JPS6048517B2 - ジテルペン系ポリエポキシアルコ−ル誘導体およびその製造法 - Google Patents
ジテルペン系ポリエポキシアルコ−ル誘導体およびその製造法Info
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- JPS6048517B2 JPS6048517B2 JP11046378A JP11046378A JPS6048517B2 JP S6048517 B2 JPS6048517 B2 JP S6048517B2 JP 11046378 A JP11046378 A JP 11046378A JP 11046378 A JP11046378 A JP 11046378A JP S6048517 B2 JPS6048517 B2 JP S6048517B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なジテルペン系ポリエポキシコール誘導体
およびその製造法に関する。 本発明のジテルペン系ポリエポキシアルコ誘導体は下記
一般式〔１〕で表わされる。 〔式中Ｒは低級アルキル基を示す。 またＡＣ．位と８位の炭素原子間の二重結合を示すかま
たは７位と８位の炭素原子と共にエポキシ環を形成して
いることを示す〕上記一般式〔１〕で表わされる本発明
のジテルタペン系誘導体は、抗白血病活性及び抗腫瘍活
性を有して、之等病症の治療薬として有用なものである
。 本発明の上記ジテルペン系誘導体は、例えば下記一般式
〔２〕で表わされるジテルペン系ジエノｏン誘導体を出
発物質として合成することがてきる。 ｏ 〔式中Ｒは上記に同じ〕 上記一般式〔２〕で表わされるジテルペン系ジエノン誘
導体中Ｒがメチル基である化合物は、第２１回香料、テ
ルペンおよび精油化学に関する討論会（１９７７年）に
おいて本発明者の発表により公知５であり、例えは松相
類樹脂に含まれる下式〔３〕で表わされるレボピマール
酸を出発原料として下５記反応経路を経て導き得る。 Ｌ１υ」 上記におけるレボビマール酸〔３〕からビスエボキシド
〔４〕を経て、クロロヒドリン〔５〕を得る反応はヘル
ツら〔Ｗ．Ｈｅｒｚｅｔａｌ〕によるＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈ
ｅｍ．，３５，３３３８（１９７０）に記載された方．
法に従えばよい。 クロロヒドリン〔５〕からのクロルケトン〔６〕の合成
はジヨーンズ酸化によれはよく、かくして得られるクロ
ルケトン〔６〕は、次いでジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）中ＬｉＣｌ及びＬｌ。ＣＯ。と１００℃で２時間反
応させることにより供役工ノン異性体〔７〕及び〔８〕
に導き得る。この共役工ノン〔７〕はまたビスエポキシ
ド〔４〕をエーテル中−２０℃で触媒量の乾燥ＨＣＩで
処理して得られるアリルアルコール
およびその製造法に関する。 本発明のジテルペン系ポリエポキシアルコ誘導体は下記
一般式〔１〕で表わされる。 〔式中Ｒは低級アルキル基を示す。 またＡＣ．位と８位の炭素原子間の二重結合を示すかま
たは７位と８位の炭素原子と共にエポキシ環を形成して
いることを示す〕上記一般式〔１〕で表わされる本発明
のジテルタペン系誘導体は、抗白血病活性及び抗腫瘍活
性を有して、之等病症の治療薬として有用なものである
。 本発明の上記ジテルペン系誘導体は、例えば下記一般式
〔２〕で表わされるジテルペン系ジエノｏン誘導体を出
発物質として合成することがてきる。 ｏ 〔式中Ｒは上記に同じ〕 上記一般式〔２〕で表わされるジテルペン系ジエノン誘
導体中Ｒがメチル基である化合物は、第２１回香料、テ
ルペンおよび精油化学に関する討論会（１９７７年）に
おいて本発明者の発表により公知５であり、例えは松相
類樹脂に含まれる下式〔３〕で表わされるレボピマール
酸を出発原料として下５記反応経路を経て導き得る。 Ｌ１υ」 上記におけるレボビマール酸〔３〕からビスエボキシド
〔４〕を経て、クロロヒドリン〔５〕を得る反応はヘル
ツら〔Ｗ．Ｈｅｒｚｅｔａｌ〕によるＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈ
ｅｍ．，３５，３３３８（１９７０）に記載された方．
法に従えばよい。 クロロヒドリン〔５〕からのクロルケトン〔６〕の合成
はジヨーンズ酸化によれはよく、かくして得られるクロ
ルケトン〔６〕は、次いでジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）中ＬｉＣｌ及びＬｌ。ＣＯ。と１００℃で２時間反
