JPS6048030B2 - ホトマスクの形成方法 - Google Patents
ホトマスクの形成方法Info
- Publication number
- JPS6048030B2 JPS6048030B2 JP54103456A JP10345679A JPS6048030B2 JP S6048030 B2 JPS6048030 B2 JP S6048030B2 JP 54103456 A JP54103456 A JP 54103456A JP 10345679 A JP10345679 A JP 10345679A JP S6048030 B2 JPS6048030 B2 JP S6048030B2
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- JP
- Japan
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- film
- shutter
- deposited
- evaporation
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板の表面に金属又は金属化合物などの被膜を
形成する方法に関する。
形成する方法に関する。
半導体装置を製造するに際し、リソグラフィ技術によつ
て半導体材料に微細なパターンニングを行なうことは周
知の通りで、この様な技術に用いるパターンニング・マ
スクは欠陥がなく、極めて平滑な透明ガラス板上に所望
形状のパターンが形成されている。
て半導体材料に微細なパターンニングを行なうことは周
知の通りで、この様な技術に用いるパターンニング・マ
スクは欠陥がなく、極めて平滑な透明ガラス板上に所望
形状のパターンが形成されている。
この様なマスクは大別してエマルジョン、マスクと、ハ
ード・マスクとがあり、ハード・マスクは良質のパター
ンがえられるため、最近は種種の被膜材料が開発され多
用されている。
ード・マスクとがあり、ハード・マスクは良質のパター
ンがえられるため、最近は種種の被膜材料が開発され多
用されている。
ところで、被膜材料には単体の金属、多元系の合金、又
は金属酸化物や金属窒化物などの化合物があり、何れも
光或いは電子ビームに対する遮断性が必須であるが、こ
れらの被膜のマスク・パターンを形成する場合に微細な
パターンが高精度で形成され易いことが同様に重要な条
件となる。
は金属酸化物や金属窒化物などの化合物があり、何れも
光或いは電子ビームに対する遮断性が必須であるが、こ
れらの被膜のマスク・パターンを形成する場合に微細な
パターンが高精度で形成され易いことが同様に重要な条
件となる。
一方、半導体分野においてはＬＳＩや超ＬＳＩが研究開
発され、益々微細で更に高精度のパターンを必要とし、
例えば従前はパターン相互の間隔を４μｍ程度で形成さ
せていたが、上記の半導体装置ではスイッチング速度を
速くすると共に集積度を向上させるために２μｍ又はそ
れ以下で形成することが普通となつている。そうすると
従前は問題ではなかつたところのパターン周縁端部にで
きる０．５〜０．３μｍ程度のキサキサが半導体装置の
致命的欠陥となつてきた。それは半導体基板上のフォト
レジスト膜に露光してマスク・パターンを転写した際に
光のまわり込みなどによつてキサキサが拡大され、時に
はフォトレジスタ膜のヒゲとなつて残留し、半導体基板
上のパターン間をシヨトさせる不都合が起る。本発明は
この様な問題点を解消せしめることを・目的とし、金属
又は金属化合物からなる被膜を基板面上に堆積形成せし
めるに際し、間欠的に被着せしめるか、又は時間当りの
被着量の増減を複数回に互り反復して被着せしめるかの
何れかにより堆積させることを特徴とする被膜の形成方
法を提フ案するものである。
発され、益々微細で更に高精度のパターンを必要とし、
例えば従前はパターン相互の間隔を４μｍ程度で形成さ
せていたが、上記の半導体装置ではスイッチング速度を
速くすると共に集積度を向上させるために２μｍ又はそ
れ以下で形成することが普通となつている。そうすると
従前は問題ではなかつたところのパターン周縁端部にで
きる０．５〜０．３μｍ程度のキサキサが半導体装置の
致命的欠陥となつてきた。それは半導体基板上のフォト
レジスト膜に露光してマスク・パターンを転写した際に
光のまわり込みなどによつてキサキサが拡大され、時に
