JPS6050461A - 非破壊絶縁試験方法 - Google Patents
非破壊絶縁試験方法Info
- Publication number
- JPS6050461A JPS6050461A JP16063583A JP16063583A JPS6050461A JP S6050461 A JPS6050461 A JP S6050461A JP 16063583 A JP16063583 A JP 16063583A JP 16063583 A JP16063583 A JP 16063583A JP S6050461 A JPS6050461 A JP S6050461A
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- JP
- Japan
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- gas
- resistance
- insulation
- pressure
- atmosphere
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、電気機器の絶縁性能の良否を診断する非破
壊絶縁試験方法、特に被試験機器を圧力容器に入れ、こ
の圧力容器内の圧力および気体の種類を変えて被試験機
器の絶縁抵抗を測定するようにした被破壊Ｐ線試験方法
に関するものである。
壊絶縁試験方法、特に被試験機器を圧力容器に入れ、こ
の圧力容器内の圧力および気体の種類を変えて被試験機
器の絶縁抵抗を測定するようにした被破壊Ｐ線試験方法
に関するものである。
従来のこの種の絶縁試験には以下に示すものがあった。
第１図には、コイル等の絶縁試験のモデルとして用られ
る試料１０が示されている。図において、／は導体、コ
は導体ｌの絶縁物、３＆ま絶縁物−の１の長さに対して
絶縁距離を両端１コずつ残したＬｌの長さに取り付けら
れた電極である。
る試料１０が示されている。図において、／は導体、コ
は導体ｌの絶縁物、３＆ま絶縁物−の１の長さに対して
絶縁距離を両端１コずつ残したＬｌの長さに取り付けら
れた電極である。
第一図には、従来の試験装置の概略図が示されている。
第２図において、１０は第１図に示した試料であり、こ
の試料ＩＯの導体ｌと電極３との間には、電源Ｅと絶縁
抵抗測定器Ａが直列に接続されている。そして電源ＥＫ
よって電圧が印加され。
の試料ＩＯの導体ｌと電極３との間には、電源Ｅと絶縁
抵抗測定器Ａが直列に接続されている。そして電源ＥＫ
よって電圧が印加され。
その漏れ電流を絶縁抵抗測定器ＡＫよってめることによ
り絶縁抵抗を測定する。なお１通常、簡易的にはメガオ
ームメータを用いる。また、第一図の電気的等価回路を
示すと第３図のようになる。
り絶縁抵抗を測定する。なお１通常、簡易的にはメガオ
ームメータを用いる。また、第一図の電気的等価回路を
示すと第３図のようになる。
第３図において、Ｒ’、Ａはそれぞれ電源、絶縁抵抗測
定器であり、ＲＶは絶縁物２０体積抵抗−Ｒｓは電極３
より導体ｌまでの終縁物コの長さｌｊ（第１図参照）に
相当する部分の表面抵抗、そしてＲＡは、やはり電極３
より導体ｌまでの絶縁物ユの長さ１．２（第１図参照）
に相当する部分の雰囲気の気体抵抗である。これらの３
つの抵抗Ｒｖ＋Ｒｓ＋ＲＡは、電源Ｅと絶縁抵抗測定器
Ａとにそれぞれ並列に接続されている。
定器であり、ＲＶは絶縁物２０体積抵抗−Ｒｓは電極３
より導体ｌまでの終縁物コの長さｌｊ（第１図参照）に
相当する部分の表面抵抗、そしてＲＡは、やはり電極３
より導体ｌまでの絶縁物ユの長さ１．２（第１図参照）
に相当する部分の雰囲気の気体抵抗である。これらの３
つの抵抗Ｒｖ＋Ｒｓ＋ＲＡは、電源Ｅと絶縁抵抗測定器
Ａとにそれぞれ並列に接続されている。
第３図の等何回路より５第一図の試験方法で得られる試
料の全体の抵抗値Ｒは と表わすことができる。通常、被試験機器の表面状態が
良い場合、低温度雰囲気中でＳ緑抵抗を測定すると体積
抵抗Ｒｖ 、表面抵抗Ｒ８および雰囲気の気体抵抗ＲＡ
が共産大きな絶縁抵抗値を有するので、（１）式におけ
る全体の絶縁抵抗値Ｒは当然大きくなる。しかし、被試
