JPS5984252A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時において人体に対して無公害であること、更には固
体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易だ処理
することができること等の特性が要求される。殊に、事
務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

百年ら、従来のａ　−Ｓｔで構成された光導電層を有す
る光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特
性の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特
性向上を計る必要があるという更に改良される可き点が
存するのが実情である。

例えば、市、子写真用像形成部材に適用した場合に、高
光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来に
おいては、その使用時において残留電位が残る場合が度
々観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し
続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像
が生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは、
高速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電１層を透過して来る光に対する反射
率が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による
干渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ　−Ｓｉ材料で光導電層を構成する場合には、
その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原
子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電
気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはそ
の他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子とし
て光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有
の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従ってａ　−Ｓｉ材料そのものの特性改良が計られる一
方で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子Ｉ又はハロゲン原子■の
いずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、
所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化アモルフ
ァスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモルファス
シリコン〔以後これ等の総称的表記として［ａ−８ｉ　
（Ｈ，Ｘ　）−１を使用する〕から構成される光導電性
を示す非晶質層を有する光導電部材の構成を以後に説明
される様な特定化の下に設計されて作成された光導電部
材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来
の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕し
ていること、殊に電子写に用の光導電部材として著しく
優れた特性を有していること及び長波長側に於ける吸収
スペクトル特性に優れていることを見出した点に基いて
いる。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、目、つ光応
答の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層重質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある優れた電子写真特性を有する光導電部材
を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、Ｇｅ
ｚＳｉｌ−Ｘ（０，９５（ｘ≦１）を含む非晶質材料で
構成された、第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質
材料で構成され、光導電性を示す第２の層領域とが前記
支持体側よね順に設けられ光層構成の非晶質層とを有し
、前記非晶質層中には酸素原子が含有されている事を特
徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層目体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れてお９、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

泥１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、非晶質層１０２を有し、該非晶
質層１０２は自由表面１０５を一方の端面に有している
。

非晶質層１０２は、支持体１０１側よりＧｅｚＳ　ｉＩ
　−Ｘ（０，９５＜ｘ≦１）を含む非晶質〔以後ａ　　
ＧｅｚＳ　ｉｌ　−ｚ（Ｈ、Ｘ　）と記載〕で構成され
た第１の層領域（Ｇ）　１０３とａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で
構成され、光導電性を有する第２の層領域（Ｓ）１０４
とが順に積層された層構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０３中に含有されるゲルマニウ
ム原子は、該第１の層領域（Ｇ）　１０３の層厚方向及
び支持体１０１の表面と平行な面内方向に連続的であっ
て且つ均一に分布した状態となる様に前記第１の層領域
（Ｇ）１０３中に含有される。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に非晶質層を形成すること
によって可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている
光導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布しているので第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との間に於ける親和性番で優れ、半導体レーザ等を使
用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切
れない長波長側の光を第１の；層領域（Ｇ）に於いて、
実質的に完全だ吸収することが出来、支持体面からの反
射による干渉を防止することが出来る。

本発明において、第１の層領域中に含有されるシリコン
原子の含有量（ＮＳＩ　／　（ＮＳｉ　＋　ＮＧｅ　）
　：ＮＡは層中のＡ原子の総原子数）としては、本発明
の目的が効果的に達成される様に所望に従って適宜法め
られるが、通常は５　Ｘ　１０’ａｔｏｒｎｉｃｐｐｍ
以下、好捷しくはＩ　Ｘ　１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以下、最適にはＩ　Ｘ　１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
下とされるのが望ま（７いものである。即ちａ−ＧｅＸ
Ｓｉ、−＞（（’、　Ｈ、Ｘ　＞におけるＸの値として
は、通常は０．９５　、′ｘ各１．　。

好ましくは０．９９　＜　ｘ≦１．最適には０．９９９
＜ｘ≦１とされるのが望ましい。

本発明に於て第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）
との層膜は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重
要な因子の１つであるので形成される光導成部材に所望
の特性が充分与えらノ１．るイψに、光導電部材の設計
の際に−た分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域の層厚ＴＢは、通常の場
合、３０λ〜５０μ、好ましくは４０人−４０μ、岐コ
商には、５０λ〜３０μとされるのが積重しい。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔば、適音の場合、０．
５〜９０μ、好ましくは】−８０μ、最適には２〜５０
μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚゛ｒＢと第２の層領域（Ｓ’
）の層厚′ｒの和（ＴＢ十Ｔ　）としては、両層領域に
要求される特性と非晶質層全体に要求される特性との相
互間の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際
に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲と１−では通常の場合１〜１００μ、好適には
１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望オしい
。

