JPS605093A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
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- JPS605093A JPS605093A JP11165583A JP11165583A JPS605093A JP S605093 A JPS605093 A JP S605093A JP 11165583 A JP11165583 A JP 11165583A JP 11165583 A JP11165583 A JP 11165583A JP S605093 A JPS605093 A JP S605093A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、化合物半導体単結晶全溶質合成拡散法（５ｏ
ｌｕｔｉｏｎ ５ｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｄｉｆｆｕｓｉｏ
ｎ Ｍｅｔｈｏｄ ＋以下ＳＳＤ法と略称す）により製
造する方法に関するものである。
ｌｕｔｉｏｎ ５ｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｄｉｆｆｕｓｉｏ
ｎ Ｍｅｔｈｏｄ ＋以下ＳＳＤ法と略称す）により製
造する方法に関するものである。
従来、ＳＳＤ法によシ化合物半導体の単結晶を製造する
には、第１図に例を示すような単結晶育成装置が使用さ
れていた。図において、単結晶成長用るつぼ１の底面に
化合物種結晶２を置き、その上に化合物の第１成分であ
る溶媒４金入れ、さらにその上に化合物粉末５を入れで
ある。このるつは１を密封石英容器６（成長カプセル）
に収納し、又石英容器６内に化合物の第２成分７を入れ
た第２成分収容るつぼ８を収納する。
には、第１図に例を示すような単結晶育成装置が使用さ
れていた。図において、単結晶成長用るつぼ１の底面に
化合物種結晶２を置き、その上に化合物の第１成分であ
る溶媒４金入れ、さらにその上に化合物粉末５を入れで
ある。このるつは１を密封石英容器６（成長カプセル）
に収納し、又石英容器６内に化合物の第２成分７を入れ
た第２成分収容るつぼ８を収納する。
この石英容器６全体を加熱炉９内に収納し、例えば右図
に示すような温度分布に加熱すると、第長する。
に示すような温度分布に加熱すると、第長する。
この方法では、第２成分（溶質）７０部分の温度が第１
成分（溶媒）４の部分の温度に比較して低温であるので
、第１成分４の蒸気圧が高い場合、第２成分７側に第１
成分が輸送され、そこで堆積を引きおこし、石英容器６
の破損をおこしたり、又第１成分４の減少によシ得られ
る単結晶３が小さくなる等の不都合を生じていた。
成分（溶媒）４の部分の温度に比較して低温であるので
、第１成分４の蒸気圧が高い場合、第２成分７側に第１
成分が輸送され、そこで堆積を引きおこし、石英容器６
の破損をおこしたり、又第１成分４の減少によシ得られ
る単結晶３が小さくなる等の不都合を生じていた。
（発明の開示）
本発明は、上述の問題点を解決するため成されたもので
、第１成分の第２成分側への拡散移動を減少せしめ、単
結晶の歩留Ｖｔ向上すると共に、石英容器の破損等のト
ラブルを防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提
供せんとするもの・である。
、第１成分の第２成分側への拡散移動を減少せしめ、単
結晶の歩留Ｖｔ向上すると共に、石英容器の破損等のト
ラブルを防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提
供せんとするもの・である。
本発明は、化合物半導体単結晶を溶質合成拡散法によシ
製造する方法において、単結晶成長用るつぼと第２成分
収容るつぼの間にキャピラリーを有する隔壁を設けた密
封石英容器を用いることを特徴とする単結晶の製造方法
である。
製造する方法において、単結晶成長用るつぼと第２成分
収容るつぼの間にキャピラリーを有する隔壁を設けた密
封石英容器を用いることを特徴とする単結晶の製造方法
である。
本発明において、化合物半導体とは、いずれも蒸気圧の
高い構成元素から成る化合物半導体又はそれらの混晶で
、例えば周期律表の■−Ｖ族化合物（例、ＡｌＡｓ 、
ｋｌＰ等）、Ｉｔ−Ｖ［族化合物（例、ＺｎＳ ｒ
Ｚｎ５ｅ 、 ＣｄＴｅ等）又はそれらの混晶等である
。
高い構成元素から成る化合物半導体又はそれらの混晶で
、例えば周期律表の■−Ｖ族化合物（例、ＡｌＡｓ 、
ｋｌＰ等）、Ｉｔ−Ｖ［族化合物（例、ＺｎＳ ｒ
Ｚｎ５ｅ 、 ＣｄＴｅ等）又はそれらの混晶等である
。
以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。第
２図は本発明方法の実施例に用いられる単結晶育成装置
の例を示す縦断面図である。図において第１図と同一の
符号はそれぞれ同一の部分を示す。第２図において第１
図と異なる点は、密封石英容器ＩＯの単結晶成長用るつ
ぼ１と第２成分収容るつは８の間に、キャピラリー＋２
ｉ有する隔壁１１を設けた点である。
２図は本発明方法の実施例に用いられる単結晶育成装置
の例を示す縦断面図である。図において第１図と同一の
符号はそれぞれ同一の部分を示す。第２図において第１
図と異なる点は、密封石英容器ＩＯの単結晶成長用るつ
ぼ１と第２成分収容るつは８の間に、キャピラリー＋２
ｉ有する隔壁１１を設けた点である。
もので、これを有する隔壁１１により、第１成分４の第
２成分７側への拡散移動を防止し、第２成分７側での第
１成分４の堆積等のトラブルを無くすると共に、第１成
分４のるつぼｌからの蒸発損失を防止して化合物半導体
単結晶３の歩留りを向上する。
２成分７側への拡散移動を防止し、第２成分７側での第
１成分４の堆積等のトラブルを無くすると共に、第１成
分４のるつぼｌからの蒸発損失を防止して化合物半導体
単結晶３の歩留りを向上する。
（実施例）
