JPS6045921A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6045921A JPS6045921A JP15449183A JP15449183A JPS6045921A JP S6045921 A JPS6045921 A JP S6045921A JP 15449183 A JP15449183 A JP 15449183A JP 15449183 A JP15449183 A JP 15449183A JP S6045921 A JPS6045921 A JP S6045921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive coil
- thin film
- coil pattern
- forming
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 9
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、薄膜磁気ヘッドのコイル形成波イホ１に関
するものである。
するものである。
背景技術
最近り、 Ａ 、 Ｔ （デジタル・オーディオ・テー
プレコーダ）を初め磁気記録装置は、高記録密度変化が
要求されているが、線記録密度は限界に近づきつつあり
、今後これを飛躍的に改善することは期待できないため
、トラック密度を士けることによって高記録密度化を達
成することが考えられている。そこで、従来のバルク・
ヘッドに代り、高トランク密度化の容易な薄膜ヘッドが
賞月され始めた。しかしながら、薄膜ヘッドにおけるコ
イル形成技術は、未だ確立しておらず、次に述べる上部
コアの磁束乱れを惹起する欠点があった・すなわち、薄
膜ヘッドは、一般に第１図に示すように、下部コアとな
る基板１上に、磁気ギャップを形成するための非磁性体
薄膜２倉形成しておき、その薄膜２上に数回巻回する導
電コイルパターン３と、薄膜２以外で基板１と直接接合
し、かつ絶縁層４を介して導電コイルパターン８上へ乗
り上げて鎖交する上部コアとなる強磁性体薄膜５とを設
けている。この場合に、絶縁層４の上面は、導電コイル
パターン３の有無によって凸凹を生じる。
プレコーダ）を初め磁気記録装置は、高記録密度変化が
要求されているが、線記録密度は限界に近づきつつあり
、今後これを飛躍的に改善することは期待できないため
、トラック密度を士けることによって高記録密度化を達
成することが考えられている。そこで、従来のバルク・
ヘッドに代り、高トランク密度化の容易な薄膜ヘッドが
賞月され始めた。しかしながら、薄膜ヘッドにおけるコ
イル形成技術は、未だ確立しておらず、次に述べる上部
コアの磁束乱れを惹起する欠点があった・すなわち、薄
膜ヘッドは、一般に第１図に示すように、下部コアとな
る基板１上に、磁気ギャップを形成するための非磁性体
薄膜２倉形成しておき、その薄膜２上に数回巻回する導
電コイルパターン３と、薄膜２以外で基板１と直接接合
し、かつ絶縁層４を介して導電コイルパターン８上へ乗
り上げて鎖交する上部コアとなる強磁性体薄膜５とを設
けている。この場合に、絶縁層４の上面は、導電コイル
パターン３の有無によって凸凹を生じる。
すると、強磁性体薄膜５を形成する際に、凸凹の段差境
界６．６．・・ の段差部５’、 ５’、・・・・ で
磁束が集中し７、下部コアに磁束が漏れてし１い、問題
であった。
界６．６．・・ の段差部５’、 ５’、・・・・ で
磁束が集中し７、下部コアに磁束が漏れてし１い、問題
であった。
このように段差部５’、 ５’、・・・ で磁束集中が
生じる原因は、絶縁層４の素材が、相当大きな体積収縮
を生じて、段差部５’、５’、 近傍で異常な粗面を形
成してしまうことにある。しかも最近のように絶縁層４
に耐熱性良好かつ外部よりの放射線等の侵入を阻止し誤
記録を防ぐことが可能なポリイミド樹脂等を使用する場
合、より一層上記欠点が顕著である。
生じる原因は、絶縁層４の素材が、相当大きな体積収縮
を生じて、段差部５’、５’、 近傍で異常な粗面を形
成してしまうことにある。しかも最近のように絶縁層４
に耐熱性良好かつ外部よりの放射線等の侵入を阻止し誤
記録を防ぐことが可能なポリイミド樹脂等を使用する場
合、より一層上記欠点が顕著である。
発明の開示
この発明は、上記の技術的背景を考慮して検討の結果提
唱するもので、゛薄膜へ、ドの導電コイルと上部コア薄
膜とを絶縁する絶縁層が、リフトオフ法の採用により、
絶縁層中に、導電コイルを即込み形成でき、収縮による
不良段差解消を図ることを目的としている。すなわち、
この発明は、導電コイル並びに絶縁層形成に関して、予
め磁気ギャップ形成用でコイルパターン１１を成予定ｆ
ｆ１ｓを含む非磁性体薄膜上に有機ポリマ樹脂並びに保
護レジストを全面塗布し、フォトリングラフィ技術を利
用して、導電コイルパターン形成予定部Ｗ外を金属被膜
でマスキング処理して、導電コイルパターン形成予定部
上の有機ポリマ樹脂のみを工７チング除去した後導電コ
イル材料を全面に被着させ、リフトオフ法によって、導
電コイルパターン形成予定部以外の導電利料、金属被膜
、保護レジストを剥離して、導電コイルパターンを有機
ポリマ樹脂に平坦埋込み形成させる方法を採用するもの
である。したがって、この発明によれば、平坦埋込み形
