JPS6046603A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
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- JPS6046603A JPS6046603A JP15405583A JP15405583A JPS6046603A JP S6046603 A JPS6046603 A JP S6046603A JP 15405583 A JP15405583 A JP 15405583A JP 15405583 A JP15405583 A JP 15405583A JP S6046603 A JPS6046603 A JP S6046603A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillator
- line
- resonator
- oscillation frequency
- microstrip line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はマイクロス） ＩＪッグ線路共振器を有する発
振器に係り、特に基板の両生平面に回路を形成してｌ」
＼形化した発振器に好適な発振周波数を調整する手段を
施した発振器に関する。
振器に係り、特に基板の両生平面に回路を形成してｌ」
＼形化した発振器に好適な発振周波数を調整する手段を
施した発振器に関する。
近年、ＵＨＦ帯の発振器において、晋響表面彼（ＳＡＷ
）素子を共振器とした発振器や同軸共振器を装着した発
振器等が使用されてきているが、耐震性を考慮した場合
はマイクロストリップ線路の共振回路による発振器が主
流である。しかし、このような周波数帯では、例えば発
振周波数ＩＧＨｚ程度の発振器においては、１／２波長
あるいはＶ４波長のマイクロス） ＩＪツブ線路共振器
は大形になり、小形化に対する強い要請に応じられない
。このため、その表面に印刷法や蒸着法で回路全形成す
るところの基板には、誘電率の大きいセラミック基板が
用いられる傾向にある。すなわち、比誘電率が６ｒの基
板を用いた場合、６ｒと基板の厚みＨおよび線路幅Ｗで
決まる実効比誘電率εｅｆｆにより、波長が真空中での
波長の１／ｆりｉ−になるという波長短縮効果を利用し
て回路の小形化が図られている。しかしこの波長短縮効
果は、上記したように実効比誘電率の平方根で効くため
、回路の小形化には比較的大きな誘電率？有する屯ラミ
ック基板が必要である。例えば、通常の純度のアルミナ
セラミクスの比誘電率は９〜１０であり、このアルミナ
セラミクスに対して波長ｋ １／ｆにするためには、比
誘電率が略４０の高誘電率セラミック基板を用いる必要
がある。さらに波長ン？］／２に短縮するに（１、比誘
電率が略１４０〜１５０の高誘電率セラミクスが必−要
となる。ところで、Ｕ ＩＩ Ｆ帯具上の高周波帯での
発振器では、発振出力や発振波形の品質の点から基板に
関しても低損失性が要求される。しかし、一般に６・ユ
誘電率が高くなｉｔばセラミクスの損失は増大し、誘電
損失角の正接ｔａｎδ〈０．０Ｏ１ｉ満たすセラミクス
の比誘電率ばた力・だが１００程度″Ｌ：ある。 この
ため、高誘電率基板を使用し、波長短縮効果全利用して
回路を小形化すること、には限界がある。
）素子を共振器とした発振器や同軸共振器を装着した発
振器等が使用されてきているが、耐震性を考慮した場合
はマイクロストリップ線路の共振回路による発振器が主
流である。しかし、このような周波数帯では、例えば発
振周波数ＩＧＨｚ程度の発振器においては、１／２波長
あるいはＶ４波長のマイクロス） ＩＪツブ線路共振器
は大形になり、小形化に対する強い要請に応じられない
。このため、その表面に印刷法や蒸着法で回路全形成す
るところの基板には、誘電率の大きいセラミック基板が
用いられる傾向にある。すなわち、比誘電率が６ｒの基
板を用いた場合、６ｒと基板の厚みＨおよび線路幅Ｗで
