JPS6052120B2 - 炭化珪素の製造方法 - Google Patents

炭化珪素の製造方法

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JPS6052120B2 JP57096791A JP9679182A JPS6052120B2 JP S6052120 B2 JPS6052120 B2 JP S6052120B2 JP 57096791 A JP57096791 A JP 57096791A JP 9679182 A JP9679182 A JP 9679182A JP S6052120 B2 JPS6052120 B2 JP S6052120B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は炭化珪素ウィスカ−の製造方法に関す る。
ウィスカ−はひげ状結晶とも呼ばれ、単結晶で転移及
び格子欠陥などの構造上の欠陥が少ないので同一素材の
塊状結晶に比べ、格段に機械的強度が大きいのて、他の
物質に混入して機械的強度が高い複合材料を得るための
強化物質として注目さ”れている。中でも窒化珪素ウィ
スカ−は結晶構造がダイヤモンドの置換型構造であるた
めに強度及び弾性率が特に優れているほか、耐熱性、熱
伝導率及び化学安定性が大で、高温耐酸化性が優れてい
る等の多くの長所を有するので、特に注目され、ている
。従来の炭化珪素ウィスカーの製造法としては炭素含有
ガスと珪素含有ガスとを反応させ、或いは炭素及び珪素
の双方を含有する有機珪素ガスを熱分解する純気相反応
法や、炭素及び珪素を含む固体原料を用いこれをキャリ
ヤーガスを流通させて、原料から離れた位置に炭化珪素
ウィスカーを成長させる固体原料法などが存在する。
しかしながら、これらはいずれも炭化珪素ウィスカーの
収率が低いものであり、両者の方法を比べると、後者は
前者よりも原料価格ならびに原料確保の点で格段と有利
であるが、原料の大部分が塊状炭化珪素となるため、ウ
ィスカーの収率はきわめて低いものであつた。本発明は
、上述の問題点に鑑み、成されたもので固体原料を使用
しながらも原料から離れた位置ではなく、原料の内外面
にきわめて高収率で炭化珪素ウィスカーを生成成長せし
める方法を提供することを目的とする。
以下、本発明の構成について具体的に詳述する。
本発明の基本的構成は、炭素及び珪素を含有し、薄肉で
かつウィスカーの成長に十分な空隙を保有する形状の原
料をガス流通性を保有できる状態にしてトレーに装填し
、これを非酸化性雰囲気の炉内で上記原料の空隙に窒素
系ガスを除く非酸化性ガスを流通させつつ、４００〜１
３００℃まで段階的に昇温する複数の温度域を高温部方
向へ間欠的に移動させながら不純物成分を除去せしめた
のち、１３５０〜１４５０℃に至る温度域を高温部方向
へ間欠的に移動させて炭化せしめることから成り、好ま
しくはトレーに装填する前．の原料にホウ素化合物、ラ
ンタン化合物の１種又は２種以上の混合物を付着せしめ
ておくことから成つている。
次に具体的に各事項を詳述すると、 上記の構成において、珪素及び炭素を含有し、薄肉でか
つウィスカーの成長に十分な空隙を保有する形状の原料
とは、そのまますぐに原料に供しうる天然の好適材どし
て籾殼があるが、このほか、合成したものとして、珪素
原料と炭素原料を微粉末の状態でつなぎ剤としてメチル
セルロース１液を少量加えて混練して小寸法の中空短管
状・撚れたフレーク状・波板状あるいはもつれ合つた糸
状に成形されたもの（この場合、特に、中空短管状のも
