JPS605517A - 荷電粒子線露光方法 - Google Patents
荷電粒子線露光方法Info
- Publication number
- JPS605517A JPS605517A JP58113449A JP11344983A JPS605517A JP S605517 A JPS605517 A JP S605517A JP 58113449 A JP58113449 A JP 58113449A JP 11344983 A JP11344983 A JP 11344983A JP S605517 A JPS605517 A JP S605517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elongation
- amount
- contraction
- deflector
- shot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は精度のよい露光を可能とした荷電粒子線露）’
４ ｆｊ法（Ｊ関づる。
４ ｆｊ法（Ｊ関づる。
最近、ＩｓＩ素子や超ＬＳＩ素子の製作方法としで動電
顆了線露光／ｊ法が注目されてい孔。での内、電子線露
光方法にＪ、る直接露光を例に上げると、電子銃からの
電子線を材料上の所定位置に収束さＵるど同時に該電子
線で材料上の所定領域を適宜走査さｌて、パターンを描
くようにし°Ｃいる。
顆了線露光／ｊ法が注目されてい孔。での内、電子線露
光方法にＪ、る直接露光を例に上げると、電子銃からの
電子線を材料上の所定位置に収束さＵるど同時に該電子
線で材料上の所定領域を適宜走査さｌて、パターンを描
くようにし°Ｃいる。
さて、一般に月お１はホルダーに挿入され、該ホルダー
の四隅に設りられＩこ上面規制板に該材料を下方四隅か
ら押し−［げて該ホルダーに固定し、該ホルダーをＸ、
Ｙの二方向に移動可能なステージに載置゛りる。しかし
、前記上面規制板の月オ；≧１を固定りる各支点と下方
からの押し上げる力の作用りる各点とがずれると、＠料
が撓／ｊ ｒ−Ｌ／まい、所定の電子線のショットすべ
き位置が狂ってしまい、露光積電が著しく悪＜ ’ｃｈ
ってしまう。
の四隅に設りられＩこ上面規制板に該材料を下方四隅か
ら押し−［げて該ホルダーに固定し、該ホルダーをＸ、
Ｙの二方向に移動可能なステージに載置゛りる。しかし
、前記上面規制板の月オ；≧１を固定りる各支点と下方
からの押し上げる力の作用りる各点とがずれると、＠料
が撓／ｊ ｒ−Ｌ／まい、所定の電子線のショットすべ
き位置が狂ってしまい、露光積電が著しく悪＜ ’ｃｈ
ってしまう。
本発明はこのＪ、うな魚を解決づ゛ることを目的とした
ものである。
ものである。
本発明はｖ；１電粒子線を（Ａわｌ 、−１−の所定装
置に照射してパターンを描画づる人うにした方法におい
て、前記４Ａ ？３１十の多数の（Ｃ７＋ｍのＩｇｉさ
を測定し、該測定伯に基づいζ高さ分布をめ、該分布か
ら前記材お１を円弧状の伸び領域又は編み領域に分（、
Ｊ、該各７１域の曲″率半仔をめ、次に該各伸びｆｉｉ
′ｉ域又は幅み領域に存在りるチップの伸び量又は縮み
昂をめ、該各チップ内にパターンをｆｉＩ′ＩＬｊｉづ
る■、該伸び量又は縮み量に基づいて照射位置を修正し
た荷電粒子線露光り法を提供するものである。
置に照射してパターンを描画づる人うにした方法におい
て、前記４Ａ ？３１十の多数の（Ｃ７＋ｍのＩｇｉさ
を測定し、該測定伯に基づいζ高さ分布をめ、該分布か
ら前記材お１を円弧状の伸び領域又は編み領域に分（、
Ｊ、該各７１域の曲″率半仔をめ、次に該各伸びｆｉｉ
′ｉ域又は幅み領域に存在りるチップの伸び量又は縮み
昂をめ、該各チップ内にパターンをｆｉＩ′ＩＬｊｉづ
る■、該伸び量又は縮み量に基づいて照射位置を修正し
た荷電粒子線露光り法を提供するものである。
先ず本発明は、第１図に示づように材料上の多数の１ｉ
ＬＲ，（Ｘｌ、Ｖ＋）、（Ｘｌ、Ｖ２’）、（ｘ＋ 、
Ｖ３）、 ・・・・＋＋＋＋、（Ｘ２ 、Ｖ＋ ＞、（
Ｘ２ 。
ＬＲ，（Ｘｌ、Ｖ＋）、（Ｘｌ、Ｖ２’）、（ｘ＋ 、
Ｖ３）、 ・・・・＋＋＋＋、（Ｘ２ 、Ｖ＋ ＞、（
Ｘ２ 。
ｙ２）、・・・・・・・・（Ｘ３．Ｖ＋ ）、（Ｘ３．
ｙ２’）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
、（Ｘｎ、ｙｎ）の高さを既知の、：’５さ測定′）−
同にＪ、り測定Ｊる。イしＣ例えば、月利のＸ ７ｊ向
、Ｙ方向の適宜間隔ごとの線状の商さ分イ０を大・ン求