決まる実効比誘電率εｅｆｆにより、波長が真空中での
波長の１／ｆりｉ−になるという波長短縮効果を利用し
て回路の小形化が図られている。しかしこの波長短縮効
果は、上記したように実効比誘電率の平方根で効くため
、回路の小形化には比較的大きな誘電率？有する屯ラミ
ック基板が必要である。例えば、通常の純度のアルミナ
セラミクスの比誘電率は９〜１０であり、このアルミナ
セラミクスに対して波長ｋ １／ｆにするためには、比
誘電率が略４０の高誘電率セラミック基板を用いる必要
がある。さらに波長ン？］／２に短縮するに（１、比誘
電率が略１４０〜１５０の高誘電率セラミクスが必−要
となる。ところで、Ｕ ＩＩ Ｆ帯具上の高周波帯での
発振器では、発振出力や発振波形の品質の点から基板に
関しても低損失性が要求される。しかし、一般に６・ユ
誘電率が高くなｉｔばセラミクスの損失は増大し、誘電
損失角の正接ｔａｎδ〈０．０Ｏ１ｉ満たすセラミクス
の比誘電率ばた力・だが１００程度″Ｌ：ある。 この
ため、高誘電率基板を使用し、波長短縮効果全利用して
回路を小形化すること、には限界がある。
上記の従来技術での小形化の限界を克服し、発振器の大
幅な小形化を達成する一方法は基板の両生平面に回路を
形成することである。第１図はこのような発振器の一回
路例全示すもので、１／４波長のマイクロストリップ線
路１の一端を静電容量３で終端した共振器を用いた例で
ある。この場合、ａ −ａ’から右側を見たインピーダ
ンスはインダクテイブ（誘導性）に見えるため、第１図
の例はこれを用いて変形コルピッツ発振器を構成してい
る。
幅な小形化を達成する一方法は基板の両生平面に回路を
形成することである。第１図はこのような発振器の一回
路例全示すもので、１／４波長のマイクロストリップ線
路１の一端を静電容量３で終端した共振器を用いた例で
ある。この場合、ａ −ａ’から右側を見たインピーダ
ンスはインダクテイブ（誘導性）に見えるため、第１図
の例はこれを用いて変形コルピッツ発振器を構成してい
る。
第１図の回路例において、発振回路部５を基板の第１主
平面に形成し、第２の主平面に緩衝増幅回路部６を形成
すれば、発振器は面積的に１／２近く小形化できる。こ
の場合、両生平面間の電気的接続は分布結合である電磁
的結合により行なう。すなわち、第２図に実装構造例を
示すように、基板１０の第１の主平面に設けたマイクロ
ストリップ共振線路１に対し、第２の主平面にこれに対
向する位置に共平面線路の導体配線部２および接地層部
２′ヲ設け、マイクロストリップ線路１と共平面線路の
電磁的結合により発振回路５と緩衝増幅回路部６を電気
的に接続するもので、緩衝増幅器４への信号入力は共平
面線路の導体配線２により行なう０ ところで、Ｕｆ（Ｆ帯の発振器においては、部品の特性
ばらつきや製造等の諸原因により、設計値と異なる周波
数で一般に発振する。このため、発振器をほぼ組み上げ
た段階で、何らかの方法で発振周波数を調整する必要が
生じる。第２図によりその構造を示した発振器は、その
構成が新規なものであるため、従来技術においては発振
周波数全調整する手段が存在しない欠点があった。
平面に形成し、第２の主平面に緩衝増幅回路部６を形成
すれば、発振器は面積的に１／２近く小形化できる。こ
の場合、両生平面間の電気的接続は分布結合である電磁
的結合により行なう。すなわち、第２図に実装構造例を
示すように、基板１０の第１の主平面に設けたマイクロ
ストリップ共振線路１に対し、第２の主平面にこれに対
向する位置に共平面線路の導体配線部２および接地層部
２′ヲ設け、マイクロストリップ線路１と共平面線路の
電磁的結合により発振回路５と緩衝増幅回路部６を電気
的に接続するもので、緩衝増幅器４への信号入力は共平
面線路の導体配線２により行なう０ ところで、Ｕｆ（Ｆ帯の発振器においては、部品の特性
ばらつきや製造等の諸原因により、設計値と異なる周波
数で一般に発振する。このため、発振器をほぼ組み上げ