のが籾殼のごとくそれ自体に内部空隙を保有しているの
で最適である）あるいはろ紙のような高純度のセルロー
ス質に珪素酸あるいはシリコン樹脂を含浸し乾燥させた
ものをたとえば、波板形状に成形して相互間に十分な空
隙ができるようにしたものを意味しており、少なくとも
これらから選択された１以上のものである。
ところで、本発明て使用できる珪素及び炭素を）含有し
、薄肉でかつウィスカーの成長に十分な珪素を保有する
形状の原料としてもつとも実際的でかつ容易に入手でき
る原料としては籾殼があげられる。
この籾殼は稲作農業で多量に副生するにもかかわらず、
目立つた用途に供されていないが有・機物以外にＳｌＯ
２を１３〜２２Ｗｔ％、ＭｇＯを０．０２〜０．０５Ｗ
ｔ％、ＣａＯを０．１０〜０．１５Ｗｔ％、Ｋ２Ｏを０
．３〜０．４Ｗｔ％、Ｐ２Ｏ５を０．０５〜０．１０Ｗ
ｔ％含有しており、空気を遮断して仮焼すると籾殼の全
重量の６０Ｗｔ％を占める有機物が飛散し、炭素分と珪
酸分との比率は７：３〜５：５となる。このうちの炭素
分は加熱反応工程中、籾殼がその形状を維持するのに貢
献し、ウィスカーの生成に使われる。
残余の不純物のうち、Ｋ２Ｏ及びＰ２Ｏ．は籾殼の仮焼
及び窒化工程中に飛散し、ＭｇＣＯ及びＣａＯは後処理
によつて除去することができる。また、籾殼ではなく、
前記したような合成した原料を使用する場合にはつぎに
述べるような珪素原料ならびに炭素原料が比較的安価で
大量に入手できることから、原料の供給源としてきわめ
て望ましい。珪素分については、無水珪酸の形のものが
安価に入手でき、代表的な無水珪酸原料である珪石、珪
砂のほか、シラスと呼ばれる南九州地方に広く分布して
いる火山噴出物（その埋蔵量は９０晴トンといわれ、現
在、目立つような用途に供されていない。
その化学組成を第１表に示す）や板ガラス研摩廃粉にれ
はガラス工業において板ガラス研摩工程で多量に副生す
るが、超微粉であること、及び鉄分が多くてガラス原料
としての再使用が困難なことから利用されないまま放置
しているのが現状である。その化学組成は第２表に示す
。）も使用てきる。特にシラス及び板ガラス研摩廃粉は
各々と単独て用いるよりも混合して用いるほうが好まし
い。
これはシラスがかなり低い温度でガラス化して表面積が
激減し、珪素含有蒸気を発生しにくくなるため、融点が
高い板ガラス研摩廃粉に支持させることにより所望温度
で長時間にわたり珪素含有蒸気を発生しやすくするため
てある。また、板ガラス研摩廃粉に不純物として含まれ
ている酸化鉄はウィスカーの成長を促進する効果を有し
ているので、この混合原料はこの効果を利用することも
できる。一方、炭素原料であるがこれは純粋なものが工
業的に多量に供給されるのでこれを利用する。
一方、上述の珪素原料に配合する炭素原料としては、こ
れは純粋なものが工業的に多量に供給されるのでこれを
利用する。次に、このような炭化させた籾殻等の原料の
トレーへの装填は原料がその形状を崩さずに各原料相互
間にガスが流通しやすいように空隙を保有させておこな
うことが必要である。
又、好ましくはトレーに装填する前の原料に結晶成長促
進剤としてホウ素化合物又はランタン化合物の１種ある
いは２種以上の混合物、この結晶促進剤は液状として噴
霧するか、粉末として付着せしめておく。付着量は経験
的に原料のＳｉ重量に対してホウ素化合物もしくはラン
タン化合物またはこれらの両者の混合物として１〜４０
Ｗｔ％、好ましくは５〜２０ｗｔ％、最も好ましくは７
〜１５Ｗｔ％とする。そして原料が装填されたトレーを