第２図に示す装置を用い、本発明方法によりＺｎＳ化合
物単結晶を製造した。
物単結晶を製造した。
るつぼ１の底面にＺｎＳｎＳ高結晶き、その上に第１成
分４として亜鉛、化合物粉末５としてＺｎＳ粉末を入れ
、るつぽ８にはｓ６入れた。炉内の温度分布全右図に示
すようにし、温度勾配領域を上方に１０朋Ｚ日の速度で
移動せしめることにより、重量３０ｙのＺｎＳ化合物単
結晶を得た。
分４として亜鉛、化合物粉末５としてＺｎＳ粉末を入れ
、るつぽ８にはｓ６入れた。炉内の温度分布全右図に示
すようにし、温度勾配領域を上方に１０朋Ｚ日の速度で
移動せしめることにより、重量３０ｙのＺｎＳ化合物単
結晶を得た。
結晶育成中、第２成分７側での第１成分４の堆積は全く
なく、得られた単結晶は、化学量論的組成のずれがない
健全な単結晶で、歩留りは８０％であった。
なく、得られた単結晶は、化学量論的組成のずれがない
健全な単結晶で、歩留りは８０％であった。
比較のため、第１図に示す従来の装置を使用し、他は同
様の条件で単結晶を育成したところ、Ｚｎ蒸気のＳ側へ
の堆積を生じ、石英容器の破損を生じた。
様の条件で単結晶を育成したところ、Ｚｎ蒸気のＳ側へ
の堆積を生じ、石英容器の破損を生じた。
（発明の効果）
」二連のように構成された本発明の単結晶の製造方法（
は次のような効果がある。
は次のような効果がある。
単結晶成長用るつぼと第２成分収容るっほの間にキャピ
ラリーを有する隔壁を設けた密封石英容器を用いるため
、第１成分（溶媒）の蒸気圧が高い場合、キャピラリー
によシ第１成分の第２成分側への拡散移動を防止するの
で、第２成分側での第１成分の堆積による石英容器の破
損等のトラブルを防止すると共に、第１成分の蒸発損失
を防止して、いずれも蒸気圧の高い構成元素から成る化
合物半導体単結晶の歩留Ｉ）を向上する。
ラリーを有する隔壁を設けた密封石英容器を用いるため
、第１成分（溶媒）の蒸気圧が高い場合、キャピラリー
によシ第１成分の第２成分側への拡散移動を防止するの
で、第２成分側での第１成分の堆積による石英容器の破
損等のトラブルを防止すると共に、第１成分の蒸発損失
を防止して、いずれも蒸気圧の高い構成元素から成る化
合物半導体単結晶の歩留Ｉ）を向上する。
第１図は従来の単結晶育成装置の例を示す縦断面図およ
びその温度分布を示す図である。 第２図は本発明方法の実施例に用いられる単結晶育成装
置の例を示す縦断面図およびその温度分布を示す図であ
る。 ■・単結晶成長用るつぼ、２・種結晶、３ 単結晶、４
・・・溶媒（第１成分）、５・・・化合物粉末、６．１
０・・・密封石英容器、７・・・第２成分、８・・・第
２成分収容るつぼ、９・・・加熱炉、１１・・・隔壁、
１２ ・キャピラリー。 第１図 湯 屋 第２図
びその温度分布を示す図である。 第２図は本発明方法の実施例に用いられる単結晶育成装
置の例を示す縦断面図およびその温度分布を示す図であ
る。 ■・単結晶成長用るつぼ、２・種結晶、３ 単結晶、４
・・・溶媒（第１成分）、５・・・化合物粉末、６．１
０・・・密封石英容器、７・・・第２成分、８・・・第
２成分収容るつぼ、９・・・加熱炉、１１・・・隔壁、
１２ ・キャピラリー。 第１図 湯 屋 第２図
Claims (1)
- （＋） 化合物半導体単結晶を溶質合成拡散法により製
造する方法において、単結晶成長用るつほと第２成分収
容るつぼの間にキャピラリーを有する隔壁を設けた密封
石英容器を用いることを特徴とする単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165583A JPS605093A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165583A JPS605093A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605093A true JPS605093A (ja) | 1985-01-11 |
Family
ID=14566826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11165583A Pending JPS605093A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605093A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437489A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Katsumi Mochizuki | Production of single crystal of compound semiconductor and device therefor |
| JP2012508153A (ja) * | 2008-11-10 | 2012-04-05 | エーエックスティー，インコーポレーテッド | 単結晶ゲルマニウムの結晶成長システム、方法および基板 |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP11165583A patent/JPS605093A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437489A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Katsumi Mochizuki | Production of single crystal of compound semiconductor and device therefor |
| JP2012508153A (ja) * | 2008-11-10 | 2012-04-05 | エーエックスティー，インコーポレーテッド | 単結晶ゲルマニウムの結晶成長システム、方法および基板 |
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