対
側の第１の層領域（Ｇ）の端面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層領域
（Ｇ）はtB側よりtT側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有され
るゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１
の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）が形成される表面
と、該第１の層領域（Ｇ）の表面とが接する界面
位置tBよりt1の位置までは、ゲルマニウム原子の
分布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍らゲルマ
ニウム原子が形成される第１の層領域（Ｇ）に含
有され、位置t1よりは濃度C2より界面位置tTに至
るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置
tTにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはC3
とされる。 第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBよりtTに至
るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して位置tT
において濃度C5となる様な分布状態を形成して
いる。 第４図の場合には、位置tBより位置t2まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値
とされ、位置t2と位置tTとの間において、徐々に
連続的に減少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零と
は検出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置tBより位置tTに到るまで、濃度c8より
連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて実質的
に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、
濃度C9と一定値であり、位置tTにおいては濃度
C10とされる。位置t3と位置tTとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで
減少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取り、
位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C15
より濃度C16まで一次関数的に減少され、位置t5
と位置tTとの間においては、濃度C16の一定値と
された例が示されている。 第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17で
あり、位置t6に至るまではこの濃度C17より初め
はゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では濃度C18とされ
る。 位置t6と位置T7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t8との間で
は、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t8に
おいて、濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間にお
いては、濃度C20より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領
域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界
面tT側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）に設けら
れている。 本発明に於ける光導電部材を構成する非晶質層
を構成する第１の層領域（Ｇ）は好ましくは上記
した様に支持体側の方にゲルマニウム原子が比較
的高濃度で含有されている局在領域(A)を有するの
が望ましい。 本発明に於いては局在領域(A)は、第２図乃至第
１０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置
tBより5μ以内に設けられるのが望ましいものであ
る。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる場合
もあるし、又、層領域（LT）の一部とされる場
合もある。 局在領域(A)を層領域（LT）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される非晶質層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原
子の分布濃度の最大値Cmaxがシリコン原子に対
して、通常は1000atomic ppm以上、好適には
5000atomic ppm以上、最適には１×104atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される非晶質層は、支持体側からの層厚で
5μ以内（ｔBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最
大値Cmaxが存在する様に形成されるのが好まし
いものである。 本発明に於いて、形成される非晶質層を構成す
る第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子
（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素
原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常
の場合、１〜40atomic％、好適には５〜
30atomic％、最適には５〜25atomic％とされる
のが望ましい。 本発明において、第１の層領域中に含有される
ゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の目
的が効果的に達成される様に所望に従つて適宜決
められるが、通常は１〜9.5×105atomic ppm、
好ましくは100〜８×105atomic ppm、最適には
500〜７×105atomic ppmとされるのが望ましい
ものである。 本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層
領域（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に
達成させる為の重要な因子の１つであるので形成
される光導電部材に所望の特性が充分与えられる
様に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が払
われる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚
TBは、通常の場合、30Å〜50μ、好ましくは40Å
〜40μ、最適には50Å〜30μとされるのが望まし
い。 又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、通常の場
合、0.5〜90μ、好ましくは１〜80μ、最適には２
〜50μとされるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）の層厚TBと第２の層領域
（Ｓ）の層厚Ｔの和（TB＋Ｔ）としては、両層領
域に要求される特性と非晶質層全体に要求される
特性との相互間の有機的関連性に基いて、光導電
部材の層設計の際に所望に従つて、適宜決定され
る。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（TB
＋Ｔ）の数値範囲としては、通常の場合１〜
100μ、好適には１〜80μ、最適には２〜50μとさ
れるのが望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚TB及び層厚Ｔとしては、通常はTB／
Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適
宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚TB及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくは、TB／Ｔ≦0.9、
最適にはTB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚TB及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
いものである。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量が１×105