験機器の表面状態が吸湿性の抵抗粉塵で汚損されている
場合は表面抵抗Ｒ８が小さくなり、体積抵抗Ｒｖ、測定
雰囲気の気体抵抗ＲＡが大きくても、（１）式の全体の
絶縁抵抗値Ｒはほとんど表面抵抗Ｒｓと同じ値を示す。
料の全体の抵抗値Ｒは と表わすことができる。通常、被試験機器の表面状態が
良い場合、低温度雰囲気中でＳ緑抵抗を測定すると体積
抵抗Ｒｖ 、表面抵抗Ｒ８および雰囲気の気体抵抗ＲＡ
が共産大きな絶縁抵抗値を有するので、（１）式におけ
る全体の絶縁抵抗値Ｒは当然大きくなる。しかし、被試
験機器の表面状態が吸湿性の抵抗粉塵で汚損されている
場合は表面抵抗Ｒ８が小さくなり、体積抵抗Ｒｖ、測定
雰囲気の気体抵抗ＲＡが大きくても、（１）式の全体の
絶縁抵抗値Ｒはほとんど表面抵抗Ｒｓと同じ値を示す。
また１例えば絶縁物に放電路となるような欠陥部が生じ
た場合は、その体積抵抗Ｒｖが小さくなり、表面抵抗Ｒ
ｓ、雰囲気の気体抵抗ＲＡが大きくても全体の絶縁抵抗
値Ｒはほとんど体積抵抗Ｒｖと同じ値を示す。
た場合は、その体積抵抗Ｒｖが小さくなり、表面抵抗Ｒ
ｓ、雰囲気の気体抵抗ＲＡが大きくても全体の絶縁抵抗
値Ｒはほとんど体積抵抗Ｒｖと同じ値を示す。
以上のように、従来の試験方法では、第３図のような等
何回路となっている場合は、絶縁物の表面の汚損、或い
はＰＲ物の欠陥部処する絶縁欠陥が検出できた。しかし
、例えば第グ図に示すように−ｉ緑物コの１２の長さの
内２コａで示されたＩＪの長さの分のみ汚損粉塵が付着
して表面抵抗が小さくなっており、コｂで示されたＪ−
夕゛の部分が健全で大きな表面抵抗をもっている場合が
ある。
何回路となっている場合は、絶縁物の表面の汚損、或い
はＰＲ物の欠陥部処する絶縁欠陥が検出できた。しかし
、例えば第グ図に示すように−ｉ緑物コの１２の長さの
内２コａで示されたＩＪの長さの分のみ汚損粉塵が付着
して表面抵抗が小さくなっており、コｂで示されたＪ−
夕゛の部分が健全で大きな表面抵抗をもっている場合が
ある。
この時の等何回路は第５図のようになる、第Ｓ図におい
て、Ｒ８ａ’ ＊ Ｒ８ｂはそれぞれ絶縁物２の、２ａ
。
て、Ｒ８ａ’ ＊ Ｒ８ｂはそれぞれ絶縁物２の、２ａ
。
コｂの部分の表面抵抗であり、その他の部分は第３図と
同じ符号を付しである。そこで、この時の絶縁抵抗値Ｒ
′は となる。この時、絶縁物−の体積抵抗Ｒｖ、雰囲気の気
体抵抗ＲＡおよび絶、緑物コのｕｂの部分の表面抵抗Ｒ
８ｂが十分大きいと、絶縁物−のλａの部分の表面抵抗
Ｒｓａが非常に小さい抵抗値であっても全体の絶縁抵抗
値Ｗは大きい値となり、実際の機器のメンテナンス等を
行なう場合に誤った判断を下す可能性がある。また、第
６図に示すように、絶縁物コに穴があくなどして欠陥部
！が生じていても、欠陥部りに絶縁抵抗の高い雰囲気が
充填されている場合がある。この時の等何回路は第７図
のようになる。第７図において、Ｒ８には欠陥部５０表
面抵抗であり、これに直列に接続されているＲＡは欠陥
部Ｓ中の雰囲気の気体抵抗を示している。その他の部分
は第３図と同じ符号を付しである。この時の絶縁抵抗値
Ｒ１は、 と表わされる。そして、絶縁物２０体積抵抗と表面抵抗
Ｒｖ、Ｒｓおよび雰囲気の気体抵抗ＲＡが大きく、かつ
欠陥部の表面抵抗Ｒｓｒも十分大きい場合には、測定さ
れる絶縁抵抗値Ｒ“は大きい値を示し、この場合も欠陥
を見逃すことになる。従来の試験方法には、以上のよう
な欠点があった。
同じ符号を付しである。そこで、この時の絶縁抵抗値Ｒ
′は となる。この時、絶縁物−の体積抵抗Ｒｖ、雰囲気の気
体抵抗ＲＡおよび絶、緑物コのｕｂの部分の表面抵抗Ｒ
８ｂが十分大きいと、絶縁物−のλａの部分の表面抵抗
Ｒｓａが非常に小さい抵抗値であっても全体の絶縁抵抗
値Ｗは大きい値となり、実際の機器のメンテナンス等を
行なう場合に誤った判断を下す可能性がある。また、第
６図に示すように、絶縁物コに穴があくなどして欠陥部
！が生じていても、欠陥部りに絶縁抵抗の高い雰囲気が
充填されている場合がある。この時の等何回路は第７図
のようになる。第７図において、Ｒ８には欠陥部５０表
面抵抗であり、これに直列に接続されているＲＡは欠陥
部Ｓ中の雰囲気の気体抵抗を示している。その他の部分
は第３図と同じ符号を付しである。この時の絶縁抵抗値
