JPS6050009B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS6050009B2 JPS6050009B2 JP57221403A JP22140382A JPS6050009B2 JP S6050009 B2 JPS6050009 B2 JP S6050009B2 JP 57221403 A JP57221403 A JP 57221403A JP 22140382 A JP22140382 A JP 22140382A JP S6050009 B2 JPS6050009 B2 JP S6050009B2
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- dielectric constant
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- high dielectric
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Links
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミックコンデンサ用材料に適した焼結温度
の低い高誘電率磁器組成物に関するものである。
の低い高誘電率磁器組成物に関するものである。
従来例の構成とその問題点
誘電材料の具備すべき特性は用途により異なるが、セラ
ミックコンデンサでは誘電率及び比抵抗が大きく、誘電
正接が小さく、かつ焼結温度の低いことが要求される。
ミックコンデンサでは誘電率及び比抵抗が大きく、誘電
正接が小さく、かつ焼結温度の低いことが要求される。
誘電率が大きいことは素子の小形化にとつて重要な条件
である。焼結温度の低いことは、磁器材料の焼成の際に
、焼成炉の炉材に安価なものを使用できることおよび焼
成のエネルギーが少なくてすむことなど工業的価値が大
きい。また、積層型セラミックコンデンサにおいて、焼
結温度が低いと内部電極として銀を主成分とする比較的
安価な電極材料を用いることができるため、コンデンサ
の価格をいちじるしく下げることができる。従来、高誘
電率のセラミックコンデンサ用材料としては、チタン酸
バリウム系磁器が用いられてきた。
である。焼結温度の低いことは、磁器材料の焼成の際に
、焼成炉の炉材に安価なものを使用できることおよび焼
成のエネルギーが少なくてすむことなど工業的価値が大
きい。また、積層型セラミックコンデンサにおいて、焼
結温度が低いと内部電極として銀を主成分とする比較的
安価な電極材料を用いることができるため、コンデンサ
の価格をいちじるしく下げることができる。従来、高誘
電率のセラミックコンデンサ用材料としては、チタン酸
バリウム系磁器が用いられてきた。
しかし、この材料は焼結温度が１３００〜１４００℃と
高いため、積層セラミックコンデンサを製造する場合に
は、その焼結温度に適した高価な白金またはパラジウム
を主成分とする内部電極を使用しなければならない欠点
があつた。発明の目的 本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が１０００℃以
下と低く、かつ比抵抗の大きい高誘電率磁器組成物を提
供することを目的とするものである。
高いため、積層セラミックコンデンサを製造する場合に
は、その焼結温度に適した高価な白金またはパラジウム
を主成分とする内部電極を使用しなければならない欠点
があつた。発明の目的 本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が１０００℃以
下と低く、かつ比抵抗の大きい高誘電率磁器組成物を提
供することを目的とするものである。
発明の構成本発明の組成物は、Ｐｂ（Ｎｉ、Ｉ。
Ｎｂ。Ｉ。）ｘ（Ｆｅ、／２ＮＹ）、１、）ｙ（Ｆｅ２
／３Ｗ、Ｉａ）ＺＯ、で表わされ、かつ組成比が０．０
１≦Ｘ≦０．４０、０．４５≦ｙ≦０．８０、および０
．０５≦ｚ≦０．５０（ただし、ｘｆｙ＋ｚ＝１）・の
範囲内にある組成物を主成分とし、さらに副成分として
マンガン（Ｍｎ）９クロム（Ｃｒ）９コバルト（Ｃｏ）
、およびリチウム（Ｌｉ）の中の少なくとも一つの元素