た段階で、何らかの方法で発振周波数を調整する必要が
生じる。第２図によりその構造を示した発振器は、その
構成が新規なものであるため、従来技術においては発振
周波数全調整する手段が存在しない欠点があった。
本発明の目的は、上記にかんがみて、マイクロストリッ
プ線路共振器を有し、基板の両生平面に回路を形成して
小形化した発振器において、発振周波数を調整する手段
を施した発振器を提供することにある。
プ線路共振器を有し、基板の両生平面に回路を形成して
小形化した発振器において、発振周波数を調整する手段
を施した発振器を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は上記目的を達成するため、基板の両生平面の回
路間を接続するマイクロス） ＩＪツｆ線路と共平面線
路の結合度を変えることなく、マイクロストリップ線路
共振器の特性インピーダンスないしは該共振器の長さま
たは分布結合容量など全調整することにより発振周波数
を調整する手段を施したことを特徴とする発振器である
。
路間を接続するマイクロス） ＩＪツｆ線路と共平面線
路の結合度を変えることなく、マイクロストリップ線路
共振器の特性インピーダンスないしは該共振器の長さま
たは分布結合容量など全調整することにより発振周波数
を調整する手段を施したことを特徴とする発振器である
。
以下１本発明の実施例を図面により説明する０まず第１
図に例示したような静電容量３で終端した１／４波長の
マイクロストリップ線路１の共振器［ｉ−イテｉ−ｊ、
ａ ａ／から右側を見たインピーダンス２は と表わせることが周知の事実音用いて計算することによ
り容易に確かめられる。従って該共振器のインダクタン
スＬは となる。ここでＺＯはマイクロストリップ線路１の特性
インピーダンスであり、γは伝搬定数である。
図に例示したような静電容量３で終端した１／４波長の
マイクロストリップ線路１の共振器［ｉ−イテｉ−ｊ、
ａ ａ／から右側を見たインピーダンス２は と表わせることが周知の事実音用いて計算することによ
り容易に確かめられる。従って該共振器のインダクタン
スＬは となる。ここでＺＯはマイクロストリップ線路１の特性
インピーダンスであり、γは伝搬定数である。
なお、ωは角周波数、ｃＬは静電容量３の容量、ｌは線
路ｌの長さを示す。よって、ａ −ａ’から左側を見た
インピーダンスの虚数部ｋ −−（Ｇは等ωＣＴ 価容量とすれば、第２図で示した発振器の発振周波数ｆ
ｉｌ−ｊ： ｆ ＝＝ １／２πＱ −＝−（３） であることがわかる。以上述べたことから、部品特性の
ばらつき、すなわちキャパシタの静電容量値のばらつき
等による発振周波数ｆの変動に対しては、マイクロスト
リップ線路１のインダクタンスを調整することが、発振
周波数調整の有効な手段であることが理解できる。上記
目的のためには、マイクロストリップ線路１の特性イン
ピーダンスｚｏを調整すればよい。このマイクロストリ
ップ線路１の特性インビーダン、ｆｔ、ｚｏは、基板１
ｏの板厚Ｈ訃よび線路幅Ｗの関数であるから、Ｈまたは
Ｗを変えることにより特性インピーダンス２゜ｋ＆える
ことができる。しかし、基板１ｏの板厚Ｈを回路ハター
ンを形成（一部品搭載後に変更することは不可能に近い
。一方、線路幅Ｗを変えれば、第２の主平面にマイフロ
ストリラグ線路工に対向する位置に設けた共平面線路の
導体配線部２との結合度を変化させるため、線路幅Ｗを
調整して特性インピーダンスｚｏを調整し、よって発振
周波数ｆｆｔ調整する方法は妥当でない。本発明は、以
下に述べるように、マイクロストリップ線路１と共平面
線路の結合度を変えることなく、マイクロストリップ線
路１の特性インピーダンスｚｏ（ｉｌ−調整し、よって
発振周波数ｆを調整する手段をまず第１の実施例により
提供する。
路ｌの長さを示す。よって、ａ −ａ’から左側を見た
インピーダンスの虚数部ｋ −−（Ｇは等ωＣＴ 価容量とすれば、第２図で示した発振器の発振周波数ｆ