Ｒ１は、 と表わされる。そして、絶縁物２０体積抵抗と表面抵抗
Ｒｖ、Ｒｓおよび雰囲気の気体抵抗ＲＡが大きく、かつ
欠陥部の表面抵抗Ｒｓｒも十分大きい場合には、測定さ
れる絶縁抵抗値Ｒ“は大きい値を示し、この場合も欠陥
を見逃すことになる。従来の試験方法には、以上のよう
な欠点があった。
この発明は上記のような従来の試験方法の欠点を除去す
るためになされたもので、被試験機器を圧力容器の内に
入れ、この圧力容器内のガス圧およびガスの種類を変え
ることにより、被試験機器の雰囲気の気体抵抗を変化さ
せることにより、的確に絶縁欠陥が把握できるようＫし
た被破壊終縁試験方法を提供することを目的としている
。
るためになされたもので、被試験機器を圧力容器の内に
入れ、この圧力容器内のガス圧およびガスの種類を変え
ることにより、被試験機器の雰囲気の気体抵抗を変化さ
せることにより、的確に絶縁欠陥が把握できるようＫし
た被破壊終縁試験方法を提供することを目的としている
。
以下、この発明の一実施例について説明する。
第ｇ図には、実際の試験装置が示されている。図におい
て、１０は試料、Ｅは試料ＩＯの導体／と電極３０間に
電圧を印加するための電源、Ａ）まその漏れ電流を測定
する絶縁抵抗測定器であり５これらは第１図および第一
図に示した従来の試験方法のものと同じである。ＳＯは
圧力容器であり、試料ｌＯはこの中に入れられている。
て、１０は試料、Ｅは試料ＩＯの導体／と電極３０間に
電圧を印加するための電源、Ａ）まその漏れ電流を測定
する絶縁抵抗測定器であり５これらは第１図および第一
図に示した従来の試験方法のものと同じである。ＳＯは
圧力容器であり、試料ｌＯはこの中に入れられている。
Ｕ／は圧力容器２０内の圧力を示す圧力計、−一は圧力
容器ＳＯの中の圧力を変えるための真空ポンプ１．２３
は圧力容器−〇と真空ポンプユコをつなぐ管に設けられ
たバルブである。そこで、実験として、まず、第１図に
示した試料ＩＯの絶縁距離１コがｌミリメートルのもの
とクミリメートルのものを用意した。そして、これを圧
力容器２０の中に入れ。
容器ＳＯの中の圧力を変えるための真空ポンプ１．２３
は圧力容器−〇と真空ポンプユコをつなぐ管に設けられ
たバルブである。そこで、実験として、まず、第１図に
示した試料ＩＯの絶縁距離１コがｌミリメートルのもの
とクミリメートルのものを用意した。そして、これを圧
力容器２０の中に入れ。
空気中および空気より最小火花電圧の低い気体としてヘ
リウムガス中で、一定印加電圧のもとにガス圧を下げて
いった時のみかけの絶縁抵抗を測定し、それぞれのガス
圧と絶縁抵抗の特性をめてみた。その結果が第９図に示
すものである。第を図において、縦軸には絶縁抵抗が終
縁抵抗指数（ｌｏｇｔｏＲ）としてとってあり、また横
軸にはガス圧力ｌ１１１Ｈｆ でとっである。曲線Ａ／
、Ａ４’、Ｈ／、Ｈグはそれぞれの特性を示しＡ／は空
気中の絶縁距離１コがｌミリのもの、Ａｌ’は空気中の
絶縁距離１−がｌミリのもの、Ｈ／はヘリウムガス中の
絶縁距離１コがｌミリのもの、セしてＨ４１はヘリウム
ガス中の絶縁距離１コがｑミリのものである。第９図か
られかったことは、放電が開始することにより見かけの
Ｐ縁抵抗値は急激に低下すること、また、電極間距離に
当る絶縁距離およびガスの種類が異なると絶縁抵抗が急
激に低下を始めるガス圧が歴然と異なることである。ま
た、絶縁距離が短いと放電を開始するガス圧は大きくな
っており。
リウムガス中で、一定印加電圧のもとにガス圧を下げて
いった時のみかけの絶縁抵抗を測定し、それぞれのガス
圧と絶縁抵抗の特性をめてみた。その結果が第９図に示
すものである。第を図において、縦軸には絶縁抵抗が終
縁抵抗指数（ｌｏｇｔｏＲ）としてとってあり、また横
軸にはガス圧力ｌ１１１Ｈｆ でとっである。曲線Ａ／
、Ａ４’、Ｈ／、Ｈグはそれぞれの特性を示しＡ／は空
気中の絶縁距離１コがｌミリのもの、Ａｌ’は空気中の
絶縁距離１−がｌミリのもの、Ｈ／はヘリウムガス中の
絶縁距離１コがｌミリのもの、セしてＨ４１はヘリウム
ガス中の絶縁距離１コがｑミリのものである。第９図か
られかったことは、放電が開始することにより見かけの
Ｐ縁抵抗値は急激に低下すること、また、電極間距離に
