JPS6049149B2 - 電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法 - Google Patents
電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法Info
- Publication number
- JPS6049149B2 JPS6049149B2 JP54171991A JP17199179A JPS6049149B2 JP S6049149 B2 JPS6049149 B2 JP S6049149B2 JP 54171991 A JP54171991 A JP 54171991A JP 17199179 A JP17199179 A JP 17199179A JP S6049149 B2 JPS6049149 B2 JP S6049149B2
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- ceramic
- composition
- electronic parts
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子部品用セラミック、例えばＩＣ基板、回路
基板、集積回路用パッケージ等に用いられる電子部品用
白色アルミナ・セラミックの製造方法に関する。
基板、集積回路用パッケージ等に用いられる電子部品用
白色アルミナ・セラミックの製造方法に関する。
一般に電子部品用セラミックはＭｏ、Ｗなどの高融点金
属を使用し、焼成の際の雰囲気を還元状態にするか、あ
るいはわすかに酸化状態にして化学的な反応を含ませメ
タライズする。
属を使用し、焼成の際の雰囲気を還元状態にするか、あ
るいはわすかに酸化状態にして化学的な反応を含ませメ
タライズする。
近年工程の省略としてセラミックの焼結とメタライズを
同時に行なう同時焼成技術が発達してきている。現在、
多層アルミナ・セラミックは通常内部の金属化領域と組
合わせて複数個のセラミック基板から成つており、１５
００〜１７０００Ｃの範囲の高温で焼結されている。故
に電気炉の寿命、基板焼成用サ・ −、士ΛＬ゛ル＝よ
ーノロ４々且小舌十＋、゛Ｔ竺ん消薯して製造コストを
高くする欠点がある。又、電子部品用白色アルミナ・セ
ラミックは表面平滑が望まれるが、前述の高温焼成では
結晶粒成長によりすぐれた表面平滑を得ることができな
い場合が多い欠点を有す。本発明は斯かる欠点をなくす
為になされたものであり、従来のセラミック焼成温度を
大幅に低下させることができ、且つ電子部品用アルミナ
・セラミックとしてすぐれた表面平滑を与えることので
きる電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法を
提供し、以つて焼成コストの低減並びにセラミックの表
面粗さの向上を図るものである。
同時に行なう同時焼成技術が発達してきている。現在、
多層アルミナ・セラミックは通常内部の金属化領域と組
合わせて複数個のセラミック基板から成つており、１５
００〜１７０００Ｃの範囲の高温で焼結されている。故
に電気炉の寿命、基板焼成用サ・ −、士ΛＬ゛ル＝よ
ーノロ４々且小舌十＋、゛Ｔ竺ん消薯して製造コストを
高くする欠点がある。又、電子部品用白色アルミナ・セ
ラミックは表面平滑が望まれるが、前述の高温焼成では
結晶粒成長によりすぐれた表面平滑を得ることができな
い場合が多い欠点を有す。本発明は斯かる欠点をなくす
為になされたものであり、従来のセラミック焼成温度を
大幅に低下させることができ、且つ電子部品用アルミナ
・セラミックとしてすぐれた表面平滑を与えることので
きる電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法を
提供し、以つて焼成コストの低減並びにセラミックの表
面粗さの向上を図るものである。
斯かる目的に従つて、本発明に係る電子部品用白色アル
ミナ・セラミックの製造方法は、８０ｗｔ％以上のＡｌ
。Ｏ。と、均００：ＭｇＯ：５ｉ００（ｗｔ％）が組成
図において５０：２０：３０の点Ａ）１０：２０：７０
の点Ｂ、、１０：６０：３０の点Ｃを結ぶΞ角形の組成
を有するＢ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２粉末からなる添加
物とよりなる組成物を準備し、前記組成物の粒径を２フ
μ以下に調整し、焼成することを特徴とする。以下本発
明の実施例について述べる。Ｏアルミナ・セラミックの
組成例（ｗｔ％）桟Ｏ。
ミナ・セラミックの製造方法は、８０ｗｔ％以上のＡｌ
。Ｏ。と、均００：ＭｇＯ：５ｉ００（ｗｔ％）が組成
図において５０：２０：３０の点Ａ）１０：２０：７０
の点Ｂ、、１０：６０：３０の点Ｃを結ぶΞ角形の組成
を有するＢ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２粉末からなる添加
物とよりなる組成物を準備し、前記組成物の粒径を２フ
μ以下に調整し、焼成することを特徴とする。以下本発
明の実施例について述べる。Ｏアルミナ・セラミックの
組成例（ｗｔ％）桟Ｏ。
、ＭｇＯ、ＳｉＯ。の添加物Ａ−Ｌまでの組成図を図に
