JPS6049717B2 - メツキ処理に先立つプラスチツク性被メツキ基質の前処理方法 - Google Patents

メツキ処理に先立つプラスチツク性被メツキ基質の前処理方法

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JPS6049717B2
JPS6049717B2 JP54135843A JP13584379A JPS6049717B2 JP S6049717 B2 JPS6049717 B2 JP S6049717B2 JP 54135843 A JP54135843 A JP 54135843A JP 13584379 A JP13584379 A JP 13584379A JP S6049717 B2 JPS6049717 B2 JP S6049717B2
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
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Description

【発明の詳細な説明】 従来、高分子プラスチック部品の表面に全部または部分
的に金属メッキを施すための各種の方法が実施あるいは
提案されてきた。
通常、このような方法はプラスチック性基質が無電解メ
ッキの適用を受け易くするための一連の前処理工程から
成り、次いで無電解メッキされた部品は該プラスチック
性基質のすべてまたは、1部にわたつて1回または数回
の追加的金属メッキを施すための通常の電気メッキ工程
で処理される。通常、かかる前処理工程は、必要に応じ
て、表面被膜または汚染物質を除くために1回または数
回の洗浄工程を含み、次いで基質と金属メッキ膜間に機
械的な接着を可能にするような所望の粗さまたは表面組
織を作るために6価クロムの水性酸溶液によつて食刻す
る。食刻後の基質は基質上に残留する6価クロムイオン
のすべてを抽出および除去するために1回または数回の
洗浄工程にかけ、場合によつてこれらの工程は残留する
すべての6価クロムイオンを3価の状態に変換するため
の還元剤による中和工程を含む。次いで食刻後の基質は
、スズー白金錯体を含む水性酸溶液中で、活性化処理を
行い基・質表面に活性点を形成し、次いで1回または数
回水洗後、基質表面に残留しているすべてのスズ化合物
を水性溶液中で抽出するための促進化処理にかける。促
進化処理後のプラスチック部品はふたたび水洗し次いで
銅、ニッケルまたはコバルトのような金属被膜を該部品
のすべてまたは特定部分上に施すために公知の無電解メ
ッキ操作にかけ、次いで水洗後通常の電解メッキを行う
。このようなプラスチックのメッキ方法の代表的なもの
は、米国特許第3,622,370号;同第3,961
,1的号;および同第3,962,497号に詳細に記
載せられている。
本発明はこの種の方法に適用できるばかりでなく特に公
知の手段によつては達)成できなかつたような利益と有
利性を発揮する改良された水性促進化溶液に関する。重
合体基質を電解メッキする際に付随する問題点は、基質
に密着し連続性被膜の欠除または“゜スキツピング゛が
ない導電性金属層の100%被膜を・形成させるために
、プラスチック基質が引き続く無電解メッキ溶液を受け
入れやすくするような活性化および促進化工程を注意深
く制御することにある。
かかる不連続またはスキップの存在は引き続く電解メッ
キにおいて金属メッキ膜の不均一部”分または無メッキ
部分を生ずることになり該プラスチック部品が最終製品
に使用できなくなる結果になる。スズー白金錯体活性化
剤を使用する場合には、促進化がなされないかまたは弱
い促進化剤中で促進化処理が行なわれる場合は、食刻お
よび活性化後のプラスチック性基質は引き続く無電解メ
ッキ工程において全くメッキされないかまたは部分的に
メッキされるに過ぎない。
このような部品は“゜低促進化゛状態下にあるといわれ
る。一方、このような部品が非常に強くまたは非常に過
酷な促進化溶液で処理される場合には無電解メッキにお
いて同様に不連続またはスキップを生じ、ある場合には
メッキ膜が全く見られなくなり逆効果になる。そのよう