当る絶縁距離およびガスの種類が異なると絶縁抵抗が急
激に低下を始めるガス圧が歴然と異なることである。ま
た、絶縁距離が短いと放電を開始するガス圧は大きくな
っており。
この現象はパッシェンの法則の火花発生電圧は雰囲気の
圧力とギャップの長さの積に正比例するとい５事実を裏
付けている。
圧力とギャップの長さの積に正比例するとい５事実を裏
付けている。
この実験の場合、体積抵抗および浴面絶縁の表面抵抗は
雰囲気のガス圧により変化することがなくても、電極間
距離つまり絶縁距離の間における雰囲気の気体抵抗が変
化すること妊より清面放電が生じ、これによって放電電
流が流れ、みかけの絶縁抵抗が変化する。そこで放電を
開始する時のみかけの？縁抵抗値をｒとし、その時の雰
囲気のガス圧なｐ、絶縁距離を１、雰囲気のガスの種類
による係類をｋとすると、 ｒｃｘ−ｋＸ ｐ Ｘ １ ・・・（ｇｌと表わすこと
ができる。第７図に示したような絶縁抵抗の低い汚損物
が付着している試料では、結果的に絶縁距離が短かくな
っている。従って、みかけの絶縁抵抗値ｒが小さくなっ
ているため、汚損物のない試料に比べて高いガス圧で放
電が開始するので、汚損の有無がはっきりと見分けるこ
とができる。また、ガスの種類による差異については、
ヘリウムガスの最小火花電圧時の雰囲気のガス圧ｐとギ
ャップの長さ、つまり絶縁距離Ｊの積ｐｘＪ−が空気の
場合よりかなり大きく、一定印加電圧時の放電開始ガス
圧は、ヘリウムガスの方が空気疋比べて大きいことがわ
かる。これは（ダ）式のｋの値が空気とヘリウムではヘ
リウムの方が小さいということからも理解でき、このこ
とは、この実験を実際にコイルの船縁試験等に適用する
際、圧力容器の真空度が、空気の場合に比べて低（設計
でき、装置が安価にできることになる。さらに、この実
験では、絶縁抵抗測定器として超？縁抵抗計および５ｏ
ｏｖメガオームメータを用いたが、測定後の試料の放電
による劣化を調べたが損傷もなく、簡易で、安全で、確
実な絶縁試験方法であることもわかった。
雰囲気のガス圧により変化することがなくても、電極間
距離つまり絶縁距離の間における雰囲気の気体抵抗が変
化すること妊より清面放電が生じ、これによって放電電
流が流れ、みかけの絶縁抵抗が変化する。そこで放電を
開始する時のみかけの？縁抵抗値をｒとし、その時の雰
囲気のガス圧なｐ、絶縁距離を１、雰囲気のガスの種類
による係類をｋとすると、 ｒｃｘ−ｋＸ ｐ Ｘ １ ・・・（ｇｌと表わすこと
ができる。第７図に示したような絶縁抵抗の低い汚損物
が付着している試料では、結果的に絶縁距離が短かくな
っている。従って、みかけの絶縁抵抗値ｒが小さくなっ
ているため、汚損物のない試料に比べて高いガス圧で放
電が開始するので、汚損の有無がはっきりと見分けるこ
とができる。また、ガスの種類による差異については、
ヘリウムガスの最小火花電圧時の雰囲気のガス圧ｐとギ
ャップの長さ、つまり絶縁距離Ｊの積ｐｘＪ−が空気の
場合よりかなり大きく、一定印加電圧時の放電開始ガス
圧は、ヘリウムガスの方が空気疋比べて大きいことがわ
かる。これは（ダ）式のｋの値が空気とヘリウムではヘ
リウムの方が小さいということからも理解でき、このこ
とは、この実験を実際にコイルの船縁試験等に適用する
際、圧力容器の真空度が、空気の場合に比べて低（設計
でき、装置が安価にできることになる。さらに、この実
験では、絶縁抵抗測定器として超？縁抵抗計および５ｏ
ｏｖメガオームメータを用いたが、測定後の試料の放電
による劣化を調べたが損傷もなく、簡易で、安全で、確
実な絶縁試験方法であることもわかった。
この試験方法を、実際のコイル等の絶縁試験に適用する
際には、予じめそのコイル等の未使用のもののガス圧と
絶縁抵抗の特性、或いはそのコイルの健全サンプルのガ
ス圧と絶縁抵抗の特性を調べてオキ、これと実際に試験
されるべきコイルの特性とを比較することにより、絶縁
性能の良否を簡易に、安全にそして確実に判定すること
ができる。すなわち、絶縁試験されるべきコイルのＩＰ
緑低抵抗急激に低下するガス圧が未使用のもの、或いは
健全サンプルのもののそれより高くなっていれば、絶縁
距離が短かくなっているか、或いは対地Ｐ縁に欠陥があ