本発明のより好捷しい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常はＴｎ／Ｔ≦１なる関
係を満足する除に、夫々に対して適宜適切な数値が選択
されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層／＠Ｔの数値の選択
に於いて、より好ましくは、Ｔｎ／Ｔ≦０．９．最適に
はＴＢ／Ｔ≦０．８カる関係が満足される様に層厚ＴＢ
及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層領域００層厚ＴＢとしては、
成可く薄くされるのが望捷しく、好ましくは３０μ以下
、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以下とさ
れるのが望ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には支持体と非晶１’ｉＭＬの間の密着性の改良
を計る目的の為に非晶質層中には、酸素原子が含有され
る。非晶質層中に含有される酸素原子は、非晶質層の全
層領域に万偏なく含有されても良いし、或いは、非晶質
層の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い。

又、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（０）が非晶質層
の層厚方向に於いては、均一であっても、分布濃度Ｃ（
０）が層厚方向には不均一であっても良い。

本発明に於いて、非晶質層に設けられる酸素原子の含有
されている層領域０）は、光感度と暗抵抗の向上を主た
る目的とする場合には、非晶質層の全層領域を占める様
に設けられ、支持体と非晶質層との間の密着性の強化を
計るのを主たる目的とする場合には、非晶質層の支持体
側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（０）中に含有される酸素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る為
に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、非晶質層の
自由表面側に於いて比較的低濃度に分布させるか或いは
、非晶質層の自由表面側の表層領域には、酸素原子を積
極的には含有させない様な酸素原子の分布状態を層領域
（Ｏ）中に形成すれば良い。

本発明に於いて、非晶質層に設けられる層領域０）に含
有される酸素原子の含有量は、層領域（０）自体に要求
される特性、或いは該層領域（０）が支持体に直に接触
して設けられる場合には、該支持体との接触界面だ於け
る特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択す
ることが出来る。

又、前記層領域（０）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸素
原子の含有量が適宜選択される。層領域（０）中に含有
される酸素原子の１−は、形成される光導電部材に要求
される特性に応じて所望に従って適宜法められるが、通
常の場合、０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、好まし
くは、０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０
．００３〜３０　ａｔｏｍｉ　ｃ係とされるのが望着し
いものである。

本発明に於いて、層領域（０）が非晶質層の全域を占め
るか、或いは、非晶質層の全域を占めなくとも、層領域
（０）の層厚Ｔ。の非晶質層の層厚Ｔに占める割合が充
分多い場合には、層領域（０）に含有される酸素原子の
含有量の上限は、前記の値より充分小なくされるのが望
ましい。

本発明の場合には、層領域（０）の層厚Ｔ。が非晶質層
の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様な
場合には、層領域０）中に含有される酸素原子の量の上
限としては、通常は、３０ａｔｏｍｉｃ　％以下、好ま
しくは、２０　ａｔｏｍｉｃ　％以下、最適には１０　
ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましいものである。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（０）中に含有される酸素原子の層厚方向の分布
状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子の分布濃
度Ｃを、縦軸は、層領域（０）の層厚を示し、ｔＢは支
持体側の層領域（０）の端面の位置を、ｔＴは支持体側
とは反対側の層領域（０）の端面の位置を示す。即ち、
酸素原子の含有される層領域（０）はｔＢ側よ抄ｔＴ側
に向って層形成がなされる。

第２区には、層領域（０）中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、酸素原子の含有される層領域
（０）が形成される表面と該層領域（Ｏの表面とが接す
る界面位置ｔＢよりｔ、の位置までは、酸素原子の分布
濃度ＣがＣ１なる一定の値を取９乍ら酸素原子が形成さ
れる層領域０）に含有され、位置ｔｌＪ：りは濃度Ｃ２
より界面位置ｔＴｌｃ至るまで徐々に連続的に減少され
ている。界面位置ｔＴにおいては酸素原子の分布濃度Ｃ
はＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される酸素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢより位［ｔＴに到るまで濃度Ｃ４
から徐々に連続的に減少して位［ｔＴにおいて濃度Ｃ６
となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは酸素原
子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置ｔ２と
位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少され、位
１ｔｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされてい
る（ここで実質的【零とは検出限界量未満の場合である
）。

第５図の場合には、酸素原子の分布濃度Ｃは至 位置ｔＢより位置ｔＴに到るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位＃ｔＴにおいて実質的に零とされ
ている〇 第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃度Ｃは、
位置ｔＢと位置ｔ５間においては、濃度Ｃ９と一定値で
あゆ、位［ｔｔＴにおいては＃度ＣＩＯとされる。位置
ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に
位置ｔ、より位置ｔＴに至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位１ｉｔ
ｕより位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度Ｃｌ１１より濃度ＣＩ３ま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに至
るまで、酸素原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４より実質的
に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔＢより位置ｔ、に至るまでは
酸素原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃｔａより濃度０１６ま
で一次関数的に減少され、位置ｔ、と位置ｔＴとの間に
おいては、濃度ＣＩ６の一定値とされた例が示されてい
る。

第１０図に示される例においては、酸素原子の分布濃度
Ｃは位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ？であり、位置ｔ、に至
るまではこの濃度ＣＩ７より初めはゆつくりと減少され
、ｔ６の位置付近においては、急激に減少されて位置ｔ
６では４度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、極
めてゆっくりと徐々に減少されて位Ｉｆ！ｉｔｓにおい
て、濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔＴの間におい
ては、濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図て示す如
き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０興産より、層領域（０）中に含
有される酸素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においてＩｄ、支持体側にお
いて、酸素原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔ
Ｔ側においては、前記分布濃度ＣＩ″ｉ支持体側に較べ
て可成り低くされた部分を有する酸素原子の分布状態が
層領域（０）　Ｋ設けられている。

本発明において、非晶質層を構成する酸素原子の含有さ
れる層領域０）は、上記した様に支持体側の方に酸素原
子が比較的面濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有
するものとして設けられるのが望ましく、この場合には
、支持体と非晶質層との間の密着性をより一層向上させ
ることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）　ｒ、ｔ、界面
位ｔｄｔｔＢより５μ厚までの全１−領域（ＬＴ）とさ
れる場合もあるし、又、ｊ−領域（ＬＴ）の一部とされ
る場合もある。

局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される非晶質層に要求される特性に従って
適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子のＩｎ　
、１！１方向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最
大値Ｃｍａ　ｘが通常は５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以上、好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最
適には１００１０００ａｔｏ　Ｉ）ｐｍ以上とされる様
な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層領域
０）は、支持体側からの層厚で１５μ以内（ｔｎから５
μ厚の層領域）に分布ｍ１度の１瞳大値Ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて非晶質層を構成する第１
の層領域（Ｇ）及び２Ｊ　２の１−領域Ｃ８）中に金回
されるハロゲン原子（３）としては、具体的にはフッソ
、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、ｊ′Ａ
素を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ　　ＧｅｚＳｔ、−Ｘ（Ｈ、Ｘ　）
　（０，９５〈Ｘ≦１）で構成される第１の層領域Ｇ）
を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリング法
、硯い（はイオンブレーティング法等の放電現象を利用
する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ　−ＧｅｚＳｉｌ−
１（Ｔ（、、Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ’ｌを
形成するには、０．９５＜ｘ＜１の場合、ゲルマニウム
原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスとシリ
コン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｔ惧給用の原料ガスと
、必要に応じて水素原子（Ｆ−１）導入用の原料ガス又
は／及びノ・ロゲン原子ｏＯ噂入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入［７
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである所定の支持体表面上にａ　　ＧｅｘＳ
ｉ＋−ｘ　（Ｈ、Ｘ　）からなる層を形成させれば良い
。

ｘ＝１の時には前述の原料ガスのうちＳｌ供給用ガスを
除いておけばよい。

又、スパッタリング法で形成する場合にｉｔ、例えばＡ
、ｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でＧｅで構成されたターゲ
ットを一枚、或いは、該ターゲットとＳｔで構成された
ターゲットの二枚を使用して、又は、ＳｉとＧｅの混合
さね、たターゲットを使用して、必要に応じてＩ（ｅ　
、　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガ
スを、必要に応じて、水素原子Ｉ又は／及び）・ロゲン
原子■導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入
し、所望のガスプラズマ雰囲気を形成して前記のターゲ
ットをスパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶ゲル
マニウム又は単結晶ゲルマニウム。