成の後最上層絶縁層を形成することにより不良段差解消
が図れるばかりでなく、薄膜へ・ソド製作工数を著しく
低減することが可能となる優れた一長所がある。
唱するもので、゛薄膜へ、ドの導電コイルと上部コア薄
膜とを絶縁する絶縁層が、リフトオフ法の採用により、
絶縁層中に、導電コイルを即込み形成でき、収縮による
不良段差解消を図ることを目的としている。すなわち、
この発明は、導電コイル並びに絶縁層形成に関して、予
め磁気ギャップ形成用でコイルパターン１１を成予定ｆ
ｆ１ｓを含む非磁性体薄膜上に有機ポリマ樹脂並びに保
護レジストを全面塗布し、フォトリングラフィ技術を利
用して、導電コイルパターン形成予定部Ｗ外を金属被膜
でマスキング処理して、導電コイルパターン形成予定部
上の有機ポリマ樹脂のみを工７チング除去した後導電コ
イル材料を全面に被着させ、リフトオフ法によって、導
電コイルパターン形成予定部以外の導電利料、金属被膜
、保護レジストを剥離して、導電コイルパターンを有機
ポリマ樹脂に平坦埋込み形成させる方法を採用するもの
である。したがって、この発明によれば、平坦埋込み形
成の後最上層絶縁層を形成することにより不良段差解消
が図れるばかりでなく、薄膜へ・ソド製作工数を著しく
低減することが可能となる優れた一長所がある。
発明を実施するだめの最良の形態
この発明を実施する場合には、次に示す実施例があり、
その最良の形態を容易に想起できる。
その最良の形態を容易に想起できる。
第２図〜第１１図は、この発明の一実施例を示す薄膜へ
、ドの製造各工程における断面図である。
、ドの製造各工程における断面図である。
まず、第２図のように、Ｍｎ−２，、単結晶フェライト
基板１０を用意しておき、その一方端より導電コイル形
成部分−帯止に非磁性体であるｓｌｏ。
基板１０を用意しておき、その一方端より導電コイル形
成部分−帯止に非磁性体であるｓｌｏ。
膜１１を被着させる。つぎに、第８図のように、！９ｉ
０．膜ｌｌ上の導電コイル形成部分のみに、絶縁材料で
耐熱性良好なポリイミド樹脂例えばデュポン社製ＰＩ−
２５５５樹脂１２を全面塗布し、約４５０℃にてキユア
リングし、さらに、アセ１−ン等の溶剤に溶けｙｌいポ
ジ型で全屈材料に対して接着性が良い保護レジスト１８
を塗布して８０℃〜１５０℃にてベーキング処理する。
０．膜ｌｌ上の導電コイル形成部分のみに、絶縁材料で
耐熱性良好なポリイミド樹脂例えばデュポン社製ＰＩ−
２５５５樹脂１２を全面塗布し、約４５０℃にてキユア
リングし、さらに、アセ１−ン等の溶剤に溶けｙｌいポ
ジ型で全屈材料に対して接着性が良い保護レジスト１８
を塗布して８０℃〜１５０℃にてベーキング処理する。
つぎに蒸着法を用いて、保護レジスト１８上に第４図に
示す通り、Ｔｉを数千Ａ被着させてマスキング皮膜１４
を形成する。その後、第５図に示すようにフォトリソグ
ラ技術を適用する目的で、紫外線感光性の環化ゴム系フ
ォトレジスト１５を、導電コイルパターン形成予定部以
外に対応するマスキング皮膜１４上に固着し、ついで、
第６図の通りマスキング皮膜１４のフォトレジヌｌ−１
’５か固着されておらず露出している窓部１６の部分を
化学工、チング処理して除去する。それから、窓＋＜ｌ
！ １６に対応している保護レジスト１８及びポリイミ
１−′樹脂１２を、酸素雰囲気中にてガスプラズマエツ
チング、すなわち、反応性ドライエツチング処理して、
第７図の通り窓１６を掘り下げて除去する。この時、窓
１６では、マスキング皮膜１４は、保護レジヌ１−１２
及びポリイミド樹脂１２がエツチング処理に生じるアン
ダミカット現象によって窓の周縁部より窓内へ突出して
丁度庇を形成した状態となっている。そこで、第８図に
示すように、導電コイル枳料１７であるＡ１！をスパリ
タリング法によって全域に被Ｍさせる。するとこの場合
、マスキング皮膜１４が先述した通り庇状態となってい
るので、怒部１６内では、Ｍ１７は、底部の５ｉｆｔ膜
１１から側壁部のポリイミド樹脂１２及び保護レジスト
１３の一部までしか被着していない。その後、アセトン
等の溶剤に浸漬すると、保護レジメ）１８が膨潤し溶解
されるため、いわゆるリフトオフ法によって、保護レジ
スト１２及びマスキング皮膜１４とその上のＡｌ！１７
のみが、第９図に示す通りに除去される。つまり、この
時点で、導電コイル拐料であるＡＣ１７がポリイミド樹
脂１２に平坦埋込み形成されるわけである。以上の処理
工程を経た後で、平坦埋込み面１８上に、感光性ポリイ
ミド樹脂１２′を最」二層絶縁層として第１０図のよう
に塗布現像し、さらに第１１図の通りＦ／−ＮＩ系会合
金利ヌパリタリング被着させて」二部コア１９を形成す
ると所望の薄膜へ・、ドが得られ、る。
示す通り、Ｔｉを数千Ａ被着させてマスキング皮膜１４
を形成する。その後、第５図に示すようにフォトリソグ
ラ技術を適用する目的で、紫外線感光性の環化ゴム系フ
ォトレジスト１５を、導電コイルパターン形成予定部以
外に対応するマスキング皮膜１４上に固着し、ついで、
第６図の通りマスキング皮膜１４のフォトレジヌｌ−１
’５か固着されておらず露出している窓部１６の部分を
化学工、チング処理して除去する。それから、窓＋＜ｌ
！ １６に対応している保護レジスト１８及びポリイミ
１−′樹脂１２を、酸素雰囲気中にてガスプラズマエツ
チング、すなわち、反応性ドライエツチング処理して、
第７図の通り窓１６を掘り下げて除去する。この時、窓