応させることにより供役工ノン異性体〔７〕及び〔８〕
に導き得る。この共役工ノン〔７〕はまたビスエポキシ
ド〔４〕をエーテル中−２０℃で触媒量の乾燥ＨＣＩで
処理して得られるアリルアルコール
〔９〕のジヨーンズ
酸化によつても有利に合成できる。得られる共役工ノン
〔７〕は次いで四塩化炭素還流下に２当量のＮＢＳで臭
素化することにより７，１１ージブロマイド〔１０〕に
変換でき、目的とするＲがメチル基であるジテルペン系
ジエノン誘導体〔２〕は、上記７，１１ージブロマイド
〔１０〕をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中還流下に亜
鉛末と激しくかきまぜることにより収得できる。Ｒがメ
チル基以外のジテルペン系ジエノン誘導体〔２〕は、上
記方法に準じて合成できる。かくして得られるジテルペ
ン系ジエノン誘導体〔２〕を出発物質とする本発明化合
物の製造は、例えば下記反応経路に従い行ない得る。 〔式中Ｒは上記の同じ〕 上記においてはまずジテルペン系ジエノン体〔２〕を酸
化剤と反応させてその９，１１イ☆素間二重結合をエポ
キシ化したジエポキシエ誘導体〔１１）を得る。 この反応は上記原料化〔２〕の７，８位の炭素間二重結
合が隣接すトン基と共役し安定であるため、例えば０〜
好ましくは室温付近の温度条件下に容易に行得る。用い
られる酸化剤は特に制限はないがば過酢酸、過安息香酸
、メタクロル過安息？過酪酸などの有機過酸が好ましい
。上記酸化．使用量も亦制限はないが通常原料化合物〔
２〕に対し等モル乃至や、過剰量とするのがよい。また
上記反応においては副生する有機酸とエポキシ基との反
応を防ぐために、例えば燐酸ニナトリウ５ム、燐酸二カ
リウムなどの弱アルカリ物質を存在させることができる
。かくして得られるジエポキシエノン誘導体〔１１］の
新たに導入された９，１１位のエポキシ環の立体配置が
β型であることは、次の通り該誘導フ体〔１１）から誘
導される各種化合物の理化学的性質を測定することによ
り確認される。 １ 誘導体〔１１）をエタノール中パラジウムー炭素の
存在下に水添するとアルコール体〔１４〕〔ＰＭＲ（プ
ロトン磁気共鳴スペクトル分析、以下同じ）：δ＝４．
８９ｐｐｍ（Ｂｒ，ｄ，Ｊ＝８三Ｈｚ）〕及びエチルエ
ーテル体〔１５〕が得られる。 上記アルコール体〔１４〕をアセチル化するとアセテー
ト体〔１６〕〔ＩＲ：１７４０ｃ７７ｚ−１、１６４０
ｃＴｎ−゛、１６２０Ｃ７７１−”、ＰＭＲ：δ＝３．
５３ｐｐｍ（ＩＨ，ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ）、＝６．２６ｐｐ
ｍ（ＩＨ，ｂｒｓ）〕が得・られる。アルコール体〔１
４〕を塩化メチレン中０℃でトリエチルアミンの存在下
メタンスルホン酸クロライドと反応させて得られるメタ
ンスルホン酸エステル体〔１７〕をアセトン中環流温度
でテトラエチルアンモニウムアセテートと反応させると
アセテート体〔１８〕〔ＩＲ：１７３０ｃ！ｎ−１、１
６７５ｃｍ−１、１６２０）Ｃ７Ｆｔ−１、ＰＭＲ：δ
＝３．７４ｐｐｍ（ＩＨ，ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ）、＝５．７
６ｐｐｍ（ＩＨ，ｍ）〕が得られる。該アセテート体〔
１８〕をエタノール中室温で炭素ナトリウムの存在下に
加水分解するとアルコール体〔１９〕〔ＰＭＲ：δ＝３
．７６ｐｐｍ（ＩＨ，ｄ，Ｊ＝５Ｈｚ）、４．５６ｐｐ
ｍ（ＩＨ，ｄｄ，Ｊ＝５，１０Ｈｚ）〕が得られる。上
記においてアルコール体〔１４〕の■位のメチル基のプ
ロトンのケミカルシフト（ＰＭＲ：δ＝１．３０ｐｐｍ
）はアルコール体〔１９〕のそれ（ＰＭＲ：δ＝１．１
６ｐｐｍ）より大きい。２ ヨーロピウムトリスジピバ
ロイルメタン（Ｅｕ（Ｄｐｍ）。）を添加して得られる
ＰＭＲにおいてアルコール体〔１４〕の■位メチル基の
プロトンのケミカルシフトはアルコール体〔１９〕のそ
れより大きい。本発明方法においては次いで上記で得ら
れたジエポキシエノン誘導体〔１１）を還元して１４位
のケトン基をヒドロキシル基に変換させる。 これにより目的とするジエポキシアルコール誘導体の異
性体〔１２〕及び〔１２’〕を等量混合物として得る。
ｊ上記環元反応は、例えばメタノール、エタノール等の
低級アルコールを反応溶媒とし、２０゜Ｃ以下の温度で
硼素系還元剤をジエポキシエノン誘導体〔１１）に作用
させることにより進行する。上記において用いられる還
元剤としては具体的には水素化硼素リチウム水素化硼素