常法により非酸化性雰囲気とした炉内に導く。炉内は４
００℃から１４５０℃まで段階的に昇温する複数の温度
域、たとえば４０００Ｃ，５０００Ｃ，６００℃，７０
０ばＣ，９０００Ｃ，１１００Ｃ，１２００℃，１３０
０℃，１３５０℃，１４５０℃と段階的に昇温する温度
域に区分されており各温度域では下方から上方へ窒素系
ガスを除く非酸化性ガスが常に流通せしめられている。
なお、１３００℃までの比較的低温域ではアルゴンガス
が用いられるとよソー層好ましい。
トレーは上記各温度域を低温部から高温部域へ所定時間
をおいて間欠的に移動せられ、この間にトレー中の原料
は加熱され、不純物成分を飛散せしめられたのち原料中
の珪素成分は炭化される。トレーが比較的低温部から高
温部方向へ間欠的に移動され不純物を飛散させるための
所要時間は４００℃，５００℃，６００さＣ，７０００
Ｃ，９０００Ｃ，１１０００Ｃ，１２０００Ｃ，１３０
０℃の各温度域て１〜２？間、好ましくは５〜２＠間が
適当であり、１３５０〜１４５０℃の温度域で原料中の
珪素成分が炭化する時間は２〜１Ｃ＠間、好ましくは４
〜１（ロ）間が適当である。この際、非酸”化性ガスの
流量、流速、ガス温度は炉の内容積、原料の炉内への仕
込み量等の条件により異なるがガス温度は低いものを送
入しないように注意を要する。かくて上述のごとき条件
下で処理された原料にはその内外面ならびに各原料相互
間の空隙にさらに炉天井部に綿状ないし羽毛状に窒化珪
素ウィスカーが成長生成する。
次いで、このように原料の内外面に成長生成した窒化珪
素ウィスカーは下述のウィスカー分離捕集により単結晶
として回収する。具体的に説明するに、炉内から取出し
たトレー中の原料はその内外面に窒化珪素ウィスカーが
からみ合つて互いに結合しているので、これを水中に入
れ、ウィスカーが損傷しないように静かに攪拌する。
攪拌は機械的方法のほかにエアーレーシヨンや超音波な
どの方法で行う。原料がほぐれたならば、これに疎水性
の有機質液体、経済的なものとしては灯油を加えるとと
もに適量の塩酸を加え、４０〜５０′Ｃに加熱して静か
に攪拌してからしばらく静置する。
すると、水と灯油とが分離した際にウィスカーは下部の
水層側に、ウィスカーが除かれた原料は上部の灯油側に
移動している。尚、塩酸の添加によりウィスカーは親水
性を増し、沈降し、沈降速度は速く、分離はほぼ完全に
おこなわれる。次いで水層側に分離捕集されたウィスカ
ーは市販洗剤、金属石けんなどを用いて浮遊選鉱技術で
精選すると不純物を効率よく除去てきるが、単に水洗を
くり返すだけでもかなりの不純物を除去でき、窒化珪素
ウィスカーのみを得ることができる。
又、灯油ならびに塩酸は最初から水に加えておいてもよ
く原料がよく解きほぐされるように水に分散効果を示す
助剤を添加してもよいが有機質液．体を乳化させないも
のを選ぶことが必要である。
なお、窒化珪素ウィスカーが成長生成せしめられた原料
は上述の液体による分離に供する前に機械的に解きほぐ
してもよいがこの場合は多少のウィスカーの損傷は避け
られない。一方、灯油側で捕！集した原料はウィスカー
と同成分の粉体を含んでいるのでこれを１０００℃以下
の酸化性雰囲気内で焼成することにより、炭素分を除い
て窒化珪素粉だけを取出し、これを研摩剤や窯業原料と
して利用てきる。次に本発明を工業的に実施する際に使
用する製造炉の一例を図面にもとづいて説明する。
図面は外部構造ならびに内部仕切等が耐熱材料でつくら
れた製造炉の断面を示し、両端に入口ガス置換室１と、
出口ガス置換室２を有し、その間に上下二段に区分され