atomic ppm以上の場合には、第１の層領域
（Ｇ）の層厚TBとしては、可成り薄くされるのが
望ましく、好ましくは30μ以下、より好ましくは
25μ以下、最適には20μ以下とされるのが望まし
いものである。 本発明において、必要に応じて非晶質層を構成
する第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具
体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げら
れ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、クロー放電法によ
つて、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層
領域（Ｇ）を形成するには、基本的にはシリコン
原子（Si）を供給し得るSi供給様の原料ガスとゲ
ルマニウム原子（Ge）を供給し得るGe供給用の
原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所
望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されてある
所定の支持体表面上に含有されるゲルマニウム原
子の分布濃度を所望の変化率曲線に従つて制御し
乍らａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれ
ば良い。又、スパツタリング法で形成する場合に
は、例えばAr、He等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構
成されたターゲツトとGeで構成されたターゲツ
トの二枚を使用して、又はSiとGeの混合された
ターゲツトを使用してスパツタリングする際、必
要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパツタリング用の堆積
室に導入してやれば良い。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4、Si2H6、Si3H8、
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点で、SiH4、Si2H6が好ましい
ものとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH4、Ge2H6、Ge3H8、Ge4H10、Ge5H12、Ge6
H14、Ge7H16、Ge8H18、Ge9H20等のガス状態の
又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業
時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点で、
GeH4、Ge2H6、Ge3H8が好ましいものとして挙
げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、
BrF5、BrF3、IF3、IF7、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第１の層領
域（Ｇ）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、
例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とGe供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウ
ムとAr，H2，He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第１の層領域（Ｇ）を形成
する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによつ
て、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を形成
し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御
を一層容易になる様に計る為にこれ等のガスに更
に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガス
も所望量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）から成る第１
の層領域（Ｇ）を形成するには、例えばスパツタ
リング法の場合にはSiから成るターゲツトとGe
から成るターゲツトの二枚を、或いはSiとGeか
ら成るターゲツトを使用して、これを所望のガス
プラズマ雰囲気中でスパツタリングし、イオンプ
レーテイング法の場合には、例えば多結晶シリコ
ン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は
単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボ
ードに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは
エレクトロンビーム法（EB法）等によつて加熱
蒸発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気
中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素、SiH2F2、SiH2
I2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素、及びGeHF3、GeH2F2、
GeH3Ｆ、GeHCl3、GeH2Cl2、GeH3Cl、
GeHBr3、GeH2Br2、GeH3Br、GeHI3、GeH2
I2、GeH3Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、
等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物GeF2、GeCl4、GeBr4、GeI4、GeF2、GeCl2、
GeBr2、GeI2等のハロゲン化ゲルマニウム、等々
のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第
１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる
事が出来る。 これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物
は、第１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲ
ン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特性の
制御を極めて有効な水素原子も導入されるので、
本発明においては好適なハロゲン導入用の原料と
して使用される。 水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導
入するには、上記の他にH2、或いはSiH4、Si2
H6、Si3H8、Si4H10等の水素化硅素をGeを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物
と、或いは、GeH4、Ge2H6、Ge3H8、Ge4H10、
Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、Ge8H18、Ge9H20等
の水素化ゲルマニウムとSiを供給する為のシリコ
ン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される非晶
質層を構成する第１の層領域（Ｇ）中に含有され
る水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の
量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋
Ｘ）は通常の場合0.01〜40atomic％、好適には
0.05〜30atomic％、最適には0.1〜25atomic％と
されるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した
第１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中
より、Ge供給用の原料ガスとなる出発物質を除
いた出発物質〔第２の層領域（Ｓ）形成用の出発
物質（）〕を使用して、第１の層領域（Ｇ）を
形成する場合と、同様の方法と条件に従つて行う
事が出来る。 即ち、本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層領域（Ｓ）と形成するには例え
ばグロー放電法、スパツタリング法、或いはイオ
ンプレーテイング法等の放電現象を利用する真空
堆積法によつて成される。例えば、グロー放電法
によつて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の