ナトリウム、水素化硼素カリウムなどを例示できる。こ
れらの使用量は限定的ではないが通常当量よりや）過剰
量とするのが好ましい。上記反応により得られるジエポ
キシアルコール誘導体〔１２〕の１４位のヒドロキシル
ー基がβであることは、水素結合によつて立体的に固定
された１４位のプロトンとヒドロキシル基のプロトンと
の独特なりツプリング〔ＰＭＲ：δ２．９２ｐｐｍ（Ｉ
Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ）〕により確認される。２ 本発明の他の目的化合物であるジテルペン系トリエポキ
シアルコール誘導体の二種の異性体〔１３〕及び〔１３
’〕は、上記で得られるジエポキシアルコール誘導体〔
１２〕を酸化することにより収得できる。 この酸化反応は前記した化合物〔２〕３から化合物〔１
１）を得る反応と同様に有機過酸を用いても行なうこと
ができ、また例えばビアセチル、ベンジルなどのジケト
ンを光増感剤として用い、ベンゼン、ヘキサン、クロロ
ベンゼンなどの反応溶媒中で、日光や紫外線を照射しな
がらジエ３．ポキシアルコール誘導体〔１２〕に酸素ガ
スまたは空気を接触させることによつても容易に行ない
得る。以下に本発明化合物の製造例を実施例として挙げ
る。 ４ｔ 実施例１ 一般式〔２〕で表わされるジテルペン系ジエノン誘導体
〔２〕（Ｒ＝ＣＨ３）の４５７７１９を無水塩化メチレ
ン４．５７ｎιに溶解し、室温で７０％純度のメタクロ
ル過安息香酸３３ｍｇを加え２橢間かきませる。 反応後エーテルを加え、１０％亜硫酸ナトリウム水溶液
、１０％炭酸ナトリウム水溶液、食塩水の順で洗浄し、
有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留
去する。かくして油状物５８ｍ９を得る。これをシリカ
ゲ゛ルカラムクロマトグラフイーにより精製（ベンゼン
ニ酢酸エチルニ２０：１）して、一般式〔１１）で表わ
されるジエポキシエノン誘導体（Ｒ＝Ｃｌｌ．）の３５
ｍｇを得る。Ｊ収率７４％ＩＲ分析結果：νキ１７４＝
１７１０ｃｍ−１、１６４０ｃｍ−１ＮＭＲ（ＣＤＣＩ
。 ）分析結果：δ＝３．８２ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ＝４．０８ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ＝６．７６ｐｐｍ（ｍ） 高マススペクトル分析結果： Ｃ２ｌＨ２８Ｏ５，ｍ／１＝３６０．１９８０（Ｍ゛）
次いで上記で得たジエポキシエノン誘導体〔１１）（Ｒ
＝ＣＨ３）の３２ｍｇをメタノール３ｍιに溶解し、
ｏ℃で水素化硼素ナトリウム４５ｍｇを加え３紛間かき
まぜる。 ５０％酢酸水溶液を加えて過剰の還元剤の活性を停止さ
せ、エーテル抽出する。 続いてエーテル層を飽和重炭酸ナトリウム水溶液、食塩
水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を
減圧留去して結晶３０ｍ９を得る。これをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製（ベンゼンニ酢酸エ
チルニ１０：１）して、一般式〔１２〕（Ｒ＝ＣＨａ）
で表わされるジエポキシアルコール誘導体の結晶１３ｍ
９（収率４０％）及び一般式〔１２’〕（Ｒ＝ＣＨ３）
で表わされるジエポキシアルコール誘導体の油状物１１
ｍ９（収率３４％）を得る。ジエポキシアルコール誘導
体〔１２〕融点：１６２〜１６５℃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）分析結果： δ＝２．９２ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ）３．５１ｐｐ
ｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ３．９５ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ４．３０ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ） ６．００ｐｐｍ（ｍ） 元素分析結果： 計算値（％）Ｃ６９．５８８Ｈ８．３４２実測値（％）
Ｃ６９．６８８Ｈ８．４７２ジエポキシアルコール誘導
体〔１２’〕 ＮＭＲ（ＣＤＣＩ。 ）分析結果：δ＝３．４５ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ＝３．７３ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ＝４．６７ｐｐｍ（Ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）＝６．Ｉ１