を酸化物（ＭｎＯ。、Ｃｒ。Ｏ。、ＣｏＯ、Ｌｉ２Ｏ）
の重量に換算して０．０１〜１．５重量％含有さ・せて
、上記目的を達成したものである。実施例の説明 原料として、ＰｂＯ、ＮｉＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｎｂ２ｑ、
ＷＯ３，ＭｎＯ２，ｃｒ２Ｏ３，ｃＯＯおよびＬｉ２Ｃ
Ｏ３を用いて、これらを下表に示した組成比になるよう
秤量し、湿式て混合した。
／３Ｗ、Ｉａ）ＺＯ、で表わされ、かつ組成比が０．０
１≦Ｘ≦０．４０、０．４５≦ｙ≦０．８０、および０
．０５≦ｚ≦０．５０（ただし、ｘｆｙ＋ｚ＝１）・の
範囲内にある組成物を主成分とし、さらに副成分として
マンガン（Ｍｎ）９クロム（Ｃｒ）９コバルト（Ｃｏ）
、およびリチウム（Ｌｉ）の中の少なくとも一つの元素
を酸化物（ＭｎＯ。、Ｃｒ。Ｏ。、ＣｏＯ、Ｌｉ２Ｏ）
の重量に換算して０．０１〜１．５重量％含有さ・せて
、上記目的を達成したものである。実施例の説明 原料として、ＰｂＯ、ＮｉＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｎｂ２ｑ、
ＷＯ３，ＭｎＯ２，ｃｒ２Ｏ３，ｃＯＯおよびＬｉ２Ｃ
Ｏ３を用いて、これらを下表に示した組成比になるよう
秤量し、湿式て混合した。
混合物それぞれを乾燥後７５０℃で２時間仮焼したのち
、ボールミルで湿式粉砕した。乾燥後、ポリビニルアル
コールの水溶液をバインダとして直径１３７ｗｔ１長さ
約８７ＷＥの円柱状に加圧成形し、バインダを焼却した
後、これを＊＊マグネシア磁器容器に入れ、８４０〜Ｇ
８Ｏ℃の範囲内の温度で２時間焼成した。焼成した磁器
を厚さ１顛に切断し、それぞれの両面にＣｒ−Ａｕを蒸
着した後、誘電率εｒと誘電正接Ｄを１ＫＨｚ，１Ｖ／
ＴｌＯｎで室温において測定した。また、比抵抗は室温
で１ＫＶ／Ｔｎ！ｎで測定した。その結果を下表に示す
。上表てＮＯ．ｌ，６，ｌｌ，ｌ６，２３，２７，３Ｏ
，３６，３８，４Ｏ，４ｌ，４５の各試料は本発明の範
囲外のものてあり、ＮＯ．２〜５，７〜１０，１２〜１
５，１７〜２２，２４〜２６，２８，２９，３１〜３５
，３７，３９，４２〜４４，４６〜４９．の各試料が本
発明の範囲内の実施例である。上表から明らかなように
本発明の範囲内の組成物よりなる磁器は主成分に対して
副成分として、Ｍｎ，ＣｒＣＯおよびＬｉの中の一種類
以上の元素を含有させることにより、比抵抗を大きくす
ることがてきるとともに誘電正接を小さくすることがで
きる。また、本発明の組成物は誘電率が大きく（８１４
０〜２４１００）かつ焼成温度が低い（８４０〜９８０
′Ｃ）という主成分組成の特長も保持している。なお、
副成分の含有量が１．５重量％を超える組成および０．
０１重量％未満の組成では、比抵抗の改善に効果がない
ため、本発明の範囲から除いた。
、ボールミルで湿式粉砕した。乾燥後、ポリビニルアル
コールの水溶液をバインダとして直径１３７ｗｔ１長さ
約８７ＷＥの円柱状に加圧成形し、バインダを焼却した
後、これを＊＊マグネシア磁器容器に入れ、８４０〜Ｇ
８Ｏ℃の範囲内の温度で２時間焼成した。焼成した磁器
を厚さ１顛に切断し、それぞれの両面にＣｒ−Ａｕを蒸
着した後、誘電率εｒと誘電正接Ｄを１ＫＨｚ，１Ｖ／
ＴｌＯｎで室温において測定した。また、比抵抗は室温
で１ＫＶ／Ｔｎ！ｎで測定した。その結果を下表に示す
。上表てＮＯ．ｌ，６，ｌｌ，ｌ６，２３，２７，３Ｏ
，３６，３８，４Ｏ，４ｌ，４５の各試料は本発明の範
囲外のものてあり、ＮＯ．２〜５，７〜１０，１２〜１
５，１７〜２２，２４〜２６，２８，２９，３１〜３５
，３７，３９，４２〜４４，４６〜４９．の各試料が本
発明の範囲内の実施例である。上表から明らかなように
本発明の範囲内の組成物よりなる磁器は主成分に対して
副成分として、Ｍｎ，ＣｒＣＯおよびＬｉの中の一種類
以上の元素を含有させることにより、比抵抗を大きくす
ることがてきるとともに誘電正接を小さくすることがで
きる。また、本発明の組成物は誘電率が大きく（８１４
０〜２４１００）かつ焼成温度が低い（８４０〜９８０
′Ｃ）という主成分組成の特長も保持している。なお、
副成分の含有量が１．５重量％を超える組成および０．
０１重量％未満の組成では、比抵抗の改善に効果がない
ため、本発明の範囲から除いた。
