JPS63314828A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS63314828A JPS63314828A JP62151853A JP15185387A JPS63314828A JP S63314828 A JPS63314828 A JP S63314828A JP 62151853 A JP62151853 A JP 62151853A JP 15185387 A JP15185387 A JP 15185387A JP S63314828 A JPS63314828 A JP S63314828A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- window
- cleaning
- reaction chamber
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜形成を利用する分野、特に半導体デバイス
等の作製において用いられる光励起気相反応による成膜
装置に関するものである。
等の作製において用いられる光励起気相反応による成膜
装置に関するものである。
従来の技術
光励起、特に紫外光による原料ガスの分解を利用したい
わゆる光ＣＶＤ法は、プラズマＣＶＤ法等と比較した場
合に、 （７）低温プロセスであること。
わゆる光ＣＶＤ法は、プラズマＣＶＤ法等と比較した場
合に、 （７）低温プロセスであること。
（イ）イオン衝撃などによる下地、基板へのダメージが
ないこと。
ないこと。
（つ）レーザービームなどを利用すれば選択的成膜がで
きること。
きること。
などの点において優位性があるものとして期待されてい
る。
る。
しかしながら光ＣＶＤ法を実用に供するには解決すべき
課題が残っておシ、中でも光導入窓への膜付着は大きな
問題である。これを回避すべく種々の提案がなされてお
り、たとえば反応には関与しないガスを窓に沿って流す
もの、窓に特殊な薬剤を塗布するものなどがある。
課題が残っておシ、中でも光導入窓への膜付着は大きな
問題である。これを回避すべく種々の提案がなされてお
り、たとえば反応には関与しないガスを窓に沿って流す
もの、窓に特殊な薬剤を塗布するものなどがある。
発明が解決しようとする問題点
しかし、これらの方法によっても窓への膜付着の防止は
完全なものではない。光ＣＶＤ法で用いる紫外光は真空
紫外とよばれる領域のもので波長が短−く、２００ ｎ
ｍ以下の場合もある。このような短波長の光は通常の
ガラスでは透過率が低く、成膜に必要な光励起分解反応
の効率がきわめて悪いため、合成石英などの短波長光を
比較的よく透過する材質の窓を使用している。この場合
でも窓に膜が付着するとそれに伴って紫外光の透過率が
低下してゆき、しだいに成膜が困難となってくる。
完全なものではない。光ＣＶＤ法で用いる紫外光は真空
紫外とよばれる領域のもので波長が短−く、２００ ｎ
ｍ以下の場合もある。このような短波長の光は通常の
ガラスでは透過率が低く、成膜に必要な光励起分解反応
の効率がきわめて悪いため、合成石英などの短波長光を
比較的よく透過する材質の窓を使用している。この場合
でも窓に膜が付着するとそれに伴って紫外光の透過率が
低下してゆき、しだいに成膜が困難となってくる。
したがっである期間使用の後には何らかの方法によって
窓のクリーニングを行なわなければならない。クリーニ
ング方法としては、窓を装置よシ取９はずし、付着した
膜を溶解する方法があるが、通常劇薬を使用せねばなら
ず、また、その後の洗浄、乾燥など取扱い上問題となる
点が多い。
窓のクリーニングを行なわなければならない。クリーニ
ング方法としては、窓を装置よシ取９はずし、付着した
膜を溶解する方法があるが、通常劇薬を使用せねばなら
ず、また、その後の洗浄、乾燥など取扱い上問題となる
点が多い。
さらに、大面積にわたる成膜を行なう場合には単一の窓
ではその大きさに限界があシ、大きな窓の取扱いは実用
上困難である。
ではその大きさに限界があシ、大きな窓の取扱いは実用
上困難である。
上記問題点を解決するために、本発明は光導入窓のクリ
ーニングを容易にし、光透過率の低下を防止し、成膜の
効率低下を防止する光ＣＶＤ装置を提供することを目的
とするものである。
ーニングを容易にし、光透過率の低下を防止し、成膜の
効率低下を防止する光ＣＶＤ装置を提供することを目的
とするものである。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明の光ＣＶＤ装置は、
連続的に配設した複数の光導入窓と、個別に独立した反
応室と、クリーニング室と前記光導入窓を反応室とクリ