１６では、マスキング皮膜１４は、保護レジヌ１−１２
及びポリイミド樹脂１２がエツチング処理に生じるアン
ダミカット現象によって窓の周縁部より窓内へ突出して
丁度庇を形成した状態となっている。そこで、第８図に
示すように、導電コイル枳料１７であるＡ１！をスパリ
タリング法によって全域に被Ｍさせる。するとこの場合
、マスキング皮膜１４が先述した通り庇状態となってい
るので、怒部１６内では、Ｍ１７は、底部の５ｉｆｔ膜
１１から側壁部のポリイミド樹脂１２及び保護レジスト
１３の一部までしか被着していない。その後、アセトン
等の溶剤に浸漬すると、保護レジメ）１８が膨潤し溶解
されるため、いわゆるリフトオフ法によって、保護レジ
スト１２及びマスキング皮膜１４とその上のＡｌ！１７
のみが、第９図に示す通りに除去される。つまり、この
時点で、導電コイル拐料であるＡＣ１７がポリイミド樹
脂１２に平坦埋込み形成されるわけである。以上の処理
工程を経た後で、平坦埋込み面１８上に、感光性ポリイ
ミド樹脂１２′を最」二層絶縁層として第１０図のよう
に塗布現像し、さらに第１１図の通りＦ／−ＮＩ系会合
金利ヌパリタリング被着させて」二部コア１９を形成す
ると所望の薄膜へ・、ドが得られ、る。
以上の薄膜へ・ノドの製造方法によれば、従来中じてい
た絶縁層の凸凹による問題が解決されるばかりでなく、
次に示すように薄膜へ、ド処即工数低減にも寄与できる
。すなわち、絶縁層拐料として、ポリイミド樹脂等を採
用する場合に、こノ１．らは・、キユアリング時に収縮
してその表面でも凸凹を形成し易いので、凸部を数回の
エツチング処理にて修正する必要がある。しかし、この
実施例では、１回のリフトオフ作業で導電コイルに絶縁
層が埋込みされ、その時の不要被着部分のみをエツチン
グ処理すればよいので、処理は１回で済み工数低減が図
れるのである。
た絶縁層の凸凹による問題が解決されるばかりでなく、
次に示すように薄膜へ、ド処即工数低減にも寄与できる
。すなわち、絶縁層拐料として、ポリイミド樹脂等を採
用する場合に、こノ１．らは・、キユアリング時に収縮
してその表面でも凸凹を形成し易いので、凸部を数回の
エツチング処理にて修正する必要がある。しかし、この
実施例では、１回のリフトオフ作業で導電コイルに絶縁
層が埋込みされ、その時の不要被着部分のみをエツチン
グ処理すればよいので、処理は１回で済み工数低減が図
れるのである。
第１図は、一般的な薄膜磁気ヘッドのｌｆｉ誓を示す断
面図、第２図〜第１１図は、この発明の一実施例を示す
各製造工程における薄膜へ、１・の断面図である。 １０ ・ 基板（下部コア）、 １１−・ ・非磁性体薄膜、 １２．１２’ ・有機ポリマ樹脂、 １３・・・ ・ 保護レジスト、 １４：・・・・・−・・金属被膜（マスキング皮膜）、
１７ ・・・・ ・ 導電コイルパターン、１Ｂ−・・
・・・・・・平坦埋込み面、１９ ・・ ・強磁性体薄
膜（上部コア）。 ｍ ］ｏ図 第１］図
面図、第２図〜第１１図は、この発明の一実施例を示す
各製造工程における薄膜へ、１・の断面図である。 １０ ・ 基板（下部コア）、 １１−・ ・非磁性体薄膜、 １２．１２’ ・有機ポリマ樹脂、 １３・・・ ・ 保護レジスト、 １４：・・・・・−・・金属被膜（マスキング皮膜）、
１７ ・・・・ ・ 導電コイルパターン、１Ｂ−・・
・・・・・・平坦埋込み面、１９ ・・ ・強磁性体薄
膜（上部コア）。 ｍ ］ｏ図 第１］図
Claims (2)
- （１）下部コアとなる強磁性体基板上に、磁気ギャップ
形成用の非磁性体薄膜を形成しておき、上記非磁性体薄
膜上に導電コイルパターンを設け、さらに非磁性体薄嗅
以外で基板と直接接合し、かつ絶に＆層を介して導電コ
イルパターン上へ乗り上げて鎖交する上部コアとなる強
磁性体薄膜を形成する方法において、上記導電コイル並
びに絶縁層に関して、予めコイルパターン形成予定部を
含む非磁性体薄膜上に有機ポリマ樹脂並びに保護レジス
トを全１ｍ倹布し、フォトリソグラフィ技術により、導
電コイルパターン形成予定部組外を金属被膜でマスキン
グ処理して、導電コイルパターン形成予定部上の有機ポ
リマ樹脂のみをエリチング除去ｌ。 た後、導電コイル材料を全面に被着させ、リフト１オフ
によって、導電コイルパターン形成予定部組外の導電材
料、金属被膜、保護レジストを剥離して、導電コイルパ
ターンを有機ポリマ樹脂に平坦埋込み形成させることを
特徴とする薄膜磁気へノドの製造方法。 - （２）上記特許請求の範囲第１項の記載における有機ポ
リマ樹脂をポリイミド樹脂とすることを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15449183A JPS6045921A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15449183A JPS6045921A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045921A true JPS6045921A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15585402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15449183A Pending