JPS6048901B2 - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6048901B2 JPS6048901B2 JP53093587A JP9358778A JPS6048901B2 JP S6048901 B2 JPS6048901 B2 JP S6048901B2 JP 53093587 A JP53093587 A JP 53093587A JP 9358778 A JP9358778 A JP 9358778A JP S6048901 B2 JPS6048901 B2 JP S6048901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- reticle
- target
- photomask
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はフォトマスクの製造技術に関する。
半導体装置の製造において、フォトマスクを使用する写
真食刻技術は欠かすことができない。フォトマスク製造
の方法は設計部所より図面を受け、アートワール又はパ
ターンジェネレータで最終寸法の１晧の寸法をもつレチ
クルを作成し、リピータにより１紛の１に縮小したパタ
ーンを複数配列したマスタマスクを形成し、このマスタ
マスクを介し又はマスタマスクを介することなく直接の
露光によりワークマスク（フォトマスク）を作成する方
法が一般的である。このワークマスクを介して半導体ウ
ェハの表面に複数のチップに対応する所要のパターンを
焼付け、最終ウェハ処理後、各チップをスクライブによ
り切離すようにしている。レチクルよりマスタマスクを
作成する際に、各チップの素子のパターンに対応する本
パターンとともにパターン位置決め用の２つ１組のター
ゲットパターンを焼込む必要がある。
真食刻技術は欠かすことができない。フォトマスク製造
の方法は設計部所より図面を受け、アートワール又はパ
ターンジェネレータで最終寸法の１晧の寸法をもつレチ
クルを作成し、リピータにより１紛の１に縮小したパタ
ーンを複数配列したマスタマスクを形成し、このマスタ
マスクを介し又はマスタマスクを介することなく直接の
露光によりワークマスク（フォトマスク）を作成する方
法が一般的である。このワークマスクを介して半導体ウ
ェハの表面に複数のチップに対応する所要のパターンを
焼付け、最終ウェハ処理後、各チップをスクライブによ
り切離すようにしている。レチクルよりマスタマスクを
作成する際に、各チップの素子のパターンに対応する本
パターンとともにパターン位置決め用の２つ１組のター
ゲットパターンを焼込む必要がある。
従来から使用されるターゲットパターンは、例えば第１
図に示すような一つの同じターゲットパターンを有する
レ門チクル１を使用し第２図に示すようにフォトマスク
となる基板２上に左右の１区画（１又は数チップ分）に
同一のターゲットパターン３ａ、３ｂを得ていた。しか
し、この方法ではターゲットパターン自体では右と左の
区別が付かないため後の工フ程でターゲットを読み違え
てミスアライメントするおそれがあつた。これに対して
、第３図ａ、ｂに示すように異なる２つのターゲットパ
ターン４ａ、４ｂをそれぞれ有する２つのレチクル５ａ
、５ｂを使用して、５右と左にそれぞれ焼込んでフォト
マスクを得る方法が提案されている。
図に示すような一つの同じターゲットパターンを有する
レ門チクル１を使用し第２図に示すようにフォトマスク
となる基板２上に左右の１区画（１又は数チップ分）に
同一のターゲットパターン３ａ、３ｂを得ていた。しか
し、この方法ではターゲットパターン自体では右と左の
区別が付かないため後の工フ程でターゲットを読み違え
てミスアライメントするおそれがあつた。これに対して
、第３図ａ、ｂに示すように異なる２つのターゲットパ
ターン４ａ、４ｂをそれぞれ有する２つのレチクル５ａ
、５ｂを使用して、５右と左にそれぞれ焼込んでフォト
マスクを得る方法が提案されている。
この方法によれば、右と左の区別が明らかであるからタ
ーゲットの読み違え等はなくなるが、（１）ターゲット
のために２種類のレチクル５ａ，５ｂを作成しなければ
ならない、（２）レピータにレチクルをセットするとき
レチクルフレームのずれによつてターゲットパターンの