める。以後説明の都合上Ｙ方向につい（説明りる。口の
ようにして高さ分布をめ−（みると、例えば第２図に示
すように非常に緩かな円弧を描く。さて請求めた高さ分
子ｌｉの内ｙ３方向の分イ１１が例えば、第３図の、様
になったとする。尚、１１０は基準の高さである。該分
布から、材料上ｙ３方向の×１〜×Ｓ迄は伸び領域、Ｘ
９〜ＸＩＳ迄は耗１み領域、ＸＩＳ〜Ｘ２３迄は伸び領
域とする。このような伸び領域と縮み領域の指定を前記
ｙＧｈ向、Ｖｓ方向・・・・・・・・・・・・、×３方
向、ｘ６方向＋Ｘ９方向・・・・・・・・・についても
行なう。次に、前記各円弧状伸び領域又は縮み領域の曲
率半径をめる。
ｙ２’）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
、（Ｘｎ、ｙｎ）の高さを既知の、：’５さ測定′）−
同にＪ、り測定Ｊる。イしＣ例えば、月利のＸ ７ｊ向
、Ｙ方向の適宜間隔ごとの線状の商さ分イ０を大・ン求
める。以後説明の都合上Ｙ方向につい（説明りる。口の
ようにして高さ分布をめ−（みると、例えば第２図に示
すように非常に緩かな円弧を描く。さて請求めた高さ分
子ｌｉの内ｙ３方向の分イ１１が例えば、第３図の、様
になったとする。尚、１１０は基準の高さである。該分
布から、材料上ｙ３方向の×１〜×Ｓ迄は伸び領域、Ｘ
９〜ＸＩＳ迄は耗１み領域、ＸＩＳ〜Ｘ２３迄は伸び領
域とする。このような伸び領域と縮み領域の指定を前記
ｙＧｈ向、Ｖｓ方向・・・・・・・・・・・・、×３方
向、ｘ６方向＋Ｘ９方向・・・・・・・・・についても
行なう。次に、前記各円弧状伸び領域又は縮み領域の曲
率半径をめる。
第４図は例えば、成る伸びｇｌ域の曲率半径をめる場合
の図で、図中１は前行程でめｌこ高さ分布に従つ（描い
た材料Ｃ′、厚みを王１月１１の中心Ｏ（円弧の偵点）
からＹ方向の仔意の点Ｐの距離（円周角θの月利上の位
置）をＸ、該点Ｐの月別の中心Ｏの高さに対りる偏差を
ΔＺとづれば、該伸び領域にある月別部の曲率半径（実
際には円弧の中心Ｃから材料の中間層部ら１／２丁の厚
さの所迄の距離）Ｒは、 Ｒ＝Ｘ２ ／２△７＋ΔＺ／２−Ｔ／２・・・・・・（
１）からめられるくΔＺは、高さ測定装置によりめられ
る）。
の図で、図中１は前行程でめｌこ高さ分布に従つ（描い
た材料Ｃ′、厚みを王１月１１の中心Ｏ（円弧の偵点）
からＹ方向の仔意の点Ｐの距離（円周角θの月利上の位
置）をＸ、該点Ｐの月別の中心Ｏの高さに対りる偏差を
ΔＺとづれば、該伸び領域にある月別部の曲率半径（実
際には円弧の中心Ｃから材料の中間層部ら１／２丁の厚
さの所迄の距離）Ｒは、 Ｒ＝Ｘ２ ／２△７＋ΔＺ／２−Ｔ／２・・・・・・（
１）からめられるくΔＺは、高さ測定装置によりめられ
る）。
次に、各伸び領域又は縮み領域内のチップの伸び早又【
、１、縮み量をめる。第５図は伸び領域と縮み領域に分
割された材料を示したもので、Ａ１〜ＡＩ２・・・・・
・・・・が分割された領域１、実線のカーブは各々ｙ３
方向、Ｖｓｈ向、Ｖｓｈ向・・・・・・の高さ分布を現
わり−（Δ１＊ Ａ３＋Δ４．Ａ６ 、Δ７゜△Ｓ、Δ
１０．△１２が伸び領域、Δ２．Ａ５１Δ８．Δ１１は
縮み領域Ｃある）。例えば、伸び領域△１にお（）るａ
１〜ａＩ２はブーツブを現わし、各ヂッゾの伸び量は次
の様にし°（測定される。、′、Ａ４図から、中間層中
心Ｑから円周角θの円周の長さを１゛とりれば、伸び量
Δ１は Δ１−４ＴΔＺ／２ｒ ０表りことが出来る。ここでΔ７は ΔＺ＝ｒ２／、２Ｒ と入りことが出来るので、ｒは ｒ＝Ｆ７］「７圭− と入りことが出来、伸び量△１は Δ＋ ＝２１− ΔＺ／ ｒＹ■Ｔ■・・・・−（２＞
からＲどＴどΔＺからめることが出来る。さて伸び７（
ｉ ｌｐｊ、八１の各チップの伸び虫について、ａ＋
、 ａ Ｓ 、 ｉｌ ９についＵ、ａ、２．ｉ１．６
．’ａｌｏ。
、１、縮み量をめる。第５図は伸び領域と縮み領域に分
割された材料を示したもので、Ａ１〜ＡＩ２・・・・・
・・・・が分割された領域１、実線のカーブは各々ｙ３
方向、Ｖｓｈ向、Ｖｓｈ向・・・・・・の高さ分布を現
わり−（Δ１＊ Ａ３＋Δ４．Ａ６ 、Δ７゜△Ｓ、Δ
１０．△１２が伸び領域、Δ２．Ａ５１Δ８．Δ１１は
縮み領域Ｃある）。例えば、伸び領域△１にお（）るａ
１〜ａＩ２はブーツブを現わし、各ヂッゾの伸び量は次
の様にし°（測定される。、′、Ａ４図から、中間層中
心Ｑから円周角θの円周の長さを１゛とりれば、伸び量
Δ１は Δ１−４ＴΔＺ／２ｒ ０表りことが出来る。ここでΔ７は ΔＺ＝ｒ２／、２Ｒ と入りことが出来るので、ｒは ｒ＝Ｆ７］「７圭− と入りことが出来、伸び量△１は Δ＋ ＝２１− ΔＺ／ ｒＹ■Ｔ■・・・・−（２＞