な場合は、部品は“過促進化゛状態下にあるという。し
たがつて、使用する促進化溶液は注意深く制御して、基
質上に均一な連続的無電解メッキ被膜を形成させるよう
にほどよい程度の促進化を行なうことが重要である。従
来公知の促進化溶液は、他の工程から搬送されたり、ま
たは促進化溶液中に本来存在する汚染金属にたいしてき
わめて敏感である。
たとえば、6価のクロムイオンは激しく水洗し中和した
にも係わらずプラスチック部品に付随して次の促進化溶
液中に搬送されまたつり下げ治具上に通常用いられる保
護プラスチック被膜の亀裂または開口からの浸出によつ
ても次の促進化溶液中に搬送される。スズ化合物もまた
同様に活性化工程から搬送され促進化処理を阻害する。
第2鉄および第2銅イオンは10ppmおよび20pp
mのような比較的低濃度においてさえ促進化溶液の活性
を著るしく変化させ使用に耐えなくすることが判つてい
る。第2鉄イオンは種々の水性溶液を調整する際の水の
中の通常の汚染物の一つであり、さらにプラスチック部
品がその上に懸垂されるつり下げ治具のステンレススチ
ールの溶解によつても生じる。さらに、第2鉄イオンは
溶液に接する部分のプラスチック製保護被膜が不完全で
あるために鋼製タンクの酸化侵食やメッキ工程中におい
て通常存在するさびなどから発生する。同様に銅イオン
は銅製バイブライン、処理容器に隣接する銅製陰極棒を
含む水系統、銅メッキ工程に由来するつり下げ治具上に
残留していた銅の搬入およびラックからの浸出と同様に
ラック角栓の溶解を通じても招来される。このようなつ
り下げ治具の汚染は各メッキサイクルの終了後にラック
を激しく水洗してもなお完全にはさけられない。また、
多くの場合において第2鉄および第2銅による汚染は促
進化溶液などの種々の溶液を調製するための化学薬品中
に本来から存在する不純物に由縁する。いかような場合
においても、比較的少量の酸化第2鉄、酸化第2銅およ
び6価クロムイオンの存在は促進化処理に逆効果をあた
えるのて短期間に該水性促進化溶液を廃棄および交換せ
ざるをえなくなる。
本発明はプラスチック類のメッキにともなう種々の問題
点や欠点を解決するために、とくにそのうちの促進化工
程に関して、安定で制御し易く、汚染金属物質にたいし
て抵抗性があり、プラスチック性ラック被膜上へのメッ
キを阻害し多種類のメッキが可能であり、プラスチック
類に用いて優れた効果を発揮する促進化溶液を提供する
ことにある。本発明の利点および有利性を達成するため
には、高分子プラスチック性基質を無電解メッキを受け
やすいようにするための前処理を行い、かつ6価クロム
イオンを含む水性酸溶液でプラスチックを食刻し、次い
で食刻後の基質を1回または数回水洗する工程を含む方
法によつて達成する。
食刻後の基質は次いて酸性のスズー白金錯体により活性
化し、次いで水洗する。活性化後のプラスチック性基質
は次いで該活性化基質表面に残留する第2銅および第2
鉄イオンのような還元性汚染金属イオンのほとんどすべ
てを錯化し、かつ表面上に残留するすべてのスズ化合物
を抽出除去するに十分な量の水溶性置換アルキルアミン
を含む改良促進化溶液と接触させる。通常、約0.00
1〜約100y/e1好ましくは約0.01〜約10y
/′の置換アルキルアミンが含まれる。水性アミンを含
む該促進化溶液は鉱酸のイオン類およびまたはその水溶
性アルカリ塩類を120y/eまで含み、さらには6価
クロムをすべて3価クロムに還元するのに十分な還元剤
を含み、より均一な表面反応を行うための界面活性剤を
含有してもよい。促進化溶液を用いるこの方法は約室温
71.rc、好ましくは約57.2′C〜約65.6℃
の範囲で行う。
処理時間はプラスチック基質の種類、活性化の程度、活
性化溶液の温度などにより変わるが通常約308〜約5
秒て十分てある。活性化溶液はPHO〜約中性にいたる
酸性領域、好ましくはPHl以下で使用する。本発明の
その他の利益および有利性は実施例に関連した次の好ま
しい実施態様の詳細な記載から明らかになろう。本発明
の方法はABS樹脂、ポリアクリル・エーテル樹脂、ポ
リフェニレンオキサイド樹脂、ナイロンその他の各種の
メッキ可能なプラスチック類に適用可能である。