、下側には上部が開放され下部にガス吹込口４のある小
室３が多数、設けられ（図面は中央部を省略）、その中
に適量のカーボンペレット５が収容されており、上側に
は上部が底部に原料がこぼれ落ちない程度の細孔６が多
数穿孔されたトレー７が前記小室の上に小室と同数分、
配設されている。
なお、トレーの材質はシリカ−アルミナ系のものでもよ
いが黒鉛製のものノとすると、高低温部への移動の際の
熱衝撃抵抗が強いので、より望ましい材質である。とこ
ろで本発明製造方法のプロセスを上述の図面に添つて説
明すると、まず、籾殼等の原料８を入れたトレー７を非
酸・化性ガスが送給されるガス入口置換室１内に搬送し
て非酸化性雰囲気下におく。
次いで、扉９を引き上げて段階的に温度が高くなるよう
に設定してある炉本体内のもつとも低温部（図面では一
番左側）である小室３の上へ移動させる。
小室３には適量のカーボンペレットが収容されており、
抵抗発熱体１０が設置されて所定の温度（例えば４００
℃）に維持できるようになつており、しかもガス吹込口
４から上方へ窒素系ガスを除く非酸化性ガス（たとえば
アルゴンガス）が所定流速で所定量、吹まれているので
、トレー７内の原料８は同トレーの底部に設けた細孔６
から流入する加熱された非酸化性ガスにより徐々にあた
ためられることになる。１１はガス出口である。
小室３は、図面上でその一部を省略したがたとえば総数
２０ぐらいあり４００℃から１２００℃ぐらいまで１０
０℃毎に温度が上がる小室を各１〜２ずつ連続して設け
１３００℃の小室が３室、１３５０℃ならびに１４５０
℃の小室が各４室ぐらいずつ設けられており、これらの
小室の真上にはトレー１ケース分が収容できる移動空間
が設けられている。４００〜１４５０℃までの各所定温
度で所定時間、各小室上にトレーの移動空間に間欠的に
移動せしめられたトレー内の原料は４００〜１３００゜
Ｃに至る段階的に昇温する複数の温度域を間欠的に移動
される間に充分に予熱され、不純物を除去されてのち１
３５０〜１４５０℃の間て原料中の珪素が炭化反応せし
められることになり、次に常温下で冷却せしめられるこ
とになる。
こで、トレーが炉本体内を移動中に炭化珪素の構成成分
である元素以外のＮａ，Ｃｌ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ等の不純
物元素（特に原料が籾殻の場合には有機物と不純物元素
）は徐々に飛散し、炉天井部分に結晶物として析出除去
されるので、１３５０〜１４５０℃で原料中の珪素含有
蒸気と炭素含有蒸気の炭化反応により原料の内外面に生
成する窒化珪素ウィスカーならびに同粉体の純度は飛躍
的に向上する。次に、原料中の不純物元素が炉内の温度
域において温度が高くなるにしたがい減少する、つまり
原料を所定温度で炭化して炭化珪素を生成せしめる場合
に炭化珪素の純度が高くなることを実証する実験データ
を第３表として掲げる。
上記実験データは原料中の不純物元素を７００℃におい
て１００とした場合に各温度で２時間、保持したときに
原料中に残存する元素の量を示したものであり、１４０
０℃ではかなりの量の不純物元素が飛散して原料中に占
める割合が減少しているので、同温度で原料が炭化せし
められて生成する窒化珪素ウィスカーの純度は上述のよ
うに原料中の不純物元素の減少分だけ高くなる。
又、第４表は第３表の実験データから明らかなように原
料中から飛散した元素が炉天井部に於て化合再結晶した
ものを捕集し、同析出結晶物中の不純物元素量を蛍光Ｘ
線分析により測定したデータである。