必要に応じて多結晶シリコン又は単結晶シリコンを用い
夫々蒸発源として蒸着ボートに収容１〜、この蒸発源を
抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等
によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ
雰囲気中を通過させる以外はスパッタリングの場合と同
様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ，、５ｉ２Ｈ，、Ｓｉ、Ｔ（
、。

５ｉ４Ｈ，＋１等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ＋、　５ｉＪ４ｅが好ましいものと
して挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
，、Ｇｅ、Ｈ，＋　Ｇｅ３Ｈａ　、　Ｇｅ４Ｈｔｏ　、
　Ｇｅ１Ｈ，２，Ｇｅ、Ｆ（、。

Ｇｅ７Ｈ１６、Ｇｅ５Ｈ１Ｂ　、　ＧｅｏＨｚａ等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に
使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の
取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ，。

Ｇｅ２Ｈ，、、Ｇｅ５Ｈｓが好ましいものとして挙げら
れる。

本発明において使用される）１０ゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのノ・ロゲン化合物が挙げ
られ、例えばノ・ロゲンガス、ノ・ロゲン化物、ハロゲ
ン間化合物、ノ・ロゲンで置換されたシラン誘導体等の
ガス状態のヌはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく
挙げられる。

又、更には、シリコン原子と７・ロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化１〜得る、ハロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るノーロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ　＋　ＣＩＦ　、　ＣｌＦ５゜ＢｒＦ
、　、　ＢｒＦ５　、　ＩＦ５１　ＩＦ７．　ＩＣ，／
　ｌ　ＩＢｒ等のハ（Ｉゲン間化合物を挙げることが出
来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ、　、　５ｉ２ＦＩ、＋　５ｉＣｌｔ　＋　５ｉＢ
ｒ、等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ　　Ｇｅ）（
Ｓ　ｉ、−ｚから成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事
が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｔ供給
用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料
ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ　、Ｈ２＋　Ｈｅ
等のガス等を所定の混合比とガス流液になる様にして第
１の層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放
電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成する
ことによって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を
形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を
一層容易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガ
ス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合し
て層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数棟混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にノーロゲン原子を導入するには
、前記のノ・ロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

父、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン知又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明に於いては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣ／。

ＨＴ３ｒ　、ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．
５ｉＨ２Ｉ２＋ＳｉＴ■２ＣＩｈ　）　　５ｉＨＣ／３
　、５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３等の７１０ゲン置
換水素化硅素、及びＧｅ）ＩＦ、、　、　ＧｅＦ２　Ｆ
２　＋ＧｅＨ３Ｆ、　ＧｅＣｌ４＋　、　ＧｅＨ２Ｃ１
２，ＧｅＨｓＣｌｌ　、　ＧｅＨＢｒ５　＋ＧｅＨ２Ｂ
ｒ２．ＧｅＨ３Ｂｒ　、　ＧｅＦ（Ｉ　３　、　ＧｅＦ
２　Ｉ　２　、　ＧｅＨ，、Ｔ等の水素化ハロゲン化ゲ
ルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つとする）・
ロゲン化物、ＧｅＦ４　。