通常、高分子プラスチック部品は、次のクロム酸による
食刻工程のために該基質を親水性にするために、必要に
応じて有機溶ノ剤処理を含む洗浄工程にかけて表面上の
すべての汚染物質を取り除く。通常この洗浄工程は水性
のアルカリ浸し液を使用して行い、次いで単相系または
水性有機溶媒乳化液のいづれかからなる有機溶媒と接触
させる。次いで清浄された部品は完全)に水洗し基質表
面を効率よく食刻するために6価のクロムイオンと硫酸
のような酸を含む水性酸溶液で処理して食刻する。食刻
後の濃度、温度および処理時間はプラスチック基質の性
質によつて変わり、そして当業者において公知であり実
用されフている方法に準拠する。食刻工程に引き続いて
、高分子基質は1回または数回冷水で洗浄し、残留して
いる6価のクロムイオンのすべてを3価に還元するため
の還元剤を含む水性溶液を用いて中和工程に処する。
典型的な中和方法は米国特許第3,962,497号に
記載されており本特許においてはこれを引用する。中和
工程に引きつづいて、該基質は再び水洗され次いで当業
者において公知の種々のスズー白金錯体を含む水性酸溶
液を用いて活性化処理を行う。典型的な1段活性化方法
は米国特許第3,011,92鰻および同第3,532
,518号に記載されており本特許においてはかかる基
質が引用せられている。活性化処理に引きつついて活性
化後の高分子基質は1回または数回の冷水洗浄を行つた
後、次に詳細に記載した本発明の方法に従がつて水性溶
液中で促進化処理にかけられる。該促進化処理に引き続
いて、部品は冷水洗浄され、次いで導電性で連続かつ接
着性の銅、ニッケルまたはコバルトのような金属メッキ
を全面または部分的に無電解メッキする。該無電解メッ
キ工程は公知の確立した方法に従い、還元剤および基質
表面上に析出されるべき金属の被環元塩を含む水性溶液
を用いて行う。無電解メッキ工程に引き続いて、1回ま
たは数回の水洗工程に処し、次いで該高分子基質上に1
回または数回のメッキをほどこすために通常の方法によ
る電解メッキをほどこす。高分子プラスチック部品の1
部表面のみを選択的にメッキするために洗浄工程以前ま
たは以後のいずれかにおいて該表面上にマスキング被膜
をほ,どこし該被膜がメッキされないようにする。
かかる目的のマスキング用組成物は市販品から自由に選
択できる。また本発明は被メッキ性プラスチック基質を
適宜に促進化し、なおかつ該スサキング部分に対しては
メッキが阻害されるかまたは完全.にメッキされない点
において多大の利益を提供するものである。本発明の促
進化溶液はその必須成分として0。
001〜約100y/′、好ましくは約0.01〜約1
0y/′の濃度の水溶性相溶置換アルキルアミンを.−
含む水性溶液から成る。
さらに、該置換アルキルアミンは高分子基質自体ならび
1こプラスチック表面の白金化合物と相溶しかつ存在す
る第2鉄および第2銅イオンのすべてと錯化物を形成し
、それによつてこれらの酸化電位を減少させるとともに
・基質上の白金化合物の酸化をさまたげることを特徴と
している。該置換アルキルアミンはそれらの誘導体なら
びにそれらのアルカリ金属を含有している。ここで゜“
アルカリ金属゛の意味はアルカリ金属ならびにアンモニ
ウムイオンを含む広義において使われている。本発明の
実施において用いられる好適な置換アルキルアミンの典
型例は次の通りである:グリシン; 〔NH2CH2C
OOH〕 アラニンニ 〔CH3CH(NH2)COOH〕ァスパ
ルチック酸; 〔COOHCH2CH2(NH2)
COOH〕グルタミン酸; 〔COOH(C
H2)2CH(NH2) COOH〕シスチン
〔HOOCCH(NH2)CH2SSCH2CH(N
H2)COOH〕ナイトリロジ酢酸;Cl(N(CH2
COOH)2〕トリエタノールアミンニ 〔N(CH2
CH2OH)3]ナイトリロトリ酢酸: 〔N(CH2
COOH)3〕N−ヒドロキシエチレンエチレンジアミ
ン・テトラ酢酸,(HEDTA) 〔HOOCCH2
N(CH2CH2OH)(CH2)2N(CH2COO
H)2〕エチレンジアミン・テトラ酢酸,(EDTA)
〔(HOOCCH2)2NCH2CH2N(CH2CO
