JPS604943A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS604943A JPS604943A JP58113140A JP11314083A JPS604943A JP S604943 A JPS604943 A JP S604943A JP 58113140 A JP58113140 A JP 58113140A JP 11314083 A JP11314083 A JP 11314083A JP S604943 A JPS604943 A JP S604943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light
- photosensitive resin
- photomask
- glass plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置等を製造するフォトリソグ
ラフィ工程において使用されるフォトマスクに関するも
のである。
ラフィ工程において使用されるフォトマスクに関するも
のである。
通常、半導体集積回路装置は拡散工程と組立−仕上工程
から成る。拡散工程は不純物導入、成膜等の各処理とフ
ォトリングラフの間の往復であり、この往復にＸ、リト
ランジスタ、ダイオード等の回路素子および配線が形成
される。フォトリソグラフには酸化膜、あるいは金属膜
上に感光性樹脂の塗布、ウェハとフォトマスクの重ね合
せ、露光現像および工、チング等の工程を含む。
から成る。拡散工程は不純物導入、成膜等の各処理とフ
ォトリングラフの間の往復であり、この往復にＸ、リト
ランジスタ、ダイオード等の回路素子および配線が形成
される。フォトリソグラフには酸化膜、あるいは金属膜
上に感光性樹脂の塗布、ウェハとフォトマスクの重ね合
せ、露光現像および工、チング等の工程を含む。
従来、フォトリングラフィ工程において使用されるフォ
トマスクは第１図に示す様に、ガラス板１の上に金属膜
をスバ、り゛またＬ蒸着により形成し半導体集積回路装
置のパターン２を規則的に並べて形成したものである。
トマスクは第１図に示す様に、ガラス板１の上に金属膜
をスバ、り゛またＬ蒸着により形成し半導体集積回路装
置のパターン２を規則的に並べて形成したものである。
この断匣形状を第２図に示す。このパターン２は均一な
る金属１夙により作られており同一パターン内において
は均一に光を遮断し光の透過はない。
る金属１夙により作られており同一パターン内において
は均一に光を遮断し光の透過はない。
近年、半導体集積回路装置の高密度化、高集積度化に伴
い多層配線構造の採用が不可欠となり急峻な段差構造の
緩和の必要性が急激に高まってきている。従来のフォト
マスクを使用した場合の２層金属配線の例を第３図に示
す。半導体ウェノ・９の上の１層目金属膜３の上に感光
性樹脂を塗布し、露光現像、工、チングを行う。そして
層間絶縁膜４を被着しその上に２層目金属膜を形成し、
同様のフォトリソグラフを施し２層目金属配線５を形成
する。この場合、従来のフォトマスクでは光を均一に遮
断するため感光性樹脂は急峻な矩形となる。このため金
属配線間の絶縁膜の被覆性が悪く、１．２層間の短絡（
第４図）あるいは急峻段差部による２層目金属配線の断
線（第５図）が生じゃすい欠点がある。同様のことがコ
ンタクトポール部の段差にもあてはまる。
い多層配線構造の採用が不可欠となり急峻な段差構造の
緩和の必要性が急激に高まってきている。従来のフォト
マスクを使用した場合の２層金属配線の例を第３図に示
す。半導体ウェノ・９の上の１層目金属膜３の上に感光
性樹脂を塗布し、露光現像、工、チングを行う。そして
層間絶縁膜４を被着しその上に２層目金属膜を形成し、
同様のフォトリソグラフを施し２層目金属配線５を形成
する。この場合、従来のフォトマスクでは光を均一に遮
断するため感光性樹脂は急峻な矩形となる。このため金
属配線間の絶縁膜の被覆性が悪く、１．２層間の短絡（
第４図）あるいは急峻段差部による２層目金属配線の断
線（第５図）が生じゃすい欠点がある。同様のことがコ
ンタクトポール部の段差にもあてはまる。
本発明の目的は半導体集積回路装置製造工程を変更する
ことしく急峻な段差を緩和することを可能にするフォト
マスクを提供するものである。
ことしく急峻な段差を緩和することを可能にするフォト
マスクを提供するものである。
本発明の７オトマスクはガラス板表面に形成された遮光
パターンの同一パターン内に部分的に光の透過量を変化
させたパターンを有することを特徴とする。
パターンの同一パターン内に部分的に光の透過量を変化
させたパターンを有することを特徴とする。
第６図および第７図はそれぞれ本発明の実施例を示す。
第６図り同一パターン内で連続的に光の透過量を変化さ
せた金属パターンを使用した列であり、第７図はパター
ンの厚さを変えることにより透過量を階段的に変化させ
た例である。本発明を実施したフォトマスクの使用にょ
シ露光蓋が変化しその変化量に応じて感光性樹脂の残膜
が変化する。その上からドライエ、チングを行うことに
よりなだらかな段差の形成が可能になる。なだらかな段
差の断面形状を第８図に示す。なだらかな段差によｐ層
間の短絡２段差部での断線等がなくなる。
せた金属パターンを使用した列であり、第７図はパター
ンの厚さを変えることにより透過量を階段的に変化させ
た例である。本発明を実施したフォトマスクの使用にょ
シ露光蓋が変化しその変化量に応じて感光性樹脂の残膜
が変化する。その上からドライエ、チングを行うことに
よりなだらかな段差の形成が可能になる。なだらかな段
差の断面形状を第８図に示す。なだらかな段差によｐ層
間の短絡２段差部での断線等がなくなる。
以下本発明をパターン厚を変化させる実施例で説明する
。従来のフォトマスクはガラス板上に均一なる金属膜７
を形成しフォトリングラフィ工程を経てパターン２を形
成する。この製造工程を第９図に示す。すなわち、ガラ
ス板１上に金属膜７を被着し、これを感光性樹脂８で選