上記実験データから炉内入口部の原料の予熱開始段階（
４００〜６５０′Ｃ）では原料から比較的多く、不純物
元素が飛散し、炉天井部に析出結晶として付着し、７０
０゜Ｃ，１０００℃，１３０００Ｃ，１４００■Ｃと温
度が高くなるにしたがい、一般的に不純物元素の飛散量
が減少するにともない、炉天井部に付着する析出結晶中
の不純物元素量は減少する傾向がみられ、冷却部（常温
）では逆に析出結晶中の不純物元素量が増加し、出口部
においてもほぼ同様の傾向がみられる。
考察するに、不純物元素はその種類と温度により飛散状
態は異なるが入口部から出口部に至るまで不純物元素は
炉天井部に於て、化合再結晶として析出するので結局、
出口部におけるトレー中の原料の内外面に生成する窒化
珪素ウィスカーならびに炭化珪素粉体の純度が飛躍的に
向上するものと考えられる。又、冷却部ならびに出口部
においては一般に析出結晶中の不純物元素量が炭化反応
温度（１３５０〜１４５０℃）より多いのは温度の急激
低下により飛散状態にある不純物元素が凝縮するためと
考えられる。ところで、本発明製造方法においてその原
料に、結晶成長促進剤としてホウ素化合物、ランタン化
合物の１種又は２種以上の混合物を付着せしめた場合の
効果を示す比較実験データを第５表として掲げる。
（４）この場合の原料としては炭化籾殻（６００℃で仮
焼）を用いた。
上記表の比較実験データから明らかなように原料に結晶
成長促進剤としてＨ３ＢＯ３を添加すればＳｉＣウィス
カーの収率は８４．６％，ＬａＣｌ３の添加の場合の収
率は６１．２％と、結晶成長促進剤を全く添加しない場
合の３５．０％に比べ、きわめて良好な収率ｊで製造で
きることが判明した。
又、本発明製造方法において用いる原料をトレーに装填
して炉内で仮焼、炭化反応に供する前に予め、酸処理を
施しておけは原料中の不純物成分や有機物がかなり除去
できて爾後処理がよソー層効果的におこなえ・る。ここ
で原料として籾殼を用い、これを酸処理する場合を例と
して掲げる。すなわち、籾殼の酸処理はたとえば生籾殼
を駆−ＨＣｌに加えて０．５〜１時間煮沸することによ
りおこなう。
これにより生籾殼の主核を形成するセルロースが還元作
用をうけ炭水化物から酸素がぬけて黒色化するが、籾殻
中のタンパク質は分解してアミノ酸となり、高分子化合
物であるセルロースは低分子化合物に変わつて溶出する
ので籾殼の多孔質化が計れ、爾後の籾殻からの不純物成
分の飛散、珪素と炭素との反応、ひいては炭化珪素ウィ
スカーの成長を容易にすることとなる。また、この籾殻
の酸処理により減少する生籾殻中の含有元素量について
比較実験データを示せば第６表のとおりである。（至）
生籾殼の酸処理後の含有元素量は生籾殼を駆−ＨＣｌ溶
液中に浸漬し、煮沸後、水洗いしたものを蛍光Ｘ線分析
したもので、生籾殼（未処理）中の含有元素量を１００
とした場合の存在量を示し同じく、参考値として掲げた
データは生籾殻を仮焼後、同様の酸処理をほどこした際
の含有元素の存在量を示すものとする。
上記表に掲げた実験データ結果から明らかなことは生籾
殼の酸処理により炭化珪素の構成成分であるＳｉ以外の
含有元素はその量が１００％減少するか、もしくはかな
りの減少率を示しており、いわゆる不純物構成元素の減
少により、爾後処理により生成しうる窒化珪素ウィスカ
ー、ならびに同粉体の純度の向上に資することが理解で
きうる。
又、工業的製造炉としては図示のもののほかに一端から
スクリューフィーダにより原料を間欠的に挿入して、炉
内の予熱温度域から炭化反応温度域を所定時間をおいて