OH)2〕 N,N,N″,N″−テトラキス(2−ヒドロキシプロ
ピル)エチレンジアミン〔(CH3CHOHCH2)2
NCH2CH2N(CFI2CHOHCH3)2〕ジエ
チレントリアミン ペンタ酢酸 〔(HOOCCH2)2NCH2CH2N(CH2CO
OH)C↓CH2N(CH2COOH)2〕本発明の実
施において用いられる置換アルキルアミンの中では、そ
れのモノ、ダイ、トリおよびテトラアルカリ金属塩から
成るEDTAが好適である。
前述のアミンまたはアミン類は次の一般式で示される:
ここで;R1は有基ラジカル〔RCHCOOH〕,
2またはここでxおよび
y=1〜4:Rl,R2およびR3はHまたは−+.C
H2〕Zxここでz=1〜6およびxは−0H,−SO
3H,−COOH,−NH2、バライド、−CH3また
は−0CH3ならびにこれらのアルカリ金属塩類である
置換アルキルアミン以外に、水性促進化溶液はその必須
成分としてプラスチック基質ならびに促進化溶液中のほ
かの成分と相溶する鉱酸およびまたはそれの水溶性塩を
含有している。
かかる鉱酸は塩化水素酸、臭化水素酸、フッ素およびフ
ッ化ホウ素酸があり中でも塩化水素酸が好ましい。さら
にはアルカリ金属重硫酸塩、同様に硫酸のような酸類が
該促進化溶液中に硫酸イオンならびに重硫酸イオンを含
ませるために添加される。硝酸およびそのアルカリ金属
塩、リン酸類およびそのアルカリ金属塩類は同じくこの
目的に対して有用である。かかるアニオンの存在は活性
化後の高分子基質の表面上の残留スズ化合物を抽出また
溶解するのに役立つ。典型的には、少くともハロゲンお
よび硫酸アニオンの一部は塩化ナトリウム、硫酸ナトリ
ウム、重硫酸ナトリウムその他の塩類の添加によつても
たらせる。かかる追加的な酸成分の含有はこれによつて
作られた促進化溶液のPHをO〜約中性、好ましくは1
以下のPHにするためのものである。通常酸アニオンの
全濃度は約120q/′、好ましくは約40〜90q/
eの濃度範囲内に制御される。フッ素アニオンおよびま
たは硫酸てニオンが用いられる場合には溶液中のこれら
の全濃度は、プラスチック基質に対するこれらの活性が
比較的高いために約10q/eを越えてはならない。本
発明の次の実施態様に関しては残留する6価のクロムイ
オンのすべてを3価の状態に還元する目的で該水性促進
化溶液中に制御された有効量の還元剤を含ませることが
好ましい。
適当な還元剤は促進化溶液中にその他の組成物と相溶で
あり好適な還元剤としては還元性シユガー、ヒドラジン
、オキザレート、アルカリ金属ハイポホスフアィト、ヒ
ドロキシルアミン塩その他である。これらの中で、米国
特許第3,962,497号に開示されたような型のヒ
ドロキシルアミン塩類、たとえばヒドロキシルアミン塩
酸塩〔NH2OH−HCL〕、ヒドロキシルアンモニウ
ム酸性硫酸塩〔NH2OH●H2SO4〕、ヒドロキシ
ルアンモニウム硫酸塩〔(NH2OH)2・H2SO4
〕、およびその誘導体が好適な還元剤である。
このような還元剤は通常約0.005〜約10f/eの
濃度で用いられる。本発明の好ましい実施態様において
は該水性酸溶液は基質との均一な反応性をたかめ、一層
均一な促進化を達成させるために一定量の界面活性剤を
含む。このような界面活性剤は当業者に公知のものであ
り、浴中のその他の成分と相溶性のものである。かかる
界面活性剤は、使用するとすれば、約5f/eである。
促進化溶液は約室温(18.3℃)〜該溶液の沸点以下
の範囲の温度で使用する。
通常該促進化溶液はプラスチゾル保護被膜を施した処理
容器中に貯蔵し、このような保護ライニングが熱劣化あ
るいは分解するのをさけるために約71.1℃以下の温
度に保たれる。好ましい実施態様においては、該水性促
進化溶液は約57.7C〜約65.6℃の範囲の温度で
使用しその使用温度は連続メッキ装置における運転サイ
クルを構成する合理的処理時間に相当するものである。
活性化プラスチック基質に対する水性促進化溶液はたと
えば適当な組成を有する溶液中にプラスチック部品を浸
せきさせる方法によつて実施できる。
一般に、浸せき時間は約托秒〜約30分であり、通常の
プラスチック材料ならびに部品の場合には約57.2゜