はフォトレジスタ膜のヒゲとなつて残留し、半導体基板
上のパターン間をシヨトさせる不都合が起る。本発明は
この様な問題点を解消せしめることを・目的とし、金属
又は金属化合物からなる被膜を基板面上に堆積形成せし
めるに際し、間欠的に被着せしめるか、又は時間当りの
被着量の増減を複数回に互り反復して被着せしめるかの
何れかにより堆積させることを特徴とする被膜の形成方
法を提フ案するものである。
即ち上記の被膜パターン周縁部に形成されるキサキサを
なくするために、被膜の形成方法を変えんとするもので
、以下真空蒸着法による一実施例により詳細に説明する
。
なくするために、被膜の形成方法を変えんとするもので
、以下真空蒸着法による一実施例により詳細に説明する
。
５ 第１図は真空蒸着装置の概略図で、高真空としたチ
ェンバー内に基板を保持して回転するホールダー３、蒸
発ソース４、シャッター５が設けてある。
ェンバー内に基板を保持して回転するホールダー３、蒸
発ソース４、シャッター５が設けてある。
この様な真空蒸着装置を用いて被膜を形成する場合、従
来は蒸発ソース４をシャッター５で遮蔽しておき、蒸発
ソース４中の被膜材料を加熱して一定量の蒸発が生じた
後に、一定時間の間シャッター５を開いて被膜材料が基
板２に被着する様にはかり、所要量を被着させた後にシ
ャッター５で再び蒸発ソース４を遮蔽して被着を終了す
る。
来は蒸発ソース４をシャッター５で遮蔽しておき、蒸発
ソース４中の被膜材料を加熱して一定量の蒸発が生じた
後に、一定時間の間シャッター５を開いて被膜材料が基
板２に被着する様にはかり、所要量を被着させた後にシ
ャッター５で再び蒸発ソース４を遮蔽して被着を終了す
る。
本発明はこのシャッター５を開いている一定時間の間に
繰り返してシャッターを開閉させる方法であり、例えは
下層に金属クロムを膜厚６００Ａで被着させ、上層に酸
化クロムを膜厚３００Ａで被着させる例で説明すると、
金属クロムの蒸発ソースを加熱して一定の６０Ａ／分の
蒸発被着量となつた後、２分間シャッター５を開けて１
２０Ａを被着させ、次いでシャッター５を数十秒間閉じ
る。再びシャッター５を開けて被着させ、この様にして
５回シャッター５を開くと合計で６００Ａの膜厚の金属
クロムが被着する。次に金属クロムの蒸発ソースの加熱
を止めて酸化クロムの蒸発ソースの加熱を行ない、一定
の３０，Ａ／分の蒸発被着量なつた後、２分間シャッタ
ー５を上記と同様に５回開閉すると合計で３００Ａの膜
厚の酸化クロムを被着する。
繰り返してシャッターを開閉させる方法であり、例えは
下層に金属クロムを膜厚６００Ａで被着させ、上層に酸
化クロムを膜厚３００Ａで被着させる例で説明すると、
金属クロムの蒸発ソースを加熱して一定の６０Ａ／分の
蒸発被着量となつた後、２分間シャッター５を開けて１
２０Ａを被着させ、次いでシャッター５を数十秒間閉じ
る。再びシャッター５を開けて被着させ、この様にして
５回シャッター５を開くと合計で６００Ａの膜厚の金属
クロムが被着する。次に金属クロムの蒸発ソースの加熱
を止めて酸化クロムの蒸発ソースの加熱を行ない、一定
の３０，Ａ／分の蒸発被着量なつた後、２分間シャッタ
ー５を上記と同様に５回開閉すると合計で３００Ａの膜
厚の酸化クロムを被着する。
そうすると第２図に示している様な１０層からなる９０
０Ａの膜厚の被着が形成される。これを硝酸錯塩などを
主としたウェット・エッチング溶液でエッチングしてマ
スク◆パターンを作成すると、周縁端面は０．１μｍ以
下のギザギザとなり、従来よりはるかにシャープな端面
を得る。
０Ａの膜厚の被着が形成される。これを硝酸錯塩などを
主としたウェット・エッチング溶液でエッチングしてマ
スク◆パターンを作成すると、周縁端面は０．１μｍ以
下のギザギザとなり、従来よりはるかにシャープな端面
を得る。
３こ
れを化学量論的に僅かに状態の異なる被膜が各層間に介
在するためと考えられる。この様なシャッターを開閉す
る代りに、蒸発ソースの加熱源の電流値を変化させても
よい。
れを化学量論的に僅かに状態の異なる被膜が各層間に介
在するためと考えられる。この様なシャッターを開閉す
る代りに、蒸発ソースの加熱源の電流値を変化させても
よい。
第３図はその状況を示した図表で、縦軸に蒸発被着量Ｓ
１横軸に時間Ｔをとり、蒸発ソース４を加熱して定常状
態となつた後、シャッター５を開き（図中０ＰＥＮで示
す）時間と共に蒸発ソースの加熱源の電流値を変化させ