ｉｌ−ｊ： ｆ ＝＝ １／２πＱ −＝−（３） であることがわかる。以上述べたことから、部品特性の
ばらつき、すなわちキャパシタの静電容量値のばらつき
等による発振周波数ｆの変動に対しては、マイクロスト
リップ線路１のインダクタンスを調整することが、発振
周波数調整の有効な手段であることが理解できる。上記
目的のためには、マイクロストリップ線路１の特性イン
ピーダンスｚｏを調整すればよい。このマイクロストリ
ップ線路１の特性インビーダン、ｆｔ、ｚｏは、基板１
ｏの板厚Ｈ訃よび線路幅Ｗの関数であるから、Ｈまたは
Ｗを変えることにより特性インピーダンス２゜ｋ＆える
ことができる。しかし、基板１ｏの板厚Ｈを回路ハター
ンを形成（一部品搭載後に変更することは不可能に近い
。一方、線路幅Ｗを変えれば、第２の主平面にマイフロ
ストリラグ線路工に対向する位置に設けた共平面線路の
導体配線部２との結合度を変化させるため、線路幅Ｗを
調整して特性インピーダンスｚｏを調整し、よって発振
周波数ｆｆｔ調整する方法は妥当でない。本発明は、以
下に述べるように、マイクロストリップ線路１と共平面
線路の結合度を変えることなく、マイクロストリップ線
路１の特性インピーダンスｚｏ（ｉｌ−調整し、よって
発振周波数ｆを調整する手段をまず第１の実施例により
提供する。
第２図において、基板１０は比誘電率が高く、かつｔａ
ｎδの小さいセラミックスを使用することが小形化の点
で望ましい。該基板１０に導体・ぐターンを印刷法もし
くは蒸着法で形成する。このとき、マイクロストリップ
線路１１−１：、その特性インピーダンスＺｏｋ、部品
の特性にばらつきがないとする場合の値に対し若干低イ
ンピーダンスになるよう、線路幅Ｗおよび共平面線路に
おける導体配線部２と接地層部２′とのギヤツブＤ等を
決め、これを形成しておく、抵抗体は印刷法もしくは蒸
着法で形成するか、チップ抵抗を用い基板１０に搭載す
る。
ｎδの小さいセラミックスを使用することが小形化の点
で望ましい。該基板１０に導体・ぐターンを印刷法もし
くは蒸着法で形成する。このとき、マイクロストリップ
線路１１−１：、その特性インピーダンスＺｏｋ、部品
の特性にばらつきがないとする場合の値に対し若干低イ
ンピーダンスになるよう、線路幅Ｗおよび共平面線路に
おける導体配線部２と接地層部２′とのギヤツブＤ等を
決め、これを形成しておく、抵抗体は印刷法もしくは蒸
着法で形成するか、チップ抵抗を用い基板１０に搭載す
る。
キャパシタ８は一般にはチップ部品を用い、トランジス
タ７．７′等の部品も搭載して発振器全構成する。なお
９は導体配線１月はシーＡ何゛ケースである。上記のよ
うに構成した発振器の発振周波数を測定し、所望の周波
数に対するずれに応じ、第３図に例示するような共平面
線路の導体配線部２と接地層部２′の接続部を、第４図
に例示するようにレーデもしくはサンドブラストなどを
用いてトリミング部１２の部分を削り取る。これにより
、マイクロストリップ線路１の特性インピーダンスｚ。
タ７．７′等の部品も搭載して発振器全構成する。なお
９は導体配線１月はシーＡ何゛ケースである。上記のよ
うに構成した発振器の発振周波数を測定し、所望の周波
数に対するずれに応じ、第３図に例示するような共平面
線路の導体配線部２と接地層部２′の接続部を、第４図
に例示するようにレーデもしくはサンドブラストなどを
用いてトリミング部１２の部分を削り取る。これにより
、マイクロストリップ線路１の特性インピーダンスｚ。
が、トリミング部１２の削り取り量に応じて高くなり、
所望のインピーダンスにトリミングすることができる。
所望のインピーダンスにトリミングすることができる。
このとき、共平面線路の導体配線部２の長−さｌ］が長
くなりマイクロストリップ線路１との結合度が変化する
が、これに対しては、導体配線部２の配線幅ｗ１の長さ
ｌｊｘが常に一定になるよう第４図に示す如くその他端
を他回路素子の緩衝増幅器４との接続を保持してその配
線幅ｗ１を減少させるようにトリミング部１２′の部分