C〜65.6℃の温度の溶液を用いて約30秒〜約5分
の範囲が適当てある。処理時間はプラスチックの種類、
高分子基質の活性化の程度および溶液の温度により若干
異なる。たとえば、ABS型プラスチックの場合には約
57.2の温度において約3囲2〜約9囲2の促進化処
理が適2当である。この発明の方法をさらに詳しく説明
するために次の実施例を示す。
これらの実施例は単なる説明のためのものであり本発明
はこれらに限定されるものではない。実施例1 被メッキ性ABSプラスチックから成る約7.5cm×
約10cm1厚さ0.25cTnの小型試験パネルの1
群を次の工程に従つて前処理ならびに無電解メッキを施
した。
かかるパネルの一群はモンサント社製7PG298(商
品名)ABSプラスチックから成り、その他分娼S樹脂
はボルグワーナー社製 マーボン・サイコラツクEP−
3510(商品名)を使用した。さらには、変性ポリフ
ェニレン オキサイド樹脂から成る試験部品が処理され
た。該ポリフエニレン オキサイド樹脂はGE社製ノリ
ール゛酎一235(商品名)として入手可能である。洗
浄後、該プラスチックパネルおよび部品は3561/′
のクロム酸、412y/′の硫酸およびミネソタ●マイ
ニング●アンド●マニフアクチヤリング・カンパニイ製
FC−98(商品名)として供給されている過フッ化物
系湿潤剤の0.2ダ/′を含む水性酸溶液中で食刻を行
つた。
部品およびパネルは71.1℃に保持した水性食刻液中
に5分間浸せきし、その間、空気かくはんを行う。食刻
後、該部品およびパネルを30秒間冷水中で水洗する。
水洗後の部品は次いで18y/eの塩酸、3y/I)の
ヒドロキシアミン硫酸塩を含む水性溶液中で中和する。
該中和処理は約37.8℃の溶液温度において空気かく
はん下1分間行つた。中和後、パネルならびに部品は冷
水洗浄し0.77y/eの白金、9f!/eのスズ塩化
物、35.2f/eの塩化水素酸および192y/eの
塩化ナトリウムを含む水性酸溶液中において活性化した
。該活性化処理は32.2℃の溶液温度において約3分
間行つた。次いで該試験部品を冷水で洗浄し次に述べる
促進化溶液で処理した。促進化後、該部品を再び冷水で
洗浄し、12y/′の塩化ニッケル6水和物〔NiCl
2・6FI20〕、13y/fのナトリウム◆ハイポホ
スフアイト〔NaFI2PO2・H2O〕および9y/
eのクエン酸を含む水性浴を用いてニッケルメッキを施
すために無電解メッキを行なつた。
該無電解メッキは約29.4゜Cにおいて約5分間行つ
た。該無電解部品は溶液から引きあげ冷水洗浄し、次い
で得られた無!電解メッキの表面性状を試験した。この
実験例においては、該促進化水溶液は1fの蒸留水中に
45y/fの硫酸、40y/′の塩化ナトリウムおよび
1y/′のヒドロキシルアミン・アンモニウム硫酸塩を
含むエチレンジアミン●テ玉トラ酢酸のテトラナトリウ
ム塩の1yが溶解されている。
該プラスチック部品および試験パネルは上記の促進化溶
液中に空気かくはんを行いながら54.4゜Cの温度に
おいて1.紛間浸せきする。かくして得られた無電解ニ
ッケルメッキ部品パ4ネルは光沢のある均一な金属被膜
が観察された。実施例2実施例1において記載された変
性ポリフェニレンオキサイド樹脂から成るABS試験パ
ネルおよび部品が、30y/eの硫酸、15y/lの塩
化ナトリウムおよびN,N,N″,N″−テトラキス(
2−ヒドロキシプロピル)一エチレンジアミンを含む水
性酸促進化溶液中で促進化された。
活性化後水洗したプラスチックパネルおよび部品は、空
気または機械かくはんを行いながら54.4℃において
1.紛間該促進化溶液中に浸せきした。このニッケル無
電解メッキ工程によつて得られた部品およびパネルは光
沢があり均一な金属ニッケル被膜をフ有することが判つ
た。促進化溶液の調製にあたつて脱イオン水を用いるこ
とにより、塩化第2鉄または塩化第2銅イオンによる汚
染を防ぐことができる。
かかる溶液を用いた場合には置換アルキルアミンが存在
しなく・ても同様のすぐれた無電解ニッケルメッキが得
られることが観察できる。しかしながら、その溶液に塩
化第2鉄を添加して3価の鉄イオンを20mg/eの濃
