JPS6055351A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外先細。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に門する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における１Σ了写真用
ｐ形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する
光導電材料として紙、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ
）／暗電流（ｒｄ）Ｊが高く、照射する電磁波のス４ク
トル特性にマツチングした吸収ス被りトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無害であること、更には固
体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊に、事
務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無分害性は重要な点であるつこの様な点に立脚
して最近注目されている光導り０７利料にアモルファス
シリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり、例えば、独
国公開第２７４６９６７号公報、同第２８５５７１８号
公報には電子写真用像形成部材としての応用、独国公開
第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置への応用
が記載されている。

しかしながら、従来のａ−８ｔで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度。

光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更にＬ経時的安定性の点にお
いて、結合的な特性向上を削る必要があるという更に改
良される可き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って残飯が生
ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは、高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｔは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半４休レーデとのマツ
チングに於いて、また通常使用されているへロダンラン
プや螢先月を光源とゴる場合、長波長側の光を有効に使
用し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地
が残っでいる。

父、別には、照射される光が光導電層中に於いて充分吸
収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支持
体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が高
い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉が
起って画像の１ポク゛」が生ずる一要因となる。

この影響は、解隊度を上げる為に照射スポットを小さく
する程大きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場合
には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合にｔよ、
その電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原
子或いは弗素原子や塩素原子等の・・ロダン原子が、及
びηＪ、気伝導型の制御のために硼素原子やＭＧ原−ｆ
−等が、或いはその他の特性改良のために曲の原子が、
各々構成原子として光鳩箪層中に含イイされるが、これ
等の構成原子の含有の仕方如何によっては、形成した層
の電気的或いは光導電的ｌ［チ性に問題が生ずる場合が
ある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よシの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

史には、層厚が十数μ以上になると、層形成用の真空堆
積室よシ取り出した後、を気中−Ｃの放置時間の経過と
共に、支持体表面からの層の浮きゃ剥離、或いは層に亀
裂が生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は
、殊に支持体が、通常の電子写真分ツＩに於いて使用さ
れでいるドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安
定性の点に於いて解決されるｆｉＪき点がある。

従ってａ−８１材料そのものの慣性改良が削られる一方
で、光導ηＬ部利金股引する際に上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫される必敬がある。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８１
に就て電子写真用像形成部材べ゛［６＋体撮鍬装良、読
取装置等に使用ちれる光智２電部相としての適用性とそ
の応用性という観点から総括的に＠意研究検耐を続りた
結果、シリコンに電子を母体とし、水素原子（Ｈ）又は
ハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有す
るアモルファス材料、所請水素化アモルファスシリコン
、へロダン化アモルファスシリコン、或いはへロダン含
有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総−称的
表記としてＨａ−ｓｌ〔ｕ、ｘ）Ｊを使用する〕から構
成され、光導電性を示す光受容層を有する光導電部材の
層構成を、以後に説明される様に特定化して設計されて
作成された光導電部材は、実用上著しく優れた特性を示
すばかりでな〈従来の光導電部材と較べてみてもあらゆ
る点において凌偏していること、殊に電子写真用の光導
電部材として著しく優れた１１”Ｙ性を翁していること
、及び長波長ｆ１すに於ける吸収スペクトル特性に優れ
ていることを見出した点に基いている。

本発明は、電気的、光学的、光４電的特性が常時安定し
ていて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であ
り、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残
留電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供
することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であシ、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない医れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもあるっ本発明の光
導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリコン原子と
ダルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１
の層領域、およびシリコン原子を含む非晶質劇料で構成
された光導電性を示す第２の層領域とが、前記支持体側
よシ順に設けられた層構成の、光受容層とを有し、前記
第１の層領域中に於けるダルマニウム原子の分布状態が
層厚方向に不均一であって、前記第１の層領域に伝導性
を支配する物質が含有され、前記光受容層には蟹素原子
が含有されている事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸間蹟の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用隊形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、１つ解像度の高い、高品
質の＋１ｉｉ　蜂を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される光受容
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、目
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光シ２電部利に就で詳細
に説明する。

第１図は、本発明の第１の実施胆（様例の光梼電部相の
層構成を説明するために模式的に示した模式的構成図で
ある。

第１図に示す光導電部利１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、光受容層１０２を有し、該光受
容層】０２は自由表面１０５　ｆニ一方の端面に有し”
Ｃいる。

光受容層１０２は支持体１０１側よシグルマニウム原子
を含有するａ−Ｓ＋　（）（、Ｘ　）　（以後１”ａ　
−５ｉＧｅＣＨ，Ｘ）Ｊ　と略記する）で構成された第
１の層領域（Ｇ）　１０３と、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で
構成され光導電性を有する第２の層領域（Ｓ）　１０４
とが順に積層されたルｊ構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０３中に含有されるダルマニウ
ムノも１子ｔよ、該８１！１の層領域（Ｇ）　１０３の
層厚方向には連続的であって、且つ前記支持体１０１の
設けられである側とは反対の側（光受容層１０２の表面
１０５　（１ｉ１　）の方に較べてＭｉｄ記支持体１０
１１１ｔｌＯ方に多く分布した状態となる様に前記第１
の層領域（Ｇ）１０３中に含有される。

本発明の光＃電部材１００に於いては、少なくともεＢ
１の層領域（Ｇ）　１０３に伝ｊ：ｔ＝　ｌｒＭ　＋１
：を支配する物質（Ｃ）が含有きれており、第１の層領
域（Ｇ）　１０３にＰＪｒ望の伝導特性が与えられてい
る。

本発明に於いでは、第１の層領域（Ｇ）　ｉｏ３に含有
される伝導特性を支配する物ｆｆｔ（Ｃ）は、第１の層
領域（Ｇ）　１０３の全層領域に刃側なく均一に含有さ
れても良く、第１の層領域（Ｇ）　１０３の一部の層領
域に偏在する様に含有されても良い。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質ＣＣ）　ｆ：
、第１の層領域（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第
１の層領域（Ｇ）中に含有づせる場合には、前記物質（
Ｃ）の含有される層領域（ＰＮ）は、第１の層領域（Ｇ
）の端部層領域としＣ設けられるのが望ましいものであ
る。殊に、第１０Ｒ’を領域（Ｇ）の支持体側の端部層
領域として前記層領域（ＰＮ）が設りられる場合には、
該層領域（ＰＮ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類
、及びその含有Ｍ：を所望に応じて適宜選択することに
よって、支持体から光受容層中への特定の極性の電荷の
注入を効果的に阻止することが出来る。

本発明の光４電部材に於いては、伝力／１′＃性ｆ：制
御することの出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構
成する第１の層領域（Ｇ）中に、前記した様に該層領域
（Ｇ）の全域に刃側なく、或いは層厚方向に偏在する様
に含有させるものであるが、更には、第１の層領域（Ｇ
）上に設けられる第２の層領域（Ｓ）中にも前記物質（
Ｃ）を含有させても良いものである。