降下移動させながら、炭化反応せしめて、他端から反応
を終つた原料を排出させる縦型構造のものを使用するこ
ともでき、この場合にはトレーが不要となる。然して、
炉内で所定処理を経て窒化珪素ウィスカーならびに同粉
体を生成せしめられた原料は前述のことく、灯油などの
疎水性有機質液体と水と塩酸の混合液による分離により
窒化珪素ウィスカーのみを水層側に分離捕集し精選する
。以上、述べてきたとおり本発明は構成されており、従
来の製造方法のように原料から離れた位置ではなく原料
の内外面に窒化珪素ウィスカーを生成せしめるものであ
るから、炭化反応後の原料を灯油等の疎水性有機質液体
と水と塩酸の混合液による分離捕集法により、きわめて
高い収率で炭化珪素ウィスカーを得ることが可能で、し
かも原料中の珪素成分のほとんどすべてを炭化珪素に変
換できる。また、本発明方法によつて炉内のトレーから
取出した原料の内外面に生成せしめたウィスカーを分離
の工程を経すにそのまま炭化珪素粉体一炭化珪素ウイス
カーー炭素の混合物、あるいは炭素を焼失せしめて、炭
化珪素一炭化珪素ウィスカーの混合物とし、工業材料と
して利用もできる。更に、原料は炭化させた籾殼や無水
珪酸原料である珪石、珪砂のほかにシラスや板ガラス研
摩廃粉など、きわめて安価で、多量に入手できるものて
あるから製造コスト的にみてきわめて経済的である。以
下、本発明の実施例を説明する。
実施例１ 化学分析値１ｇ．Ｌ０ＳＳ：７９．６１％，ＳｌＯ２：
１７．５５％，Ａｌ２Ｏ３：０．０４％，Ｆｅ２Ｏ３：
０．０１％，ＣａＯ：０．０４％，ＭｇＯ：０．１６％
の籾殻３０ｙを空気遮断して９００℃で仮焼し、これを
、底部に多数の小孔を穿設した黒鉛製トレーに入れ蓋を
せずに、添付図面に示すような構造のアルミナ製マツフ
ル炉にカーボンペレットを厚さ５ｃｍ程充填した上に置
きアルゴンガスを０．５′ノＭｍで炉底部より上部に流
しつつ昇温し、８００℃で３時間、１０００℃で３時間
、１２０００Ｃで３時間、保持した。
このあと３℃１ｍ１ｎの昇温率で１４００℃になるまで
アルゴンガスを流しつつ昇温し、１４００゜Ｃに達した
時点でアルゴンガス流量を５ｅ１ｍｉｎに増加して８時
間、保持したのち、ガス流量を０．５ｅＩｍ１ｎとして
、１０００℃まで降温し、次いでガスの送給を止めて密
閉冷却した。次に、トレー内の処理済原料を灯油：水（
水道水）＝３：７の混合液中に投入し１時間、静かに攪
拌後、静置した。すると、下側に水、上側に灯油と、２
液分離するとともに水側へは炭化珪素ウィスカーが、灯
油側へは炭化物が分離捕集された。水中に含まれる炭化
珪素ウィスカーは浮遊選鉱技術により処理し、同ウィス
カーを２．９ｙ得た。このウィスカーを電子顕微鏡で観
察した結果、その形状は直径０．２μｍ１長さ約６０μ
ｍのもので制限視野電子線回折によればα−ＳｉＣの単
結晶であると認められた。また、灯油側で捕集された炭
化物を９００′Ｃの酸化雰囲気中で２時間焼成して灰白
色の粉体１３ｆを得たが、前記電子線回折によるとこの
成分の大部分がα−ＳｉＣであると認められた。
実施例２ 実施例１と同様の原料３０ｇにＨ３ＢＯ３（純度９９．
５％）を１６．９ｙを添加し、実施例１と同様に反応さ
せて分離を行なつたところ、７．４ｇのα−ＳｉＣウィ
スカーが得られた。
実施例３ 実施例１と同様の原料３０ｙにＬａＣＩ３ｌＶを添加し
、実施例１と同様に反応させ分離を行なつたところ、５
．３７ｙのα−ＳｉＣウィスカーが得られた。
実施例４２００メッシュ以下に粒度調整したシラス（鹿
児島県鹿屋市西部の古江産の火山噴出物て、無水珪酸１
