JPS605058B2 - 半導体薄片保持装置 - Google Patents
半導体薄片保持装置Info
- Publication number
- JPS605058B2 JPS605058B2 JP15706779A JP15706779A JPS605058B2 JP S605058 B2 JPS605058 B2 JP S605058B2 JP 15706779 A JP15706779 A JP 15706779A JP 15706779 A JP15706779 A JP 15706779A JP S605058 B2 JPS605058 B2 JP S605058B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- wafer
- holding device
- thin piece
- semiconductor thin
- Prior art date
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体薄片を競合保持する溝を有した半導体薄
片保持装置に関するものである。
片保持装置に関するものである。
半導体装置の製造工程においては、半導体薄片を酸化さ
せたり、不純閥を拡散させたりするために、熱処理工程
を複数回繰り返えされるのが一般的である。
せたり、不純閥を拡散させたりするために、熱処理工程
を複数回繰り返えされるのが一般的である。
半導体として例えばシリコンウェハを用い、上記熱処理
を行なう場合には、前もって洗浄処理を行ない、ウェハ
を非常にきれいな状態にして行なわねばならない。そし
てこのウエハをウェハ保持装置則ちボード‘こ設置し、
用意された熱処理炉に挿入して熱処理が行なわれる。第
１図及び第２図は上記工程の概況を示すもので、１はシ
リコンウェハ、２はこのウェハを保持するためのボート
、３は熱処理炉本体、４は加熱用ヒータべある。
を行なう場合には、前もって洗浄処理を行ない、ウェハ
を非常にきれいな状態にして行なわねばならない。そし
てこのウエハをウェハ保持装置則ちボード‘こ設置し、
用意された熱処理炉に挿入して熱処理が行なわれる。第
１図及び第２図は上記工程の概況を示すもので、１はシ
リコンウェハ、２はこのウェハを保持するためのボート
、３は熱処理炉本体、４は加熱用ヒータべある。
しかしながら上記熱処理にあっては、洗浄処理でウェハ
の清浄さを保つこともさることながち、ウェハ１とボー
ト２の関連如何で、ウェハの結晶性を損なったり、シリ
コンのかけらを発生させ、酸化膜形成時や光蝕刻作業時
にピンホールの誘発を招く等の問題が起こる。
の清浄さを保つこともさることながち、ウェハ１とボー
ト２の関連如何で、ウェハの結晶性を損なったり、シリ
コンのかけらを発生させ、酸化膜形成時や光蝕刻作業時
にピンホールの誘発を招く等の問題が起こる。
この原因を検討したところ次のことが判明した。即ち第
３図に示す如．く、ボ一ト２の溝２にウェハ１を立てる
際に、ウヱハ厚さと溝中の差を０〜３叫程度としないと
ウェハ１は懐き、隣接するウェハと接触して拡酸や酸化
に悪影響をもたらす。このようにウェハ厚さと藩中の差
に余裕を設けないことにより、ウェハタ １を設定する
際にボート溝洲にぶつかり、ウェハがわずかに欠けたり
、溝部が欠けたりする。これらのかけらウェハ１に付着
し、酸化膜にピンホールを誘発する原因となる。そして
またウェハがわずかの欠けを起こすと、熱処理時に結晶
性が乱０れ、通称スリップといわれる結晶欠陥を起し易
いためである。本発明は上記問題点を改善するためにな
されたもので、半導体ウェハを接合保持するための溝の
形状を工夫することにより、熱処理後の特性を頃なうこ
とのない半導体薄片保持装置を提供しようとするもので
ある。
３図に示す如．く、ボ一ト２の溝２にウェハ１を立てる
際に、ウヱハ厚さと溝中の差を０〜３叫程度としないと
ウェハ１は懐き、隣接するウェハと接触して拡酸や酸化
に悪影響をもたらす。このようにウェハ厚さと藩中の差
に余裕を設けないことにより、ウェハタ １を設定する
際にボート溝洲にぶつかり、ウェハがわずかに欠けたり
、溝部が欠けたりする。これらのかけらウェハ１に付着
し、酸化膜にピンホールを誘発する原因となる。そして
またウェハがわずかの欠けを起こすと、熱処理時に結晶
性が乱０れ、通称スリップといわれる結晶欠陥を起し易
いためである。本発明は上記問題点を改善するためにな
されたもので、半導体ウェハを接合保持するための溝の
形状を工夫することにより、熱処理後の特性を頃なうこ
とのない半導体薄片保持装置を提供しようとするもので
ある。
以下図面を参照して本発明の実施例を設鰯する。
即ち第４図または第５図に示す如く、ボート１１の溝１
２を構成する両側の壁部１２，，１２２を溝１２の閉口
部と底部間の途中からテープ状に開くのである。ただし
単に溝１２に傾斜角度８を設けるだけでなく、この角度
８が１５０〜４５０の範囲内でないと効果を示さない。
これは、角度ａが１５０以下になると、溝１２の開口部
の角状部１２３にウェハが接触しやすく、また４？以上
になると、壁部１２，，１２２が傾斜いまじめる部分の
角状部１２４ にゥェハが接触しやすくなり、前記した
かけらの問題が生じることになる。このため第５図のよ
うに角状部１２３，１２４ に丸みをつけたが、その効
果は余り見られず、角度ａの最適範囲は変らなかった。
しかし角度８が１５０〜４５ｏの範囲内では第４図の場
合より第５図の場合の方が効果的である。ボート１１の
藩中に関しては、溝１２の閉口部における溝中ａ，を溝
の壁部が傾斜する手前つまり垂直部１２５の藩中ａ２の
１．３倍以上とするものである。第６図は以上のように
構成された薄片保持装置の溝の傾斜角ａとウェハ及び石
英のかけら数の関係を示している。溝１２の深さに関し
ては、ウェハの厚さや大きさによって決められるが、例
を上げると、ウェハ直径 厚さ 溝の深さ （角度のない所） ５０の ３００〃の １．５柳以上６０の
４００〃の ２．０物以上７ ０ の ４０
０〃の ２．０柳じ父上となるが、これは安定性を主
にして決定してよい。
２を構成する両側の壁部１２，，１２２を溝１２の閉口
部と底部間の途中からテープ状に開くのである。ただし
単に溝１２に傾斜角度８を設けるだけでなく、この角度
８が１５０〜４５０の範囲内でないと効果を示さない。