用２の層領域（Ｓ）中に前記物質ＣＣ＞を含有させる場
合には、第１の層領域（Ｇ）中に含有される前記物質（
Ｃ）の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、
第２の層領域（Ｓ）中に含有させる物、質（Ｃ）の種類
やその含有量、及びそ′の含有の仕方が適宜法められる
。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（
Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の
層領域（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質を
含有させるのが望ましいものである。

本発明に於いてｔよ、前記物５１（Ｃ）は第２の層領域
（Ｓ）の全層飴域に刃側なく含有させても良いし、或い
Ｌｌその一部の層領域に均一に含有させても良いもので
ある。

絹１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）の両方に伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層
領域（Ｇ）に於ける前記物質ＣＣ）が含有されている層
領域と、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が
含有されている層領域とが、互いに接触する様に設ける
のが望ましい。又、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域
（Ｓ）とに含有される前記物質（Ｃ）は、第１の層領域
（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種
類であっても良く、又、その含有量は各層領域に於いて
、同じでも異っていても良い。

しかしながら、本発明に於いては、各層領域に含有され
る前記物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には
、第１の層領域（Ｇ）中の含有Ｍを充分多くするか、又
は、電気的慣゛性の異なる種類の物質（Ｃ）ｆ：、所望
の各層領域に夫り含有させるのが好ましいものである。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層領域（Ｇ）中に、伝導特性を支配する物’］　（Ｃ
）を含有させることにより、読物＊　（Ｃ）の含有され
る層領域〔第１の層領域（Ｇ）の一部又は全部の層側゛
域のいずれでも良い〕の伝導特性を所望に従って任意に
制御することが出来るものであるが、この様な物質とし
ては、所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げること
が出来、本発明に於いては、形成される光受容層を構成
するａ　５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を
与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ〃不純物
を挙けることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に九す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）　、　Ａｔ
　（アルミニウム）　−、Ｇａ　（ガリウム）ｊＩｎ　
（インジウム）　、　Ｔｔ　（タリウム）等があシ、殊
に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。ｎ型不純物
としては、周期律表第■族に属する原子（第■族原子）
、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）。

ｓｂ　（アンチモン）　、　Ｂｌ　（ビスマス）等でア
リ、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｌｌである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質が含有される
層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域（ＰＮ
）に髪求される伝導特性、或いは該層領域（ＰＮ　）が
支持体に直に接触して設けられる場合には、その支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
、０．０１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏ＋ｎｉｅ　ｐｐｍ
　、よシ好適には、０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ　、最適には、１〜５　Ｘ　１０３ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質ＣＣ）の含有量を
好ましくは３０　ａｊｏｍｉ　ｃ　ｐｐｍ　以上、よシ
好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には、
ｌ　００ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ以上とすることによって
、例えは該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の
場合には、光受容層の自由表面かの極性に帯電処理を受
けた際に、支持体側からの光受容層中への電子の注入を
効果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物質
（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由
表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光
受容層中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来
る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物？ｔ（ｃ）の伝導型の
極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（
Ｃ）を含有させでも良いし、或いは同極性の伝導型を有
する伝導特性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（ＰＮ）
に含有させる実踪の量よりも一段と少ない量にして含有
させでも良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としでは、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好ま
しくは０００１〜１．０００　ａｔｏｍｌｅｐｐｍ　＋
より好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｅ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、
３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい・ 本発明に於いては、光受容層中に一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。つまシ、例えは光
受容層中に前記のｐ型不純物を含有する層領域と前記の
ｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する様に設け
て所謂ｐ−ｎ接合を形成し、を芝屑を設けることが出来
る。

本発明の光導電部材においては、第１の層領域（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向
においては、前記の様な分布状態を取シ、支持体の表面
と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ま
しいものである。

本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ダルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に光受容層を形成すること
によって、可視光領域を含む比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が擾れている
光導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるダルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にダルマニウム原子が連続的に分
布し、ダルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持
体側よシ第２の層領域（Ｓ）’　Ｋ向って減少する変化
が与えられているので、第１の層領域（Ｇ）と第２の層
領域（Ｓ）との間に於ける親和性に唆れ、且つ後述する
様に支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃを極端に大きくすることにより、半導体レーザ等を使
用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切
れない長波長側の光を、第１の層領域（Ｇ）に於いて実
質的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射
による干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々
がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので
、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成され
ている。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型的ｆｌが示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦＋１１＋は、第Ｉの層領域（Ｇ）の
層厚を示し、ｔＢは支持体側の第１の層領域（Ｇ）の端
面の位置を、ｔＴは支持体側とは反対側の第１０暦領域
（Ｇ）の端面の位置を示す。即ち、ダルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）は１、側よシｔ、側に向
って層形成がなされる。

第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有嬶れるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。

第２図に示される例では、ダルマニウム原子の含有され
る第１の層領域（Ｇ）が形成される支持体の表面と該第
１の層領域（Ｇ）の表面とが接する界面位置１Ｂよりｔ
ｌの位置までは、ダルマニウム原子の分布濃度Ｃが自な
る一定の値を取シ乍らゲルマニウム原子が第１の層領域
（Ｇ）に含有され、位１）￥ｔ＋よりは＃度Ｃ２より界
面位置ｔ１に至るまで徐徐に連続的に減少されている。

界面位１ｉｆｔＴにおいてはケ゛ルマニウム原子の分布
＃暦ＣけＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有きれるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢより位置１Ｔに至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔｌまではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６の一定値とされ、位
置ｔ、と位置ｔＴとの間において、徐徐に連続的に減少
され、位置１Ｔにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れているにξで実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ある）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔＢよ多位置ｔ、に至るまで、濃度Ｃ。

よシ連続的に徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的
に零とされている。

第６図に示す例においては、ケ０ルマニウム原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔＢ間においては、濃度Ｃ９
と一定値であり、位置ｔ、においてｌ−ｉ濃度ＣＩＯさ
れる。位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一
次関級的に位置ｔ３より位１ｉｉｔＴに至るまで減少さ
れている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ！
ｌよ多位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取シ、位置
ｔ４よ多位置１Ｔ壕では濃度ＣＩｌよシ濃度ＣＩ３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置１！ｌより位置ｔＴＫ
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４
よ勺実質的に零に至る様に一次関数的に減少している・ 第９図においでは、位置ｉより位置ｔ１１に至るまで１
、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃｓｇ　より
鱗度自、まで一次関数的に減少され、位１６’ｔｔｓと
位置ｔ、との間においては、濃度Ｃｌ１ｌの一定値とさ
れた例が示されている〇 第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置１Ｒにおいて濃度Ｃ１７であり、位１
ｔ！：ｔ＊に至るまではこの濃度ＣＩ７よシ初めはゆっ
くりと減少され、ｔｓの位置付近においては、急激に減
少されて位置ｔ６では濃度ＣＩｇとされる。