ＧｅＣｌ４＋　ＧｅＢｒ４　、　Ｇｅ１４　、　ＧｅＦ
２　、　ＧｅＣ１２，ＧｅＢｒ２　。

Ｇｅ　Ｉ　２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス
状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層領域０
）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むノ１０ゲン化物は、
第１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては好適な
ハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＦ２、或いは５ＨＩ４１５ｔ２Ｈ６＋５
ｔｓＬ　、Ｓ＋４Ｈ１ｏ等の水素化硅素をＧｅを供給す
る為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは
、ＧｅＨ＋　＋　Ｇｅ２Ｈ，、＋　Ｇｅ５Ｈａ　ｌ　Ｇ
ｅ７Ｈ１６＋　Ｇｅ５Ｈｕ　＋Ｇｅ、、ＨＩ４．　Ｇｅ
７Ｈ１６、Ｇｅ６１（１８１Ｇｅ７Ｈ１６等の水素化ゲ
ルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン
化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事で
も行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される非晶質層を構
成する第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子Ｉの
量又はノ・ロゲン原子（３）の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は通常の場合０．０１〜４
０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には０．０５〜３０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１の層領域口）中に含有される水素原子αわ父は／及
びノ・ロゲン原子頭の計を制御するには、例えば支持体
温度又は／及び水素原子（Ｆ、Ｉ）、或いはハロゲン原
子■を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系
内へ導入するψ、故市、々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ｔ　（ＦＴ、、　Ｘ）　　で構
成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには前記した第
１の層領域Ｏ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ
供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第
２の層領域（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して
、第１の層領域（Ｑを形成する場合と同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２層領域（Ｓ）を形成するには、基本的
には前Ａ 記したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｔ供給用の
原料ガスと共て、必要に応じて水素原子０（）導入用の
父け／及びハロゲン原子閃導入用の原料ガスを、内部が
減圧に（７得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定
の支持体表面上にａ−８ｉ　（ＴＩ　、　Ｘ　）からな
る層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成
する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳ
ｉで構成されたターゲットをスパッタリングする際、水
素原子σ■又は／及びハロゲン原子（３）導入用のガス
をスパッタリング用の堆積室に導入しておけばよい。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第１の１曽領域（０の上に設けられ、ゲルマニ
ウム原子の含有されない第２の層領域（Ｓ）には、伝導
特性を制御する物質を含有させることにより、該層領域
（Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に制御することが
出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る第２の層領域（Ｓ）を構成するａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）に
対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物、及びｎ型伝
導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、Ｐ型不純物としては、周期律表第■族に属
する原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｌ（
アルミニウム）　、　Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ（イン
ジウム）　、　Ｔｌ　（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、８％　Ｇａである。ｎ型不純物とし
ては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第■族原子）、例
えば、Ｐ（燐）。

Ａｓ　（砒素）　、　ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビ
スマス）等であり、殊に好適に用いられるのは、Ｐ。

Ａａである。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量は、該層領域（Ｓ）に要求
される伝導特性、或いは該層領域（Ｓ）に直に接触して
設けられる他の層領域の特性や、該仙の層領域との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、
適宜選択することが出来る。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量としては、３１ｆ１常の
場合、０．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、
好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｊｃ　ｐｐｍ　、
最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましいものである。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物質例えば
第■族原子、或いは、第Ｖ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に第■族原子導入用の出発物質、或いは
、第■族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に
、第２の層領域を形成する為の他の出発物質と共に導入
してやれば良い。この様な第■族原子導入用の出発物質
と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。その様な第■族原子導入用の出発
物質として具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ
６、Ｂ４Ｈ＋ｎ　。

Ｂ６Ｈｏ　、Ｂ５１’（１１、Ｂ６’Ｆ（１０、ＢｅＨ
＋２　、　Ｂ６１（＋４等の水素化ｆｄｌｌｌ素、ＢＦ
３．　ＢＣ／８．　ＢＢｒ３．等のハロゲン化硼素等が
挙げられる。この他、ＡｓＣｌ３．　ＧａＣ／Ｒ，Ｇａ
（Ｃ１ｆ、’）、。

ＩｎＣ／３．’ＬＶＣＩ！ｓ等も挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質とし−Ｃ１本発明において
有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３
、Ｐ２８．４等の水素北隣、ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ３゜Ｐ
Ｆ５　、ＰＣｌ５　＋　ＰＣＩ　５　、ＰＢｒ３　＋　
ＰＢｒａ　ｌ　ＰＩ３等のハロゲン原子が挙げられる。

この他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ”３　。

ＡｓＣｌ３．　ＡｓＢｒ、　＋　Ａｓｈ’、　、　Ｓｂ
Ｈ３，ＳｂＦ、、　、　ＳｂＦ、　、　ＳｂＣ＃、　。

ＳｂＣ／ｓ　、　Ｂ：Ｈｓ　、ＢｉＣｌ３　、　Ｂ１Ｂ
ｒ３等も第■族原子導入用の出発物質の有効なものとし
て挙げることが出来る。

本発明に於いて、非晶質層に酸素原子の含有された層領
域０）を設けるには、非晶質層の形成の際に酸素原子導
入用の出発物質を前記した非晶質層形成用の出発物質と
共に使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら含
有してやれば良い。層領域０）を形成するのにグロー放
電法を用いる場合には、前記した非晶質層形成用の出発
物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子導
入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入用
の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したも
のの中の大概のものが使用され得る。