からＲどＴどΔＺからめることが出来る。さて伸び７（
ｉ ｌｐｊ、八１の各チップの伸び虫について、ａ＋
、 ａ Ｓ 、 ｉｌ ９についＵ、ａ、２．ｉ１．６
．’ａｌｏ。
ｔこつい−て、ａｓ、ａ７．ａ＋＋について、ａ４゜ａ
ｓ、ａ１２についＣ大ｌｚ回−の伸び量である。
ｓ、ａ１２についＣ大ｌｚ回−の伸び量である。
前記ヂッゾｉｌ １． ａ Ｓ 、 ａ ９の伸び量Δ
１１は何れかのチップ中心の高さと、領域Ａ１の中心Ｏ
の高さとの偏差△７１を前記（２）式に代入しくめられ
る。同様にチップａ２．ａ６．ａ＋ｏ、ａ３、ａ７．ａ
ｌ＋ Ｘａ４’、ａｓ、、ａ＋ｚに二）イ（の伸びψ△
１２、Δ１３も夫々側れかのチップの中心の尚８と、征
１域中心Ｏの１１ｈさとの偏差Δ７２、ΔＺ３を前記（
２）式に代入しくめられる。但し、実際のパターン描画
時には前記中間層の円周ｒの位置の伸び量はへ１／２で
あるの（・、パターン描画１４にはΔ１．．−’２だ【
ブチツブ位置を修正してやる。
１１は何れかのチップ中心の高さと、領域Ａ１の中心Ｏ
の高さとの偏差△７１を前記（２）式に代入しくめられ
る。同様にチップａ２．ａ６．ａ＋ｏ、ａ３、ａ７．ａ
ｌ＋ Ｘａ４’、ａｓ、、ａ＋ｚに二）イ（の伸びψ△
１２、Δ１３も夫々側れかのチップの中心の尚８と、征
１域中心Ｏの１１ｈさとの偏差Δ７２、ΔＺ３を前記（
２）式に代入しくめられる。但し、実際のパターン描画
時には前記中間層の円周ｒの位置の伸び量はへ１／２で
あるの（・、パターン描画１４にはΔ１．．−’２だ【
ブチツブ位置を修正してやる。
この様にして各伸び領域と各縮み領域に存在Ｊ゛る各チ
ップの伸びωと縮み量を前記（１）式て゛測定し／＋＝
Ｒど予め分つ（い仝Ｔと高さ測定でめたΔ７から（２
）式にＪ、り測定し電子計ｌ１ｌ（ＣＰＵ）のメモリに
記憶させ−（Ｊ３り。イし−〔パターン描画時、ＣＰＵ
は材料の描画リベきチップの伸び量又は縮み串に応じ（
該チッゾ内にショツｌ−されるビームの位置を修止Ｊる
。尚、前記説明はＸ方向につい（したが、Ｙ方向につい
ても同様に行なわれる。。
ップの伸びωと縮み量を前記（１）式て゛測定し／＋＝
Ｒど予め分つ（い仝Ｔと高さ測定でめたΔ７から（２
）式にＪ、り測定し電子計ｌ１ｌ（ＣＰＵ）のメモリに
記憶させ−（Ｊ３り。イし−〔パターン描画時、ＣＰＵ
は材料の描画リベきチップの伸び量又は縮み串に応じ（
該チッゾ内にショツｌ−されるビームの位置を修止Ｊる
。尚、前記説明はＸ方向につい（したが、Ｙ方向につい
ても同様に行なわれる。。
第６図は本発明の一応用例どして示した電子線露光装置
の概略図で、電子銃２から射出された電子ビームは電子
レンズ３により材料ホルダー４にホールドされた材料１
Ｆに集束されると同時に、偏向器５からの偏向力により
ショット位置が制御される。この偏向器にはＣＰ Ｕ
６から所定の位置信尼に前記材料の伸び又は縮みに１：
Ｌづく修ｊｌ： Ｗに対応した量の（Ａ Ｐが重畳され
たものが増幅器７を介しく送られてくる。即ち、該ＣＰ
ＩＪは露光前にメモリされた露光づべき材料のブップ
の伸び量又は縮み量を本来のショット位置信号に重畳し
く偏向器に供給りる。従っＣビームは材料上の所定の位
置にシ」ツｌ−される。
の概略図で、電子銃２から射出された電子ビームは電子
レンズ３により材料ホルダー４にホールドされた材料１
Ｆに集束されると同時に、偏向器５からの偏向力により
ショット位置が制御される。この偏向器にはＣＰ Ｕ
６から所定の位置信尼に前記材料の伸び又は縮みに１：
Ｌづく修ｊｌ： Ｗに対応した量の（Ａ Ｐが重畳され
たものが増幅器７を介しく送られてくる。即ち、該ＣＰ
ＩＪは露光前にメモリされた露光づべき材料のブップ
の伸び量又は縮み量を本来のショット位置信号に重畳し
く偏向器に供給りる。従っＣビームは材料上の所定の位
置にシ」ツｌ−される。
本発明によればｖＵ利の撓みによるビームのショット位
置の）（いがなくなり、この結Ｓ１２，１．’、Ｇ ｆ
；ｌ、度にパターンを描画りることが出来る。
置の）（いがなくなり、この結Ｓ１２，１．’、Ｇ ｆ
；ｌ、度にパターンを描画りることが出来る。
第１図〜第５図は本発明の説明を補足りる為に用いた図
、第６図は本発明の一応用例として示しＩこ電子線露光
装置百の概略図である。 １：祠わ１ ２：電子銃 ４：材料ボルダ− ５：偏向器 ６：電子計算係（ＣＰＵ） 特Ｒ’ｌ出願人 口本市子株式会社 代表者 ｇ＋藤 −夫 第１図 □ 第５図 第６図
、第６図は本発明の一応用例として示しＩこ電子線露光