位ＩＱＪｔ１１と位置ｔ７との間においては、初め急激
に減少括れて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置
ｔ７で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間で
は、極めてゆっくりと徐々に減少されてｆＸＬ難ｔｓに
おいて濃度Ｃ！θに至る。位置ｔ８と位置１Ｔの間にお
いては、＃度Ｃｆ１（ｌよシ実鑓的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領域（Ｇ）
中に含有されるゲルマニウム原子の層Ｊｆ力方向分布状
態の典型例の幾つか’＋−’　Ｒ１ｉ！明（２だ様に、
本発明においては、支持体側においで、ダルマニウム原
子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔＴ側において
は、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成シ低くされ
た部分を有するゲルマニウム原子の分布状態が第１の層
領域（Ｇ）に設りられている。

本発明に於ける光導電部材を楢成する光受容層ｆ：ｆｈ
成する５ｒ３．１の層領域（Ｇ）は、好ましくは上記し
た様に支持体側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度
てａ有されている局在領域（Ａ）を有するのが望ましい
。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明ずれば、界面位ｋｔｎよシ５
μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位１σ
輸より５μ厚までの全層領域（Ｌ、）とされる場合もあ
るし、又、層領域（Ｌ？　）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ、）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に侠求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）　ｆ−１その中に含有されるゲルマニウ
ム原子の屑〃方向の分布状態として、ゲルマニウム原子
の分布ｆ！繁度の最大値ＣｍＦＬｘがシリコン原子に対
して、ρイましくは１０００　ａｔｏｍｉｅ　ｐｐｍ以
上、よシ好適には５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上
、最適にはｌ　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上と
される様な分布状態とｋり得る様に層形成されるのが望
ましい。

即ち、本発明においては、ダルマニウム原子の含有され
る光受容層は、支持体側からの層厚で５μ以内（１Ｂか
ら５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明において、第１の層領域中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達
成ゴれる様に所望に従って適宜法められるが、好ましく
は１〜９．５　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃｐｐｍｌ　より
好ましくは１００〜８Ｘ１０　ａｔｏｍ１ｅｐＰｎｌｔ
最適には、５００〜７　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）と第２０層領域Ｃ
８’）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる
為の重要な因子の１つであるので、形成される光導電部
拐に所望の特性が充分与えられる様に光導電部材の設計
の際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（（υの層厚Ｔ、ｌは、
好ましくは３０人〜５０μ、よシ好ましくは４０１〜４
０μ、最適には５０Ｘ〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２のノー領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．
５〜９０μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適には２〜
５０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２０層領域（Ｓ）の
層厚Ｔの和（Ｔ「トＴ）としては、両層領域に要求され
る特性と光受容層全体に要求される特性との相互間の有
機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望に
従って適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（’ｒ、＋’ｒ
）の数値範囲として社好ましくは１〜１００μ、よシ好
適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望
オしい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いて杜、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常はＴ、／Ｔ≦１なる関
係を満足する様に夫々に対して適宜適切な数値が選択さ
れるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、よ漫好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９、最適にはＴ
Ｒ／Ｔ≦０．８　なる関係が満足される様に層厚１１　
、及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以」−の場合には、第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔ
Ｂとしては放電く薄くされるのが望ましく、好ましくは
３０μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適には２０
μ以下とされるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）中に含有される
・・ロダン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊に７、素、塩素を好適
なものとして挙げることが出・来る。

本発明において、ａ−８ＩＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第１の層領域（Ｇ）を形成するには、例′えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイメングレーテイン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る。例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ　（
Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成するに
は、基本的には、シリコン原子（８１）を供給し得るＳ
１供給用の原料ガスと、ダルマニウム原子（Ｇｅ）を供
給し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原
子（ＩＩ）導入用の原料ガス又は／及び・・ロダン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起さ七、予め所定位置に設置されである所定の
支持体衣面上に含イｊされるゲルマニウム原子の分布宗
度を所望の変化率曲線に従って制御し乍らａ−８ｉＧｅ
（Ｈ，Ｘ）　からなる層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースと
した混合ガスの雰囲気中で、Ｓｌで構成されたターケ゛
、ト、或いは該ターゲットとＧｅで構成されたターケ°
ットの二枚を使用して、又は、ＳｉとＧｅの混合された
ターゲットを使用して、必要に応じで、Ｈ＠、　Ａｒ等
の稀釈ガスで稀釈されたＧｓ　供給用の原料ガスを、必
要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及び・・ロケ゛ン原
子（Ｘ）４人用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入し、所望のガ゛スのグラズマ坏囲気を形成すると共に
、前記Ｇｅ供給用の原第１Ｉスのガス離散を所望の変化
率曲線に従って制Ｍｌｌ　シ乍ら１１Ｊ記のターケ“ッ
トをスパッタリングしでやれば良い。

イ］ンル−テイング法の場合にｔま、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ダルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着カートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を１カ望のガスプラズマ雰囲気中を通過越せる以夕１
社、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこと
が出来る。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、ＳｉＨ４，５１２Ｈ６、５１３１１
８゜５１４Ｈ１ｏ端のガス状態の又はガス化し得る水素
化硅＊（シラン類）が有効に使用されるものとして４−
けられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましいもの
として小げられる。

Ｇｏμ（船用の原料ガスと成シ得る物質としては・Ｇｅ
Ｈ４、Ｇｅ　２ｆ１６　、　Ｇｅ　３ＨＢ　＊　Ｇｅ　
４Ｈ１Ｏ、Ｇｅ　５Ｈ１２ａ　Ｇ１１６Ｈ１４。

Ｇｅ　ｙＨ＋６．　Ｇｅ　５Ｈ１ｓ　、　Ｇｏ　９Ｈ２
０等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウム
が有効に使用されるものとして糸げられ、殊に、層作成
作業時の取扱い易さ、Ｇｏ供給効率の良さ等の点で、Ｇ
ｅｍ４．　Ｇｅ　２１１６゜Ｇｅ　、Ｈ８が好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において使用される・・ロダン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くの・・ロダン化合物が挙け
られ、例えば・・ロダンガス、−・ロダン化物、へロダ
ン間化合物、・・ロダンで置換されたシラン肪導体等の
ガス状態の又はガス化し得るノ・ロダン化合物が好まし
く挙げられる。

又、更には、シリコン原子とハロダン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロダン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロダン化合物として
社、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のへ〇ダンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　、　Ｃｔ
Ｆ５　、　ＢｒＦ５゜ＢｒＦ、　、　ＩＰ、　、　ＩＦ
、　、　ＩＣ１、ＩＢｒ　等の八（ｆｆダン間化合物を
挙げることが出来る。

ハロダン原子を含む硅素化合物、新開、ハロダン原子で
置換されたシラン訪導体としては、具体的には例えｔｆ
　８１Ｆ　Ｓｉ　Ｆ　５ＩＣ２４，５ＩＢＦ４等のハ４
’　２６　Ｉ ロダン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る
。

この様なハロダン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上に・・ロダン原子を含むａ　５ｉＧｅ
から成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従りて、−・ロダン原子を含む第１の層
領域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳ１供
給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素と、Ｇｅ供給用の
原料ガスとなる水素化グルマニクムと、Ａｒ　、　Ｈ２
，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流栖になる様に
して第１０層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形
成することによって、所望の支持体上に第１の層領域（
Ｇ）を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の
制御を一層容すになる様に図る為に、これ等のガスに更
に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望
景混自して府形成しても良い。

又、各ガスは単独抽のみでなく所定の混合比で？＝’２
３＋＜種混合して使用しても差支えないものである。

スミ４ツタリング法、イオンプレーティンク法ノ何れの
場合にも、形成される層中にハロダン原子を導入するに
は、前記のハロゲン化合物又は前記のハロダン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類を、スパッタリング
用の堆積室中に導入し−Ｃ該ガス類のプラズマ雰囲気を
形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用のＭ旧ガスとし
て上記されたハロダン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ・、　ＨＣｔ　、　１よりｒ　。

Ｈ１等ノハロクン化水素、５ＩＨ２Ｆ２．５ＩＨ２Ｉ２
゜５１１１２ＣＬ２．５ｉＨＣ１，、８１Ｈ２Ｂｒ２．
５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅＨ
Ｆ　ｓ　、Ｇｅ　ｌｌ２Ｆ　２　。

ＧｅＨ３Ｆ　、ＧｅＩＬ１５　、　ＧｅＨ，Ｃ１０，Ｇ
ｅ１ｌ、Ｃ１、ＧａＦＩＪ３ｒ、　、　ＧｅＨ２Ｂｒ　
２ｚＧｅＨ５Ｂｒ　＃　Ｇ５ＨＩ３　、　ＧｅＨ２１２
，ＧｅＨ，Ｉ等の水素化ハロダン化ケゝルマニウム等の
水素原子を構成要素の１つとするハロケ“ン化物、Ｇｅ
Ｆ４１　ＧｅＣｌ４＊　ＧｅＢｒ４＋ＧｅＩ４＊　Ｇｅ
Ｆ２ｒ　ＧｅＣｌ２　＋　ＧｅＢｒ２＊　ＧａＩ２等の
ハロダン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス
化し得る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用の出発
物Ｂとして挙ける事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、第１
の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロダン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に潜入するに
は、上記の他にＨ２、或いは５ｉｌ１４．５ｔ２Ｈ６゜
５ｉ３）（８，５ｉ４Ｈ１ｏ等の水素化硅素をＧｅを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或
いは、Ｇｅ１１４．　Ｇｅ２Ｈ，、Ｇｅ３Ｈ８，Ｇｅ４
Ｈ，。、　Ｇｅ５Ｈ，２゜Ｇｅ６”１４　、ａｅ、ｎ、
６．Ｇｅ８Ｈ１８−Ｇ（１９Ｈ２０等の水素化ゲルマニ
ウムと８１を供給する為のシリコン又はシリコン化合物
と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行
う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部月の
第１の層領域初中に含有される水素原子（６）の量、又
はハロダン原子（３）の童、又は水素原子とハロダン原
子の量の和（Ｈ十Ｘ　）は、好ましくは０．０１〜４０
　ａｔ、ｏｍｉｃ　％、よシ好適には０．０５〜３０　
ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５．　ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましい。

餓１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子θ′０又は
／及びハロダン原子（３）の量を制御する処け、例えば
支持体温度又は／及び水素原イ（１υ、或い（づ、ハロ
ゲン化物（３）を含有させる為に使用される出発！ｌｋ
＋デ１の堆桓装置系内へ導入する負、放電箱１力等を制
御してやれば良い。

本発明に於いて、Ｒ−８１（ＨｌＸ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域
（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、ａ供給用の原
料ガスとなる出発物質を除いた出発物質し第２の層領域
（Ｓ）形成用の出発物η（ＩＩ）　）を使用して、第１
の層領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に’
ｉｉ［って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ＋Ｘ）で構成さＪ
）る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、ｒｌｌえはグ
ローｈ、’＋！　ｉＫ法、ス／ｆｙクリング法、或いは
イオンブレーティング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によってＪｊＱされる。例えば、グロー放電法によ
って、ａ　Ｓｒ　（Ｈ，＋　Ｘ　）で構成される第２の
層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記したシリ
コン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｌ供給用の原料ガスと
共に、必要に応じて水素原子（Ｊｌ）導入用の又は／及
びハロダン原子（３）導入用の原料カスを、内部が減圧
にしイ↓）る堆、（ｔ（室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持表面上にａ　−Ｓｉ　（Ｈ−Ｘ、）からなる
層を形成させれは良い。又、スノやツタリング法で形成
する場合には、例えばＡｒ　Ｉ　ｉ（ｅ等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
、Ｓｉで植成されたターゲットをスパッタリングする除
、水素原子（６）又は／及びハロゲン原子（３）導入用
のガスをスｉ！　ツタリング用の堆積室に導入しておけ
ば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層領域（Ｓｌ中に含有される水素原子（１１（、又はハ
ロゲン化物（３）の鍬、又は水素原子とノ・ロダン原子
の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４　Ｑ　ａｔｏ
ｍｉｃ％、よシ好適には５〜３０　ａｔｏｍｌｃ％、最
適には５〜２５　ａｔｏｍｌｃ％とされるのが望ましい
。

光受容層を構成する層領域中に、伝導特性を制御する物
質（Ｃ）１．例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構
造的に導入して前記物η帽）の含有されだ層領域（ＰＮ
　）を形成するには、層形成の際に、駆■族原子導入用
の出発物ａ或いは第■族原子導入用の出発物〃をガス状
態で、堆槙昂中に光受容層を形Ｄνする為の他の出発物
デ１と共に７ｉｇ人してやれは良い。この様な第■族原
子明人用の出発物り」と欣シイηるものとしては、常温
児圧でガス状の父１、少なくとも層形成条件下で容易に
ガス化し得るものが採用さ′ｉするのが望ましい。その
様な第ｍ族原子ｓｔ＝入用の出発！１タノ質として具体
的には、ｊｌｌ・ノ素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，
Ｂ４馬。’　Ｂ５Ｈ９’　Ｂ５Ｈ１１’ＢＨｌｏ、Ｂ６
Ｈ４２，Ｂ６■、４等の水素化硼素、ＢＦ、　。

ＢＣｌ　＋　ＢＢｒ３％の・・ロケ゛ン化硼素等が挙げ
られる。

この他、ＡｔＣｌ３．　ＧａＣｌ２　、　Ｇａ（ＣＬ（
３）、　、　ＩｎＣＡ３　％′ｒｔｃｔ、　等も挙げる
ことが出来る。

ｍ　Ｖ族原子青、入用の出発物質として、本発明におい
てイ〕効に所用されるのは、燐原子導入用とし゛〔は１
、ＰＨ，、Ｐ２［１４笠の水素化）片、ＰＨ４１、ＰＦ
５　＋ＰＦ５　ｒ　ＰＣｌ５　、ＰＣｌ５　＋　ＰＢｒ
３　ｊ　ＰＩＴ　ｒ　ＰＩ５　４ｙの　ノ１０グン化１
１が挙げられる。この他、Ａ８Ｈ３ＨＡｓＦ５＋に９ｃ
ｔ３．　ＡｓＢｒ３．　ＡＪｓ　、　ＳｂＨ，ｌ　８ｂ
Ｆ、　、　５ｂＦ５１ＳｂＣ１−５＋　８ｂＣｔ５　ｒ
　ＢｉＩ３　＋　ＢｉＣｔ５　＋　ＢＩＢｒ３４％も第
■族原子尋人用の出発物質の有効なものとして挙り゛る
ことか出来る。

本’Ａ明の光導Ｖや１部利に於いては、高光感度化と高
暗抵抗化、四には、支持体と光受容層との間の密沼性の
改良を図る目的の為に、光受容層中には、４紫原子が含
有される。光受容層中に含有される窒素原子は、光受容
層の全層領域に刃側なく含有されても良いし、或いは、
光受容層の一部の層領域のみにき有させて偏在させても
良い。

又、窒素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（Ｎ）が光受容
層の層厚方向に於いて均一であっても、また第２図乃至
第１０口を用いて説明したり゛ルマニウム原子の分布状
態と同様に層）♀方向に不均一であっても良い。

つまり、窒素原子の分布濃度Ｃ（６）が層厚方向に不均
一である場合の窒素原子の分布状態は、第２図乃至第１
０図を用いてゲルマニウム原子の場合と同様に説明され
得る。

本発明に於いて、光受容層に設けらＪする窒素原子の含
有さ＃ｔている層領域（へ）は、光感度と暗抵抗の向上
を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領域を占
める様に設けらｉｌ、支持体と光受容層との間の密着性
の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受容層
の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域軸中に含有される窒素原子の含有量
は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後者の
場合には、支持体との密着性の姿化を確実に計る為に比
較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、光受容ｊイ
４の自由表面側に於いて比較的低濃度に分布させるか、
或いは、光受容層の自由表面側の介層領域に社、窒素原
子を積極的には含有させない様な窒素原子の分布状態を
層領域（ロ）中に形成すれは良いつ 本発明に於いて、光受容層に設りられるＪ層領域（ｈ丁
）に含有さｇる窒素原子の含有量は、層側域輛自体に要
求される特性、或いは該層領域（Ｎ）が支持体に直に接
触して設りられる場合には、該支持体との接触界面に於
ける特性との関係等、有機的関連性に於いて適ＩＬ選択
することが出来る。

又、ｉｉｌ　ｎ＋２１ｆ’ｉ　Ｘ′！Ｉ’ｉ城（＋４）
に１１．に接触して他の層領域が設けられる。１８合に
は、該他の層領域のｌｒ！１性や、該１１μのＩｒｉ　
９ｆｌ城との接触打面に於りる特性との関係も考すされ
て、窒素原子の含有量が適宜選択される。

Ｊ妓ｔ；ｒｉ　ｊ＄、（財）中に含有される窒素原子の
量は、形成される光導電部材に要求される特性に応じて
所望に従って適宜法められるが、好ましくは、０．０（
１１〜５０　Ａｔｏｍｌｃ９［（、よシ好寸しくけ（１
，（１０２〜４０ａｔｏｍｌｃ％、最適には０．００３
〜３０　＊ｔｏｍｉｃ＄とされるのが望ましい。

本発明にノｊ６いて、ｊ轡伸域φＪ）が）′ｒ、受容Ｅ
’ｔの全域を占めるか、或いは、光受容層の全域を占め
なくとも、層領域（へ））のノ乞）Ｍ　Ｔ’Ｎの光受答
ノ背の層ノに１゛に占める割合が充分多い場合には、ハ
４ｉＣｉ域（へ）フに含有６ノする窒素原子のち重信の
」二限は、前Ｈ，：の値よシ充分少なくされるのが望ま
しい。

本発明の場合には、層領域（６）の層厚ＴＮが光受容層
の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上と在る様な
場合に社、層領域（へ））中に含有量れる窒素原子の量
の上限としては、好１しくは：３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃチ
以下、よりｙ丁ましくは２　（ｌ　ａｔｏｍｉｃ多以下
、）ｎ　；ｒｉりには１０　Ａｔｏｍ１ｃ％以下とされ
るのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する窒素原子の含有さ
れる層領域■は、上記した様に支持体側の方に窒素原子
が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有す
るものとして設けられるのが望ましく、この場合には、
支持体と光受容層との間の密＊’ｒ　＋！３′を」、り
一層向上させることが出来る。

上ｎ１１局在官１城（Ｆ＋）は、第２図乃至第１θ図に
示す記号を用いて説明すれば、昇面位置ｔｎよシ５μ以
内に設りらノ）、るのが望ましい。

木ツｉ・明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面伯
爵１．よシ５μ厚までの全層領域（Ｌｌ）とされる場合
もあるし、又、層領域（１，１）の一部とされる場合も
ある。

局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全（ｔ、
ＢとＪるかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

ｆｉｇ）在旬」域（Ｂ）はその中に含有される窒素原子
の層Ｊｌｉ１方向の分布状態として窒素原子の分布濃度
の最大値Ｃｍａｘが好ましくは５　Ｑ　Ｏａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、より好適には８　（ｌ　Ｏａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、最適には１０００、　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上とされる様な分布状態トなシ得る様に層形成さ
れるのが望ましい。

即ち、本さＩ′を明においては、窒素１京子の含有され
るｐｆＩ領域軸は、支持体側からの層Ｊψで５μ以内（
ｔｏから５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘ
が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に窒素原子の含有された層領
域（へ））を設りるには、光受容層の形成の際に窒素原
子導入用の出発物ηを６１１記した光受容層形成用の出
発物佃と共に使用しで、形成される層中にその量を制御
し乍ら１宿してやれｔよ良い。

層領域（財）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した光受容層形成用の出発物ηの中から所望
に従って選択されたものに窒素原子導入用の出発物質が
加えられる。その様な窒素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物η
又はガス什、し得る物ηをガス什したものの中の天棚、
のものが使用され得る。

例えにシリコン原子（Ｓｔ）を構１ｊＭ原子とする原料
ガスと、璧素原子四を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子卸又は及びノ・ロダン原子（３）を措
欣、原子とする原料力スとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓ　ＩＸ構成原子とす
る原料カスと、窒素原子（６）及び水素原子（（りをｍ
Ｒ原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するかして使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（ＪＤと
を４’（ｖ＊原子とする原料ガスに窒素原子（６）を構
成原子とする麿、料カスを混合して使用しても良い。