JPS6045921A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045921A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113812A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-18 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS63152010A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542375A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-25 | Sharp Corp | Manufacture of magnetic head |
| JPS5975420A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15449183A patent/JPS6045921A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542375A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-25 | Sharp Corp | Manufacture of magnetic head |
| JPS5975420A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113812A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-18 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS63152010A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62245509A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| US4614563A (en) | Process for producing multilayer conductor structure | |
| KR0147976B1 (ko) | 박막 헤드의 패턴 평탄화 방법 | |
| JPS6222247B2 (ja) | ||
| US4944831A (en) | Process for obtaining a pattern, in ferromagnetic material having differently sloping sides | |
| JPS6045921A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| US6686128B1 (en) | Method of fabricating patterned layers of material upon a substrate | |
| JPH0447368B2 (ja) | ||
| JPH04129016A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2649209B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH09198624A (ja) | 複合型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS62170011A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| KR100256064B1 (ko) | 박막 자기헤드 | |
| JPS6039813A (ja) | 薄膜コイルの形成方法 | |
| JP3147443B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS60173712A (ja) | 薄膜パタ−ン付設基板の表面平担化方法 | |
| JPS59165220A (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPS61224713A (ja) | 導体パタ−ンの形成方法 | |
| JPH01128214A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6145407A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPS61216110A (ja) | 金属パタ−ン形成方法 | |
| JPH02105310A (ja) | 薄膜磁気レッドの製造方法 | |
| JPH04298807A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6148115A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0668418A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |