JPS6047256A - Substrate carrying mechanism in vacuum thin film processing device - Google Patents
Substrate carrying mechanism in vacuum thin film processing deviceInfo
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- JPS6047256A JPS6047256A JP58155994A JP15599483A JPS6047256A JP S6047256 A JPS6047256 A JP S6047256A JP 58155994 A JP58155994 A JP 58155994A JP 15599483 A JP15599483 A JP 15599483A JP S6047256 A JPS6047256 A JP S6047256A
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
する装置における基体搬送機構に関し,特に基体が垂直
な状態で回転しながら薄膜処理されるのに適した基体搬
送機構に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a substrate conveyance mechanism in an apparatus for carrying out the invention, and particularly to a substrate conveyance mechanism suitable for processing a thin film while rotating the substrate in a vertical state.
本発明の具体的応用分野の一例は光記録用ディスクの製
造工程における薄膜作製過程である。そこでは例えば直
径75謔乃至350咽厚み約1. tuhのガラスある
いはノラスチ,り円板上に厚み約0、 1μm程度のア
モルファス膜などを均一な厚みで作製することが必要と
なる。また別の応用例としては上記とほぼ同じ寸法のプ
ラスチック円板上に熱磁気記録用の材質の薄膜作製,あ
るいはビデオ・ディスクとかディジタル・オーディオ・
ディスクのための光反射用の材質の薄膜等の作製がある
。One example of a specific field of application of the present invention is the thin film manufacturing process in the manufacturing process of optical recording discs. There, for example, the diameter is 75 mm to 350 mm, and the thickness is about 1 mm. It is necessary to fabricate an amorphous film with a uniform thickness of about 0 to 1 μm on a glass or Norasti disk. Another example of application is the production of a thin film of thermomagnetic recording material on a plastic disk of approximately the same dimensions as the above, or the production of video disks, digital audio, etc.
There is the production of thin films of light-reflecting materials for discs.
これらの円形状基体は一般に中心部分に穴が設けられて
おり,それが製品として使用される時には高速で回転さ
れる。基体上に形成される薄膜は物理的緒特性とその厚
みが基体上の全領域にわたって均一であることが必要と
され,殊に中心軸のまわりの回転に対して同心円周上で
は極めて均一であることが望まれる。従ってスパッタ膜
の作製最中には基体を回転することが好ましい。また基
体上の1つの記録単位の占める面積は極めて狭いのでス
・マンタ膜の作製最中には基体上に微小な塵埃が混入し
たI)あるいは膜の付着しないピンホール等が生ずるこ
とさえ嫌られれ、そのために仮に塵埃が発生しても基体
表面に堆積しないように基体の搬送とその上への薄膜作
製は基体をほぼ垂直にした状態で行うことが好オしい。These circular substrates generally have a hole in the center and are rotated at high speed when used as a product. The thin film formed on the substrate needs to have uniform physical characteristics and thickness over the entire area of the substrate, and in particular must be extremely uniform on the concentric circumference with respect to rotation around the central axis. It is hoped that Therefore, it is preferable to rotate the substrate during the production of the sputtered film. In addition, since the area occupied by one recording unit on the substrate is extremely small, during the preparation of the S. manta film, it is undesirable that minute dust gets mixed in on the substrate or even that pinholes, etc., where the film does not adhere, occur. Therefore, in order to prevent dust from accumulating on the surface of the substrate even if dust is generated, it is preferable to transport the substrate and form a thin film thereon with the substrate in a substantially vertical position.
更にディスク状基体全真空室に挿入又は取出す工程にお
いては。Furthermore, in the step of inserting or taking out the disk-shaped substrate into the full vacuum chamber.
ロードロック室を用いても基体を1枚づつ挿入取出しす
るよシは多数の基体を基体トレーに入れて挿入取出しを
行ない、真空を破る回数をなるべく少なくすることが望
ましいものである。Even if a load lock chamber is used, it is preferable to insert and remove the substrates one by one by placing a large number of substrates in the substrate tray and inserting and removing them, thereby minimizing the number of times the vacuum is broken.
上記のいくつ69項目はいずれも個々には従来知られて
いるところであるが、実際には従来装置でこれらを同時
に実現したものは知られていない。これは真空中におい
て垂直に基体を保持する基体トレーから基体を取り出し
、これを垂直の状態のままで水平軸を中心にして回転可
能に保持するまでの運搬機構が、従来知られていた方式
の寄せ集めでは極めて複雑となるからである。Although each of the above-mentioned 69 items are individually known in the past, there is actually no known conventional device that simultaneously realizes them. This is a previously known method in which the transport mechanism takes the substrate out of a substrate tray that holds the substrate vertically in a vacuum and holds it rotatably around a horizontal axis while maintaining the vertical position. This is because a collection of information becomes extremely complex.
したがって本発明の目的は、真空中において上記の基体
トレーからの基体を垂直のまま回転可能に保持する運搬
機構を簡単な構成で得ようとするものである。Therefore, an object of the present invention is to provide a conveying mechanism that rotatably holds the substrate from the substrate tray vertically in a vacuum with a simple structure.
ナなわぢ本発明によれば、真空中において薄膜処理すべ
き板状の基体を複数枚垂直に収容する基体トレーと、前
記基体をその中心部において挟みつけ保持しながら該基
体を薄膜処理すべき場所に移送し且つ該場所において薄
膜処理を受けさせる基体回転アームと、前記基体トレー
に収容されている基体をその外周部において挟みっけ保
持しながら前記基体回転アームに移送し文通に薄膜処理
された基体を該基体回転アームから該基体トレーに移送
する基体移送アームと、前記基体トレーに収容された複
数の基体を1枚づつ薄膜処理のために前記基体移送アー
ムに移送するのに連動して該基体トレーを移動する基体
トレー搬送機構と金備えた。真空薄膜処理装置における
基体搬送機構が得られる。According to the present invention, there is provided a substrate tray that vertically accommodates a plurality of plate-shaped substrates to be subjected to thin film treatment in a vacuum, and a substrate tray to be subjected to thin film treatment while sandwiching and holding the substrates at their centers. a substrate rotating arm for transporting the substrate to a location and subjecting it to a thin film treatment there; and a substrate rotating arm that holds the substrate housed in the substrate tray between its outer peripheries and transporting the substrate to the substrate rotating arm and subjecting the correspondence to the thin film treatment. a substrate transfer arm that transfers the substrate from the substrate rotation arm to the substrate tray; and a substrate transfer arm that transfers the plurality of substrates accommodated in the substrate tray one by one to the substrate transfer arm for thin film processing. A substrate tray conveying mechanism and a metal plate were provided to move the substrate tray. A substrate transport mechanism in a vacuum thin film processing apparatus is obtained.
次に図面を参照して詳細に説明する。Next, a detailed explanation will be given with reference to the drawings.
第1図および第2図は本発明の第1の実施例におけるス
パッタ装置の構成およびそのA −A’における断面を
それぞれ示す図である。以下両図を併用して説明すると
、真空容器10は排気口12fI:経て図示されないポ
ンプによシ排気される。ソノ上に薄膜を形成すべき円形
状基体40を複数収容した基体トレー30は真空容器内
に配置され、内部で一点鎖線aに沿って図示されていな
い基体トレー搬送機構により移動して所定の間隔ごとに
固定することができる。基体トレー内の円形状基体40
は図示されていない基体移送アームに挿着された後、そ
の回転軸eのまわシに約90°回転し。FIGS. 1 and 2 are diagrams respectively showing the configuration of a sputtering apparatus according to a first embodiment of the present invention and its cross section taken along line A-A'. In the following description using both figures, the vacuum container 10 is evacuated through the exhaust port 12fI by a pump (not shown). A substrate tray 30 containing a plurality of circular substrates 40 on which a thin film is to be formed is placed in a vacuum container, and is moved inside by a substrate tray transport mechanism (not shown) along a dashed line a to a predetermined interval. Each can be fixed. Circular substrate 40 in the substrate tray
is inserted into a substrate transfer arm (not shown), and then rotated about 90° about its rotation axis e.
それに従って基体の中心は円弧αなる軌道上を矢印41
の方向にすすみその中心軸が一点鎖線すで示される位置
に移送され、ここで図示されていない基体回転アームに
移シ保持される。次に基体回転アームをその軸Cのまわ
シに約180°回転し。Accordingly, the center of the base moves along the trajectory of the arc α as shown by the arrow 41.
The central axis thereof is transferred to the position shown by the dashed line, and here it is transferred and held by a base rotating arm (not shown). Next, rotate the base rotation arm about 180 degrees around its axis C.
これに従って基体40の中心は円弧βなる軌道上を矢印
42の方向に進みス・ぐツタ−ゾーン11へ移送され、
その中心軸が二点鎖線dで示されるような位置に保持さ
れた状態で回転しなからターケ゛ソト51から出発する
ス・ぐツタ原子をその表面に堆積して薄膜を形成する。Accordingly, the center of the base body 40 travels along a trajectory defined by an arc β in the direction of an arrow 42 and is transferred to the suction zone 11.
While rotating with its central axis held at the position shown by the two-dot chain line d, the star particles starting from the target 51 are deposited on its surface to form a thin film.
所定の時間ス・やツタ原子を受けて薄膜が形成された基
体は、再び基体回転アームをその軸Cのまわシに約18
0°回転することにより中心軸が円弧βに沿って矢印4
2′の方向に進み一点鎖線すの位置になるように移送さ
れ。The substrate, on which a thin film has been formed by receiving the suction and ivy atoms for a predetermined period of time, is rotated again by rotating the substrate rotation arm about its axis C by about 18 mm.
By rotating 0°, the central axis moves along the arc β as shown by the arrow 4.
It moves in the direction 2' and is transferred to the position indicated by the dashed-dotted line.
更に基体回転アームから脱離され、待機していた基体移
送アームに挿着され基体回転アームからは脱離される。Furthermore, it is detached from the substrate rotation arm, inserted into the waiting substrate transfer arm, and detached from the substrate rotation arm.
その後基体回転アームはその回転中心eのまわシに約9
0°回転しこれに従い基体の中心は円弧αに沿って矢印
4fの方向にすすみ点aで静止する。そして基体は基体
移送アームから脱離されて基体トレー30内の最初の位
置に収納される。次ぎに基体トレーは図示されていない
基体トレー搬送機構により本図紙面に垂直な方向に所定
の間隔だけ平行移動され新らたな基体40が基体搬送ア
ームの挿着のために待機される。以上のような過程の繰
返しによp基体トレーに収容された複数の基体上にスパ
ッタ膜が生成される。After that, the base rotation arm is rotated about 9 degrees around its rotation center e.
It rotates by 0°, and accordingly, the center of the base moves along the arc α in the direction of the arrow 4f and comes to rest at a point a. The substrate is then removed from the substrate transfer arm and stored in the initial position within the substrate tray 30. Next, the substrate tray is translated by a substrate tray transport mechanism (not shown) by a predetermined distance in a direction perpendicular to the plane of this figure, and a new substrate 40 is placed on standby for insertion into the substrate transport arm. By repeating the above process, sputtered films are produced on a plurality of substrates accommodated in the p-substrate tray.
真空容器のスパッターゾーン11をはさむ2つの壁面に
は開口部(111及び11丁がその周辺部)が設けられ
そこには絶縁体53 、53’を介してスパッタ電極5
0 、50’が組込まれている。スパッタ電極の真空容
器内にはターグツ)51.51’がスパッターゾーン内
で基体40の両面上に薄膜は0リング54及び55を介
してこれら3者を図示されていないボルトによシ相互に
密着させることによシ達成されている。ス・Oツタ電源
100゜100′の出力の一方は電力供給線xox、t
ofを経てそれぞれス・ぐツタ電極50 、50’と結
ばれ。Openings (111 and 11 are the surrounding areas) are provided in the two walls sandwiching the sputter zone 11 of the vacuum container, and the sputter electrode 5 is inserted through the insulators 53 and 53'.
0, 50' are incorporated. Inside the vacuum vessel of the sputtering electrode are targlets 51 and 51', which are attached to the thin film on both sides of the substrate 40 in the sputtering zone, and these three are tightly attached to each other by bolts (not shown) via O-rings 54 and 55. This has been achieved by making it possible. One of the outputs of the power supply 100°100' is connected to the power supply lines xox and t.
They are connected to the suction electrodes 50 and 50' through the of.
出力の他方は電力帰還線102 、102’によシアー
スミ位とされておシ、一方真空容器壁はアース線103
によりアース電位とされる。なおスフ4ツタ電極に電力
を供給して放電を行いターゲット51.5fにおいてス
パッタリングを発生せしめる際にはスパッタ電極には一
般に多大の熱エネルギーが入射するので、スパッタ電極
を流水などによシ冷却することが必要であることは小分
野でよく知られておシ2図示を省略している。上述の装
置で薄膜処理を行うに際して、先ず基体40を収容した
トレー30が扉21を開けて真空容器】0の内部に挿入
され2次いで扉21を扉軸26のまわシに回転して閉じ
Oリング25を介して気密保持状態にせしめ1次いで真
空容器内を排気する。The other side of the output is connected to the power return wires 102 and 102' at a shear distance, while the wall of the vacuum vessel is connected to the ground wire 103.
It is set to earth potential. Note that when power is supplied to the four-pointed electrode to cause discharge and generate sputtering at the target 51.5f, a large amount of thermal energy is generally incident on the sputtering electrode, so the sputtering electrode should be cooled with running water or the like. It is well known in the small field that this is necessary, so illustration is omitted. When performing thin film processing using the above-mentioned apparatus, first, the tray 30 containing the substrate 40 is inserted into the vacuum container by opening the door 21, and then the door 21 is rotated around the door shaft 26 and closed. The vacuum container is kept airtight via the ring 25, and then the inside of the vacuum container is evacuated.
更に必要に応じて真空容器内に設けられた加熱ランプ1
3 、13’及び熱反射板14 、14’から成るに維
持する。そしてガス導入管13を経て図示されていない
ガス供給系から真空容器内に所定の組成のガスを導入し
、他方で排気口12から排出しながら動的な平衡状態を
とシつつ真空容器内をスパッタリングを行うのに適した
所定の圧力、り維持する。その圧力は10−3〜10−
2Torrの範囲になることか多い。そして前述のスパ
ッタ電源100゜100′よりスパッタ電極50 、5
0’に電力を供給してス/e 7タリングを行いながら
、基体トレー搬送機構と基体移送アーム機構の連動によ
シ基体トレーに収容された複数の円形状基体の両面にス
パッタ膜が形成される。基体への薄膜形成処理後にスパ
ッタ電極への電力供給及びガス導入が停止され真空が破
壊され真空容器内が大気圧にされた後に基体40を取出
すことができる。Furthermore, if necessary, a heating lamp 1 is installed inside the vacuum container.
3, 13' and heat reflecting plates 14, 14'. Then, a gas of a predetermined composition is introduced into the vacuum container from a gas supply system (not shown) through the gas introduction pipe 13, and while being discharged from the exhaust port 12, the inside of the vacuum container is maintained while maintaining a dynamic equilibrium state. Maintain a predetermined pressure suitable for sputtering. The pressure is 10-3 to 10-
It is often in the 2 Torr range. Then, from the sputtering power source 100°100', the sputtering electrodes 50, 5
While performing sputtering by supplying power to Ru. After the thin film is formed on the substrate, power supply to the sputtering electrode and gas introduction are stopped, the vacuum is broken, and the inside of the vacuum container is brought to atmospheric pressure, after which the substrate 40 can be taken out.
第3図は第1図における基体トレー30.基体40及び
第1図に示されていない基体トレー搬送機構60の相対
的位置関係を示す。基体トレー30は一対の端板301
及び302を3本の基体支持棒303をはさんで6個の
ナツト304 、304′。FIG. 3 shows the base tray 30 in FIG. The relative positional relationship of the substrate 40 and the substrate tray transport mechanism 60 not shown in FIG. 1 is shown. The base tray 30 has a pair of end plates 301
and 302 with three base support rods 303 in between and six nuts 304 and 304'.
304//、305,305’、305”によシ固定組
立てられておシ、基体トレー搬送機構60の一部を構成
する搬送台601の上に固定されている。304//, 305, 305', and 305'' are fixedly assembled and fixed on a conveyance table 601 that constitutes a part of the substrate tray conveyance mechanism 60.
第4図は第3図における基体支持棒303の俯敞図であ
って2両端にネジ部3031を持ち太い角周部3032
と細い円周部3033とが等間隔で設けられておシ、太
い角周部と細め円周部の間には一定角度の傾斜面303
4が設けられている。この傾斜面と細い円周部3033
の形成する溝状領域の形状と寸法を基体の厚みに対して
適切に選らぶならば、第3図に示すような基体トレー3
0の構造において鉛直に配置した円形状基体はそれ自身
の重力によシ倒れることなく基体トレー内に自立する。FIG. 4 is an overhead view of the base support rod 303 in FIG.
and thin circumferential portions 3033 are provided at equal intervals, and an inclined surface 303 having a constant angle is provided between the thick circumferential portion and the thin circumferential portion.
4 is provided. This inclined surface and the thin circumferential part 3033
If the shape and dimensions of the groove-like region formed by the grooves are appropriately selected in relation to the thickness of the substrate, the substrate tray 3 as shown in FIG.
In the structure of No. 0, the circular substrate placed vertically stands on its own within the substrate tray without falling down due to its own gravity.
なお本実施例において基体支持棒303にはそれぞれ8
個の溝状領域が設けられておシ、従って8対の溝状領域
をもつ基体トレー30には全部で一度に8枚まで基体を
収容することができる。搬送台601の側面部にはラッ
ク602が取付けられ。In this embodiment, each of the base support rods 303 has 8
The substrate tray 30, which has eight pairs of grooved areas, can therefore accommodate up to eight substrates at a time. A rack 602 is attached to the side surface of the transport platform 601.
ピニオン603を矢印6031又は6032の方向に回
転することによシ搬送台601はそれぞれ矢印3011
又は3012の方向に各基体の中心軸を一点鎖線aの上
に維持したまま基体トレー30を搬送することができる
。一方真空容器の外部には光電スイッチ70が設けられ
、真空容器壁面に設けられた窓を通して光を矢印71に
沿って導入することができる。基体トレー内の基体が適
切な位置に配置されていれば光はその端面で反射して矢
印72に従って光電スイッチ70に戻夛、従ってそれに
よシ基体の正しい位置を設定することができる。By rotating the pinion 603 in the direction of the arrow 6031 or 6032, the conveyor table 601 is moved to the direction of the arrow 3011, respectively.
Alternatively, the substrate tray 30 can be transported in the direction 3012 while maintaining the center axis of each substrate above the dashed line a. On the other hand, a photoelectric switch 70 is provided outside the vacuum container, and light can be introduced along the arrow 71 through a window provided on the wall of the vacuum container. If the substrate in the substrate tray is properly positioned, the light will be reflected from its end face and returned to the photoelectric switch 70 according to arrow 72, thereby setting the correct position of the substrate.
第5図は第3図の紙面に垂直な方向から示す基体40.
基体トレー30及び基体トレー搬送機構60の相対的位
置関係図である。基体搬送台601は1対の支持台60
5に支えられ、それぞれの支持台には少くとも2個の溝
状のガイドを備えた回転子606と少くとも2個のガイ
ドのない回転子607がベアリングを介して取付けられ
ておシ。FIG. 5 shows the base 40 as viewed from a direction perpendicular to the paper plane of FIG.
FIG. 6 is a relative positional relationship diagram of the substrate tray 30 and the substrate tray transport mechanism 60. The substrate transport table 601 includes a pair of support stands 60
A rotor 606 having at least two groove-shaped guides and at least two rotors 607 without a guide are attached to each support via bearings.
更にそれぞれの回転子は真空容器の底面103に水平か
つ平行に設置された2本のレー)L/608及び608
′の上に載せられている。このようにして支持台605
は少くとも4個の回転子がレールに接するようにして支
えながらレールに沿って移動することができる。Furthermore, each rotor has two rails (L/608 and 608) installed horizontally and parallelly on the bottom surface 103 of the vacuum vessel.
’ is placed on top. In this way, the support stand 605
can move along the rail while supporting at least four rotors in contact with the rail.
第6図は第1図及び第2図において用いられるべき基体
移送アーム(第1,2図では図示してない)の構成をあ
られす図である。第6図において。FIG. 6 is a diagram showing the structure of a substrate transfer arm (not shown in FIGS. 1 and 2) to be used in FIGS. 1 and 2. FIG. In FIG.
基体移送アーム駆動ボックス70は6個の四角な面71
,72,73,74,75,76で囲、X’!れ、ここ
に円形状基体を挿着する2本のアーム77.78を収容
している。図の状態に於て破線で示す基体40は第5図
に示すように基体トレー30に収容されている。2本の
ア一1・の先端には2個のプリー771,772及び7
81.782がそれぞれ設けられ2合計4個のシリ−の
溝部分で基体40をはさみつけ固定することができる。The substrate transfer arm drive box 70 has six square surfaces 71.
, 72, 73, 74, 75, 76, X'! It accommodates two arms 77, 78 into which a circular base body is inserted. In the illustrated state, the substrate 40 indicated by the broken line is accommodated in the substrate tray 30 as shown in FIG. Two pulleys 771, 772 and 7 are installed at the tips of the two A1.
81 and 782 are respectively provided, and the base body 40 can be sandwiched and fixed by the groove portions of the two series, a total of four.
また後述するような機構によりアームをすべり軸受け7
73,774に沿って移動することによシ基体40をは
さみつけていたシリ−から脱離させることができる。更
に基体40を挿着した状態で駆動ボックス70を回転軸
eのまわりに回転させることにより、基体40をその中
心が円弧αに沿うようにして点aから点b’lで移送し
その間の任意の場所に停止することができる。In addition, the arm is mounted on a sliding bearing 7 by a mechanism described later.
By moving along lines 73 and 774, the substrate 40 can be detached from the silicone sandwiching it. Furthermore, by rotating the drive box 70 around the rotation axis e with the base body 40 inserted, the base body 40 is transferred from point a to point b'l so that its center is along the arc α, and can be moved anywhere in between. You can stop at any location.
第7図は第6図の基体移送アームの上面図であって、そ
の動作を理解しやすくするために基体移送アーム駆動ボ
ックス70の上面板、71の大部を切シ欠いて示してい
る。図において基体搬送アームボックスの対向する2つ
の面73及び74に設けられたすベシ軸受け773 、
774に支持されたアーム77と、すベシ軸受け783
.784に支持されたアーム78が、それぞれの先端に
設けられたプリー771とゾIJ −781によシ円形
状の基体をその外周から押すようにして挿着して込る。FIG. 7 is a top view of the substrate transfer arm of FIG. 6, with most of the top plate 71 of the substrate transfer arm drive box 70 cut away to facilitate understanding of its operation. In the figure, a flat bearing 773 provided on two opposing surfaces 73 and 74 of the substrate transfer arm box,
The arm 77 supported by 774 and the bearing 783
.. An arm 78 supported by an arm 784 inserts and inserts a circular base body into a pulley 771 and an IJ-781 provided at the ends of each arm 78 by pushing it from its outer periphery.
駆動ボックスの他の2つの面75と76に設けられたす
ベシ軸受け751と752は、その軸芯eをもつアーム
駆動軸79を支持する。アーム駆動軸79と2本の平行
に配置されたアーム77と78にはいずれもラックが設
けられておシ、2個の平歯車791及び792によって
それぞれの動きが結合されている。アーム駆動軸79は
図示されていない駆動機構によシ真空容器の外部から軸
芯eに沿って矢印7911の方向あるいはその逆の方向
に移動することができる。平歯車791と792の回転
軸は駆動がソクスの上面71と底面72に設けられた軸
受けで支えられている。アーム駆動軸79を矢印791
1の方向に移動することによシ平歯車792は矢印79
12の方向に回転し。Horizontal bearings 751 and 752 provided on the other two surfaces 75 and 76 of the drive box support an arm drive shaft 79 having its axis e. The two arms 77 and 78 arranged parallel to the arm drive shaft 79 are both provided with racks, and their movements are coupled by two spur gears 791 and 792. The arm drive shaft 79 can be moved from the outside of the vacuum container along the axis e in the direction of an arrow 7911 or the opposite direction by a drive mechanism (not shown). The rotation shafts of the spur gears 791 and 792 are driven by bearings provided on the top surface 71 and bottom surface 72 of the sock. Arm drive shaft 79 is indicated by arrow 791
1, the spur gear 792 moves in the direction of arrow 79.
Rotate in direction 12.
従ってアーム77は矢印7913の方向に移動し同時に
アーム78は矢印7914の方向に移動するので、4個
のグリ−の溝の間に基体がはさまれ固定される。これと
は逆にアーム駆動軸79′ff:矢印゛7911と逆方
向に移ルする場合には、アーム77は矢印7913の逆
方向に移動し同時にアーム78は矢印7914の逆方向
に移動するので、4個のプリーは基体40から離れ従っ
て基体搬送アームかされていない駆動機構により真空容
器の外部から回転するときに駆動ボックス70は軸芯e
のまわシに全体として回転して軸芯eを動かす必要がな
傘
い。第7図においてi歯車82を矢印811の方向に回
転するときに第6図における駆動ボックス70は軸芯e
のまわシに矢印813の方向に回転し、従ってもしアー
ム77と78が基体40を挿矢印812の方向に回転す
るときには第6図において基体はその中心が円弧αに沿
って点すから点aの方向に移送される。このようにアー
ム駆動軸重
79とl歯車80の軸芯を一致させることによシ。Therefore, arm 77 moves in the direction of arrow 7913 and arm 78 simultaneously moves in the direction of arrow 7914, so that the base body is sandwiched and fixed between the grooves of the four grooves. Conversely, when arm drive shaft 79'ff is moved in the opposite direction to arrow 7911, arm 77 moves in the opposite direction of arrow 7913, and at the same time arm 78 moves in the opposite direction of arrow 7914. , the four pulleys are separated from the substrate 40 and the drive box 70 is rotated from the outside of the vacuum vessel by a drive mechanism that does not have a substrate transfer arm.
An umbrella that rotates as a whole and does not require moving the axis e. When rotating the i gear 82 in the direction of arrow 811 in FIG. 7, the drive box 70 in FIG.
Therefore, if the arms 77 and 78 rotate the base body 40 in the direction of the arrow 812, the center of the base body will be along the arc α in FIG. is transported in the direction of By making the arm drive shaft load 79 and the axis of the L gear 80 coincide with each other in this way.
本発明における基体搬送アームでは、基体40の円弧α
に沿う搬送と基体40のアームによる挿着及び脱離を完
全に独立して行うことができる。In the substrate transfer arm according to the present invention, the circular arc α of the substrate 40
The conveyance along the base body 40 and the insertion and removal of the base body 40 by the arm can be performed completely independently.
第8図は第1図及び第2図の説明の際に説明されたが図
示しなかった基体回転アーム90の構成を示す図である
。図において基体移送アームと基体回転アームとの間で
基体40の受け渡しが行われる際の基体の中心点す、基
体回転アームの回転中心C,スパッタゾーンにおける基
体の回転中心d、及び基体回転アームによって移送され
る基体の中心の軌跡βはいずれも第2図の記号と一致し
ている。基体40の回転は図示されている4個の歯車9
61.962.963.965と本図においては歯車9
63のかげになって図示されていない歯車の合計5個の
相互に歯がかみあった歯車の回転を通して達成される。FIG. 8 is a diagram showing the configuration of the base rotating arm 90, which was explained in the explanation of FIGS. 1 and 2 but not shown. In the figure, the center point of the substrate when the substrate 40 is transferred between the substrate transfer arm and the substrate rotation arm, the rotation center C of the substrate rotation arm, the rotation center d of the substrate in the sputter zone, and the rotation center d of the substrate rotation arm. The locus β of the center of the transferred substrate all coincides with the symbols in FIG. The rotation of the base body 40 is controlled by the four gears 9 shown.
61.962.963.965 and gear 9 in this figure
This is achieved through the rotation of a total of five gears, which are not shown and are shaded by 63, with their teeth meshing with each other.
基体の回転の駆動トル傘
りはi歯車9611から伝えられるが、その詳細にりを
与えてその中心軸Cのまわシに回転することができる。The driving torque for the rotation of the base body is transmitted from the i-gear 9611, and the base body can be rotated around its central axis C by giving a detailed rotation.
回転アーム91の回転により基体を回転させるための最
終段の歯車の中心軸は円弧βの上を移動し、これと同時
に歯車963の中心軸も円弧γの上へ移動する。捷だ基
体回転アーム90は支持体93に支えられ真空容器の底
面に固定されている〇
第9図は第8図の基体回転アームの構成を上面から見た
図である。図において平行に設置された2本のアーム9
1及び92は中心Cをもつ一本の回転軸95によって固
定され1回転軸95は回転軸受けを介して2個の支持体
93及び94によって支えられている。従って回転軸9
5の先端に設置
けられたi歯車9501から駆動トルクを与えることに
よシ中心軸Cのまわシに2本のアームは平行状態を保持
して回転することができる。一方回転軸95と同じ中心
軸をもちその内側が中空になった回転軸9620が回転
軸受けを介して支持体93とアーム91に支えられその
外周部に設けられた歯車962と連結して中心Cのまわ
シに回転することができる。アーム91には回転軸受け
を介して2個の回転軸9640及び9650が取付けら
れてお9.前者は歯車963及び歯車964と連結して
中心fのまわpに回転し、また後者は歯車965と連結
して中心すのまわりに回転することができる。アーム9
1の端側に設けられた回転軸9650は中空になってお
シその内側に回転弁え軸9651が設けられ、その両端
には押え具9652及び引き具9653が固定されてい
る。一方アーム92の一端にも回転軸受けを介して中空
の回転軸9650’及びその内側の回転弁え軸965丁
が設けられ、押え具9652’及び引き具9653’が
付属している。2本の回転弁え軸9651 、96sr
とその外側の回転軸9650 、9650’はそれぞれ
軸方向に相対的な位置を変えることは自由にできるが、
それぞれ単独には回転できず一対として回転する。通常
は押え具9652.9652’と軸9650.9650
’の間に挿入されたコイルバネ9654及び9654’
の力にょI)2本の回転弁え軸9651,9651′に
はそれぞれが対向して押しあうような力が働いている。Due to the rotation of the rotating arm 91, the central axis of the final stage gear for rotating the base body moves on the circular arc β, and at the same time, the central axis of the gear 963 also moves on the circular arc γ. The twisted substrate rotating arm 90 is supported by a support 93 and fixed to the bottom of the vacuum vessel. FIG. 9 is a top view of the configuration of the substrate rotating arm shown in FIG. 8. Two arms 9 installed parallel in the figure
1 and 92 are fixed by one rotation shaft 95 having a center C, and one rotation shaft 95 is supported by two supports 93 and 94 via rotation bearings. Therefore, the rotation axis 9
By applying a driving torque from an i-gear 9501 installed at the tip of the arm, the two arms can rotate around the central axis C while maintaining a parallel state. On the other hand, a rotating shaft 9620, which has the same central axis as the rotating shaft 95 and is hollow inside, is supported by the support body 93 and the arm 91 via a rotating bearing, and is connected to a gear 962 provided on the outer periphery of the rotating shaft. It can rotate freely. Two rotation shafts 9640 and 9650 are attached to the arm 91 via rotation bearings.9. The former is connected to gears 963 and 964 to rotate around the center f, and the latter is connected to gear 965 to rotate around the center. Arm 9
A rotary shaft 9650 provided on the end side of 1 is hollow, and a rotary valve shaft 9651 is provided inside the shaft, and a presser 9652 and a puller 9653 are fixed to both ends of the rotary shaft 9650. On the other hand, one end of the arm 92 is also provided with a hollow rotating shaft 9650' and a rotating valve shaft 965 inside thereof via a rotating bearing, and a holding tool 9652' and a pulling tool 9653' are attached. Two rotary valve shafts 9651, 96sr
The rotational shafts 9650 and 9650' on the outside thereof can be freely changed in their relative positions in the axial direction, but
They cannot rotate independently; they rotate as a pair. Usually presser 9652.9652' and shaft 9650.9650
Coil springs 9654 and 9654 inserted between '
I) Forces are acting on the two rotary valve shafts 9651 and 9651' so that they are opposed to each other and pushed against each other.
従って図示された状態において基体40はその内側円周
に沿って両側から押え具9652と9652’と押され
て回転アームに保持されている。一方図示されていない
駆動機構によ92個の引き具9653.9653’をそ
れぞれ同時にバネの力に反4発するように引張ってやる
ならば、この場所において回転アームから基体を脱離す
ることができる。Therefore, in the illustrated state, the base body 40 is held by the rotating arm by being pressed by the pressers 9652 and 9652' from both sides along its inner circumference. On the other hand, if the 92 pullers 9653 and 9653' are simultaneously pulled four times against the force of the spring by a drive mechanism (not shown), the base body can be detached from the rotating arm at this location. .
第9図において基体を回転することは次のようにして行
われる。図示されていない駆動機構にょ傘
)j歯車9611にトルクが与えられると、軸96が中
心軸gのまわシに回転し、歯車961,962゜963
.964.及び9650合計5個の歯車が連動する。従
って前述の如く引き具9653 、9653’に引張り
の力が働らいていなければ押し具9652゜9652’
にはさまれ保持された状態で基体40は回転される。更
に基体の回転はアーム91及び920回転とは全く独立
に行うことができる。即ち回章
示されていない駆動機構によりl歯車9501にトルク
が与えられるときに回転軸95が中心Cのまわpに回転
するが、それに従って5個の歯車のうち2個の歯車96
1及び962のそれぞれの回転中心軸g、Cは固定した
i!、まで3個の歯車963゜964.965の回転中
心軸は第8図においてCのまわpの中心円弧γ及びβに
沿って滑らかに移に駆動トルクを与えることによシ基体
を回転することができる。Rotating the base body in FIG. 9 is accomplished as follows. When torque is applied to the gear 9611 (not shown in the drive mechanism), the shaft 96 rotates about the central axis g, and the gears 961, 962, 963
.. 964. and 9650, a total of 5 gears are interlocked. Therefore, as described above, if no tensile force is applied to the pullers 9653 and 9653', the pushers 9652 and 9652'
The base body 40 is rotated while being held between them. Moreover, the rotation of the base body can be performed completely independently of the rotation of the arms 91 and 920. That is, when a torque is applied to the l gear 9501 by a drive mechanism (not shown), the rotating shaft 95 rotates around the center C in a direction p, and two gears 96 out of five gears rotate accordingly.
The rotation center axes g and C of 1 and 962 are fixed i! , the rotation center axes of the three gears 963, 964, and 965 move smoothly along central arcs γ and β of p around C in FIG. 8. By applying a driving torque, the base body is rotated. I can do it.
第10図は第9図の基体回転アームを図で左の側面から
みた構成を示す図である。第9図における・回転軸す、
f、gはこの図においてすべて回転軸Cに重なっている
ことが分る。FIG. 10 is a diagram showing the configuration of the base rotating arm of FIG. 9 when viewed from the left side in the figure. In Figure 9, the axis of rotation,
It can be seen that f and g all overlap the rotation axis C in this figure.
上述の第1図乃至第10図迄の本発明による具体的実施
例におけるスパッタ装置を構成する主要素は9円形状の
基体、該基体を複数垂直に自立した状態で収容すること
のできる基体トレー、基体トレーを移動するだめの基体
トレー搬送機構、基体をその中心部ではさみ保持しなが
ら移送と回転を独立して同時に行うことのできる基体回
転アーム、及び基体トレーに収容している基体を挿着し
て基体回転アームに移送しかつ基体回転アームから基体
トレーに再び移送することのできる基体移送アームであ
る。これら本発明の構成要因の組み合わせは今迄の説明
してきたところのほかにいくつかの変形が可能である。The main elements constituting the sputtering apparatus in the specific embodiments of the present invention shown in FIGS. 1 to 10 are a 9-circular base and a base tray capable of accommodating a plurality of bases vertically and independently. , a substrate tray transport mechanism for moving the substrate tray, a substrate rotation arm that can transfer and rotate independently and simultaneously while holding the substrate in its center, and inserting the substrate housed in the substrate tray. The substrate transfer arm is capable of transferring the substrate to the substrate rotation arm, and from the substrate rotation arm to the substrate tray again. The combination of these constituent factors of the present invention can be modified in several ways other than what has been described so far.
以下には前述迄の基本的構成におけるスパッタ装置の生
産性を更にあげるための具体的変形を示す。Below, specific modifications to the above-mentioned basic configuration for further increasing the productivity of the sputtering apparatus will be shown.
第11図は基体回転アームの別の実施例を示す図である
。第9図と比較するならばアーム91とアーム92が完
全に対称になっておシ、アームの回転中心軸Cに対して
対称な位置でそれぞれ基体を同時に挿着しかつ回転する
ことができる。一方5個の歯車961.962.963
.964..965を連動回転することによシ回転する
ことができる。ま9711に駆動トルクを与え、5個の
歯車971゜9501に駆動トルクを力えるならばアー
ム91゜92は2個の基体4.01 、4.02をはさ
みつけた捷ま中心軸Cのまわシに回転することができる
。FIG. 11 is a diagram showing another embodiment of the base rotating arm. As compared with FIG. 9, the arms 91 and 92 are completely symmetrical, and the base bodies can be simultaneously inserted and rotated at symmetrical positions with respect to the rotation center axis C of the arms. On the other hand, 5 gears 961.962.963
.. 964. .. It can be rotated by interlocking rotation of 965. If a driving torque is applied to the five gears 971 and 9501, the arms 91 and 92 will rotate around the center axis C of the knitting machine that holds the two bases 4.01 and 4.02 between them. It can be rotated to shi.
既に述べたようにこの実施例においてもアームの中心軸
Cのまわシの回転と基体401の中心軸のまわシの回転
はそれぞれ完全に独立してしかも同時に行うことができ
る。従って本実施例においては一方の基体をその中心が
bになるような位置において前述の第6図に示す基体移
送アームから脱離して回転アームに挿着せしめ、或いは
逆に回転アームから脱離して基体移送アームに挿着せし
める作業を行いながら、同時に他方の基体をその中心が
dになるような位置において回転しながらその上にスパ
ッタ膜を形成することができる。As already mentioned, in this embodiment as well, the rotation of the central axis C of the arm and the rotation of the central axis of the base 401 can be performed completely independently and simultaneously. Therefore, in this embodiment, one of the substrates is detached from the substrate transfer arm shown in FIG. 6 and inserted into the rotating arm at a position such that its center is at point b, or conversely, the substrate is detached from the rotating arm and inserted into the rotating arm. While performing the work of inserting the substrate into the substrate transfer arm, a sputtered film can be formed on the other substrate while simultaneously rotating the other substrate at a position such that its center is d.
第11図の説明で述べたように、基板回転アームの異る
2ケ所で基体の挿着・脱離及び基体の回転を同時に行う
ことは時間を節約し生産性をあげる上で極めて有効であ
る。しかし本発明は一度に挿着できる基体の数を1個あ
るいは2個に制約するものではない。更に同時に挿着で
きる基体の数を3個、4個あるいはそれ以上にすること
が可能なことは今迄の説明から明らかである。As mentioned in the explanation of Fig. 11, simultaneous insertion and removal of the substrate and rotation of the substrate at two different locations on the substrate rotation arm is extremely effective in saving time and increasing productivity. . However, the present invention does not limit the number of substrates that can be inserted at one time to one or two. Furthermore, it is clear from the above description that it is possible to increase the number of substrates that can be inserted simultaneously to three, four, or more.
第1図の本発明の実施例においては、基体トレー30を
出し入れするたびに真空破壊と排気を繰り返すことが必
要である。更に生産性を向上させる場合には基体の出し
入れのたびにス/e ツタ室を大気に晒らさないような
真空室の構造をとることができるが、それらの具体的方
法は当分野においてよく知られておシ本発明の応用にそ
れらの技術が制約となるところはない。In the embodiment of the invention shown in FIG. 1, it is necessary to repeat the vacuum breaking and evacuation each time the substrate tray 30 is inserted or removed. To further improve productivity, it is possible to adopt a vacuum chamber structure that does not expose the ivy chamber to the atmosphere each time the substrate is taken in and out, but specific methods for this are well known in the art. These known techniques do not limit the application of the present invention.
