JPS6051123B2 - 三相交流電圧制御回路 - Google Patents

三相交流電圧制御回路

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JPS6051123B2
JPS6051123B2 JP5244776A JP5244776A JPS6051123B2 JP S6051123 B2 JPS6051123 B2 JP S6051123B2 JP 5244776 A JP5244776 A JP 5244776A JP 5244776 A JP5244776 A JP 5244776A JP S6051123 B2 JPS6051123 B2 JP S6051123B2
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JP
Japan
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phase
voltage
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thyristor
capacitor
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JP5244776A
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JPS52135040A (en
Inventor
茂彦 鈴木
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、三相交流回路の少なくとも二相にサイリス
タとダイオードまたはサイリスタの逆並列接続を挿入し
た電圧制御回路の、サイリスタ点弧回路の改良に関する
ものである。
第1図に従来回路の構成を、第2図にその各部電圧波形
を示す。
第1図において、R、S、Tは三相交流電源端子、Lは
負荷、51〜53およびD1〜D3は出力電圧制御用サ
イリスタおよびダイオードであり、51とD1、52と
D2、53とD3はそれぞれ逆並列接続され、三相交流
電源端子と負荷の間のR、S、T各相に挿入されて主回
路を構成している。GR、GS、GTはそれぞれR相、
S相、T相サイリスタ51、52、53の点弧回路であ
り、G、、GTの内部回路はGRの内部回路に全く同じ
である。
T1〜T3は点孤回路用電源変圧器で、その1次側端子
は電源端子R、S、Tに、2次側端子は点弧回路GR、
Gs、GTに接続され、各点弧回路の対応する電源相電
圧より位相が300遅れた電圧、即ちR相点孤回路GR
にはRT間電圧と同相の電圧、S相点孤回路G、にはS
R間電圧と同相の電圧、T相点孤回路G、には’m間電
圧と同相の電圧が印加される。R相点孤回路GRC7)
D4は整流用ダイオード、R1は抵抗、D5はゼナーダ
イオード、R2は位相制御用可変時限抵抗器、Clは時
限コンデンサ、R3は抵抗、TRIは単接合トランジス
タ、円゛1はパルス変圧器、R4は抵抗である。
第2図1は電源の各相間電圧VRS、VSΥ、VTR−
およびR相電圧VRを示す。R相点孤回路GRには変圧
器Tiの2次側端子から、第2図2に示すVRより位相
が300遅れた交流電圧V1。
が印加される。V、Rは第2図3のようにダイオードD
4を介して半波整流波V2Rとなフリ、更にゼナーダイ
オードD5によりクリップされて台形波V3Rとなり、
R2、Clからなる時限回路および単接合トランジスタ
TRIの両端に印加される。時限コンデンサClは時限
抵抗R2を介して充5電され、その充電々圧は第2図4
のようになる。
即ち、台形波V3Rの電圧の立上りと同時に(第2図の
位相θ■300の点から)Clへの充電が開始され、C
lの充電々圧V4Rが単接合トランジスタTRlのブレ
ークオーバー電圧η・V3R(η:TRlのスタンド・
オフ比)に達すると、C1はTRlおよびパルス変圧器
PTlの1次巻線を介して放電し、第2図5のようにP
Tlの2次巻線にパルス出力■μsを発生する。PTl
のパルス出力■5。
は抵抗R4を介してR相サイリスタS1のG−K間に印
加され、■ぴによりS1が点孤しS1のA−K間電圧■
6Rは第2図6に示す様にほS゛零となる。サイリスタ
S1の点孤角αは、可変抵抗器R2を調整して時限コン
デンサC1の充電速度を調整することにより、第2図a
−dの如く制御可能である。
S相、T相点孤回路G,,GTの動作も、上記R相点孤
回路GRの動作と全く同様てある。
R,S,T相各サイリスタS1〜S3の点孤角αが等し
い場合のそれぞれの点孤角に対するR相サイリスタS1
のA−K間電圧■6RおよびRS間出力電圧■0RSは
第2図6,7のようになる。
第2図において、点孤回路の時限コンデンサの充電が位
相θ=300の点から開始され、更に時限コンデンサを
単接合トランジスタのブレーク・オーバー電圧迄充電す
る時間30タを要する為、第1図の回路構成では点孤角
αの最大限度は約1500である。然るに、三相交流回
路の各相にサイリスタとダイオードの逆並列接続を挿入
した電圧制御回路において、出力電圧を零から全電圧迄
制御する為には、点孤角αの制御範囲は00〜2100
の範囲必要である。
従つて、第1図の回路構成における最大出力電圧は、第
2図dに見られる様に、電源電圧に等しくなることが出
来ない。
この発明は上記欠点を改良するもので、三相交流回路の