をトリミングすればよい。これによりマイクロストリッ
プ線路１の特性インピーダンスｚｏはさらに高くなるが
、これを見込んでトリミング部１２ 、１．２’のトリ
ミングを行なう。このようなトリミング法により、マイ
クロス）・リップ線路１と共平面線路の結合度を変える
ことなく、マイクロストリップ線路１の特性インピーダ
ンスを調整し、よって発振周波数を調整することができ
る。
くなりマイクロストリップ線路１との結合度が変化する
が、これに対しては、導体配線部２の配線幅ｗ１の長さ
ｌｊｘが常に一定になるよう第４図に示す如くその他端
を他回路素子の緩衝増幅器４との接続を保持してその配
線幅ｗ１を減少させるようにトリミング部１２′の部分
をトリミングすればよい。これによりマイクロストリッ
プ線路１の特性インピーダンスｚｏはさらに高くなるが
、これを見込んでトリミング部１２ 、１．２’のトリ
ミングを行なう。このようなトリミング法により、マイ
クロス）・リップ線路１と共平面線路の結合度を変える
ことなく、マイクロストリップ線路１の特性インピーダ
ンスを調整し、よって発振周波数を調整することができ
る。
つぎに第５図は本発明の第２の実施例を示すものである
。第４図の第１の実施例は第１図の集中静電容量３で終
端した共振器の場合の調整方法であったのに対し、本実
施例は分布結合により形成される静電分布容量３′で終
端したマイクロス） ＩＪツブ線路共振器を有する発振
器の場合の発振周波数の調整方法に関する。第５図に示
すようにマイクロス） ＩＪツブ線路１の共振器の一端
に同−主部面において接地層１３を近接して設け、マイ
クロストリップ線路１の共振器と接地層１３間のギヤ゛
ノゾを広げるよう接地層１３のトリミング部１４０部分
を削り取り、分布容量３′ヲ小さくする方向にトリミン
グして発振周波数を調整する。
。第４図の第１の実施例は第１図の集中静電容量３で終
端した共振器の場合の調整方法であったのに対し、本実
施例は分布結合により形成される静電分布容量３′で終
端したマイクロス） ＩＪツブ線路共振器を有する発振
器の場合の発振周波数の調整方法に関する。第５図に示
すようにマイクロス） ＩＪツブ線路１の共振器の一端
に同−主部面において接地層１３を近接して設け、マイ
クロストリップ線路１の共振器と接地層１３間のギヤ゛
ノゾを広げるよう接地層１３のトリミング部１４０部分
を削り取り、分布容量３′ヲ小さくする方向にトリミン
グして発振周波数を調整する。
さらに第６図は本発明の第３の実施例を示すものである
。第１および第２の実施例が静電容量３で終端した１／
４波長マイクロス） ＩＪツブ線路共振器を用いた発振
器の場合の発振周波数の調整方法であったのに対し、本
実施例は一端を接地した１／４波長マイクロス） ＩＪ
ツｆ線路共振器を用いた発振器の場合の発振周波数の調
整方法に関する。
。第１および第２の実施例が静電容量３で終端した１／
４波長マイクロス） ＩＪツブ線路共振器を用いた発振
器の場合の発振周波数の調整方法であったのに対し、本
実施例は一端を接地した１／４波長マイクロス） ＩＪ
ツｆ線路共振器を用いた発振器の場合の発振周波数の調
整方法に関する。
この場合は第７図に示すようにマイクロストリップ線路
１の共振器の長さを長くするように、レーザもしくはサ
ンドブラストなどを用いて接地層１３のトリミング部１
５０部分全トリミングすることにより、発振周波数を調
整するものである。
１の共振器の長さを長くするように、レーザもしくはサ
ンドブラストなどを用いて接地層１３のトリミング部１
５０部分全トリミングすることにより、発振周波数を調
整するものである。
なお以上の各実施例では、Ｖ４波長マイクロストリップ
線路共振器を用いた発振器について述べたが、本発明は
１／４波長マイクロス） ＩＪツゾ線路共振器を有する
発振器−の発振周波数の調整法に限定されるものではな
い。小形化の点で一般に１／４波長マイクロストリツプ
線路共振器が使用されるが・ １／２波長マイクロスト