層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置されてある所定の支持体表面上にａ
−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成された
ターゲツトをスパツタリングする際、水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガ
スをスパツタリング用の堆積室に導入しておけば
良い。 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム
原子の含有される第１の層領域（Ｇ）の上に設け
られ、ゲルマニウム原子の含有されない第２の層
領域（Ｓ）には、伝導特性を制御する物質を含有
させることにより、該層領域（Ｓ）の伝導特性を
所望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される第２の層領域（Ｓ）を構成する
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与え
るＰ型不純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることが出来る。 具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ、Gaである。 ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのは、Ｐ、Asである。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有さ
れる伝導特性を制御する物質の含有量は、該層領
域（Ｓ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｓ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有
される伝導特性を制御する物質の含有量として
は、通常の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適
には0.05〜500atomic ppm、最適には0.1〜
200atomic ppmとされるのが望ましいものであ
る。第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する
物質、例えば第族原子或いは第族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に第族原子導入
用の出発物質或いは第族原子導入用の出発物質
をガス状態で堆積室中に、第２の層領域を形成す
る為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。
この様な第族原子導入用の出発物質と成り得る
ものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採
用されるのが望ましい。その様な第族原子導入
用の出発物質として具体的には硼素原子導入用と
しては、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、
B6H12、B6H14等の水素化硼素、BF3、BCl3、
BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、AlCl3、GaCl3、Ga（CH3）3、InCl3、TlCl3等
も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3、P2H4等の水素化燐、PH4Ｉ、PF3、
PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3、AsF3、
AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、SbF5、SbCl3、
SbCl5、BiH3、BiCl3、BiBr3等も第族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
出来る。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH4ガス（純度99.999％、以下
GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで希
釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下SiF4／He
と略す。）ボンベ、１１０５はHeガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はH2ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に非晶質層を
形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１
０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１１０３よ
りGeH4／Heガスをバルブ１１２２，１１２３を
開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ１１１２，１１１３
を徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０
７，１１０８内に夫々流入させる。引き続いて流
出バルブ１１１７，１１１８、補助バルブ１１３
２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に
流入させる。このときのSiH4／Heガス流量と
GeH4／Heガス流量との比が所望の値になるよう
に流出バルブ１１１７，１１１８を調整し、又、
反応室１１０１内の圧力が所望の値になるように
真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１
１３４の開口を調整する。そして基体１１３７の
温度が加熱ヒーター１１３８により50〜400℃の
範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室
１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあら
かじめ設計された変化率曲線に従つてGeH4／H2
ガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方
法によつてバルブ１１１８の開口を漸次変化させ
る操作を行なつて形成される層中に含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度を制御する。 上記の様にして、所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域
（Ｇ）を形成する。所望層厚に第１の層領域（Ｇ）
が形成された段階に於いて、流出バルブ１１１８
を完全に閉じること、及び必要に応じて放電条件
を変える以外は、同様な条件と手順に従って、所
望時間グロー放電を維持することで第１の層領域
（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に含有され
ない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出来
る。 第２の層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物
質を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成
の際に例えばB2H6、PH3等のガスを堆積室１１
０１の中に導入するガスに加えてやれば良い。 層形成を行つている間は層形成の均一化を計る
ため基体１１３７はモータ１１３９により一定速
度で回転させてやるのが望ましい。 以下参考例及び実施例について説明する。 参考例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第１表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0KVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテス
トチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 参考例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画像が得られた。 参考例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ８ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りにSi2
H6／Heガスを使用し、第８表に示す条件にした
以外は、参考例１と同様の条件にして層形成を行
つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ９ 参考例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