セ１４えげシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料
ガスと、酸素原子０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子Ｉ又は及びノ１０ゲン原子（２）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコンとれも又所望の混合比で混合
するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とす
る原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）＋酸素原子０）及
び水素原子Ｉの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ　）と水素原子（１４
）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には、例えば酸素（０２）　、オゾン（０３）、
　−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸
化窒素（Ｎ２０）　、三二酸化窒素（Ｎ２０３）　、四
三酸化窒素（Ｎ２０４）。

三二酸化窒素（Ｎ２０５）　、三酸化窒素（ＮＯｌ）、
シリコン原子（Ｓｉ　）と酸素原子０）と水素原子■と
を構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ，Ｓ　ｉ
ｔｓ　ｉＨ，）。

トリシロキサン（Ｎ３　Ｓ　ｔ、’ｓ　ｌＨ２Ｏ５ｉＨ
３）等の低級シロキサン等を挙げることが出来る。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する第一の
非晶質層（Ｉ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ
ｉウェーハー又は５ｉｆ２ウエーハー、又はＳｉと５ｉ
ｎ２が混合されて含有されているウェーハーをターゲッ
トとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリン
グすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又に１：／及びハロ
ゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッタ用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハー
をスパッタリングすれば良い。

又、別には、Ｓｌと５ｉｎ２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉとＳ　ｉ０２の混合した一枚のターゲット
を使用することによって、スパッタ用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子Ｉ又は／及
びハロゲン原子（イ）を構成原子として含有するガス雰
囲気中でスパッタリングすることによって成される。酸
素原子導入用の原料ガスとしては、先述した、グロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。

本発明に於いて、非晶質層の形成の際に、酸素原子の含
有される層領域０）を設ける場合、該層領域（０に含有
される酸素原子の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向に変化さ
せて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆ
ｉｌｅ　）を有する層領域（０）を形成するには、グロ
ー放電の場合には分布濃度Ｃ（０）を変化させるべき酸
素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所望
の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室内に導
入することによって成される。例えば手動あるいは外部
駆動モータ等の通常用いられている佃らかの方法により
、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードルバルブ
の開口を漸次変化させる操作を行なえば良い。このとき
、流量の変化率は線型である必要はなく例えばマイコン
等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線に従って
流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもできる。

層領域（０）をスパッタリング法によって形成する場合
、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向で
変化させて、酸素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を形成するには、第一に
は、グロー放電法による場合と同様に、酸素原子導入用
の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導
入する際のガス流景を所望に従って適宜変化させること
によって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えば、
Ｓｊと５ｉｆ２との混合されたターゲットを使用するの
であれば、Ｓｔと５ｉ０２との混合比を、ターゲットの
層厚方向に於いて、予め変化させておくことによって成
される。

本発明に於いて、形成される非晶質層を構成する第２の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（６）の量又はハ
ロゲン原子閃の量又は水素原子とノ・ロゲン原子の量の
和（Ｈ十Ｘ　）は、通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃ
　ｑ６．好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％＋最適に
は５〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ　、ステンレス。

ｋｌ　＋Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｌｌ　＋Ｎｂ　＋Ｔａ　、
Ｖ　＋Ｔｉ　＋Ｐｔ　、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金
が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポｌＪｍ化ビニル。

ポリ塩化ピニリヅン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａｆ　、Ｃｒ　、　ＭＯ、Ａｕ　、Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔ
ａ　ｅＶ、Ｔｔ　、Ｐｔ　、ＰｃＬＩｎ２０ｓ　ｌ　５
ｎ０２　、　ＩＴＯ（Ｉｎ２０．　＋５ｎＯ２）等から
成る薄膜を設けるととＫよって導電性が付与され、或い
はポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば
、ＮｉＣｒ　、ｋｌ　＋Ａｇ　＋Ｐｂ　、Ｚｎ　、Ｎｉ
　、Ａ１１　＊Ｃｒ＋Ｍｏ　＋　Ｉｒ　＋Ｎｂ　、Ｔａ
　＋Ｖ　＋　Ｔ＋　＋　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着
、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け
、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性が付与される。支持体の形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によっ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電
部材１００を電子写真用像形成部材として使用するので
あれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。百年ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、通常は、１０μμ上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するだめの原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
たＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９％。