位置ずれによる精度低下のおそれがある等の欠点がある
。本発明は上記した従来技術による欠点を解消するべく
なされたものであり、その目的は一つのレチクルで精度
の高い左右のターゲットパターンがｊ得られ、りヒータ
作業も能率化し、フォトマスク製作費用も節減できるフ
ォトマスク製造技術を提供することにある。
ーゲットの読み違え等はなくなるが、（１）ターゲット
のために２種類のレチクル５ａ，５ｂを作成しなければ
ならない、（２）レピータにレチクルをセットするとき
レチクルフレームのずれによつてターゲットパターンの
位置ずれによる精度低下のおそれがある等の欠点がある
。本発明は上記した従来技術による欠点を解消するべく
なされたものであり、その目的は一つのレチクルで精度
の高い左右のターゲットパターンがｊ得られ、りヒータ
作業も能率化し、フォトマスク製作費用も節減できるフ
ォトマスク製造技術を提供することにある。
上記目的を達成するためこの発明においては、一つのレ
チクル区画内に異なる２つのターゲットパターンを有す
るレチクルを使用して相離れた２つの位置で隣合う２区
画にわたつて上記２つのターゲットパターンを焼込み、
本パターンをそれぞれの位置での１方及び他方の区画の
パターンに焼重ねることを要旨とするものである。
チクル区画内に異なる２つのターゲットパターンを有す
るレチクルを使用して相離れた２つの位置で隣合う２区
画にわたつて上記２つのターゲットパターンを焼込み、
本パターンをそれぞれの位置での１方及び他方の区画の
パターンに焼重ねることを要旨とするものである。
以下実施例にそつて本発明を具体的に説明する。
まず、第４図に示すように１つのレチクル区画内に異な
る２つのターゲットパターン（ポジパターン）４ａ，４
ｂを有するレチクル６を用意す；る。
る２つのターゲットパターン（ポジパターン）４ａ，４
ｂを有するレチクル６を用意す；る。
このレチクル６を図示しないりヒータにセットし、マス
タマスクとなる基板７上の例えばポジレジスト被膜に対
して縮小焼付けを行なうに際、相離れた２つの位置Ａ，
Ｂにおいて、それぞれ隣合う２区画にわたつて上記レチ
クル６の２つのタニーゲツトパターン４ａ，４ｂをそれ
ぞれ焼込む。同図に一点鎖線で囲む部分はレチクル６に
それぞれ対応する。次に本パターンを有するレチクルを
りヒータにセットし、マスタマスクとなる基板のチップ
に対応する各区画ごとに本パターン８ａ，３８ｂ・・・
を焼込む。この本パターンの焼付は前記ターゲットパタ
ーンの焼付まれない全ての区画に対して及び、上記２つ
の位置Ａ，Ｂにおける隣合う２区画のうち、Ａでは左側
のターゲットパターン４ａ，４ｂでは右側のターゲット
パターン４ｂのそれぞれ焼込まれた区画に重ね合せるよ
うに行なう。これによつて、Ａ位置におけるターゲット
パターン４ｂ（！：．Ｂ位置におけるターゲットパター
ン４ａのみが残り、他のターゲットパターンは消失Ｊ状
態となる。この後、レジスト被膜を現像、ベーク処理し
、マスターマスクを得る。以上実施例で述べた本発明に
よれば、（１）１つのレチクルを使用して左右のターゲ
ットパターンを焼付けるので、その間にりヒータにおい
てレチクルの移動がなく、パターンの位置精度を向上さ
せる、（２）上記（１）と同じ理由でりヒータによる作
動能率が良くなる。
タマスクとなる基板７上の例えばポジレジスト被膜に対
して縮小焼付けを行なうに際、相離れた２つの位置Ａ，
Ｂにおいて、それぞれ隣合う２区画にわたつて上記レチ
クル６の２つのタニーゲツトパターン４ａ，４ｂをそれ
ぞれ焼込む。同図に一点鎖線で囲む部分はレチクル６に
それぞれ対応する。次に本パターンを有するレチクルを
りヒータにセットし、マスタマスクとなる基板のチップ
に対応する各区画ごとに本パターン８ａ，３８ｂ・・・
を焼込む。この本パターンの焼付は前記ターゲットパタ
ーンの焼付まれない全ての区画に対して及び、上記２つ
の位置Ａ，Ｂにおける隣合う２区画のうち、Ａでは左側
のターゲットパターン４ａ，４ｂでは右側のターゲット
パターン４ｂのそれぞれ焼込まれた区画に重ね合せるよ
うに行なう。これによつて、Ａ位置におけるターゲット
パターン４ｂ（！：．Ｂ位置におけるターゲットパター
ン４ａのみが残り、他のターゲットパターンは消失Ｊ状
態となる。この後、レジスト被膜を現像、ベーク処理し