SiF4／Heガスを使用し、第９表に示す条件にし
た以外は、参考例１と同様の条件にして層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 10 参考例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し、第10表
に示す条件にした以外は、参考例１と同様の条件
にして層形成を行つて電子写真用像形成部材を得
た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 11 参考例１〜10に於いて、第２層の作成条件を第
11表に示す条件にした以外は、各参考例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第11A表に示す結果が得られた。 参考例 12 参考例１〜10に於いて、第２層の作成条件を第
12表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第12A表に示す結果が得られた。 実施例 １ 参考例１に於いて、光源をタングステンランプ
の代りに810nmのGaAs系半導体レーザ（10mW）
を用いて、静電像の形成を行つた以外は、参考例
１と同様のトナー画像形成条件にして、参考例１
と同様の条件で作成した電子写真用像形成部材に
就いてトナー転写画像の画質評価を行つたとこ
ろ、解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品
位の画像が得られた。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のあるレーザー光用の光導
電部材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電部材にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を計る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰り返し使用し続けると、繰返し使
用による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂
ゴースト現象を発する様になる或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや螢光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過して
来る光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から
構成され、光導電生を示す非晶質層を有する光導
電部材の層構成を以後に説明される様な特定化の
下に設計されて作成された光導電部材は実用上著
しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導
電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕し
ていること、殊にレーザー光用の電子写真用の光
導電部材（以下光導電部材と略記することがあ
る。）として著しく優れた特性を有していること
及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優れ
ていることを見出した点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない光導電部材を提供することを主た
る目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電化保持能が充分ある光導電部材
を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度生、
高SN比特性を有する光導電部材を提供すること
でもある。 本発明のレーザー光用の光導電部材は、光導電
部材用の支持体と、該支持体上にシリコン原子と
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質材料
で構成され光導電性を示す第２の層領域とが前記
支持体側より順に設けられた層構成の非晶質層
と、を有し、前記第１の非晶質中におけるゲルマ
ニウム原子の分布濃度は支持体側から5μ以内に
分布濃度1000atomic ppm以上の高い濃度とされ
た部分を有し表面側において支持体側に較べて可
なり低くされた部分を有するよう層厚方向に不均
一とされていることを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性を長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、かつ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、非晶質層１０２
を有し、該非晶質１０２は自由表面１０５を一方
の端面に有している。 非晶質層１０２は、支持体１０１側よりゲルマ
ニウム原子を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）（以後「ａ
−SiGe（Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構成された第
１の層領域（Ｇ）１０３とａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成され、光導電性を有する第２の層領域（Ｓ）１
０４とが順に積層された層構造を有する。 第１の層領域（Ｇ）１０３中に含有されるゲル
マニウム原子は、該第１の層領域（Ｇ）１０３の
層厚方向には連続的であつて且つ前記支持体１０
１の設けられてある側とは反対の側（非晶質層１
０２の表面１０５側）の方に対して前記支持体１
０１側の方に多く分布した状態となる様に前記第
１の層領域（Ｇ）１０３中に含有される。 本発明の光導電部材においては、第１の層領域
（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の分布状
態は、層厚方向においては、前記の様な分布状態
を取り、支持体の表面と平行な面内方向には均一
な分布状態とされるのが望ましいものである。 本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）上に設
けられる第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウ
ム原子が含有されておらず、この様な層構造に非
晶質層を形成することによつて、可視光領域を含
む、比較的短波長から比較的長波長迄の全領域の
波長の光に対して光感度が優れている光導電部材
とし得るものである。 又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウ
ム原子の分布状態は全層領域にゲルマニウム原子
が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向
の分布濃度Ｃが支持体側より第２の層領域（Ｓ）
に向つて減少する変化が与えられているので、第
１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）との間に
於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体
側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを
極端に大きくすることにより、半導体レーザ等を
使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど
吸収し切れない長波長側の光を第１の層領域
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を防止する
ことが出来る。 又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層
領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する光
導電部材の夫々がシリコン原子という共通の構成
要素を有しているので、積層界面に於いて化学的
な安定性の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が
示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１層領域
（Ｇ）の層厚を示し、tBは支持体側の第１の層領
域（Ｇ）の端面の位置を、tTは支持体側とは反対
側の第１の層領域（Ｇ）の端面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層領域
（Ｇ）はtB側よりtT側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有され
るゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１