ーニング室との間で搬送する光導入窓支持体を有し、反
応室において使用した窓とクリーニング室においてプラ
ズマエツチング等により付着物を除去した窓とを交換で
きることを特徴とするものである。
連続的に配設した複数の光導入窓と、個別に独立した反
応室と、クリーニング室と前記光導入窓を反応室とクリ
ーニング室との間で搬送する光導入窓支持体を有し、反
応室において使用した窓とクリーニング室においてプラ
ズマエツチング等により付着物を除去した窓とを交換で
きることを特徴とするものである。
作 用
上記構成によれば、反応時に反応室に位置していた光導
入窓を支持体によってクリーニング室に搬送することに
よって装置よシ取シはずすことなくクリーニングを行々
うことができるため、反応室での成膜とクリーニング室
での付着膜除去とを適当なサイクルで行なうことが可能
となり、その結果、光透過率低下による膜形成の効率低
下等の゛影響を最小限度にとどめることができる。
入窓を支持体によってクリーニング室に搬送することに
よって装置よシ取シはずすことなくクリーニングを行々
うことができるため、反応室での成膜とクリーニング室
での付着膜除去とを適当なサイクルで行なうことが可能
となり、その結果、光透過率低下による膜形成の効率低
下等の゛影響を最小限度にとどめることができる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面にもとづいて説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の光ＣＶＤ装置の断面図であ
る。図において、反応室１内に基板２を装着し、反応ガ
スは導入口３Ａより導入し、排気口４よシ排気する。ま
た、窓５Ａ（ｓＢ）への膜付着を極力抑制するために、
反応に関与しないガスを導入口３Ｂより導入し、排気口
４よシ排気する。紫外光源６としては複数の線状低圧水
銀ランプを用い、照射強度を高め均一性を向上させるた
めに反射板７を設ける。クリーニング室８にはプラズマ
エツチング用のガスを導入口９Ａよシ導入し排気口９Ｂ
より排気するようになっておシ、また、放電用の電極１
０が設置されている。
る。図において、反応室１内に基板２を装着し、反応ガ
スは導入口３Ａより導入し、排気口４よシ排気する。ま
た、窓５Ａ（ｓＢ）への膜付着を極力抑制するために、
反応に関与しないガスを導入口３Ｂより導入し、排気口
４よシ排気する。紫外光源６としては複数の線状低圧水
銀ランプを用い、照射強度を高め均一性を向上させるた
めに反射板７を設ける。クリーニング室８にはプラズマ
エツチング用のガスを導入口９Ａよシ導入し排気口９Ｂ
より排気するようになっておシ、また、放電用の電極１
０が設置されている。
紫外光導入窓ｓＡ 、ｓＢのクリーニングは次のような
ローテーションで行なう−。今、窓５Ａが反応室１側に
、また、窓６Ｂがクリーニング室８側にあるとする。反
応室１における基板２上への成膜に伴っ′て窓５Ａにも
膜がある程度付着し、その・量が多くなると紫外光透過
率が低下するため成膜に影響を及ぼす。そこで膜厚計１
１によって膜付着量をモニターし、所定量に達した段階
で反応室１、クリーニング室８およびランプ室１２を大
気圧にし、駆動装置１３によって膜の付着した窓弘をク
リーニング室８側に、また、クリーニングの終了してい
る窓５Ｂを反応室１側にそれぞれ移動させる。このよう
にして反応室１・ではクリーニングの終了した窓６Ｂを
使用して′成膜し、また、クリーニング室８では窓５Ａ
に付着した膜をプラズマエツチングで除去する。以上の
ように、窓ｓＡ。
ローテーションで行なう−。今、窓５Ａが反応室１側に
、また、窓６Ｂがクリーニング室８側にあるとする。反
応室１における基板２上への成膜に伴っ′て窓５Ａにも
膜がある程度付着し、その・量が多くなると紫外光透過
率が低下するため成膜に影響を及ぼす。そこで膜厚計１
１によって膜付着量をモニターし、所定量に達した段階
で反応室１、クリーニング室８およびランプ室１２を大
気圧にし、駆動装置１３によって膜の付着した窓弘をク
リーニング室８側に、また、クリーニングの終了してい
る窓５Ｂを反応室１側にそれぞれ移動させる。このよう
にして反応室１・ではクリーニングの終了した窓６Ｂを
使用して′成膜し、また、クリーニング室８では窓５Ａ
に付着した膜をプラズマエツチングで除去する。以上の
ように、窓ｓＡ。
５Ｂを移動させることにより、一方が成膜に使用
−中に他方はクリーニングを行なうことができる。
−中に他方はクリーニングを行なうことができる。
第２図は窓およびその支持構造を示すものである。窓支
持体は第２図（ａ）に示すととりれ）を一単位として連
結した構成になっている。線Ｂ １−Ｂ２における断面
