JPS6047223A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS6047223A JPS6047223A JP58155484A JP15548483A JPS6047223A JP S6047223 A JPS6047223 A JP S6047223A JP 58155484 A JP58155484 A JP 58155484A JP 15548483 A JP15548483 A JP 15548483A JP S6047223 A JPS6047223 A JP S6047223A
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- Japan
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- magnetic
- magnetic head
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- reproducing operation
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/465—Arrangements for demagnetisation of heads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果（以下ＭＲという）素子が用いら
れて成る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲ型磁気ヘッド
）に係わる。
れて成る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲ型磁気ヘッド
）に係わる。
背景技術とその問題点
第１図及び第２図は、夫々ＭＲ型磁気ヘッドの要部の拡
大平面パターン図と拡大断面図を示す。図示のＭＲ型磁
気ヘッドはそのＭＲ素子が磁気媒体との対接面よシ後退
した位置に配置されたいわゆるリア型のＭＲ型磁気ヘッ
ドである。このリア型磁気ヘッドは、例えばＮ１−Ｚｎ
系フェライト、或いはＭｎ−Ｚｎ系フェライトよ構成る
磁性基体（１）上に、この基体（１）が上述したＭｎ−
Ｚｎ系フェライトのように導電性を有する場合において
は、これの上に５ｉ０２＋５１３Ｎ４等よυ成る絶縁層
（２）を介して、被着された例えば、帯状導電層よ構成
シ、後述する独素子に対してバイアス磁界を供給するた
めの通電によって磁界を発生するバイアス磁界発生用の
電流手段（３）が設けられる。また、この電流手段（３
）上には、同様の絶縁層（４）ヲ介して、例えばＮ１−
Ｆｅ系合金。
大平面パターン図と拡大断面図を示す。図示のＭＲ型磁
気ヘッドはそのＭＲ素子が磁気媒体との対接面よシ後退
した位置に配置されたいわゆるリア型のＭＲ型磁気ヘッ
ドである。このリア型磁気ヘッドは、例えばＮ１−Ｚｎ
系フェライト、或いはＭｎ−Ｚｎ系フェライトよ構成る
磁性基体（１）上に、この基体（１）が上述したＭｎ−
Ｚｎ系フェライトのように導電性を有する場合において
は、これの上に５ｉ０２＋５１３Ｎ４等よυ成る絶縁層
（２）を介して、被着された例えば、帯状導電層よ構成
シ、後述する独素子に対してバイアス磁界を供給するた
めの通電によって磁界を発生するバイアス磁界発生用の
電流手段（３）が設けられる。また、この電流手段（３
）上には、同様の絶縁層（４）ヲ介して、例えばＮ１−
Ｆｅ系合金。
Ｎｉ−Ｃｏ系合金薄膜等よ構成るＭＲ素子（５）が被着
される。更にこの皿素子（５）上には同様の絶縁層（６
）が被着され、この絶縁層（６）を介して、蹴素子（５
）及び電流手段（３）を横切る方向に延長して磁気回路
を構成する対の磁気コアとなる磁性層（７）及び（８）
が、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金層によって形成される。こ
の場合、一方の磁性層（７）の前方端は、基体（１）上
に、所要の厚さを有する非磁性のギャップスペーサ層（
９）を介して延在し、この磁性層（７）と基体（１）と
の間にギャップスペーサ層（９）の厚さによってそのギ
ャップ長が規制される磁気ギャップｇ ７＞Ｋ形成され
、この磁気ギャップｇが、磁気媒体との対接面００に臨
むように構成される。他方の磁性層（８）の後端は基体
（１）に、例えばＷ接的に接触するようにして両者が磁
気的に密に結合するようになされる。また、磁性層（７
）の後方端部と、磁性層（８）の前方端部とは所要の間
隔Ｗ’ｃ保持して対向するようになされ、両者間に磁気
回路の不連続部αηが（）ζ成するようになされる。こ
の場合、この不連続部αの内に磁気的に独素子（５）が
配置され、この素子（５）によって磁気的に不連続部が
連結するようにする。これがため磁性層（７）の彼方端