示す。又その組成表を第１表に示す。夕Ａ上まての組成
を有する添加物を準備する。
示す。又その組成表を第１表に示す。夕Ａ上まての組成
を有する添加物を準備する。
Ａｅ２Ｏ３は純度９９Ｗｔ％以上のαアルミナを用いる
。Ｏアルミナ・セラミック生シートの調整 上述の添加物Ａ上までの組成物をＡｆ２Ｏ３に添加し、
Ａｅ２Ｏ３純度８０，８５，９０，９５，９９Ｗｔ％の
組成物とし、これをボール・ミルに入れ、すべてのサン
プルに対し次の割合で溶剤、可塑剤、結合剤を添加する
。
。Ｏアルミナ・セラミック生シートの調整 上述の添加物Ａ上までの組成物をＡｆ２Ｏ３に添加し、
Ａｅ２Ｏ３純度８０，８５，９０，９５，９９Ｗｔ％の
組成物とし、これをボール・ミルに入れ、すべてのサン
プルに対し次の割合で溶剤、可塑剤、結合剤を添加する
。
Ａｅ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＳｌＯ２添加物１０鍾
量部結合剤ポリビニル・ブチラール ５ 〃可塑剤ジ
・オクチル・フタレート ３ 〃溶剤メタノール
１０〃トルエン
１２〃シクロヘキサン ２０〃サン
プルは直接にスリップ流し込み組成物を得る為に上記の
セラミック、結合剤、可塑剤、溶剤の組合せをセラミッ
ク粒子の平均粒径が０．５，１，２，３μになるまで十
分混合粉砕する。
量部結合剤ポリビニル・ブチラール ５ 〃可塑剤ジ
・オクチル・フタレート ３ 〃溶剤メタノール
１０〃トルエン
１２〃シクロヘキサン ２０〃サン
プルは直接にスリップ流し込み組成物を得る為に上記の
セラミック、結合剤、可塑剤、溶剤の組合せをセラミッ
ク粒子の平均粒径が０．５，１，２，３μになるまで十
分混合粉砕する。
こうして形成されたスリップ流し込み組成物は公知の夕
技術を用いてマイラー基板上にドクタ・ブレードによつ
て幅１０Ｃ７７！、厚み０．５７ｒｎのシートを形成す
る。次いでこのシートは揮発性溶剤除去の為乾燥炉で１
００℃、３扮で乾燥され、マイラー基板からはがされ、
５Ｃ７ｎ平方のシートに裁断される。従来θ品との比較
の為、ＣａＯ：ＭｇＯ：ＳｉＯ２＝２０：１０：７０（
Ｗｔ％比）の添加物組成を前記のサンプルと同一のα−
Ａｅ２Ｏ３を使用し、Ａ′２０３純度８０，８５，９０
，９５，９９Ｗｔ％のアルミナ・セラミック粉体とし、
該粉体を前記と同様の手段で平均粒径５０．５，１，２
，３μのセラミック粒子よりなるアルミナ・セラミック
生シートとする。○焼成 還元雰囲気のもとで１３００とＣ，１３５００Ｃ，１４
００℃，１４５０℃３時間焼成する。
技術を用いてマイラー基板上にドクタ・ブレードによつ
て幅１０Ｃ７７！、厚み０．５７ｒｎのシートを形成す
る。次いでこのシートは揮発性溶剤除去の為乾燥炉で１
００℃、３扮で乾燥され、マイラー基板からはがされ、
５Ｃ７ｎ平方のシートに裁断される。従来θ品との比較
の為、ＣａＯ：ＭｇＯ：ＳｉＯ２＝２０：１０：７０（
Ｗｔ％比）の添加物組成を前記のサンプルと同一のα−
Ａｅ２Ｏ３を使用し、Ａ′２０３純度８０，８５，９０
，９５，９９Ｗｔ％のアルミナ・セラミック粉体とし、
該粉体を前記と同様の手段で平均粒径５０．５，１，２
，３μのセラミック粒子よりなるアルミナ・セラミック
生シートとする。○焼成 還元雰囲気のもとで１３００とＣ，１３５００Ｃ，１４
００℃，１４５０℃３時間焼成する。
） 添加物Ａ上を用いたアルミナ・セラミックシート及
び従来品のアルミナ●セラミックシートの場合のアルミ
ナ純度、生シートのセラミック粒子の平均粒径、焼成温
度、焼結度の関係を第２表〜第４表に示す。
び従来品のアルミナ●セラミックシートの場合のアルミ
ナ純度、生シートのセラミック粒子の平均粒径、焼成温
度、焼結度の関係を第２表〜第４表に示す。
焼結度はフクシンテスト（フクシン液にセラミックをつ
け、１紛後にフクシン液がセラミック内部に侵入してな
い場合良品）、吸水率テスト（セラミックを水につけ真
空脱泡１時間後の吸水率が０．１％以下ならば良品）、
ポロシテイーテスト（セラミックを鏡面研磨し、これを
ポロシメーターを用いポロシテイーを測定し、５％以内
ならば良品とする）の結果、すべて良品でバスした楊合
のみＯ印をつけ、その他の場合×印とする。これよりＢ
２Ｏ３−ＭｇＯ−ＳｉＯ２系添加物Ａ−Ｇを用いたアル
ミナ・セラミックでＡｅ２Ｏ３純度８０ｗｔ％以上、セ
ラミック粒子の平均粒径が２μ以下の場合、焼成温度の
著しい低下がみられる。
け、１紛後にフクシン液がセラミック内部に侵入してな
い場合良品）、吸水率テスト（セラミックを水につけ真
空脱泡１時間後の吸水率が０．１％以下ならば良品）、
ポロシテイーテスト（セラミックを鏡面研磨し、これを
ポロシメーターを用いポロシテイーを測定し、５％以内
ならば良品とする）の結果、すべて良品でバスした楊合
のみＯ印をつけ、その他の場合×印とする。これよりＢ
２Ｏ３−ＭｇＯ−ＳｉＯ２系添加物Ａ−Ｇを用いたアル
ミナ・セラミックでＡｅ２Ｏ３純度８０ｗｔ％以上、セ
ラミック粒子の平均粒径が２μ以下の場合、焼成温度の
著しい低下がみられる。
八０３−ＭｇＯ−ＳｌＯ２系添加物Ａ−Ｇを用いたＡｅ
２Ｏ３純度９５Ｗｔ％のアルミナ・セラミックとＡｌ２
Ｏ３純度９５Ｗｔ％の従来品の生シート中のセラミック
平均粒径と表面粗さの関係を第５表に示す。
２Ｏ３純度９５Ｗｔ％のアルミナ・セラミックとＡｌ２