また、主成分の組成範囲は８０００以上の誘電率が得ら
れ、かつ焼結温度が１０００℃以下の組成（ｘ＝０．０
１〜０．４０，ｙ＝０．４５〜０．８０，ｚ＝０．０５
〜０．５０）に限定した。実施例では原料として前記の
物質を使用したがこれらの他に、他の酸化物，焼成によ
り酸化物になる原料たとえば炭酸塩などを用いても同等
の効果が得られることは言うまでもない。
れ、かつ焼結温度が１０００℃以下の組成（ｘ＝０．０
１〜０．４０，ｙ＝０．４５〜０．８０，ｚ＝０．０５
〜０．５０）に限定した。実施例では原料として前記の
物質を使用したがこれらの他に、他の酸化物，焼成によ
り酸化物になる原料たとえば炭酸塩などを用いても同等
の効果が得られることは言うまでもない。
発明の効果
本発明の組成物は誘電率が大きく、誘電正接が比較的小
さく、比抵抗が大きいため、セラミックコンデンサ用材
料に適しているとともに、１００００Ｃ以下の低い温度
で焼成できるため、焼成炉の炉材に安価なものを使用で
きること及び焼成のエネルギーが少なくてすむことなど
工業的価値が大き１い。
さく、比抵抗が大きいため、セラミックコンデンサ用材
料に適しているとともに、１００００Ｃ以下の低い温度
で焼成できるため、焼成炉の炉材に安価なものを使用で
きること及び焼成のエネルギーが少なくてすむことなど
工業的価値が大き１い。
Claims (1)
- １ Ｐｂ（Ｎｉ＿１／＿３Ｎｂ＿２／３）＿ｘ（Ｆｅ＿
１／＿２Ｎｂ＿１／＿２）＿ｙ（Ｆｅ＿２／＿３Ｗ＿１
／＿３）＿ｚＯ＿３で表わされ、組成比が０．０１≦ｘ
≦０．４０、０．４５≦ｙ≦０．８０および０．０５≦
ｚ≦０．５０（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の範囲内にあ
る組成物を主成分とし、さらにマンガン（Ｍｎ）、クロ
ム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、およびリチウム（Ｌｉ
）の中の少なくとも一つの元素を副成分として酸化物（
ＭｎＯ＿２、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、ＣｏＯ、Ｌｉ＿２Ｏ）の
重量に換算して０．０１〜１．５重量％含有させたこと
を特徴とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57221403A JPS6050009B2 (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 高誘電率磁器組成物 |
| US06/532,911 US4555494A (en) | 1982-09-17 | 1983-09-16 | Dielectric ceramic compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57221403A JPS6050009B2 (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59111201A JPS59111201A (ja) | 1984-06-27 |
| JPS6050009B2 true JPS6050009B2 (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=16766200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57221403A Expired JPS6050009B2 (ja) | 1982-09-17 | 1982-12-16 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050009B2 (ja) |
-
1982
- 1982-12-16 JP JP57221403A patent/JPS6050009B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59111201A (ja) | 1984-06-27 |
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