部と、磁性層（８）の前方端部とは、夫夫風素子（５）
上に夫々絶縁層（６）を介して跨るよう罠なされ、絶縁
層（６）の厚さが薄くされることによって、各端部とＭ
Ｒ素子（５）とが磁気的に結合するようにする。このよ
うにして基体（１）−磁気ギャップピー磁性層（７）
−ＭＲ菓子（５）−磁性層（８）−基体（１）の閉磁路
が構成される。
される。更にこの皿素子（５）上には同様の絶縁層（６
）が被着され、この絶縁層（６）を介して、蹴素子（５
）及び電流手段（３）を横切る方向に延長して磁気回路
を構成する対の磁気コアとなる磁性層（７）及び（８）
が、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金層によって形成される。こ
の場合、一方の磁性層（７）の前方端は、基体（１）上
に、所要の厚さを有する非磁性のギャップスペーサ層（
９）を介して延在し、この磁性層（７）と基体（１）と
の間にギャップスペーサ層（９）の厚さによってそのギ
ャップ長が規制される磁気ギャップｇ ７＞Ｋ形成され
、この磁気ギャップｇが、磁気媒体との対接面００に臨
むように構成される。他方の磁性層（８）の後端は基体
（１）に、例えばＷ接的に接触するようにして両者が磁
気的に密に結合するようになされる。また、磁性層（７
）の後方端部と、磁性層（８）の前方端部とは所要の間
隔Ｗ’ｃ保持して対向するようになされ、両者間に磁気
回路の不連続部αηが（）ζ成するようになされる。こ
の場合、この不連続部αの内に磁気的に独素子（５）が
配置され、この素子（５）によって磁気的に不連続部が
連結するようにする。これがため磁性層（７）の彼方端
部と、磁性層（８）の前方端部とは、夫夫風素子（５）
上に夫々絶縁層（６）を介して跨るよう罠なされ、絶縁
層（６）の厚さが薄くされることによって、各端部とＭ
Ｒ素子（５）とが磁気的に結合するようにする。このよ
うにして基体（１）−磁気ギャップピー磁性層（７）
−ＭＲ菓子（５）−磁性層（８）−基体（１）の閉磁路
が構成される。
このようにして、基体（１）上に磁気ギャップｇと、Ｍ
Ｒ素子（５）とが磁路中に設けられた磁気回路が構成さ
れた磁気ヘッド素子りが形成される。
Ｒ素子（５）とが磁路中に設けられた磁気回路が構成さ
れた磁気ヘッド素子りが形成される。
そして、例えば多チャンネル瀞のＭＲ型磁気ヘッドにお
いては、上述した構成による磁気ヘッド素子りが各チャ
ンネルに対応して共通の基体（１）に平行配列される。
いては、上述した構成による磁気ヘッド素子りが各チャ
ンネルに対応して共通の基体（１）に平行配列される。
尚、実際上はこの基体（１）上に形成された磁気ヘッド
素子りを覆って非磁性の絶縁性保欣層α→が設けられ、
これの上に接着剤層０３によって保護基板α→が接合さ
れてＭＲ型の磁気ヘッドが構成される。
素子りを覆って非磁性の絶縁性保欣層α→が設けられ、
これの上に接着剤層０３によって保護基板α→が接合さ
れてＭＲ型の磁気ヘッドが構成される。
このような構成によるＭＲ型磁気ヘッドは、その対接面
叫に対接する磁気媒体からの信号磁界が磁気ギャップｇ
よシ、磁気回路中のＭＲ素子（５）中を通ずることによ
ってその抵抗変化によって媒体上の記録が検出される。
叫に対接する磁気媒体からの信号磁界が磁気ギャップｇ
よシ、磁気回路中のＭＲ素子（５）中を通ずることによ
ってその抵抗変化によって媒体上の記録が検出される。
この場合ＭＲ素子（５）には、その抵抗変化を検出する
ために、すなわち出力をとシ出すだめの電流（以下検出
電流という）を通ずると共に、この場合、凰素子におい
て高い感度と直線性が得られるように独素子に所要のバ
イアス砂場を与えるために、電流手段（３）に所要の電
流（以下バイアス電流という）を通ずる。
ために、すなわち出力をとシ出すだめの電流（以下検出
電流という）を通ずると共に、この場合、凰素子におい
て高い感度と直線性が得られるように独素子に所要のバ
イアス砂場を与えるために、電流手段（３）に所要の電
流（以下バイアス電流という）を通ずる。
このような構成によるＭＲ型磁気ヘッドにおけるＭＲ素
子にバイアス磁場を与える電流手段へのバイアス電流ｉ
Ｂに対する出力特性は、第３図に示すようにＭＲ素子に
所定の検出電流を力えた状態では実線曲線ａで示すよう
に成る電流値ｉＢ までほぼ直線的に増加する特性とな
る。したがって、この種のＭＲヘッドにおいては、その
電流手段には電流ｉＢ 近傍のバ・ｒアス電流工□を通
電することによつて磁気媒体上の記録の再生を行うよう
にしている。
子にバイアス磁場を与える電流手段へのバイアス電流ｉ
Ｂに対する出力特性は、第３図に示すようにＭＲ素子に
所定の検出電流を力えた状態では実線曲線ａで示すよう
に成る電流値ｉＢ までほぼ直線的に増加する特性とな
る。したがって、この種のＭＲヘッドにおいては、その
電流手段には電流ｉＢ 近傍のバ・ｒアス電流工□を通
電することによつて磁気媒体上の記録の再生を行うよう