Ｏ３純度９５Ｗｔ％の従来品の生シート中のセラミック
平均粒径と表面粗さの関係を第５表に示す。
焼成温度は過焼成による結晶粒成長に起因する表面粗さ
悪化防止の為、次の通りとする。 Ａ−
Ｇ 従来品 ０．５μ，１μのとき１３８０℃ １４８００Ｃ２μ
〃 １４５０℃ １５５０℃ ３μ 〃 １５００ Ｃ
１６００℃ これより、本発明により得られた白色アルミナ・セラミ
ックは従来品と比較して表面粗さの向上がみられる。
悪化防止の為、次の通りとする。 Ａ−
Ｇ 従来品 ０．５μ，１μのとき１３８０℃ １４８００Ｃ２μ
〃 １４５０℃ １５５０℃ ３μ 〃 １５００ Ｃ
１６００℃ これより、本発明により得られた白色アルミナ・セラミ
ックは従来品と比較して表面粗さの向上がみられる。
以上詳述したように、本発明の電子部品用白色アルミナ
・セラミックの製造方法によつて得られた白色アルミナ
●セラミックは従来のものに比較して、焼成温度及び表
面粗さの著しく低下する特長を有する。
・セラミックの製造方法によつて得られた白色アルミナ
●セラミックは従来のものに比較して、焼成温度及び表
面粗さの著しく低下する特長を有する。
図面は本発明のＢ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＳｉＯ２系添加物の
三元組成図である。
三元組成図である。
Claims (1)
- １ ８０ｗｔ％以上のＡｌ＿２Ｏ＿３と、Ｂ＿２Ｏ＿３
：ＳｉＯ＿２（ｗｔ％）が組成図において５０：２０：
３０の点Ａ、１０：２０：７０の点Ｂ、１０：６０：３
０の点Ｃを結ぶ三角形の組成を有するＢ＿２Ｏ＿３，Ｍ
ｇＯ，ＳｉＯ＿２粉末からなる添加物とよりなる組成物
を準備し、前記組成物の粉径を２μｍ以下に調整し、焼
成することを特徴とする電子部品用白色アルミナ・セラ
ミックの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54171991A JPS6049149B2 (ja) | 1979-12-29 | 1979-12-29 | 電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54171991A JPS6049149B2 (ja) | 1979-12-29 | 1979-12-29 | 電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5696776A JPS5696776A (en) | 1981-08-05 |
| JPS6049149B2 true JPS6049149B2 (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=15933494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54171991A Expired JPS6049149B2 (ja) | 1979-12-29 | 1979-12-29 | 電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049149B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221754A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-30 | 富士通株式会社 | アルミナ−ほうけい酸ガラス複合体の強化方法 |
| DE3744125A1 (de) * | 1987-12-24 | 1989-07-06 | Thomson Brandt Gmbh | Kabel |
| JP3450045B2 (ja) * | 1994-02-28 | 2003-09-22 | 京セラ株式会社 | 耐摩耗性アルミナ焼結体及びその製造方法 |
| JP4747067B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-08-10 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | 白色セラミックス及びリフレクター及び半導体発光素子搭載用基板及び半導体発光素子収納用パッケージ |
| KR20160124321A (ko) * | 2015-04-16 | 2016-10-27 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 패키지를 위한 절연체 조성물 및 그 제조방법 |
| KR20170138221A (ko) * | 2016-06-07 | 2017-12-15 | 삼성전기주식회사 | 절연체 조성물 및 이를 이용한 전자 부품의 제조 방법 |
-
1979
- 1979-12-29 JP JP54171991A patent/JPS6049149B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5696776A (en) | 1981-08-05 |
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