層領域（へ））不二形成する膣に使用される窒素原子（
６）４７人用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使
Ｊｕｌδｆする出介物伸は、Ｎを構成原子とする或いは
Ｎとｉｔとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アン
モニア（Ｎｏ、　）、ヒドラジン（Ｉ■２ＮＮ■■２）
、アジ什水素（ｎＮ５）、アジ什アンモニウム（ＮＨ４
Ｎ、　）等のガス状の又はガス什し得る窒素、窒化物及
びアジ什物等の賢を什合物を挙けることが出来る。

この他に、Ｎ累原子的）の導入に加えて、ハロゲン原子
（３）の漕−人も行えるという点から、三弗仕窒素（ｐ
３Ｎ）、四弗化や素（Ｆ４Ｎ２）等のハロケ゛ン化璧素
什合物を挙けることが出来る。

本発明にたいては、島領域軸中にれ窒素原子で得られる
効果を更に助長させる為に、窒素原子に加えて、更に酸
素原子を含有することが出来る。

酸素原子を層領域（６）に導入する為の酸素原子導入用
の原料ガスとしては、例えば酸素（０２）、オゾン（０
，）、−酸什輩素（ＮＯ）、二酸化窒素（Ｎ０２）、−
二酸化窒素（Ｎ２０　）、三二酸什輩素（Ｎ２０３）、
四三酸什窒素（Ｎ２０４）、五二酸什窒素（Ｎ２０５）
、三酸什？素（Ｎｏ５）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素
原子（０）と水素原子（Ｉｌｌとを１７成原子とする、
例えば、ジシロキサン（ｎ、５ＩＯ８ＩＨ５）、トリシ
ロキサン（Ｈ，Ｓ　１０８　ｔＨ２ｏｓ　１ＴＩ３）等
の低級シロキサン等を挙けることが出来る。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層郁域
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳＩウェーハー又
杜Ｓ　１　、Ｎ４ウェーッ１−１又はＳｌとＳＩ３Ｎ４
が混合されて含有されているウェーッ・−をターゲット
として、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行えば良い。

例エバ、８１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及び・・ロケ
°ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スノ４　ツタ−用の堆積室中に導入し
、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｔウェ
ーッ・−をスパッターリングすれば良い。

又、別には、Ｓｉと８１３Ｎ４とは別々のクーグツトと
して、又は別とＳｉ、〜４の混合した一枚のターゲット
を使用することＫよって、スフ２ツター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（員又
け／及び）・ロダン原子（ト）を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でス／４’　ツタリングすることによっ
て成される。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述
したグロー放電の例で示した原料ガスの中の窒岩原子導
入用の原料ガスが、ス・母ツタリングの、１合にも有効
なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、窒素原子の含
有される層領域（へ）を設ける場合、該層領域（ト）に
含有される窒素原子の分布濃度ＣＨを層厚方向に変化さ
せて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆ
ｌｌｅ　）を有する層領域（財）を形成するには、グロ
ー放電の場合には、分布娘度Ｃ（Ｎ）を変化させるべき
霊素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所
望の変什率曲絆に従って適宜変化させ乍ら、堆積官内に
滑入することによってｈｙされる。例えば手動あるいけ
外部駆動モーフ等の通常用いられている何らかの方法に
より、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードルバ
ルブの開口を漸次亥゛什さぜる操作を行えは良い。この
とき、流ｉの変化率は用型である必要はなく、例えばマ
イコン等を用いて、あらかじめ股引された変イし本曲線
に従って流量を制御し、所望の含有蹴曲線を得ることも
できる。

層・−城閾をスフ９ツターリング法によって形ｂｙする
集合、蟹素原子の層厚方向の分布藺度Ｃ（へ））を層厚
方向で変化させて輩累原子のＭ厚方向の所望の分布状９
％　（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｌｌｅ　）を形成するには
、駆−には、グロー放電法による。喝合と同様に、窒不
原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆
私室中へ導入する際のガス流量を所望Ｋ（／ｅって適宜
変化させることによって成さり、る。

汗二には、スパッターリング用のターゲットを、例えｌ
−（：Ｒ１とＳ、１３Ｎ４との混合されたクーグツトを
使用するのであｉｌば、Ｓｌと５ｔ３Ｎ４との混合比を
、ターケ゛ットの層厚方向に於いて、予め変化させてお
くことによって成さｉする。

本発明に於いて、形成、される光受容層を構成する第２
のＪＭ　ｔｉＦｉ　ＪＡ　（Ｓ）中に含有される水素原
子α１）の号、ヌはハロケ゛ン原子（３）の量、又は水
素原子とハｐグンＪ９．子の鼠の和（ｎ＋ｘ　）は、好
ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ係、よシ好適には５〜
３０　ａｔｏｍｉｃ　％１、メータにけ５〜２５　ａｔ
ｏｍｉｃ係とされるのが望捷しい。

本発明においで使用される支持体としては、導電性でも
１■１．気４↓−１祿性であっても良い。漕４矩１性支
持体としては、ｆｌｌえば、ＮｌＣｒ、ステンレス、Ａ
Ａ。

Ｃｒ　＋　Ｍｏ　ｒ　Ａｕ　、　Ｎｂ　ｒ　Ｔａ　＊　
Ｖ　ｌ’Ｉ’ｌ　ｒ　Ｐｔ　＃　Ｐｄ等の金属又はこれ
等の合金が挙げられる。

風気に１Ω縁付支持体としては、ポリエステル、ポリス
チレン、ン１？リカーボネート、セルローズアセテート
、ポリプロピレン、ボ゛り塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
テ゛ン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成相脂のフィ
ルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用
される。これ等の正、気絶縁性支持体は、好適には少な
くともその一方の表面を導電処理され、該導電処理され
た表面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれは、その表面に、ＮｌＣｒ　ｒＡ
ｔｒ　Ｃｒ　ｒ　Ｍｏ　ａ　Ａｕ　ｒ　Ｉｒ　ｔ　Ｎｂ
　＋　Ｔａ　＃　Ｖ　ＩＴｉ　ｈＰｔ　、　Ｐｄ　＃　
Ｉｎ２Ｏ３’＋　８ｎ０２＃　ＩＴＯ（Ｉｎ２０５＋５
ｎＯ２）等から成る薄膜を設りることによ−）″Ｃ導１
ｂ性が伺与され、或いはポリエステルフィルム等の合成
樹脂フィルムであれば、ＮｌＣｒ　、／ｌ、Ａｇ　＊　
Ｐｂ　ｒＺｎ　、Ｎｉ　＊　Ａｕ　＊　Ｃｒ　ｒ　Ｍｏ
　ｊ　Ｉｒ　＊　Ｎｂ　＋　Ｔｕ　＋　Ｖ　＊ＴＩ　、
　Ｐｔ等の金應の薄膜を真空蒸麹、電子ビーム蒸Ａ１ス
パッタリング等でその表面に殴り、文相、前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与
される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板
状等任意の形状とじ待、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、第１図の光導電Ｓ胴１００を′＃ｂ
、子写具用像刑成部拐と利金使用するのであれは、連続
馬連複写の場台には無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい□支持体の（ツさは、所望通りの光導電部材が
形成さＪしる様に適宜決定さ）するが、元導電部制とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としてのけ８能
が充分発揮される屁囲内であれば可能な限シ薄くされる
。面乍ら、この様な場合支知体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の膚から、好すしくは１０／ｌ以−ヒとさ
れる。