にしている。
ところが、実際上との稙のＭＲ型磁気ヘッドにおいては
、上述した基体（１）、磁性層（７）及び（８）、ＭＲ
素子（５）を含む磁気回路において磁気ヒステリシスを
有するために、第３図中破線図示の曲線すに示すように
その出力特性においてもヒステリシス特性を示す。つま
り、磁気ヘッドのたどった磁気的、履歴が次の再生動作
の出力特性に影響を及ぼし、同一のバイアス電流工、に
おいて、異々る大きさの出力が得られることにな９実質
的に出力が不安定となる。このことは特に複数の磁気ヘ
ッド素子りを有して成る多チャンネル磁気ヘッドでは、
各チャンネル間の特性のばらつきとなシ望ましくない。
、上述した基体（１）、磁性層（７）及び（８）、ＭＲ
素子（５）を含む磁気回路において磁気ヒステリシスを
有するために、第３図中破線図示の曲線すに示すように
その出力特性においてもヒステリシス特性を示す。つま
り、磁気ヘッドのたどった磁気的、履歴が次の再生動作
の出力特性に影響を及ぼし、同一のバイアス電流工、に
おいて、異々る大きさの出力が得られることにな９実質
的に出力が不安定となる。このことは特に複数の磁気ヘ
ッド素子りを有して成る多チャンネル磁気ヘッドでは、
各チャンネル間の特性のばらつきとなシ望ましくない。
一方、磁気ヘッドにおいて、その再生動作開始時におい
て、バイアス電流として電流値ｉＢ の近傍の所定の電
流値工、を通ずるが、この場合不安定な磁壁が生じこれ
によってバルクハウゼンノイズが発生してしまう場合が
ある。
て、バイアス電流として電流値ｉＢ の近傍の所定の電
流値工、を通ずるが、この場合不安定な磁壁が生じこれ
によってバルクハウゼンノイズが発生してしまう場合が
ある。
発明の目的
本発明は上述したＭＲ型磁気ヘッドにおけるヒステリシ
ス効果による出力の不安定性を解消すると共にバルクハ
ウゼンノイズの発生を効果的に回避することができるよ
うにしたＭＲ型磁気ヘッドを提供するものである。
ス効果による出力の不安定性を解消すると共にバルクハ
ウゼンノイズの発生を効果的に回避することができるよ
うにしたＭＲ型磁気ヘッドを提供するものである。
発明の概要
本発明においては、第１図及び第２図で説明したような
磁気媒体との対接面αＯに所要の磁気ギャップｇを有す
る磁気回路と、この磁気回路に設けられた上述の磁気ギ
ャップｇとは別の不連続部ａ）に磁気的に結合されて配
されたＭＲ素子（５）と、このＭＲ素子（５）に所要の
バイアス磁場を与えるだめの所要のバイアス電流を通ず
る電流手段（３）とを有するＭＲＷ、磁気ヘッドにおい
て、この磁気ヘッドの再生動作の開始時に、その再生動
作に先立って、その再生動作時における動作条件下で、
すなわち旧素子（５）に再生動作時において与えるべき
検出電流を与え、且つ電流手段（３）に、同様に再生動
作時において与えるべきバイアス電流を通じた状態で、
磁気ギャップｇＫすなわち磁気回路に信号磁場を与えな
い、無信号磁場状態において、電流手段（３）に減衰交
番電流を重畳印加する。
磁気媒体との対接面αＯに所要の磁気ギャップｇを有す
る磁気回路と、この磁気回路に設けられた上述の磁気ギ
ャップｇとは別の不連続部ａ）に磁気的に結合されて配
されたＭＲ素子（５）と、このＭＲ素子（５）に所要の
バイアス磁場を与えるだめの所要のバイアス電流を通ず
る電流手段（３）とを有するＭＲＷ、磁気ヘッドにおい
て、この磁気ヘッドの再生動作の開始時に、その再生動
作に先立って、その再生動作時における動作条件下で、
すなわち旧素子（５）に再生動作時において与えるべき
検出電流を与え、且つ電流手段（３）に、同様に再生動
作時において与えるべきバイアス電流を通じた状態で、
磁気ギャップｇＫすなわち磁気回路に信号磁場を与えな
い、無信号磁場状態において、電流手段（３）に減衰交
番電流を重畳印加する。
実施例
本発明においては、上述したように第１図及び第２図で
説明したいわゆるリア型のＭＲ型磁気ヘッドすなわち磁
気回路を有するＭＲ型磁気ヘッドにおいて、その電流手
段（３）に、第４図に示すように、再生動作開始時にこ
れに先だって第４図中曲線０◇に示すように、再生動作
時において与えられるべき検出電流”ＭＲをＭＲ素子（
５）に通電すると共に、電流手段（３）に第４図中曲綜
（６）に示すように同様に再生動作時に通電すべきバイ
アス電流工３にＭ畳して減衰交番電流を重畳して印加し
、再生開始時点において常に一定の磁化状態が磁気回路
に与えられるようにする。
説明したいわゆるリア型のＭＲ型磁気ヘッドすなわち磁
気回路を有するＭＲ型磁気ヘッドにおいて、その電流手
段（３）に、第４図に示すように、再生動作開始時にこ
れに先だって第４図中曲線０◇に示すように、再生動作
時において与えられるべき検出電流”ＭＲをＭＲ素子（
５）に通電すると共に、電流手段（３）に第４図中曲綜
（６）に示すように同様に再生動作時に通電すべきバイ