図第２図（ｂ）に示す。窓２１は支持体２２に取シ付け
られておシ、この支持体は連接部２３によってつながっ
ている。この支持体２２は０リング２６を介してチャン
バー側フレーム２４と接することにより、チャンバー内
の真空状態が保持される。
持体は第２図（ａ）に示すととりれ）を一単位として連
結した構成になっている。線Ｂ １−Ｂ２における断面
図第２図（ｂ）に示す。窓２１は支持体２２に取シ付け
られておシ、この支持体は連接部２３によってつながっ
ている。この支持体２２は０リング２６を介してチャン
バー側フレーム２４と接することにより、チャンバー内
の真空状態が保持される。
上記実施例によれば、２枚の紫外光導入窓を反応室とク
リーニング室の間で移動可能に設けることによって、窓
を装置から取り外すことなく窓のクリーニングを実現し
、装置の運転効率を高め、また紫外光透過率の低下を効
率よく防止することが可能となる。
リーニング室の間で移動可能に設けることによって、窓
を装置から取り外すことなく窓のクリーニングを実現し
、装置の運転効率を高め、また紫外光透過率の低下を効
率よく防止することが可能となる。
第３図は本発明の量産に適した他の実施例の光ＣＶＤ装
置の構成を示す断面図である。図において、３１Ａ、３
１Ｂは反応室、３２はランプ室、３３Ａ、３３Ｂはクリ
ーニング室、３４は窓およびその支持体を示している。
置の構成を示す断面図である。図において、３１Ａ、３
１Ｂは反応室、３２はランプ室、３３Ａ、３３Ｂはクリ
ーニング室、３４は窓およびその支持体を示している。
前述の第一の実施例における構成と同様に、窓のローテ
ーションにより、反応室３１Ａ 、３１ Ｂにおいて成
膜中に、クリーニング室３３Ａ 、３３Ｂにおいて窓３
４のクリーニングを行なうことが可能である。
ーションにより、反応室３１Ａ 、３１ Ｂにおいて成
膜中に、クリーニング室３３Ａ 、３３Ｂにおいて窓３
４のクリーニングを行なうことが可能である。
このような構成によるならば第１図に示した構成の光Ｃ
ＶＤ装置の２台分の機能をそれよシも少ないスペースで
もたせることができ、また、ランプ室を共用しているの
で、時間的にもロスがなく成膜運転できる。
ＶＤ装置の２台分の機能をそれよシも少ないスペースで
もたせることができ、また、ランプ室を共用しているの
で、時間的にもロスがなく成膜運転できる。
発明の効果
本発明によれば反応室とクリーニング室と複数個の光導
入窓を設け、光導入窓は反応室とクリーニング室との間
で搬送可能に設けたことにより、窓に付着した膜の除去
のために窓をはずす必要なくりＩＪ−ニングを行なえ、
膜付着による紫外光透過率低下に伴う成膜速度の大幅な
低下に致る前に容易に窓のりＩＪ ＋−ングが可能と
なシ、運転の効率向上につながる。さらに本発明の構成
を用いるならば、装置の大型化も容易であシ、量産用と
しての使用にも有効なものである。
入窓を設け、光導入窓は反応室とクリーニング室との間
で搬送可能に設けたことにより、窓に付着した膜の除去
のために窓をはずす必要なくりＩＪ−ニングを行なえ、
膜付着による紫外光透過率低下に伴う成膜速度の大幅な
低下に致る前に容易に窓のりＩＪ ＋−ングが可能と
なシ、運転の効率向上につながる。さらに本発明の構成
を用いるならば、装置の大型化も容易であシ、量産用と
しての使用にも有効なものである。
第１図は本発明の一実施例における光ＣＶＤ装置の構成
を示す断面図、第２図（、）は同光ＣＶＤ装置の窓およ
びその支持構造部分の概略平面図、第２図（ｂ）は同（
ａ）のＢ１〜Ｂ２線断面図、第３図は本発明の他の実施
例のランプ室を共用した量産用光ＣＶＤ装置の構成を示
す断面図である。 １・・・・・・反応室、５・・・・・・窓、６・・・・
・・紫外光源、８・・・・・・クリーニング室、１３・
・・・・・１駆動装置、２２・・・・・・窓支持体、２
４・・・・・・チャンバーフレーム、３１Ａ。 ３１Ｂ・・・・・反応室、３２・・・・・・ランプ室、
３３Ａ。 ３３Ｂ・・・・・・クリーニング室。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
一一反Ｅ：、室 ７− 斥肛隈 ８−一−クワー；ング宣 １２−一−ラ、ワ、室
を示す断面図、第２図（、）は同光ＣＶＤ装置の窓およ
びその支持構造部分の概略平面図、第２図（ｂ）は同（
ａ）のＢ１〜Ｂ２線断面図、第３図は本発明の他の実施
例のランプ室を共用した量産用光ＣＶＤ装置の構成を示
す断面図である。 １・・・・・・反応室、５・・・・・・窓、６・・・・
・・紫外光源、８・・・・・・クリーニング室、１３・
・・・・・１駆動装置、２２・・・・・・窓支持体、２
４・・・・・・チャンバーフレーム、３１Ａ。 ３１Ｂ・・・・・反応室、３２・・・・・・ランプ室、