ｐｐｍ（ｍ）実施例２ 上記実施例１で得たジエポキシアルコール誘導体〔１２
〕（Ｒ＝ＣＨ３）の１６６ｍ９を無水塩化メチレン２０
ｍ１に溶解し、メタクロル過安息香酸３５０ｍ９及びリ
ン酸ニナトリウム５００ｍｇを加え、室温で２週間かき
まぜる。 反応後水を加えて固形物を溶解し、エーテル抽出を行な
う。エーテル層を１０％亜硫酸水素ナトリウム、１０％
炭酸ナトリウム、食塩水の順で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して組結晶２２４ｍ９
を得る。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
２回精製（ベンゼンニ酢酸エチルニ２０：１）して一般
式〔１３〕で表わされるジテルペン系トリエポキシアル
コール誘導体（Ｒ＝ＣＨ。）の結晶３８ｍｇ（収率３８
％）及び一般式〔１３’〕で表わされるジテルペン系ト
リエポキシアルコール誘導体（Ｒ＝ＣＨ。）の結晶７ｍ
ｇ（収率３％）を得る。また原料としたジエボキシアル
コール誘導体〔１２〕の４ｍｇ（２％）が回収される。
ジテルペン系トリエポキシアルコール誘導体〔１３〕融
点：１８５．５〜１８７．５゜Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）分析結果： δ＝２．９５ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ）＝３．３２ｐ
ｍ（ｍ） ＝３．５６ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ＝３．７２ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ） ＝３．８９ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ジテルペン系トリエポキシアルコール誘導体〔１３’〕
融点：１７９．５〜１８１．５゜ＣＮＭＲ（ＣＤＣｅ３
）分析結果 δ＝２．７７ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１１Ｈｚ）＝３．２３ｐ
ｐｍ（Ｄ，Ｊ＝５Ｈｚ） ＝３．３６ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１１Ｈｚ） ＝３．５０ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ） ＝４．０４ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ） 実施例３ ジエポキシアルコール誘導体〔１２〕（Ｒ＝ＣＨ３）の
５０ｍｇ及びビアセチル１ｍＬを無水ベンゼン８０ｍι
に溶解し、石英容器中２０℃で酸素を通じながら高圧水
銀灯（１００Ｖ）４００Ｗ）で４時間内部照射する。
酸化によつても有利に合成できる。得られる共役工ノン
〔７〕は次いで四塩化炭素還流下に２当量のＮＢＳで臭
素化することにより７，１１ージブロマイド〔１０〕に
変換でき、目的とするＲがメチル基であるジテルペン系
ジエノン誘導体〔２〕は、上記７，１１ージブロマイド
〔１０〕をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中還流下に亜
鉛末と激しくかきまぜることにより収得できる。Ｒがメ
チル基以外のジテルペン系ジエノン誘導体〔２〕は、上
記方法に準じて合成できる。かくして得られるジテルペ
ン系ジエノン誘導体〔２〕を出発物質とする本発明化合
物の製造は、例えば下記反応経路に従い行ない得る。 〔式中Ｒは上記の同じ〕 上記においてはまずジテルペン系ジエノン体〔２〕を酸
化剤と反応させてその９，１１イ☆素間二重結合をエポ
キシ化したジエポキシエ誘導体〔１１）を得る。 この反応は上記原料化〔２〕の７，８位の炭素間二重結
合が隣接すトン基と共役し安定であるため、例えば０〜
好ましくは室温付近の温度条件下に容易に行得る。用い
られる酸化剤は特に制限はないがば過酢酸、過安息香酸
、メタクロル過安息？過酪酸などの有機過酸が好ましい
。上記酸化．使用量も亦制限はないが通常原料化合物〔
２〕に対し等モル乃至や、過剰量とするのがよい。また
上記反応においては副生する有機酸とエポキシ基との反
応を防ぐために、例えば燐酸ニナトリウ５ム、燐酸二カ
リウムなどの弱アルカリ物質を存在させることができる