アス電流工３にＭ畳して減衰交番電流を重畳して印加し
、再生開始時点において常に一定の磁化状態が磁気回路
に与えられるようにする。
このようにすることによって本発明においては、再生開
始時に常に一定の磁化状態を得るようにして、先の再生
動作時等において磁気ヘッドに与えられた磁化状態の履
歴を解消し、常に一定の磁気的条件で再生が開始される
ようになすと共に減衰交番電流が与えられることによっ
て常に一定の安定しだ磁区配列状態で再生が開始される
ようにすることによってバルクハウゼンノイズの発生を
効果的に抑制する。
始時に常に一定の磁化状態を得るようにして、先の再生
動作時等において磁気ヘッドに与えられた磁化状態の履
歴を解消し、常に一定の磁気的条件で再生が開始される
ようになすと共に減衰交番電流が与えられることによっ
て常に一定の安定しだ磁区配列状態で再生が開始される
ようにすることによってバルクハウゼンノイズの発生を
効果的に抑制する。
発明の効果 ゛
上述したように本発明によれば、再生動作の開始前に減
衰交番電流を与えるようにしたので一定の磁化状態で再
生を開始することができると共に、バルクハウゼンノイ
ズの抑制を効果的に行うことができる。また、特に複数
の磁気ヘッド素子が配列されてなる多チャンネルＭＲ型
磁気ヘッドに適用するときは、各磁気ヘッド素子に関し
て、上述した履歴現象を解消できたことによって各チャ
ンネルに関しての実質的出力特性のばらつきを解消でき
、安定した動作を確実に行うことができるので、特にそ
の利益は甚大なものである〇
衰交番電流を与えるようにしたので一定の磁化状態で再
生を開始することができると共に、バルクハウゼンノイ
ズの抑制を効果的に行うことができる。また、特に複数
の磁気ヘッド素子が配列されてなる多チャンネルＭＲ型
磁気ヘッドに適用するときは、各磁気ヘッド素子に関し
て、上述した履歴現象を解消できたことによって各チャ
ンネルに関しての実質的出力特性のばらつきを解消でき
、安定した動作を確実に行うことができるので、特にそ
の利益は甚大なものである〇
特性図、第４図はバイアス電流波形図である。
（１）は基体、（３〕は電流手段、（５）は磁気抵抗効
果素子、（７）及び（８）は磁性層、αＱは磁気媒体と
の対接面、ｇは磁気ギャップである。 同 松隈秀盛礪鴨 第１図 １ 第２図 第３図 第４図
果素子、（７）及び（８）は磁性層、αＱは磁気媒体と
の対接面、ｇは磁気ギャップである。 同 松隈秀盛礪鴨 第１図 １ 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 磁気媒体との対接面に所要の磁気ギャップを有する磁気
回路と、該磁気回路に設けられた上記磁気ギャップとけ
別の不連続部に磁気的に結合されて配された磁気抵抗効
果素子と、該磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を与える
電流手段とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて
、該磁気ヘッドの再生動作状仲の下で無信号磁場状態で
上記電流手段に減衰交番電流を重畳して印加することを
特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58155484A JPS6047223A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| CA000461325A CA1220858A (en) | 1983-08-25 | 1984-08-20 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| EP84305753A EP0137676B1 (en) | 1983-08-25 | 1984-08-22 | Magnetic transducer heads utilizing magnetoresistance effect |
| DE8484305753T DE3471789D1 (en) | 1983-08-25 | 1984-08-22 | Magnetic transducer heads utilizing magnetoresistance effect |
| US06/643,398 US4679107A (en) | 1983-08-25 | 1984-08-23 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58155484A JPS6047223A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047223A true JPS6047223A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0473201B2 JPH0473201B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=15607050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58155484A Granted JPS6047223A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4679107A (ja) |