ると蒸発被着量Ｓが殆んどＯ）状態よソー定量まで増減
させることができ、シャッター開閉と同様の効果があり
、シャープな周縁端面がえられる。又、上記説明した真
空蒸着法のみならず、スパッター法でも印加する電界を
変化させることにより同様の結果を得ることができる。
１横軸に時間Ｔをとり、蒸発ソース４を加熱して定常状
態となつた後、シャッター５を開き（図中０ＰＥＮで示
す）時間と共に蒸発ソースの加熱源の電流値を変化させ
ると蒸発被着量Ｓが殆んどＯ）状態よソー定量まで増減
させることができ、シャッター開閉と同様の効果があり
、シャープな周縁端面がえられる。又、上記説明した真
空蒸着法のみならず、スパッター法でも印加する電界を
変化させることにより同様の結果を得ることができる。
以上の説明から明らかな様に、本発明は被膜を間欠的に
被着させたり、被着量を増減させたりするのみで、多層
構造に被膜を形成し、ウェット・エッチングによりシャ
ープな端面を形成することができるもので、半導体装置
の品質向上と高集積化に効果が大きいものである。
被着させたり、被着量を増減させたりするのみで、多層
構造に被膜を形成し、ウェット・エッチングによりシャ
ープな端面を形成することができるもので、半導体装置
の品質向上と高集積化に効果が大きいものである。
尚、本発明は半導体装置ばかりでなく、他の分野に応用
可能なものである。
可能なものである。
第１図は真空蒸着装置の概略図、第２図は本発明により
形成した被膜の断面図の一実施例、第３図は本発明の被
着量の増減を示す図表である。
形成した被膜の断面図の一実施例、第３図は本発明の被
着量の増減を示す図表である。
Claims (1)
- １ 金属又は金属化合物もしくは酸化物からなる被膜を
透明ガラス基板面上に間欠的に被着せしめるが時間当り
の被着量の増減を複数回に亘り反復して被着せしめるこ
とにより堆積形成させた後ホトエッチングでマスクパタ
ーンを形成することを特徴とするホトマスクの形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54103456A JPS6048030B2 (ja) | 1979-08-14 | 1979-08-14 | ホトマスクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54103456A JPS6048030B2 (ja) | 1979-08-14 | 1979-08-14 | ホトマスクの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5629671A JPS5629671A (en) | 1981-03-25 |
| JPS6048030B2 true JPS6048030B2 (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=14354521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54103456A Expired JPS6048030B2 (ja) | 1979-08-14 | 1979-08-14 | ホトマスクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048030B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0765156B2 (ja) * | 1985-10-09 | 1995-07-12 | セイコーエプソン株式会社 | 時計用外装部品の製造方法 |
| US20040247906A1 (en) * | 2002-05-24 | 2004-12-09 | Optical Coating Laboratory, Inc., A Jds Uniphase Company | Coating for forming a high definition aperture |
-
1979
- 1979-08-14 JP JP54103456A patent/JPS6048030B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5629671A (en) | 1981-03-25 |
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