。かくして得られるジエポキシエノン誘導体〔１１］の
新たに導入された９，１１位のエポキシ環の立体配置が
β型であることは、次の通り該誘導フ体〔１１）から誘
導される各種化合物の理化学的性質を測定することによ
り確認される。 １ 誘導体〔１１）をエタノール中パラジウムー炭素の
存在下に水添するとアルコール体〔１４〕〔ＰＭＲ（プ
ロトン磁気共鳴スペクトル分析、以下同じ）：δ＝４．
８９ｐｐｍ（Ｂｒ，ｄ，Ｊ＝８三Ｈｚ）〕及びエチルエ
ーテル体〔１５〕が得られる。 上記アルコール体〔１４〕をアセチル化するとアセテー
ト体〔１６〕〔ＩＲ：１７４０ｃ７７ｚ−１、１６４０
ｃＴｎ−゛、１６２０Ｃ７７１−”、ＰＭＲ：δ＝３．
５３ｐｐｍ（ＩＨ，ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ）、＝６．２６ｐｐ
ｍ（ＩＨ，ｂｒｓ）〕が得・られる。アルコール体〔１
４〕を塩化メチレン中０℃でトリエチルアミンの存在下
メタンスルホン酸クロライドと反応させて得られるメタ
ンスルホン酸エステル体〔１７〕をアセトン中環流温度
でテトラエチルアンモニウムアセテートと反応させると
アセテート体〔１８〕〔ＩＲ：１７３０ｃ！ｎ−１、１
６７５ｃｍ−１、１６２０）Ｃ７Ｆｔ−１、ＰＭＲ：δ
＝３．７４ｐｐｍ（ＩＨ，ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ）、＝５．７
６ｐｐｍ（ＩＨ，ｍ）〕が得られる。該アセテート体〔
１８〕をエタノール中室温で炭素ナトリウムの存在下に
加水分解するとアルコール体〔１９〕〔ＰＭＲ：δ＝３
．７６ｐｐｍ（ＩＨ，ｄ，Ｊ＝５Ｈｚ）、４．５６ｐｐ
ｍ（ＩＨ，ｄｄ，Ｊ＝５，１０Ｈｚ）〕が得られる。上
記においてアルコール体〔１４〕の■位のメチル基のプ
ロトンのケミカルシフト（ＰＭＲ：δ＝１．３０ｐｐｍ
）はアルコール体〔１９〕のそれ（ＰＭＲ：δ＝１．１
６ｐｐｍ）より大きい。２ ヨーロピウムトリスジピバ
ロイルメタン（Ｅｕ（Ｄｐｍ）。）を添加して得られる
ＰＭＲにおいてアルコール体〔１４〕の■位メチル基の
プロトンのケミカルシフトはアルコール体〔１９〕のそ
れより大きい。本発明方法においては次いで上記で得ら
れたジエポキシエノン誘導体〔１１）を還元して１４位
のケトン基をヒドロキシル基に変換させる。 これにより目的とするジエポキシアルコール誘導体の異
性体〔１２〕及び〔１２’〕を等量混合物として得る。
ｊ上記環元反応は、例えばメタノール、エタノール等の
低級アルコールを反応溶媒とし、２０゜Ｃ以下の温度で
硼素系還元剤をジエポキシエノン誘導体〔１１）に作用
させることにより進行する。上記において用いられる還
元剤としては具体的には水素化硼素リチウム水素化硼素
ナトリウム、水素化硼素カリウムなどを例示できる。こ
れらの使用量は限定的ではないが通常当量よりや）過剰
量とするのが好ましい。上記反応により得られるジエポ
キシアルコール誘導体〔１２〕の１４位のヒドロキシル
ー基がβであることは、水素結合によつて立体的に固定
された１４位のプロトンとヒドロキシル基のプロトンと
の独特なりツプリング〔ＰＭＲ：δ２．９２ｐｐｍ（Ｉ
Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ）〕により確認される。２ 本発明の他の目的化合物であるジテルペン系トリエポキ
シアルコール誘導体の二種の異性体〔１３〕及び〔１３
’〕は、上記で得られるジエポキシアルコール誘導体〔
１２〕を酸化することにより収得できる。 この酸化反応は前記した化合物〔２〕３から化合物〔１
１）を得る反応と同様に有機過酸を用いても行なうこと
ができ、また例えばビアセチル、ベンジルなどのジケト
ンを光増感剤として用い、ベンゼン、ヘキサン、クロロ
ベンゼンなどの反応溶媒中で、日光や紫外線を照射しな
がらジエ３．ポキシアルコール誘導体〔１２〕に酸素ガ
スまたは空気を接触させることによつても容易に行ない
得る。以下に本発明化合物の製造例を実施例として挙げ
る。 ４ｔ 実施例１ 一般式〔２〕で表わされるジテルペン系ジエノン誘導体
〔２〕（Ｒ＝ＣＨ３）の４５７７１９を無水塩化メチレ
ン４．５７ｎιに溶解し、室温で７０％純度のメタクロ
ル過安息香酸３３ｍｇを加え２橢間かきませる。 反応後エーテルを加え、１０％亜硫酸ナトリウム水溶液
、１０％炭酸ナトリウム水溶液、食塩水の順で洗浄し、
有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留
去する。かくして油状物５８ｍ９を得る。これをシリカ