の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）が形成される表面
と、該第１の層領域（Ｇ）の表面とが接する界面
位置tBよりt1の位置までは、ゲルマニウム原子の
分布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍らゲルマ
ニウム原子が形成される第１の層領域（Ｇ）に含
有され、位置t1よりは濃度C2より界面位置tTに至
るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置
tTにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはC3
とされる。 第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBよりtTに至
るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して位置tT
において濃度C5となる様な分布状態を形成して
いる。 第４図の場合には、位置tBより位置t2まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値
とされ、位置t2と位置tTとの間において、徐々に
連続的に減少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零と
は検出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置tBより位置tTに到るまで、濃度c8より
連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて実質的
に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、
濃度C9と一定値であり、位置tTにおいては濃度
C10とされる。位置t3と位置tTとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで
減少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取り、
位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C15
より濃度C16まで一次関数的に減少され、位置t5
と位置tTとの間においては、濃度C16の一定値と
された例が示されている。 第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17で
あり、位置t6に至るまではこの濃度C17より初め
はゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では濃度C18とされ
る。 位置t6と位置T7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t8との間で
は、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t8に
おいて、濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間にお
いては、濃度C20より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領
域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界
面tT側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）に設けら
れている。 本発明に於ける光導電部材を構成する非晶質層
を構成する第１の層領域（Ｇ）は好ましくは上記
した様に支持体側の方にゲルマニウム原子が比較
的高濃度で含有されている局在領域(A)を有するの
が望ましい。 本発明に於いては局在領域(A)は、第２図乃至第
１０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置
tBより5μ以内に設けられるのが望ましいものであ
る。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる場合
もあるし、又、層領域（LT）の一部とされる場
合もある。 局在領域(A)を層領域（LT）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される非晶質層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原
子の分布濃度の最大値Cmaxがシリコン原子に対
して、通常は1000atomic ppm以上、好適には
5000atomic ppm以上、最適には１×104atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される非晶質層は、支持体側からの層厚で
5μ以内（ｔBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最
大値Cmaxが存在する様に形成されるのが好まし
いものである。 本発明に於いて、形成される非晶質層を構成す
る第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子
（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素
原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常
の場合、１〜40atomic％、好適には５〜
30atomic％、最適には５〜25atomic％とされる
のが望ましい。 本発明において、第１の層領域中に含有される
ゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の目
的が効果的に達成される様に所望に従つて適宜決
められるが、通常は１〜9.5×105atomic ppm、
好ましくは100〜８×105atomic ppm、最適には
500〜７×105atomic ppmとされるのが望ましい
ものである。 本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層
領域（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に
達成させる為の重要な因子の１つであるので形成
される光導電部材に所望の特性が充分与えられる
様に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が払
われる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚
TBは、通常の場合、30Å〜50μ、好ましくは40Å
〜40μ、最適には50Å〜30μとされるのが望まし
い。 又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、通常の場
合、0.5〜90μ、好ましくは１〜80μ、最適には２
〜50μとされるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）の層厚TBと第２の層領域
（Ｓ）の層厚Ｔの和（TB＋Ｔ）としては、両層領
域に要求される特性と非晶質層全体に要求される
特性との相互間の有機的関連性に基いて、光導電
部材の層設計の際に所望に従つて、適宜決定され
る。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（TB
＋Ｔ）の数値範囲としては、通常の場合１〜
100μ、好適には１〜80μ、最適には２〜50μとさ
れるのが望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚TB及び層厚Ｔとしては、通常はTB／
Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適
宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚TB及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくは、TB／Ｔ≦0.9、
最適にはTB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚TB及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
いものである。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量が１×105
atomic ppm以上の場合には、第１の層領域
（Ｇ）の層厚TBとしては、可成り薄くされるのが
望ましく、好ましくは30μ以下、より好ましくは
25μ以下、最適には20μ以下とされるのが望まし
いものである。 本発明において、必要に応じて非晶質層を構成
する第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具