以下Ｓ　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３
はＨｅで稀釈されたＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％
、以下ＧｅＨ４／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０４は
Ｈｅで稀釈されたＳｉＦ４ガス（純度９９．９９チ、以
下５ｉｆｔ／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５はＮＯ
ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＨ２ガ
ス（純度９９．９９９チ）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のパルプ１１２２〜１１２６．
　リークパルプ１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１
１７〜１１２１、補助バルブ１１３２゜１１３３が開か
れてｂることを確認して、先づメインバルブ１１３４を
開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０″６ｔｏｒ
ｒになった時点で補助バルブ１１３２　、１１３３、流
出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に非晶質層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１ｏ２よりＳｉＨ
４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よりＧｅＨ。

／　Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５よりＭガスヲハルプ
１１２２　、１１２３　、１１２４を開いて出口圧ゲー
ジ１１２７゜１１２８．１１２９の圧を１１Ｃｇ／　ｔ
ｉ　Ｋ調整し、流入バルブ１１１２　、月１３　、１１
１４を徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０７　
、１１０８　、　１１０９内に夫々流入させる。引き続
いて流出バルブ１１１７　、１１１８゜１１１９　、補
助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１
１０１に流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｔ（４／　Ｈ
ｅガス流量とＧｅｍ、／　Ｈｅガス流量とぬガス流量と
の比が所望の値になるように流出バルブ１１１７　、１
ｌ１８　、１１１９を調整し、又、反応室１１０１内の
圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読みを見
ながらメインバルブ１１３４の開口を調整する。そして
基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により５０
〜４００°Ｃの範囲の温度に設定されていることを確認
された後、電源１１４゜を所望の電力に設定して反応室
１１０１内にグロー放電を生起させ所望時間グロー放電
を維持して、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領
域０）を形成する。所望層厚に第１の層領域０）が形成
された段階に於いて、流出バルブ１１１８を完全に閉じ
ること、及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同
様な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持する
ことで、第１の層領域（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実
質的に含有されない第２の層領域（Ｓ）を形成すること
が出来る。

第２の層領域［Ｆ］）中忙伝導性を支配する物質を含有
させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際Ｋ例えば、
Ｂ、Ｈ，、ＰＨ３等のガスを堆積室１１０１の中に導入
するガスに加えてやれば良い。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため基体
１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転させて
やるのが望着しい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｌ
基体上に第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

ζうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５．　ＯＫＶで０．３　ｓｅｃ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ
光源を用い、２　ｌｕｘ　、　ｓｅｅの光量を透過型の
テストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、θ５．　ＯＫＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

とうして得られた像形成部材に就いて帯電極性と現像剤
の荷電極性の夫々を実施例１と反対にした以外は実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したと
ころ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ 実施例１に於いて、ＧｅＨ４／　ＨｅガスとＳｉＨ，／
Ｈｅガスのガス流量比を変えて第１１−中に含有される
ゲルマニウム原子の含有量を第４表に示す様に変えた以
外は、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を夫
々作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られた。

実施例５ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示すように
変える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形
成部材を作成した。

こう１−で得られた各像形成部材に就いて、実施例１と
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ
第５表に示す結果が得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のｋｌ
基体上に第６表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５、ＯＫＶで０．３　ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光
源を用い、２　ｌｕｘ　、　ｓｅｃの光量を透過型のテ
ストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、θ５．　ＯＫＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した処、解像要に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例７ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代りに８
１０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ　）を
用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様
のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で
作成１〜た電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画
像の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調１１
ｊ現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

第４表 第５表 ０：優良　　　Ｏ：良好 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成放電周波数
：　１３．５６ＭＩＩｚ 反応時反応室内圧：０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々非晶質中の
酸素原子の分布状態を説明する為の説明図、第１１図は
、実施例に於いて本発明の光導電部材を作製する為に使
用された装置の模式的説明図である。 １００・・・光導電部材 １０１・・・支持体 １０２・・・非晶質１ｆｉ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、該支持体上に、Ｇｅ）
   （Ｓｉｔ−Ｘ（０，９５（ｘ≦１）を含む非晶質材料で
   構成された第１の層領域と、シリコン原子を含む非晶質
   材料で構成され、光導電性を示す第２の層領域とが前記
   支持体側より順に設けられだ層構成の非晶質層とを有し
   、前記非晶質層中には酸素原子が含有されている事を特
   徴とする光導電部材。
2. （２）第１の層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第
   １項に記載の光導電部材。
3. （３）第１の層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方にノ・ロゲン原子が含有されている特許請求の
   範囲第１項及び同第２項に記載の光導電部材。