ゲ゛ルカラムクロマトグラフイーにより精製（ベンゼン
ニ酢酸エチルニ２０：１）して、一般式〔１１）で表わ
されるジエポキシエノン誘導体（Ｒ＝Ｃｌｌ．）の３５
ｍｇを得る。Ｊ収率７４％ＩＲ分析結果：νキ１７４＝
１７１０ｃｍ−１、１６４０ｃｍ−１ＮＭＲ（ＣＤＣＩ
。 ）分析結果：δ＝３．８２ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ＝４．０８ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ＝６．７６ｐｐｍ（ｍ） 高マススペクトル分析結果： Ｃ２ｌＨ２８Ｏ５，ｍ／１＝３６０．１９８０（Ｍ゛）
次いで上記で得たジエポキシエノン誘導体〔１１）（Ｒ
＝ＣＨ３）の３２ｍｇをメタノール３ｍιに溶解し、
ｏ℃で水素化硼素ナトリウム４５ｍｇを加え３紛間かき
まぜる。 ５０％酢酸水溶液を加えて過剰の還元剤の活性を停止さ
せ、エーテル抽出する。 続いてエーテル層を飽和重炭酸ナトリウム水溶液、食塩
水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を
減圧留去して結晶３０ｍ９を得る。これをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製（ベンゼンニ酢酸エ
チルニ１０：１）して、一般式〔１２〕（Ｒ＝ＣＨａ）
で表わされるジエポキシアルコール誘導体の結晶１３ｍ
９（収率４０％）及び一般式〔１２’〕（Ｒ＝ＣＨ３）
で表わされるジエポキシアルコール誘導体の油状物１１
ｍ９（収率３４％）を得る。ジエポキシアルコール誘導
体〔１２〕融点：１６２〜１６５℃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）分析結果： δ＝２．９２ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ）３．５１ｐｐ
ｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ３．９５ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ４．３０ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ） ６．００ｐｐｍ（ｍ） 元素分析結果： 計算値（％）Ｃ６９．５８８Ｈ８．３４２実測値（％）
Ｃ６９．６８８Ｈ８．４７２ジエポキシアルコール誘導
体〔１２’〕 ＮＭＲ（ＣＤＣＩ。 ）分析結果：δ＝３．４５ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ＝３．７３ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ＝４．６７ｐｐｍ（Ｄｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）＝６．Ｉ１
ｐｐｍ（ｍ）実施例２ 上記実施例１で得たジエポキシアルコール誘導体〔１２
〕（Ｒ＝ＣＨ３）の１６６ｍ９を無水塩化メチレン２０
ｍ１に溶解し、メタクロル過安息香酸３５０ｍ９及びリ
ン酸ニナトリウム５００ｍｇを加え、室温で２週間かき
まぜる。 反応後水を加えて固形物を溶解し、エーテル抽出を行な
う。エーテル層を１０％亜硫酸水素ナトリウム、１０％
炭酸ナトリウム、食塩水の順で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して組結晶２２４ｍ９
を得る。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
２回精製（ベンゼンニ酢酸エチルニ２０：１）して一般
式〔１３〕で表わされるジテルペン系トリエポキシアル
コール誘導体（Ｒ＝ＣＨ。）の結晶３８ｍｇ（収率３８
％）及び一般式〔１３’〕で表わされるジテルペン系ト
リエポキシアルコール誘導体（Ｒ＝ＣＨ。）の結晶７ｍ
ｇ（収率３％）を得る。また原料としたジエボキシアル
コール誘導体〔１２〕の４ｍｇ（２％）が回収される。
ジテルペン系トリエポキシアルコール誘導体〔１３〕融
点：１８５．５〜１８７．５゜Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）分析結果： δ＝２．９５ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ）＝３．３２ｐ