装置百の概略図である。 １：祠わ１ ２：電子銃 ４：材料ボルダ− ５：偏向器 ６：電子計算係（ＣＰＵ） 特Ｒ’ｌ出願人 口本市子株式会社 代表者 ｇ＋藤 −夫 第１図 □ 第５図 第６図
Claims (1)
- 動電粒子線を材料上の所定位置に照射しＣパターンを描
画づるようにした方法において、前記材料上の多数の位
置の高さを測定し、該測定（的に基づいてｒ！１ざ分布
をめ、該分布から前記材料を円弧状の伸び領域又は縮み
領域に分け、該各領域の曲率半径をめ、次に該各伸び領
域又は縮み領域に（ｊ自りるチップのの伸び量又は縮み
量をめ、該各チップ内にパターンを描画する時、該伸び
吊又は縮み昂に阜づいＣ照剣位首を修正しｌこ動電粒子
線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113449A JPS605517A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 荷電粒子線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113449A JPS605517A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 荷電粒子線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605517A true JPS605517A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14612508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113449A Pending JPS605517A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 荷電粒子線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605517A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61177718A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
| JPS61235395A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-20 | 川鉄鉄構工業株式会社 | クレ−ンの走行位置決め方法 |
| JPH0458500U (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-19 | ||
| US5142154A (en) * | 1990-02-14 | 1992-08-25 | Jeol Ltd. | Charged-particle beam lithography and cassette for material patterned by charged-particle beam lithographic apparatus |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113449A patent/JPS605517A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61177718A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
| JPS61235395A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-20 | 川鉄鉄構工業株式会社 | クレ−ンの走行位置決め方法 |
| US5142154A (en) * | 1990-02-14 | 1992-08-25 | Jeol Ltd. | Charged-particle beam lithography and cassette for material patterned by charged-particle beam lithographic apparatus |
| JPH0458500U (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-19 |
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