次に本発明の光導電部Ｉの製造方法の一例の概略につい
で説明する。

Ｎ１１１図に光書、電部材の製造ｊ−゛僅の一例を示す
。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、木５ト、
明のつ゛１：導車部制を形成するための原料ガスが審判
２．コシており、その１例としてたとえば１１ｏ２はＴ
（Ｑで１■１；釈された５ｉｎ４ガス（純度９９．９９
９チ。

以下＋＞　＋　Ｉ（４ＡＩａと略ず。）ボンベ、１１０
３はＨｅで希釈され７’（−Ｇ　ｅＨ４ガス（純度９９
．９９９％、以下ＧｅＨ４／Ｔｉｅと略す。）ボンベ、
１１ｏ４はＨｅで希釈されたＢ２１１６がス（純度９９
．９９　％、以下Ｂ２Ｈ６／ｌｌｅと略す。）ボンベ、
１１０５はＮＨ３カス（純度９９、９９９　％　）　ｓ
ｒ　：／　ヘ、１１０６はＨ２ガス（純度９９．９９９
チ）ボンベである。

こり、らのガスを反応室１１ｏ１に流入さぜるにハ、ガ
スボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２
β、リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認
し、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１
１１７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開
かれていることを確認して、先づメインバルブ１１３４
を開いて反応室１１　（＋　１　、及び各ガス配管内を
排気する。次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０
　ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ１１３２・１１３
３、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上にブ０受容層を形成す
る場合の１例をあけると、ガスがンペ１１０２より８１
Ｈａ／Ｈｅガス、ガス日？ンペ１１　（＋　３よ、ｊｌ
ｌ　ＧｅＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１ｏ４よシＢ　
２Ｈ６／’Ｈｅガス、ガスボンベ１１ｏ５よりＮＨ，ガ
スをバルブ１１２２〜１１２５を開いて出口圧ゲージ１
１２７〜１１３０の圧を１ｋｇ／（至）に調整し、流入
バルブ１１１２〜１１１５を徐々に開けて、マスフｒｙ
コントローラ１１０７〜１１１０内に夫夫流入させる。

引き続いて流出バルブ１１１７〜１１２０、補助バルブ
１１３２を徐々に開いて夫夫のガスを反応室１１０１に
流入させる。仁のときのＳ　Ｂ７．＋／）ＩＣガス流量
とＧｅＨ４ＡＩｅガス流量とＢ２Ｈ６Ａ（ｅガス流量と
ＮＨ，ガス流量との比が所望の飴になるように流出バル
ブ１１１７〜工１２０を１凋整し、又、反応室１１０１
内の圧力が所望の値になるように真空ｉ−１’　１１３
６の読みを見彦がらノー１ンパルブ１１３４の開口を調
整する。ぞしで基体１１．３７の温度が加熱ヒーター１
１３８によシ５０〜４（）０℃の触５囲の温度に設定さ
れていることを確認した後、電源１１４０を所望の電力
に１ｉ５２定して反応室１１０１内にグロー放電を生起
させ、同＋１４ｒにあらかじめ股引された変化率曲線に
促ってＧｅＨ４／Ｈｅガス流量を手動あるいは外部駆動
モータ笠の方法によってバルブ１１１８の開ロヲ？ｔｌ
ｉ次変化させる操作を行なって、形成される層中に含有
されるダルマニウム原子の分布濃度を制御する。

この様にして、基本１１３７上に、硼素原子ψ）と望素
原子（へ））とが含有され、前記の変化率曲線に従って
ダルマニウム原子の分布状態が形成されているａ　−５
ＩＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成された層側Ｉｔ（１３゜Ｎ）
が所望の層厚に形成される。

層領域（Ｂ　、Ｎ）が所望層１県に形成された段階に於
いて、流出バルブ１１１８．］ｉ１９，１１２０の夫々
を完全に閉じること、及び必要に応じて放電条件を変え
ること以外は、同様な条件と手順に従って所望時間グロ
ー放電を維持することで前記層領域（Ｂ、Ｎ）上に、硼
素原子（Ｂ）、窒素原子（へ）。

＆想瓢へ糞へ及びダルマニウム原子（Ｇｅ　）が含有さ
れていない、ａ　−８１（ＨｌＸ）でｔ１０成された層
領域０）が形成されて光受容層の形成が終了される。

上記の光受容層の形成の際に、該層形成開始後、所望の
時間が経過した段階で、北積室へのＢ２Ｈ６Ａｔｅガス
或いはＮＨ３ガスの流入を止めることによって、硼素原
子の含有された層領域（Ｂ）及び窒素原子の含有された
層領域０）の各層厚を任意に制御することが出来る。

又、所望の変什率曲線に従って、堆積室１１０１へのＮ
■ｌ　３ガスのガス流上を制御することによって、層領
域（６）中に含有される屋累原子の分布状態を所望通シ
に形成することが出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため基体
１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転させて
やるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のｈｔ
基体上に、第１表に示す条件で第１２図に示すガス流１
１唱比の変化率曲線に従ってＧ＠Ｈ４／Ｈ＠ガスとＳ■
４／Ｈｅガス流量比を層作成経過時間と共に変化させて
層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部制を、帯電露光実験装柩しく
Ｔ）　５．０　ｋＶでＱ、　３　ｓｅｃ間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンラン
プ光涼を用い、２　Ａｕｘ、ｓｅｃの光景を透過型のテ
ストチャートを通して照射させた、 その後面ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材上面上に良好なトナー画像をイツた。像形
成部材上のトナーｉｉ］Ｉ１１象を０５、　ＯｋＶのコ
ロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高ｔ！庶の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造製１八によシ年２表に示す条件で
第１３図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
ｌＩ４／ＨｅガスとＳ　１Ｈ４Ａｌ、、ガスのガス流量
比を贋作ｒ＆経過時間と共に変化させ、その他の’ｉ（
＝件は実施例１と同様にして層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部月に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て）昨明な画質がイｑられた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置により第３表に示す条件で第
１４図に示すガス流量比の変化率曲線にｑｉｅ　ッて、
Ｇｅ１Ｉ４Ａ■ａガスとＳ　ＬＩＴａ／Ｉ（ｅガスのガ
ス流量比を層作ｒＪＩ３．経過時間と共に変化させ、そ
の他の条件し１、実施例１と回杵にして層形成を行って
電子写直用ｒ′！：　ｔｒ；成部伺を伐だ。