| EP (1) | EP0137676B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6047223A (ja) |
| CA (1) | CA1220858A (ja) |
| DE (1) | DE3471789D1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3613619A1 (de) * | 1985-04-26 | 1986-10-30 | Sharp K.K., Osaka | Duennfilm-magnetkopf |
| DE3644388A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Sharp Kk | Duennfilm-joch-magnetkopf |
| US4758815A (en) * | 1986-07-10 | 1988-07-19 | Tapeswitch Corporation Of America | Tap element and methods, for heating, pressure measurement and circuit fabrication |
| US4823106A (en) * | 1986-07-10 | 1989-04-18 | Tapeswitch Corporation Of America | Tape element and methods, for heating, pressure measurement and circuit fabrication |
| NL8701663A (nl) * | 1987-07-15 | 1989-02-01 | Philips Nv | Dunne film magneetkop met een magnetoweerstandselement. |
| EP0339874B1 (en) * | 1988-04-29 | 1995-07-12 | Quantum Corporation | Thin film head read recovery |
| US4970621A (en) * | 1988-09-09 | 1990-11-13 | Hewlett-Packard Company | Demagnetization of thin film magnetic recording transducers utilizing a decreasing AC current |
| JP2822646B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1998-11-11 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法 |
| US5168395A (en) * | 1990-05-02 | 1992-12-01 | International Business Machines Corporation | Controlled magnetic recording head relaxation in a magnetic recording system |
| JPH06500203A (ja) * | 1990-07-26 | 1994-01-06 | イーストマン・コダック・カンパニー | 小形高感度磁気抵抗式磁力計 |
| US5119025A (en) * | 1990-07-26 | 1992-06-02 | Eastman Kodak Company | High-sensitivity magnetorresistive magnetometer having laminated flux collectors defining an open-loop flux-conducting path |
| US5180900A (en) * | 1991-04-15 | 1993-01-19 | Tapeswitch Corporation Of America | Electrical resistance element with heat-sensitive disconnect capability |
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