度にすると無電解ニッケルメッキ被覆率は約90%減少
する。
一゜方、置換アルキルアミンを含む促進化溶液中に20
Tn9/′の3価鉄イオンが添加された場合には無電解
ニッケルメッキ被覆率は僅かに約10%低下するだけで
ある。実施例3 実施例1と同じプラスチック製パネルおよび部品を、3
0y/′の硫酸、15y/′の塩化ナトリウムおよび2
9/fのエチレン・ジアミン・テトラ酢酸(EDTA)
のテトラナトリウム塩を含有する促進化溶液を使用する
ほかは、実施例1と全く同様の方法て処理した。
該プラスチック製試験パネルおよび部品を促進化溶液中
に浸せきし、21.1℃〜65.6℃の範囲内の各種の
温度において(イ)秒〜3吟間処理した。
いずれの場合においても、引き続く無電解メッキ工程に
おいて光沢のある均一な金属ニッケル被膜が速みやかに
析出した。塩化銅および塩化第2鉄を用いて200m9
/eの第2銅イオンおよび10mg/fの第2鉄イオン
が添加されるように該水性促進化溶液を変性した。
この場合においても、満足できる無電解ニッケルメッキ
が生成し、無電解メッキ操作中においてはプラスチゾル
で保護されたラックの塗膜面上にはメッキ膜の生成は無
かつた。置換アルキルアミンを使用しないほかは、同じ
組成の水性促進化溶液を調製した。
試験パネルおよびプラスチック部品を実施例1と全く同
様の手順に従つて処理したところ、引き続くニッケル無
電解メッキ工程において50%〜100%のラックメッ
キが生成した。置換アルキルアミンを添加しないで、さ
らに200mg/eの第2銅イオンおよび10mg/′
の第2鉄イオンを水性促進化溶液中に追加したところ、
試験パネルおよび部品上へのニッケルメッキ膜の生成は
殆んど見られなかつた。実施例440y/′の硫酸、1
5q/eの塩化ナトリウムおよび10y/eのグリシン
を含む水性促進化溶液を使用するほかは、実施例1と全
く同様の手順に従つて、試験パネルおよびプラスチック
部品を処理した。
促進化工程においては試験パネルおよびプラスチック部
品を温度54.4℃において9[相]間浸せきした。引
き続く無電解メッキ工程終了後、パネルおよびプラスチ
ック部品上には光沢のある均一な金属ニッケルメッキが
生成した。20mg/eの第2鉄イオンを促進化溶液中
に追加したが、生成する無電解ニッケルメッキの性状に
は影響がみられなかつた。
しかしながら、グリシンを含まない促進化溶液中に同量
の第2鉄イオンを添加した場合には無電解メッキ工程終
了後、ニッケルメッキの生成は殆んどまたは全く見られ
なかつた。実施例5 50y/eのニッケル重硫酸塩、58ダ/′の塩化ナト
リウムおよび0.016y/e(7)EDTAのテトラ
ナトリウム塩を含む水性促進化溶液を使用するほかは、
実施例1と全く同様の手順に従つて試験パネルおよびプ
ラスチック部品を処理した。
該溶液を用いて54.4℃、9囲2間促進化を行つた。
引き続く無電解メッキ工程終了後、光沢のある均一なニ
ッケル金属膜が得られた。この優れた成果は通常の不純
物として0.0276重量%の鉄分を含む市販のナトリ
ウム重硫酸塩を使用したにも拘らず得られたものである
。この場合、該水性促進化溶液は13.8mg/′の第
2鉄イオンを含有していたことになる。置換アルキルア
ミンを添加することなしに同様の促進化溶液を調製した
無電解メッキ工程後、試験パネルおよびプラスチック部
品上には暗色で不完全な金属析出被膜がみられ、プラス
チック表面の僅か約85%がメッキされたに過ぎなかつ
た。この促進化溶液に第2銅イオンを5m9/′を添加
したところ、メッキ被覆率はさらに70%に低下した。
第2銅イオン10m9/eを添加した場合には、ニッケ
ルメッキの被覆率はさらに低下してパネルおよび部品の
表面が僅か10%にすぎなくなつた。
最終濃度が20mg/eになるように第2銅イオンを添
加した場合にはニッケルメッキ被覆率は実質上ゼロにな
る。20mg/eの第2銅イオンおよび13.8mg/
eの第2鉄イオンを含む該溶液中に1y/eのEDTA
のテトラナトリウム塩を添加すると無電解ニッケル膜の
析出はただちに回復して、少なくともプラスチック表面
の約98%〜100%におよふ被覆率が得られる。