こうしてイυらｈた像形成部利に就いて、実施例１と四
桶の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ４
’ｉｉめて鮮明な助１質が得られた・実施Ｙ１１４ 旭１１図に示した製造装置によシ、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流憚比の変什、率曲線に’ｊａ〔ッ
て、Ｇｅ１１４／ｉｔｅガスとＳ　１Ｂ４ＡＩｅガスの
ガス流刊比を帛作成経過時間と共に変什させ、その他の
り・ｆ′１は￥加１例１と同様にして、層形成を行って
電子背真用１なシ形成部杓を得た。

こうして得られた像形成部詞に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ１Ｌ
めて糾りＩＪな両ηが得られた。

実施ｆｕ　５ 第１１図に示した製造装置によシ第５表に示す条件で第
１６図に示すガス流量比の変什率曲線に従って、ＧｅＨ
４／１（ｅガスと５ｉＨａ／Ｈｅがスのガス流月比を層
作成経過時間と共に変化させ、イの他の条件は実施例１
と四縁にして、層形成、を行って電子写真用像形成部材
を得た。

とうして得られた像形成部側に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画ηが得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置によ勺、躯６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変什座曲將に従って、Ｇｏ
）（４／ＨｅガスとＳ　ｉＨ，４／’Ｔｉｅガスのガス
流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１と同様にして、層形成を行って卵１子写真用
像形成部材を得だ。

こうして得られた像形成部拐に脱いて、実施１’１１と
同様の条件及ｄ手順で転写紙上に画像を形成したところ
極めて鮮明な画ηが得られた。

実施例７ 第１１図に示した製造装置によシ、第７表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、ｃ　
ｅＨ４４１ｅガスと５ｉＨ４Ａ（ｅガスのガス流祈比を
贋作成経過時間と共に変什させ、その他の条件は実施例
１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に両１象を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例８ 実）ｊ【ｌｉ例１に於いて、５ｉｌ（４／Ｈｅガスの代
シにＳ　Ｉ　２Ｈ６ＡＩｅガスを使用し、第８表に示す
条件にした以外は、実施例１と同様の条件にして層形成
を行って電子写真用像形成部材を得た◎ こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な１ｊｉｉ質が得られた。

実施Ｉ’１１９ 実施ｆ］１１に於いて、５ｉＨａＡ（ｅガスの代シに５
ＳＦ４／１（（ｌガスを使用し、第９表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を行って
電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部Ｉに就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画廼が得られた。

実施例１０ 実施例１に於いて、５ＩＨ４／Ｈｅカヌの代シに（８１
Ｈ４／Ｈｅ　＋　ＳｉＦ４／Ｈｅ　）ガスを使用し、第
１０表に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件
にして層形成を行った電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１１ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第１１表に示ず条件でｍ１２１Ｗ＋に示すガ
ス流量比の変化率曲線に従って、ａ　ｅＨ４Ａｓガスと
Ｓ　ｉ　Ｈａ、／’ｉ（ｅガスのガス流邦：比を贋作成
り適時間と共に変化させて層形成を行って電子写真用像
形成部材を得た。

こうして得らｈた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し０５．　ＯｋＶで０．３　ｓｅｅ　ｌＪ］＊　ｏす
帯電を行い、的ちに光像を照射した。光像はタングステ
ンランプ光源を用い、２７ｕｘ、ｓｅａの光量を透過型
のテストヂャートを通して照射させた。

その後直ちに■荷電件の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を像形成部旧表面をカスケードすることによって、
ｆ纜形成部材表面上に良好なトナー画像を１１）た。１
層形成部わ上のトナー画像を、θ５．ＯｋＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に俊れ、階調再現性
のよい鮮明な高濃度の画１′４：が得られた。

実施例１２ 実か１例１１に於いて、第１層の作成の際にはＢ２■■
６の（Ｓ　ｌ　）Ｔ　４＋　Ｇ　ｅＨ４）に対する流量
゛を、第２Ｍの作ｈ（の際にはＢ２Ｈ６とＳｉＨ４に対
する流量を第１２表に示す様に変えた以外は、実施例１
１と同様の先住で電子写真用像形成部材の夫々を作成し
た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
１２表に示す結果が得られた。

実施例１３ 実施例１〜１０に於いて、第２層の作成条件を第１３表
及び第１４表に示す条件にした以外Ｖ、ｌ２、各実施例
に示す条件と同様にしで１ｂ、子写ｊ〜用１象形成部材
の夫々（試料１６．１３０１〜ｌ　３１０　。

１４　（１１〜１４１０　）を作成した。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ第１３Ａ表及び第１４　Ａ表に示す結果が得られた。

実施例１４ 冥加ｉ例１に於いて、光源をタングステンランプの代シ
に８１０　ｎｍ０ＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）
を用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同
様のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件
で作成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画
像の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現
性の良いＶＦ６明な高品位の画像が得られた。

以上の本発明の実施例に於ける共通の贋作成東件を以下
に示す。

基体温度：ケ“ルマニウム原子（Ｇｅ　）含′；ｍ行・
・・約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層・・
・約２５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部利のＦ構成を説明説明する
為の説明図、第１１図は、本発明で使用された装置の模
式的説明図で、卯１２図乃至第１８図は夫々本発明の実
施例に於りるガス流引比の変化率曲線を示す説明図であ
る。 １００・・・光導電部拐　１０１・・・支持体１０２・
・・光受容層 Ｃ −一一−→−Ｃ 力パズ沃量よし 力゛ズ〃ヒ量すヒ 第１７２

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）　光導電部材用の支持体と、該支持体上に配置さ
   れ、シリコン原子とダルマニウム原子とを含む非晶質材
   料で構成された第１の層領域、および、シリコン原子を
   含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層領域
   とが前記支持体側よシ順に設けられた層イ１’ｌ成の光
   受容層とを有し、前記第１の層領域中に於けるダルマニ
   ウム原子の分布状態が層埋、方向に不均一であって、前
   記第１の層領域に伝導性を支配する物質が含有され、前
   記光受容層には窒素原子が含有されている事を特徴とす
   る光導電部拐。
2. （２）　第１の層領域及び第２の層領域の少なくともい
   ずれか一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲
   第１項に記載の光導Ｔｂ、部材。
3. （３）ｍｌの層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範
   囲ｍ１項又は同第２項に記載の光導電部材。
4. （４）　第１の層領域中に於けるダルマニウム原子の分
   布状態が前記支持体側の方に多く分布する分布状態であ
   る特許請求の範囲第１に記載の光導電薄利。
5. （５）　伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部側
   。
6. （６）　伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材
   。