各相にサイリスタとダイオードの逆並列接続を挿入した
電圧制御回路において、出力電圧を零から全電圧迄制御
することができるサイリスタ点孤回路を提供しようとす
るものである。
第3図に本発明の構成を、第4図にその各部電圧波形を
示す。なお、第3図、第4図において、第1図、第2図
と同一個所には同一記号が符されている。
第3図のR相点孤回路GR″は、第1図のR相点孤回路
GRに抵抗R5〜R8、ダイオードD5、トランジスタ
TR2からなる電圧検出回路、抵抗R9、トランジスタ
TR3からなる時限コンデンサ短絡回路および平滑コン
デンサC2を追加したものであり、S相、T相点孤回路
Gs″,GT゛の内部回路はGR″の内部回路に全く同
じである。第3図において、R相、S相、T相点孤回路
GR″,Gs″,GT″には、変圧器T1〜T3を介し
て各点孤回路の対応する電源相電圧と位相が等しい電圧
、即ちGR″にはR相電圧と同相の電圧、G,″にはS
゛相電圧と同相の電圧、GT″にはT相電圧と同相の電
圧が印加される。第4図1は、第2図1と同様電源の各
相間電圧VRS,VST,VTRおよびR相電圧■Rを
示す。
変圧器T1の2次端子からR相点孤回路GR″に印加さ
れたVRと同相の第4図2に示す電圧VlRは、ダイオ
ードD4により整流され、ゼナー・ダイオードD5によ
りクリップされた後、コンデンサC2により平滑されて
トランジスタTRl,2に印加されると同時に、電圧検
出回路の入力抵抗″R5に印加される。電圧検出回路の
バイアス抵抗R6の値は、検出回路の入力電圧■1Rが
その波高値VlR.nの112以上負になるとトランジ
スタTR2がカットオフする様に選ばれている為、TR
2は第4図3に示す様に位相θ=ー300からθ=21
00迄の期間導通し、θ=2100からθ=3301迄
の期間非導通となる。時限コンデンサC1の短絡回路の
トランジスタTR3は、TR2が導通時非導通非導通時
導通となる為、第4図4に示す様にθ=ー300から0
=2100迄の期間のみ非導通となる。従つて、第4図
5に示すように時限コンデンサC1の充電はθ=ー30
0の点から開始され、θ=210充の点でC1はTR3
により短絡される。単接合トランジスタTRl以降の動
作第1図の従来回路と同様であり、C1の充電々圧■4
R1パルス出力■ぴ、サイリスタS1のA−K間電圧■
ぃおよびRS間出力電圧■。R,はそれぞれ第4図5〜
8に示すようになる。第4図5に見られるように、第3
図の回路構成では時限コンデンサC1の充電はθ=ー3
0成の点から開始される為、第4図dのようにC1が単
接合トランジスタTRlのブレークオーバー電圧迄充電
されるのに300要したとしても、0=0迄の点でサイ
リスタS1の点孤パルスが発生し、S1の点孤角α=2
10のとなりS1は全点孤することが出来、その結果出
力電圧は電源電圧に等しくなる。
上述の説明においては、出力電圧制御回路として、三相
交流回路の各相にサイリスタとダイオードの逆並列接続
が挿入された場合について説明したが、三相交流回路の
二相にサイリスタの逆並列接続が挿入された場合につい
ても、各サイリスタの点孤回路を第3図のように構成す
ることにより、第3図の場合と同様の効果が得られる。
以上説明したとおりこの発明は、三相交流回路の各相に
サイリスタとダイオードの逆並列接続またはサイリスタ
の逆並列接続が挿入された電圧制御回路において、サイ
リスタが接続された相の電源電圧がその波高値の112
以上負となる期間のみサイリスタ点孤回路の時限コンデ
ンサを短絡することにより、時限コンデンサの充電可能
期間を240よとしたので、サイリスタの点孤角制御範
囲は00〜2100以上となり、出力電圧を零から全電
圧迄制御することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の三相交流電圧制御回路の回路図、第2
図は第1図に示す回路の動作説明図、第3図は本考案の
一実施例を示す回路図、第4図は゛第3図に示す回路の
動作説明図である。 図中、Sl,S2,S3はサイリスタ、Dl,D2,D
3はダイオード、GR′,G,″,GT″は点孤回路、
C1はコンデンサである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 三相交流回路の少なくとも二相にサイリスタとダイ
    オードの逆並列接続またはサイリスタの逆並列接続を挿
    入した電圧制御回路において、サイリスタが接続された
    相の電源相電圧が入力され、かつ位相制御用コンデンサ
    を有するサイリスタ点弧回路、上記相電圧を検出する電
    圧検出回路、この電圧検出回路によつて上記相電圧がそ
    の波高値の1/2以上負であることの検出が行われてい
    る期間のみ上記位相制御用コンデンサを短絡するコンデ
    ンサ短絡回路、を備えた三相交流電圧制御回路。
JP5244776A 1976-05-07 1976-05-07 三相交流電圧制御回路 Expired JPS6051123B2 (ja)

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JPS52135040A JPS52135040A (en) 1977-11-11
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