体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げら
れ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、クロー放電法によ
つて、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層
領域（Ｇ）を形成するには、基本的にはシリコン
原子（Si）を供給し得るSi供給様の原料ガスとゲ
ルマニウム原子（Ge）を供給し得るGe供給用の
原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所
望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されてある
所定の支持体表面上に含有されるゲルマニウム原
子の分布濃度を所望の変化率曲線に従つて制御し
乍らａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれ
ば良い。又、スパツタリング法で形成する場合に
は、例えばAr、He等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構
成されたターゲツトとGeで構成されたターゲツ
トの二枚を使用して、又はSiとGeの混合された
ターゲツトを使用してスパツタリングする際、必
要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパツタリング用の堆積
室に導入してやれば良い。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4、Si2H6、Si3H8、
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点で、SiH4、Si2H6が好ましい
ものとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH4、Ge2H6、Ge3H8、Ge4H10、Ge5H12、Ge6
H14、Ge7H16、Ge8H18、Ge9H20等のガス状態の
又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業
時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点で、
GeH4、Ge2H6、Ge3H8が好ましいものとして挙
げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、
BrF5、BrF3、IF3、IF7、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第１の層領
域（Ｇ）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、
例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とGe供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウ
ムとAr，H2，He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第１の層領域（Ｇ）を形成
する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによつ
て、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を形成
し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御
を一層容易になる様に計る為にこれ等のガスに更
に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガス
も所望量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）から成る第１
の層領域（Ｇ）を形成するには、例えばスパツタ
リング法の場合にはSiから成るターゲツトとGe
から成るターゲツトの二枚を、或いはSiとGeか
ら成るターゲツトを使用して、これを所望のガス
プラズマ雰囲気中でスパツタリングし、イオンプ
レーテイング法の場合には、例えば多結晶シリコ
ン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は
単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボ
ードに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは
エレクトロンビーム法（EB法）等によつて加熱
蒸発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気
中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素、SiH2F2、SiH2
I2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素、及びGeHF3、GeH2F2、
GeH3Ｆ、GeHCl3、GeH2Cl2、GeH3Cl、
GeHBr3、GeH2Br2、GeH3Br、GeHI3、GeH2
I2、GeH3Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、
等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物GeF2、GeCl4、GeBr4、GeI4、GeF2、GeCl2、
GeBr2、GeI2等のハロゲン化ゲルマニウム、等々
のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第
１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる
事が出来る。 これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物
は、第１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲ
ン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特性の
制御を極めて有効な水素原子も導入されるので、
本発明においては好適なハロゲン導入用の原料と
して使用される。 水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導
入するには、上記の他にH2、或いはSiH4、Si2
H6、Si3H8、Si4H10等の水素化硅素をGeを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物
と、或いは、GeH4、Ge2H6、Ge3H8、Ge4H10、
Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、Ge8H18、Ge9H20等
の水素化ゲルマニウムとSiを供給する為のシリコ
ン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される非晶
質層を構成する第１の層領域（Ｇ）中に含有され
る水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の
量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋
Ｘ）は通常の場合0.01〜40atomic％、好適には
0.05〜30atomic％、最適には0.1〜25atomic％と
されるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した
第１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中
より、Ge供給用の原料ガスとなる出発物質を除
いた出発物質〔第２の層領域（Ｓ）形成用の出発
物質（）〕を使用して、第１の層領域（Ｇ）を
形成する場合と、同様の方法と条件に従つて行う
事が出来る。 即ち、本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層領域（Ｓ）と形成するには例え
ばグロー放電法、スパツタリング法、或いはイオ
ンプレーテイング法等の放電現象を利用する真空
堆積法によつて成される。例えば、グロー放電法
によつて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の
層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置されてある所定の支持体表面上にａ
−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成された
ターゲツトをスパツタリングする際、水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガ
スをスパツタリング用の堆積室に導入しておけば