これは、角度ａが１５０以下になると、溝１２の開口部
の角状部１２３にウェハが接触しやすく、また４？以上
になると、壁部１２，，１２２が傾斜いまじめる部分の
角状部１２４ にゥェハが接触しやすくなり、前記した
かけらの問題が生じることになる。このため第５図のよ
うに角状部１２３，１２４ に丸みをつけたが、その効
果は余り見られず、角度ａの最適範囲は変らなかった。
しかし角度８が１５０〜４５ｏの範囲内では第４図の場
合より第５図の場合の方が効果的である。ボート１１の
藩中に関しては、溝１２の閉口部における溝中ａ，を溝
の壁部が傾斜する手前つまり垂直部１２５の藩中ａ２の
１．３倍以上とするものである。第６図は以上のように
構成された薄片保持装置の溝の傾斜角ａとウェハ及び石
英のかけら数の関係を示している。溝１２の深さに関し
ては、ウェハの厚さや大きさによって決められるが、例
を上げると、ウェハ直径 厚さ 溝の深さ （角度のない所） ５０の ３００〃の １．５柳以上６０の
４００〃の ２．０物以上７ ０ の ４０
０〃の ２．０柳じ父上となるが、これは安定性を主
にして決定してよい。
申すまでもないが、溝の深さが大となればなるほどボー
トとの接触面積が増大し、製造歩留の面で悪影響がある
ので、溝の深さは安定性を考慮したならば、できるだけ
小さいほうがよい。ボート１１の材質としては多々ある
が、一般的にま石英ガラスや炭化珪素等が用いられる。
またボート１１の形状としては、第７図、第８図に示す
如く板状のものに溝１２を形成したもの等種々考えられ
るが、本発明においてはボートの圭状にこばわるもので
はなく、溝の形状が重要な点である。以上説明した如く
本発明によれば、一定の条件で半導体簿片の競合保持用
溝の壁部を傾斜させたので、薄片や溝部にかけらが生じ
ることがなくなり、従って熱処理後の特性を向上させ得
る半導体薄片保持装置が提供できるものである。
トとの接触面積が増大し、製造歩留の面で悪影響がある
ので、溝の深さは安定性を考慮したならば、できるだけ
小さいほうがよい。ボート１１の材質としては多々ある
が、一般的にま石英ガラスや炭化珪素等が用いられる。
またボート１１の形状としては、第７図、第８図に示す
如く板状のものに溝１２を形成したもの等種々考えられ
るが、本発明においてはボートの圭状にこばわるもので
はなく、溝の形状が重要な点である。以上説明した如く
本発明によれば、一定の条件で半導体簿片の競合保持用
溝の壁部を傾斜させたので、薄片や溝部にかけらが生じ
ることがなくなり、従って熱処理後の特性を向上させ得
る半導体薄片保持装置が提供できるものである。
第１図はボートでウェハを保持した状態を示す斜視図、
第２図はこのウェハの熱処理状態を示す概略図、第３図
は上記ボートのウェハ保持部を示む断面図、第４図及び
第５図はそれぞれ本発明の実施例の要部を示す断面図、
第６図は同実施例で得られたデータを示す図、第７図及
び第８図はそれぞれ本発明の応用例を示す斜視図である
。 １１……ボート、１２……溝、１２，，１２２・・・・
・・壁部、８……傾斜角。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
第２図はこのウェハの熱処理状態を示す概略図、第３図
は上記ボートのウェハ保持部を示む断面図、第４図及び
第５図はそれぞれ本発明の実施例の要部を示す断面図、
第６図は同実施例で得られたデータを示す図、第７図及
び第８図はそれぞれ本発明の応用例を示す斜視図である
。 １１……ボート、１２……溝、１２，，１２２・・・・
・・壁部、８……傾斜角。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- １ 半導体薄片を嵌合保持する溝を有する半導体薄片保
持装置において、上記溝を上記保持装置の表面に対し直
角となるような平行形状の溝幅とし、また上記平行形状
の溝は該溝の中深より表面の幅方向に向って１５°〜４
５°のテーパを形成するようにし、このテーパがつくる
上記保持装置表面部での開口溝幅ａ＿１を上記平行形状
の溝が有する溝幅ａ＿２に対し１．３ａ＿２以上になる
ようにしたことを特徴とする半導体薄片保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15706779A JPS605058B2 (ja) | 1979-12-04 | 1979-12-04 | 半導体薄片保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15706779A JPS605058B2 (ja) | 1979-12-04 | 1979-12-04 | 半導体薄片保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5577133A JPS5577133A (en) | 1980-06-10 |
| JPS605058B2 true JPS605058B2 (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=15641493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15706779A Expired JPS605058B2 (ja) | 1979-12-04 | 1979-12-04 | 半導体薄片保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605058B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131178U (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-16 |
-
1979
- 1979-12-04 JP JP15706779A patent/JPS605058B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131178U (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5577133A (en) | 1980-06-10 |
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