、マスターマスクを得る。以上実施例で述べた本発明に
よれば、（１）１つのレチクルを使用して左右のターゲ
ットパターンを焼付けるので、その間にりヒータにおい
てレチクルの移動がなく、パターンの位置精度を向上さ
せる、（２）上記（１）と同じ理由でりヒータによる作
動能率が良くなる。
（３）上記（１），（２はりフォトマスクの製作費が節
減できる（レチクル１個増すことに対しフォトマスクの
単価は５％増える）。本発明は前記実施例に限定されな
い。
減できる（レチクル１個増すことに対しフォトマスクの
単価は５％増える）。本発明は前記実施例に限定されな
い。
例えば、りヒータによるパターンの焼付を本パターンを
先に、ターゲットパターンを後に行なつてもよい。
先に、ターゲットパターンを後に行なつてもよい。
第１図乃至第３図は従来例を示し、このうち第１図、第
３図Ａ，ｂはレチクルの平面図、第２図はフォトマスク
の一部平面図である。 第４図及び第５図は本発明による実施例を示し、第４図
はレチクルの平面図、第５図はフォトマスクの一部平面
図である。１ ・・・・・・レチクル、２ ・・・・・
・フォトマスク、３ａ，３ｂ・・・・・・ターゲットパ
ターン、４ａ，４ｂ・・・・・・ターゲットパターン、
５ａ，５ｂ・・・・・・レチクル、６・・・・・・レチ
クル、７・・・・・・フォトマスク、８ａ，８ｂ・・・
・・・本パターン。
３図Ａ，ｂはレチクルの平面図、第２図はフォトマスク
の一部平面図である。 第４図及び第５図は本発明による実施例を示し、第４図
はレチクルの平面図、第５図はフォトマスクの一部平面
図である。１ ・・・・・・レチクル、２ ・・・・・
・フォトマスク、３ａ，３ｂ・・・・・・ターゲットパ
ターン、４ａ，４ｂ・・・・・・ターゲットパターン、
５ａ，５ｂ・・・・・・レチクル、６・・・・・・レチ
クル、７・・・・・・フォトマスク、８ａ，８ｂ・・・
・・・本パターン。
Claims (1)
- １ 本パターンを有するレチクルと、パターン位置決め
用ターゲットパターンを有するレチクルとを使用し、複
数配列した本パターンの中にターゲットパターンを焼込
むフォトマスクの製造方法において、一つのレチクル区
画内に異なる２つのターゲットパターンを有するレチク
ルを使用し、フォトマスクとなる基板上の相離れた２つ
の位置でそれぞれ隣り合う２区画にわたつて上記２つの
ターゲットパターンをそれぞれ焼込む工程と、本パター
ンを有するレチクルを使用して、フォトマスクとなる基
板上に同一本パターンを複数配列して焼込む工程とを含
み、上記２つのターゲットパターンが焼込まれた２つの
位置での隣合う２区画のうち一方では右側のターゲット
パターン、他方では左側のターゲットパターンと上記本
パターンとそれぞれ重ね露光させることを特徴とするフ
ォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53093587A JPS6048901B2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53093587A JPS6048901B2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5521115A JPS5521115A (en) | 1980-02-15 |
| JPS6048901B2 true JPS6048901B2 (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=14086410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53093587A Expired JPS6048901B2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048901B2 (ja) |
-
1978
- 1978-08-02 JP JP53093587A patent/JPS6048901B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5521115A (en) | 1980-02-15 |
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