良い。 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム
原子の含有される第１の層領域（Ｇ）の上に設け
られ、ゲルマニウム原子の含有されない第２の層
領域（Ｓ）には、伝導特性を制御する物質を含有
させることにより、該層領域（Ｓ）の伝導特性を
所望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される第２の層領域（Ｓ）を構成する
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与え
るＰ型不純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることが出来る。 具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ、Gaである。 ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのは、Ｐ、Asである。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有さ
れる伝導特性を制御する物質の含有量は、該層領
域（Ｓ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｓ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有
される伝導特性を制御する物質の含有量として
は、通常の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適
には0.05〜500atomic ppm、最適には0.1〜
200atomic ppmとされるのが望ましいものであ
る。第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する
物質、例えば第族原子或いは第族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に第族原子導入
用の出発物質或いは第族原子導入用の出発物質
をガス状態で堆積室中に、第２の層領域を形成す
る為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。
この様な第族原子導入用の出発物質と成り得る
ものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採
用されるのが望ましい。その様な第族原子導入
用の出発物質として具体的には硼素原子導入用と
しては、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、
B6H12、B6H14等の水素化硼素、BF3、BCl3、
BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、AlCl3、GaCl3、Ga（CH3）3、InCl3、TlCl3等
も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3、P2H4等の水素化燐、PH4Ｉ、PF3、
PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3、AsF3、
AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、SbF5、SbCl3、
SbCl5、BiH3、BiCl3、BiBr3等も第族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
出来る。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH4ガス（純度99.999％、以下
GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで希
釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下SiF4／He
と略す。）ボンベ、１１０５はHeガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はH2ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に非晶質層を
形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１
０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１１０３よ
りGeH4／Heガスをバルブ１１２２，１１２３を
開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ１１１２，１１１３
を徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０
７，１１０８内に夫々流入させる。引き続いて流
出バルブ１１１７，１１１８、補助バルブ１１３
２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に
流入させる。このときのSiH4／Heガス流量と
GeH4／Heガス流量との比が所望の値になるよう
に流出バルブ１１１７，１１１８を調整し、又、
反応室１１０１内の圧力が所望の値になるように
真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１
１３４の開口を調整する。そして基体１１３７の
温度が加熱ヒーター１１３８により50〜400℃の
範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室
１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあら
かじめ設計された変化率曲線に従つてGeH4／H2
ガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方
法によつてバルブ１１１８の開口を漸次変化させ
る操作を行なつて形成される層中に含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度を制御する。 上記の様にして、所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域
（Ｇ）を形成する。所望層厚に第１の層領域（Ｇ）
が形成された段階に於いて、流出バルブ１１１８
を完全に閉じること、及び必要に応じて放電条件
を変える以外は、同様な条件と手順に従って、所
望時間グロー放電を維持することで第１の層領域
（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に含有され
ない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出来
る。 第２の層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物
質を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成
の際に例えばB2H6、PH3等のガスを堆積室１１
０１の中に導入するガスに加えてやれば良い。 層形成を行つている間は層形成の均一化を計る
ため基体１１３７はモータ１１３９により一定速
度で回転させてやるのが望ましい。 以下参考例及び実施例について説明する。 参考例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第１表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0KVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテス
トチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 参考例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画像が得られた。 参考例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は参考例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ８ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りにSi2
H6／Heガスを使用し、第８表に示す条件にした
以外は、参考例１と同様の条件にして層形成を行
つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 ９ 参考例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
SiF4／Heガスを使用し、第９表に示す条件にし
た以外は、参考例１と同様の条件にして層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 参考例 10 参考例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し、第10表