本明細書に開示した透明は以上に述べた利益とノ有利性
を達成するための代表例を示したものてあるが、発明の
精神から逸脱しない限り修正および変形などが可能であ
ることが理解できよう。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 高分子プラスチック性基質が無電解メッキを受けや
    すくするための前処理方法において、該前処理が6価ク
    ロムイオンを含む水性の酸溶液による基質のエッチング
    工程、水洗およびエッチング後の基質の酸性スズ−白金
    錯体による活性化工程、水洗および活性化後の基質の促
    進化工程から成り、かつ上記促進化工程が活性化後の基
    質を水性の酸性促進溶液と接触させる改良方法から成り
    、該溶液のpHが0〜7であり、また該溶液が活性化後
    の基質表面上に存在する実質上すべての第2銅イオンと
    第2鉄イオンを錯化すると共に表面上に残留するすべて
    のスズ化合物を抽出するために十分な量の水溶性で相溶
    性の置換アルキルアミンおよび120g/lの鉱酸アニ
    オンまたはそのアルカリ金属塩を含む溶液であることを
    特徴とする前処理方法。 ここで該置換アルキルアミンは次の構造式に相当するも
    のである。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここで、 R_1は有機ラジカル▲数式、化学式、表等があります
    ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 あるいは ▲数式、化学式、表等があります▼ ここでxとyは1〜4; R、R_2とR_3はHまたは▲数式、化学式、表等が
    あります▼ここでzは1〜6および xは−OH、−SO_3H、−COOH、−NH_2、
    ハライド、−CH_3または−OCH_3ならびにこれ
    らのアルカリ金属塩である。 2 該置換アルキルアミンが0.001〜100g/l
    の量において含まれることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項に記載の方法。3 該アニオンがハロゲン、硫酸
    塩、重硫酸塩およびこれらの混合物から成る群から選ば
    れることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方
    法。 4 該水性促進化溶液が、残留するすべての6価クロム
    イオンを3価のクロム状態に還元するための水溶性の相
    溶還元剤の有効量を含むことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項に記載の方法。 5 該還元剤がヒドロキシルアミン塩から成ることを特
    徴とする特許請求の範囲第4項に記載の方法。 6 該ヒドロキシルアミン塩が0.005〜10g/l
    の量で存在することを特徴とする特許請求の範囲第5項
    に記載の方法。 7 ヒドロキシルアミン塩がヒドロキシルアミン塩酸塩
    、ヒドロキシルアンモニウム・酸性硫酸塩、ヒドロキシ
    ルアンモニウム・硫酸塩およびこれらの混合物から成る
    群から選択されることを特徴とする特許請求の範囲第6
    項に記載の方法。 8 該アニオンが40〜90g/lの量で存在すること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方法。 9 該置換脂肪族アミンがエチレンジアミンテトラ酢酸
    およびそのモノ、ジ、トリおよびテトラアルカリ金属塩
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    方法。
JP54135843A 1978-10-20 1979-10-20 メツキ処理に先立つプラスチツク性被メツキ基質の前処理方法 Expired JPS6049717B2 (ja)

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