ＩＪツブ線路共振器が用いられることもあり、この場合
においても第１の実施例で示した方法により発振周波数
の調整が可能であることは言うまでもない。
線路共振器を用いた発振器について述べたが、本発明は
１／４波長マイクロス） ＩＪツゾ線路共振器を有する
発振器−の発振周波数の調整法に限定されるものではな
い。小形化の点で一般に１／４波長マイクロストリツプ
線路共振器が使用されるが・ １／２波長マイクロスト
ＩＪツブ線路共振器が用いられることもあり、この場合
においても第１の実施例で示した方法により発振周波数
の調整が可能であることは言うまでもない。
以上のようにして各実施例によれば、マイクロス） Ｉ
Ｊッグ線路共振器全有し基板の両生平面に回路全形成し
て小形化した発振器におし・て、基板の両生平面の回路
間を接続するマイクロストリップ線路と共平面線路の結
合度を変えることなく、それぞれノぞターンの部分削除
によりマイクロストリップ線路共振器の特性インピーダ
ンスなし・しは該共振器の長さまたは分布結合容量など
を調整して発振器の発振周波数を調整できる。
Ｊッグ線路共振器全有し基板の両生平面に回路全形成し
て小形化した発振器におし・て、基板の両生平面の回路
間を接続するマイクロストリップ線路と共平面線路の結
合度を変えることなく、それぞれノぞターンの部分削除
によりマイクロストリップ線路共振器の特性インピーダ
ンスなし・しは該共振器の長さまたは分布結合容量など
を調整して発振器の発振周波数を調整できる。
以上述べたように、本発明によれば、マイクロストリッ
プ線路共振器を有し小形化に関し効果の大きい基板両面
に回路全形成した発振器の発振周波数を発振周波数以外
の発振特性に重大な影響を与えることなく調整すること
が可能になる。
プ線路共振器を有し小形化に関し効果の大きい基板両面
に回路全形成した発振器の発振周波数を発振周波数以外
の発振特性に重大な影響を与えることなく調整すること
が可能になる。
第１図は本発明を実施する発振器の回路構成の一例を示
す回路図、第２図は第１図の発振器の実装構造を例示す
る断面図、第３図は第２図の共平面線路部分全例示する
部分平面図、第４図は本発明による発振器の第１の実施
例を示す第３図のトリミング後の部分平面図、第５図は
本発明による発振器の第２の実施例を示すトリミング後
のマイクロストリップ線路部分の部分平面図、第６図は
本発明による発振器の第３の実施例における部分回路構
成を示す部分回路図、第７図は本発明による発振器の第
３の実施例を示すトリミング後のマイクロストリップ線
路部分の部分平面図である。 １・・・１／４波長のマイクロストリップ線路、２・・
・共平面線路の導体配線部、２′・・・共平面線路の接
地層部、３・・・共振線路終端キャパシタ（集中静電容
量）、３′・・・共振線路終端キヤ・ぐシタ（分布容量
）、４・・・緩衝増幅器、５・・・発振回路部、６・・
・緩衝増幅回路部、７．７’・・・トランジスタ、８・
・・キャパシタ、９・・・導体配線、１０・・・セラミ
クスの基板、１】・・・シールドケース、１２ 、１２
’・・・トリミング部、１３・・・マイクロストリップ
共振線路の接地層、１４ 、１５・・・トリミング部。 代理人弁理士 秋 本 正 実 第１図 第２図 第３図 第４図 ２ ′、１Ｓ５図 第６図 「 第７図
す回路図、第２図は第１図の発振器の実装構造を例示す
る断面図、第３図は第２図の共平面線路部分全例示する
部分平面図、第４図は本発明による発振器の第１の実施
例を示す第３図のトリミング後の部分平面図、第５図は
本発明による発振器の第２の実施例を示すトリミング後
のマイクロストリップ線路部分の部分平面図、第６図は
本発明による発振器の第３の実施例における部分回路構
成を示す部分回路図、第７図は本発明による発振器の第
３の実施例を示すトリミング後のマイクロストリップ線
路部分の部分平面図である。 １・・・１／４波長のマイクロストリップ線路、２・・
・共平面線路の導体配線部、２′・・・共平面線路の接