５〜７５％を含有）粉砕物を４０Ｗｔ％、３２５メッシ
ュ以下に調整したガラス研摩廃粉を２０Ｗｔ％、２００
メッシュ以下に調整した炭素粉を４０Ｗｔ％の割合で混
合し、メチルセルロース液を少量加えて混練し、押出成
型により外径５ｗｔ１内径４顛、長さ５順の中空短管状
に成型して原料とした。この原料を自然乾燥後、実施例
１と同じ炉を使い、同様の条件・方法て焼成し、灯油／
水／塩酸の混合液による分離捕集によりウィスカー状物
２０ｗｔ％、ならびに粉状物叩憇％の割合で得た。電子
顕微鏡観察によれば、ウィスカー状物は直径２μｍ前後
、長さ１００ｐｍ前後ありＸ線回折によれば、完全なα
−ＳｉＣの単結晶であり、粉状物はα−ＳｌＣに若干の
不純物が混在していることが認められた。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明製造方法を工業的に実施する際に使用する
製造炉の一例を示す一部切欠断面図である。 １・・・入口ガス置換室、２・・・出口ガス置換室、３
・・・小室、４・・・ガス吹込口、５・・・カーボンペ
レット、６・・・細孔、７・・・トレー、８・・・原料
、９・・・扉、１０・・・抵抗発熱体、１１・・・ガス
出口。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 珪素および炭素を含有し、薄肉でかつウィスカーの
    成長に十分な空隙を保有する形状の原料を、ガス流通性
    を保有する状態にしてトレーに装填し、これを非酸化性
    雰囲気の炉内で、上記原料の空隙に、窒素系ガスを除く
    非酸化性ガスを流通させつつ、４００℃から１３００℃
    まで段階的に昇温する複数の温度域を高温部方向へ間欠
    的に移動させながら不純物成分を飛散除去せしめたのち
    、１３５０℃から１４５０℃の温度域で原料中の珪素を
    炭化反応せしめることを特徴とする炭化珪素ウィスカー
    の製造方法。 ２ 珪素および炭素を含有し、薄肉でくつウィスカーの
    成長に十分な空隙を保有する形状の原料に、結晶成長促
    進剤としてホウ素化合物、ランタン化合物の中から選ば
    れた１種又は２種以上の混合物を添加し、これをガス流
    通性を保有する状態にしてトレーに装填し、これを非酸
    化性雰囲気の炉内で、上記原料の空隙に、窒素系ガスを
    除く非酸化性ガスを流動させつつ、４００℃から１３０
    ０℃まで段階的に昇温する複数の温度域を高温部方向へ
    間欠的に移動させながら不純物を飛散除去せしめたのち
    、１３５０℃から１４５０℃の温度域で原料中の珪素を
    炭化反応せしめることを特徴とする炭化珪素ウィスカー
    の製造方法。 ３ 珪素および炭素を含有し、薄肉でかつウィスカーの
    成長に十分な珪素を保有する形状の原料に、酸処理を施
    してのち、これをガス流通性を保有する状態にしてトレ
    ーに装填し、これを非酸化性雰囲気の炉内で、上記原料
    の空隙に、窒素系ガスを除く非酸化性ガスを流通させつ
    つ、４００℃から１３００℃まで段階的に昇温する複数
    の温度域を高温部方向へ間欠的に移動させながら不純物
    成分を飛散除去せしめたのち、１３５０℃から１４５０
    ℃の温度域で原料中の珪素を炭化反応せしめることを特
    徴とする炭化珪素ウィスカーの製造方法。
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