ることを示しており、それぞれのコイルの使用情況に応
じて、不良状態を把握することができる。
際には、予じめそのコイル等の未使用のもののガス圧と
絶縁抵抗の特性、或いはそのコイルの健全サンプルのガ
ス圧と絶縁抵抗の特性を調べてオキ、これと実際に試験
されるべきコイルの特性とを比較することにより、絶縁
性能の良否を簡易に、安全にそして確実に判定すること
ができる。すなわち、絶縁試験されるべきコイルのＩＰ
緑低抵抗急激に低下するガス圧が未使用のもの、或いは
健全サンプルのもののそれより高くなっていれば、絶縁
距離が短かくなっているか、或いは対地Ｐ縁に欠陥があ
ることを示しており、それぞれのコイルの使用情況に応
じて、不良状態を把握することができる。
な′お、上記実施例では、Ｄ小火孔電圧が空気より小さ
い気体とじずヘリウムガスをあげたが、不活性ガスであ
るアルゴンガス、或は窒素ガス等でもよい。また適用機
器もコイルに限られるものではなく、プリント基板等の
電気回路と絶縁部分から構成される部品等の絶縁試験に
も適用できる。
い気体とじずヘリウムガスをあげたが、不活性ガスであ
るアルゴンガス、或は窒素ガス等でもよい。また適用機
器もコイルに限られるものではなく、プリント基板等の
電気回路と絶縁部分から構成される部品等の絶縁試験に
も適用できる。
以上のようにこの発明によれば、絶縁抵抗を測定する際
、被試験機器の雰囲気のガス圧およびガスの種類を変え
て、雰囲気の気体抵抗を下げることにより、従来測定し
ても見逃しがちであった汚損等による絶縁欠陥を容易に
、安全に、そして的確に検出できるようになった。
、被試験機器の雰囲気のガス圧およびガスの種類を変え
て、雰囲気の気体抵抗を下げることにより、従来測定し
ても見逃しがちであった汚損等による絶縁欠陥を容易に
、安全に、そして的確に検出できるようになった。
第１図はＰ線抵抗を測定する試料のｆ１１図、第一図は
従来の試験装置の概略図、第３図は第一図の電気的等価
回路図、第弘図は汚損のある試料の斜視図、第Ｓ図は第
ｖ図の試料の電気的等価回路図、第６図は欠陥のある試
料の長手方向の断面図、第７図は第６図の試料の電気的
等価回路図、第を図はこの発明の一実施例の試験装置の
概略図、第９図はガス圧を絶縁抵抗の特性を示す線図。 Ｅ・・電源、Ａ・・絶縁抵抗測定器、ＩＯ・・試料、−
〇・・圧力容器、Ｕ／・・圧力計１．２２・・真空ポン
プ＋２３・・パルプ０ 尚、図中、同一符号は、同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 ん１図 懲２図 先３図 篤４図 ｂ ん５図
従来の試験装置の概略図、第３図は第一図の電気的等価
回路図、第弘図は汚損のある試料の斜視図、第Ｓ図は第
ｖ図の試料の電気的等価回路図、第６図は欠陥のある試
料の長手方向の断面図、第７図は第６図の試料の電気的
等価回路図、第を図はこの発明の一実施例の試験装置の
概略図、第９図はガス圧を絶縁抵抗の特性を示す線図。 Ｅ・・電源、Ａ・・絶縁抵抗測定器、ＩＯ・・試料、−
〇・・圧力容器、Ｕ／・・圧力計１．２２・・真空ポン
プ＋２３・・パルプ０ 尚、図中、同一符号は、同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 ん１図 懲２図 先３図 篤４図 ｂ ん５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 電気様器の絶縁性能の良否を診断する非破壊絶
縁試験方法において、被試鉄機器を圧力容器内に入れ、
この圧力容器内の空気の圧力を減圧するが或は上記圧力
客器内の空気をその最小火花電圧よりも低い最小火花電
圧を有する気体に変えてこれを減圧して上記破壊試駆機
器のＭＡＲ抵抗を測定する非破壊絶縁試験方法。 （（２） 空気よりも最小火花電圧が低い気体が窒素ガ
スである特許請求の範囲第７項記載の非破壊絶縁試験方
法。 （３）空気よりも最小火花電圧が低い気体が不活性ガス
である特許請求の範囲第７項記載の非破壊？緑試絵方法
。 （す不活性ガスがヘリウムガスである特許請求の範囲第
３項記載の非破壊絶縁試験方法。 （、ｔ） 不ｒａ性ガスがアルゴンガスである特許請求
の範囲第３項記載の非破壊絶縁試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16063583A JPS6050461A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 非破壊絶縁試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16063583A JPS6050461A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 非破壊絶縁試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050461A true JPS6050461A (ja) | 1985-03-20 |
| JPH0417395B2 JPH0417395B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=15719186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16063583A Granted JPS6050461A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 非破壊絶縁試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050461A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276675U (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-16 | ||
| WO2001088558A1 (de) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Wee-Electrotest Engineering Gmbh | Detektion von schäden in der isolierung von eletrischen komponenten |
| JP2007220558A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 端子金具および位置決め治具 |
| JP2019012652A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 株式会社豊田自動織機 | 電池モジュール及び電池パック |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP16063583A patent/JPS6050461A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276675U (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-16 | ||
| WO2001088558A1 (de) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Wee-Electrotest Engineering Gmbh | Detektion von schäden in der isolierung von eletrischen komponenten |
| JP2007220558A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 端子金具および位置決め治具 |
| JP2019012652A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 株式会社豊田自動織機 | 電池モジュール及び電池パック |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0417395B2 (ja) | 1992-03-25 |
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