地層部、３・・・共振線路終端キャパシタ（集中静電容
量）、３′・・・共振線路終端キヤ・ぐシタ（分布容量
）、４・・・緩衝増幅器、５・・・発振回路部、６・・
・緩衝増幅回路部、７．７’・・・トランジスタ、８・
・・キャパシタ、９・・・導体配線、１０・・・セラミ
クスの基板、１】・・・シールドケース、１２ 、１２
’・・・トリミング部、１３・・・マイクロストリップ
共振線路の接地層、１４ 、１５・・・トリミング部。 代理人弁理士 秋 本 正 実 第１図 第２図 第３図 第４図 ２ ′、１Ｓ５図 第６図 「 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、基板の両生平面に回路パターン全形成して部品を搭
載し、両生平面の回路間は第１の主平面に設けたマイク
ロストリップ線路共振器と第２の主平面に設けた共平面
線路の電磁的分布結合により電気的に接続した構成の発
振器において、該マイクロストリップ線路共振器と該共
平面線路の結合度を変えることなく発振周波数を調整す
る手段音節したことを特徴とする発振器。 ２、上記共平面線路の導体配線部と接地層部を接続する
ことによりその一端を接地した共平面線路構成の発振器
において、該導体配線部と接地層部の接続部を部分削除
し、かつこの削除前に応じて該共平面線路の導体配線部
の他端を他回路素子との接続全保持してその配線幅を減
少させるように削除して、該削除前の配線幅全保持する
共平面線路の導体配線部の長さを略一定に保つ削除法に
より発振周波数を調整する手段を施したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の発振器。 ３、上記基板のマイクロストリップ線路発振器と同一主
平面に該共振器の一端に接地層を近接して設けた構成の
発振器において、該共振器と該接地層との間隔を広げる
よう該接地層全部分削除して発振周波数全調整する手段
音節したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
発振器。 ４、上記マイクロストリップ線路共振器の一端を接地し
た構成の発振器において、該接地部を部分削除して実質
的に該共振器の長さを長くすることにより発振周波数を
調整する手段を施したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15405583A JPS6046603A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15405583A JPS6046603A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046603A true JPS6046603A (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=15575922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15405583A Pending JPS6046603A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63268297A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波回路 |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP15405583A patent/JPS6046603A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63268297A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波回路 |
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