３３Ａ。 ３３Ｂ・・・・・・クリーニング室。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
一一反Ｅ：、室 ７− 斥肛隈 ８−一−クワー；ング宣 １２−一−ラ、ワ、室
Claims (2)
- （１）原料ガスを光分解することにより気相から基板上
に膜形成を行う光ＣＶＤ装置であって、個別に独立した
反応室およびクリーニング室と、ランプ室からの光を反
応室に導入する複数の光導入窓と、前記複数の光導入窓
を前記反応室とクリーニング室との間で搬送する光導入
窓技持体とを備え、前記反応室で使用した光導入窓とク
リーニング室において付着物を除去された光導入窓とを
交換できる構成としたことを特徴とする光ＣＶＤ装置。 - （２）反応室側に配設された複数の光導入窓に１つの共
用ランプ室から光を照射することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151853A JPS63314828A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151853A JPS63314828A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63314828A true JPS63314828A (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=15527695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62151853A Pending JPS63314828A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63314828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6520189B1 (en) | 1986-09-09 | 2003-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD apparatus |
| JP2005063850A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Ran Technical Service Kk | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6052014A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS6064426A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Hitachi Ltd | 気相反応薄膜形成方法および装置 |
| JPS6246515A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法及びその装置 |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP62151853A patent/JPS63314828A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6052014A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS6064426A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Hitachi Ltd | 気相反応薄膜形成方法および装置 |
| JPS6246515A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法及びその装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6520189B1 (en) | 1986-09-09 | 2003-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD apparatus |
| JP2005063850A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Ran Technical Service Kk | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
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