折的に除去して、一様の厚さのパターン２を形成してい
る。
。従来のフォトマスクはガラス板上に均一なる金属膜７
を形成しフォトリングラフィ工程を経てパターン２を形
成する。この製造工程を第９図に示す。すなわち、ガラ
ス板１上に金属膜７を被着し、これを感光性樹脂８で選
折的に除去して、一様の厚さのパターン２を形成してい
る。
これに対し本発明をポジタイプ用フォトマスクで実施し
た例を第１０〜１３図に示す。ガラス板１に均一に金属
膜７を形成する（第１０図）０金属膜にフォトリソグラ
フィ工程を施しパターン２を形成する（第１１図）０そ
してパターン２上に感光性樹脂を塗布し、露光現像を行
う（第１２図）。
た例を第１０〜１３図に示す。ガラス板１に均一に金属
膜７を形成する（第１０図）０金属膜にフォトリソグラ
フィ工程を施しパターン２を形成する（第１１図）０そ
してパターン２上に感光性樹脂を塗布し、露光現像を行
う（第１２図）。
第１１図における感光性樹脂８をマスクにしてパターン
２を途中まで工、チングし、光の透過量を変化させるパ
ターン６を形成する（第１３図）。
２を途中まで工、チングし、光の透過量を変化させるパ
ターン６を形成する（第１３図）。
この様にして製造されたフォトマスクはパターン膜厚の
厚いパターンは光を透過させず、薄い／＜ ｐ−ン６は
ある程度光が透過するようになる。これによシ感光性樹
脂の断面形状をなだらかにし、段差部をなだらかにする
ことが可能である。
厚いパターンは光を透過させず、薄い／＜ ｐ−ン６は
ある程度光が透過するようになる。これによシ感光性樹
脂の断面形状をなだらかにし、段差部をなだらかにする
ことが可能である。
岡、実施例はポジタイプの感光性樹脂を使用する場合の
フォトマスクであるが、ネガタイプの感光性樹脂を使用
する場合でも本発明を使用できる。
フォトマスクであるが、ネガタイプの感光性樹脂を使用
する場合でも本発明を使用できる。
さらにガラス板の柚知、パターンを形成する金属の種類
も本発明の実施において何ら限定てれるものではない。
も本発明の実施において何ら限定てれるものではない。
ｇ１図、第２図は従来のフォトマスクの平面図および断
面図である。第３図は従来品を使用した２層配線半尋体
集猿回路装置の断面図である。第４図、第５図Ｖよ従来
品で生じる欠点を説明した図である。第６図、第７図は
本発明を適用したフォトマスクである。第８図は本発明
品を使用し製造した２眉配線半導体集積回路装置の断面
図である。 第９図は従来のフォトマスクの製造工程の概略を説明し
た図である。第１０１図〜第１３図に本発明を適用した
ネガ用フォトマスクの例を示す。第１０図はガラス板に
金属膜を形成した図である。第１１図はパターンを形成
した所の図である。第１２図は光を遮断するパターンの
マスクとなる感光性樹脂を形成した図である。第１３図
は光の透過量を変化させるパターンを工、チングにて形
成した図である。 なお、図において、１・・・・・・ガラス板、２・・・
・・・半導体集積回路パターン、３・・・・・・１層目
金属配線、４・・・・・・層間絶縁膜、５・・・・・・
１層目金属配線、６・・・・・・光の透過量を変化させ
るパターン、７・・・・・・金属膜、８・・・・・・感
光性樹脂、９・・・・・・半導体つ、ハである０ 代理人 弁理士 内 原 １′ １ 。 −／′ 第す図 ％／７図 第３図 ８ｑ図
面図である。第３図は従来品を使用した２層配線半尋体
集猿回路装置の断面図である。第４図、第５図Ｖよ従来
品で生じる欠点を説明した図である。第６図、第７図は
本発明を適用したフォトマスクである。第８図は本発明
品を使用し製造した２眉配線半導体集積回路装置の断面
図である。 第９図は従来のフォトマスクの製造工程の概略を説明し
た図である。第１０１図〜第１３図に本発明を適用した
ネガ用フォトマスクの例を示す。第１０図はガラス板に
金属膜を形成した図である。第１１図はパターンを形成
した所の図である。第１２図は光を遮断するパターンの
マスクとなる感光性樹脂を形成した図である。第１３図
は光の透過量を変化させるパターンを工、チングにて形
成した図である。 なお、図において、１・・・・・・ガラス板、２・・・
・・・半導体集積回路パターン、３・・・・・・１層目
金属配線、４・・・・・・層間絶縁膜、５・・・・・・
１層目金属配線、６・・・・・・光の透過量を変化させ
るパターン、７・・・・・・金属膜、８・・・・・・感
光性樹脂、９・・・・・・半導体つ、ハである０ 代理人 弁理士 内 原 １′ １ 。 −／′ 第す図 ％／７図 第３図 ８ｑ図
Claims (1)
- ガラス板の表面に遮光パターンを形成して成るフォトマ
スクにおいて、同一パターン内で部分的に光の透過量を
変化させたパターンを有することを特徴とするフォトマ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113140A JPS604943A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113140A JPS604943A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604943A true JPS604943A (ja) | 1985-01-11 |
Family
ID=14604574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113140A Pending JPS604943A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604943A (ja) |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113140A patent/JPS604943A/ja active Pending
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