に示す条件にした以外は、参考例１と同様の条件
にして層形成を行つて電子写真用像形成部材を得
た。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 11 参考例１〜10に於いて、第２層の作成条件を第
11表に示す条件にした以外は、各参考例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第11A表に示す結果が得られた。 参考例 12 参考例１〜10に於いて、第２層の作成条件を第
12表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、参考例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第12A表に示す結果が得られた。 実施例 １ 参考例１に於いて、光源をタングステンランプ
の代りに810nmのGaAs系半導体レーザ（10mW）
を用いて、静電像の形成を行つた以外は、参考例
１と同様のトナー画像形成条件にして、参考例１
と同様の条件で作成した電子写真用像形成部材に
就いてトナー転写画像の画質評価を行つたとこ
ろ、解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品
位の画像が得られた。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
◎：優良 ○：良好
【表】
【表】
◎：優良 ○：良好
以上の本発明の実施例及び参考例に於ける共通の
層作成条件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層…
…約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層
……約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
以上の本発明の実施例及び参考例に於ける共通の
層作成条件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層…
…約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層
……約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層中のゲルマニウム原子の分布状態を
説明する為の説明図、第１１図は、本発明で使用
された装置の模式的説明図で、第１２図乃至第１
８図の夫々本発明の実施例に於けるガス流量比の
変化率曲線を示す説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……非晶質層。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層中のゲルマニウム原子の分布状態を
説明する為の説明図、第１１図は、本発明で使用
された装置の模式的説明図で、第１２図乃至第１
８図の夫々本発明の実施例に於けるガス流量比の
変化率曲線を示す説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……非晶質層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、該支持体上にシリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料
で構成された第１の層領域とシリコン原子を含む
非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層領
域とが前記支持体側より順に設けられた層構成の
非晶質層と、を有し、前記第１の非晶質中におけ
るゲルマニウム原子の分布濃度は支持体側から
5μ以内に分布濃度1000atomic ppm以上の高い濃
度とされた部分を有し表面側において支持体側に
較べて可なり低くされた部分を有するよう層厚方
向に不均一とされていることを特徴とするレーザ
ー光用の光導電部材。 ２ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
なくともいずれか一方に水素原子が含有されてい
る特許請求の範囲第１項に記載のレーザー光用の
光導電部材。 ３ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有され
ている特許請求の範囲第１項に記載のレーザー光
用の光導電部材。 ４ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
なくともいずれか一方に水素原子とハロゲン原子
とが含有されている特許請求の範囲第１項に記載
のレーザー光用の光導電部材。 ５ 前記第１の層領域中に含有される水素原子の
量が0.01〜40atomic％である特許請求の範囲第２
項に記載のレーザー光用の光導電部材。 ６ 前記第１の層領域中に含有されるハロゲン原
子の量が0.01〜40atomic％である特許請求の範囲
第３項に記載のレーザー光用の光導電部材。 ７ 前記第１の層領域中に含有される水素原子と
ハロゲン原子の量の和が0.01〜40atomic％である
特許請求の範囲第４項に記載のレーザー光用の光
導電部材。 ８ 前記第２の層領域中に含有される水素原子の
量が１〜40atomic％である特許請求の範囲第２
項に記載のレーザー光用の光導電部材。 ９ 前記第２の層領域中に含有されるハロゲン原
子の量が１〜40atomic％である特許請求の範囲
第３項に記載のレーザー光用の光導電部材。 １０ 前記第２の層領域中に含有される水素原子
とハロゲン原子の量の和が１〜40atomic％であ
る特許請求の範囲第３項に記載のレーザー光用の
光導電部材。 １１ 前記第１の層領域中に含有されるゲルマニ
ウム原子の量が１〜9.5×105atomic ppmである
特許請求の範囲第１項に記載のレーザー光用の光
導電部材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053601A JPS58171040A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | レーザー光用の光導電部材 |
| US06/479,316 US4490450A (en) | 1982-03-31 | 1983-03-28 | Photoconductive member |
| DE19833311835 DE3311835A1 (de) | 1982-03-31 | 1983-03-31 | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
| FR8305341A FR2524661B1 (fr) | 1982-03-31 | 1983-03-31 | Element photoconducteur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053601A JPS58171040A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | レーザー光用の光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171040A JPS58171040A (ja) | 1983-10-07 |
| JPH0450584B2 true JPH0450584B2 (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=12947399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57053601A Granted JPS58171040A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | レーザー光用の光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171040A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232464A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121239U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-28 | ||
| JPS56150753A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS5723544U (ja) * | 1980-07-09 | 1982-02-06 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053601A patent/JPS58171040A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58171040A (ja) | 1983-10-07 |