また以上の具体的実施例において処理室においては円形
状基体の表面にスパッタリングによシ薄膜を形成する工
程説明を行ってきた。しかし本発明はスパッタリングに
よる薄膜作製のみならず。Furthermore, in the above specific examples, the process of forming a thin film on the surface of a circular substrate by sputtering in the processing chamber has been explained. However, the present invention is not limited to the production of thin films by sputtering.
例えばプラズマCVDによる薄膜作製に応用できる。For example, it can be applied to thin film production by plasma CVD.
その場合には第1図に示すス・母ツタ電極を放電電極と
してこれとアーム電位の真空容器との間に高周波電圧を
印加し、また膜の母材となるべき適切なガスを真空容器
内に流入すればよい。更にまた本発明では第1図に示す
スパッタ電極の位置にイオン源を設けるならば円板状基
体にイオン衝撃を与えエツチング加工を行うことができ
る。In that case, a high frequency voltage is applied between the main ivy electrode shown in Figure 1 as a discharge electrode and the vacuum vessel at the arm potential, and an appropriate gas to be the base material of the membrane is introduced into the vacuum vessel. All you have to do is flow into. Furthermore, in the present invention, if an ion source is provided at the location of the sputtering electrode shown in FIG. 1, it is possible to perform etching by applying ion bombardment to the disc-shaped substrate.
以上の説明から分るように2本発明によれば。As can be seen from the above description, there are two aspects according to the present invention.
真空中において基体トレーから垂直に保持された基体を
取シ出し、これを垂直のまま回転可能に保持するための
運搬機構が簡単な構成で得られる。A transport mechanism for taking out a substrate held vertically from a substrate tray in a vacuum and rotatably holding it vertically can be obtained with a simple configuration.
第1図は本発明の第一の実施例による基体の搬送機構を
備えたスパッタ装置の構成を示す図、第2図は第1図の
スパッタ装置の矢印A−Aにおける断面図、第3図は第
1図における基体トレーと基体搬送機構を示す図、第4
図は第3図における基体支持棒の俯敞図、第5図は基体
トレーと基体搬送機構の相対的位置関係を示す図、第6
図は第1図において用いらるべき基体移送アームの構成
をあられす図、第7図は第6図の粋卆ホ=暗基体移送ア
ームの上面図、第8図は第1図において用いられるべき
基体回転アームの構成をあられす図。
第9図は第8図の基体回転アームの上面図、第10図は
第9図の基体回転アームの側面図、第11図は第1図に
おいて用いらるべき基体回転アームの別の実施例を示す
図である。
記号の説明:10は真空処理室、30は基体トレー、4
0は円形状基体、50はスパッタ電極。
アーム、100はスパッタ電源をそれぞれあられしてい
る。1 is a diagram showing the configuration of a sputtering apparatus equipped with a substrate conveyance mechanism according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along arrow A-A of the sputtering apparatus in FIG. 1, and FIG. 4 is a diagram showing the substrate tray and substrate transport mechanism in FIG.
The figures are an overhead view of the substrate support rod in FIG. 3, FIG. 5 is a diagram showing the relative positional relationship between the substrate tray and the substrate transport mechanism, and FIG.
The figure shows the configuration of the substrate transfer arm to be used in Fig. 1, Fig. 7 is a top view of the dark substrate transfer arm in Fig. 6, and Fig. 8 is a top view of the dark substrate transfer arm used in Fig. 1. A diagram showing the configuration of the base rotating arm. 9 is a top view of the base rotating arm in FIG. 8, FIG. 10 is a side view of the base rotating arm in FIG. 9, and FIG. 11 is another embodiment of the base rotating arm to be used in FIG. 1. FIG. Explanation of symbols: 10 is the vacuum processing chamber, 30 is the substrate tray, 4
0 is a circular substrate, and 50 is a sputter electrode. Arms 100 each supply a sputtering power source.
Claims (1)
枚垂直に収容する基体トレーと、前記基体をその中心部
において挟みつけ保持しながら該基体を薄膜処理すべき
場所に移送し且つ該場所において薄膜処理を受けさせる
基体回転アームと、前記基体トレーに収容されている基
体全その外周部において挟みつけ保持しながら前記基体
回転アームに移送し文通に薄膜処理された基体を該基体
回転アームから該基体トレーに移送する基体移送アーム
と、前記基体トレーに収容された複数の基体を1枚づつ
薄膜処理のために前記基体移送アームに移送するのに連
動して該基体トレーを移送する基体トレー搬送機構とを
備えた。真空薄膜処理装置における基体搬送機構。], a substrate tray that vertically accommodates a plurality of plate-shaped substrates to be subjected to thin film treatment in a vacuum, and a substrate tray that sandwiches and holds the substrates at their centers and transports the substrates to a location where thin film treatment is to be performed; A substrate rotating arm is provided with a thin film treatment at the substrate rotating arm, and the entire substrate housed in the substrate tray is sandwiched and held at its outer periphery and transferred to the substrate rotating arm, and the substrate subjected to the thin film treatment is transferred from the substrate rotating arm to the correspondence. a substrate transfer arm that transfers the substrate to the substrate tray; and a substrate tray that transfers the substrate tray in conjunction with transferring a plurality of substrates housed in the substrate tray one by one to the substrate transfer arm for thin film processing. It is equipped with a transport mechanism. Substrate transport mechanism in vacuum thin film processing equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58155994A JPS6047256A (en) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | Substrate carrying mechanism in vacuum thin film processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58155994A JPS6047256A (en) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | Substrate carrying mechanism in vacuum thin film processing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047256A true JPS6047256A (en) | 1985-03-14 |
Family
ID=15618020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58155994A Pending JPS6047256A (en) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | Substrate carrying mechanism in vacuum thin film processing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047256A (en) |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58155994A patent/JPS6047256A/en active Pending
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