ｍ（ｍ） ＝３．５６ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ＝３．７２ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ） ＝３．８９ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝３Ｈｚ） ジテルペン系トリエポキシアルコール誘導体〔１３’〕
融点：１７９．５〜１８１．５゜ＣＮＭＲ（ＣＤＣｅ３
）分析結果 δ＝２．７７ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１１Ｈｚ）＝３．２３ｐ
ｐｍ（Ｄ，Ｊ＝５Ｈｚ） ＝３．３６ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝１１Ｈｚ） ＝３．５０ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ） ＝４．０４ｐｐｍ（Ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ） 実施例３ ジエポキシアルコール誘導体〔１２〕（Ｒ＝ＣＨ３）の
５０ｍｇ及びビアセチル１ｍＬを無水ベンゼン８０ｍι
に溶解し、石英容器中２０℃で酸素を通じながら高圧水
銀灯（１００Ｖ）４００Ｗ）で４時間内部照射する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒは低級アルキル基を示す。 またＡは７位と８位の炭素原子間のエチレン性二重結合
を示すかまたは７位と８位の炭素原子と共にエポキシ環
を形成していることを示す。〕で表わされるジテルペン
系ポリエポキシアルコール誘導体。 ２ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒは低級アルキル基を示す〕 で表わされるジテルペン系ジエノン誘導体を酸化剤と反
応させて９，１１−β−エポキシ体となし、ついでこれ
に還元剤を作用させることを特徴とする一般式▲数式、
化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒは上記に同じ〕 で表わされるジテルペン系ジエポキシアルコール誘導体
の製造法。 ３ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒは低級アルキル基を示す〕 で表わされるジテルペン系ジエポキシアルコール誘導体
を酸化することを特徴とする一般式▲数式、化学式、表
等があります▼ 或は ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔各式中Ｒは上記に同じ〕 で表わされるジテルペン系トリエポキシアルコール誘導
体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046378A JPS6048517B2 (ja) | 1978-09-07 | 1978-09-07 | ジテルペン系ポリエポキシアルコ−ル誘導体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046378A JPS6048517B2 (ja) | 1978-09-07 | 1978-09-07 | ジテルペン系ポリエポキシアルコ−ル誘導体およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5536448A JPS5536448A (en) | 1980-03-14 |
| JPS6048517B2 true JPS6048517B2 (ja) | 1985-10-28 |
Family
ID=14536339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11046378A Expired JPS6048517B2 (ja) | 1978-09-07 | 1978-09-07 | ジテルペン系ポリエポキシアルコ−ル誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048517B2 (ja) |
-
1978
- 1978-09-07 JP JP11046378A patent/JPS6048517B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5536448A (en) | 1980-03-14 |
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