JPS6055827B2 - フオトマスク基板の加工法 - Google Patents
フオトマスク基板の加工法Info
- Publication number
- JPS6055827B2 JPS6055827B2 JP54053457A JP5345779A JPS6055827B2 JP S6055827 B2 JPS6055827 B2 JP S6055827B2 JP 54053457 A JP54053457 A JP 54053457A JP 5345779 A JP5345779 A JP 5345779A JP S6055827 B2 JPS6055827 B2 JP S6055827B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- processing method
- substrate processing
- photomask substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
従来、半導体素子製造に使われているフォトマスクは
、ガラス基板の面と面の角縁を砥石等を使つていわゆる
面取り加工を行なうことと基板面に、クローム及び酸化
クロームの薄膜から成るフォトマスクを形成することと
から成る基板の加工が行なわれているが、近年、フォト
マスクに対しては、益々高精度微細なパターンを高能率
、確実に得られるものが要求され、このためには、フォ
トマスクのピンホール数は極力減らさなければならない
。
、ガラス基板の面と面の角縁を砥石等を使つていわゆる
面取り加工を行なうことと基板面に、クローム及び酸化
クロームの薄膜から成るフォトマスクを形成することと
から成る基板の加工が行なわれているが、近年、フォト
マスクに対しては、益々高精度微細なパターンを高能率
、確実に得られるものが要求され、このためには、フォ
トマスクのピンホール数は極力減らさなければならない
。
しかし乍ら、従来のガラス基板の上記加工法では、検査
基準以上のピンホールができ不合格品か多く発生する傾
向があり、上記要求を満足するフォトフィルムを備えた
基板を得ることは極めて困難てある。 本発明は、かゝ
る基板加工に於いて生ずるピンホールの発生原因を究明
し、これに基きピンホールの発生が著しく減少すること
を目的としたフォトマスク基板の加工法を提供するもの
で、フォトマスク基板に面取り加工を行なう工程と、該
基板面にフォトマスクを形成する工程とから成る半導
体素子製造用フォトマスク基板の加工法に於て、該フォ
トマスク形成工程に先立ち、面取り加工面のマイクロク
ラックを構成する多数の微細な突起を消去処理すること
を特徴とする。
基準以上のピンホールができ不合格品か多く発生する傾
向があり、上記要求を満足するフォトフィルムを備えた
基板を得ることは極めて困難てある。 本発明は、かゝ
る基板加工に於いて生ずるピンホールの発生原因を究明
し、これに基きピンホールの発生が著しく減少すること
を目的としたフォトマスク基板の加工法を提供するもの
で、フォトマスク基板に面取り加工を行なう工程と、該
基板面にフォトマスクを形成する工程とから成る半導
体素子製造用フォトマスク基板の加工法に於て、該フォ
トマスク形成工程に先立ち、面取り加工面のマイクロク
ラックを構成する多数の微細な突起を消去処理すること
を特徴とする。
次に、本発明につき詳細に説明する。
従来、ガラス基板の四側面と上下面との角に面取り加
工を行ない、次で洗浄してフォトマスクを形成すべき面
を浄化後、フォトマスクを該面に形成する基板加工が行
なわれているが、フォトマス”クに基準以上のピンホー
ルの数や大きさをもつもの力化ばしば発生した。
工を行ない、次で洗浄してフォトマスクを形成すべき面
を浄化後、フォトマスクを該面に形成する基板加工が行
なわれているが、フォトマス”クに基準以上のピンホー
ルの数や大きさをもつもの力化ばしば発生した。
本発明者は、この原因を追究していたが、次の事実を知
見した。即ち、該ガラス基板に従来の方法て砥石を使用
して面取り加工すると該加工面には砥石研摩により無数
の繊細なガラス突起によるマイクロクラックが生成して
いることが顕微鏡により観察されると共にこのマイクロ
クラックを構成している微細なガラス突起は、基板のフ
ォトマスクを施す面を浄化するべく、充分な洗浄処理工
程を経てさえ、残存するばかりか、その後の乾燥、運搬
その他の取り扱いの過程や被覆工程等においてこれら微
細なガラス突起は折損してその砕粉微片が基板の被覆処
理すべき面に転移存在する状態がつくり出される事実が
分り、これがピンホールを構成する１つの大きい原因で
あることが判明した。本発明者はかゝる知見に基き、特
にそのフォトマスク形成処理に先立ち、か）る破壊し易
い微細なガラス突起の消去処理を行なうときは、極めて
著しくピンホールの生成を減少し得られ、従来に比し、
不良品の発生の減少、従つて製品の歩溜まりの著しい向
上をもたらすことを見出し。而して、その消去処理とし
ては、面取り加工面に対し、（１）鏡面研摩処理、（１
１）エッチング処理、（Ｉｉｉ）火焔溶融処理等、であ
る。（１）の鏡面研摩処理は、常法による砥石を使つて
面取り加工を施した後、バフ、皮、木等により鏡面研摩
を行なう。この場合、砥石により丸く面取りを行ない角
をつけない方が好ましい。これにより、面取り加工時加
工面に生じた微細なガラス毛羽状突起は除去され従てマ
イクロクラックは消失した平滑な平取り加工面として得
られる。（Ｉｉ）エッチング処理は、エッチング剤とし
てＨＦ′，ＨＢＦ４，ＮａＯＨ，Ｎａ２ＣＯ３などのア
ルカリ等を液又は蒸気の形で用いる。
見した。即ち、該ガラス基板に従来の方法て砥石を使用
して面取り加工すると該加工面には砥石研摩により無数
の繊細なガラス突起によるマイクロクラックが生成して
いることが顕微鏡により観察されると共にこのマイクロ
クラックを構成している微細なガラス突起は、基板のフ
ォトマスクを施す面を浄化するべく、充分な洗浄処理工
程を経てさえ、残存するばかりか、その後の乾燥、運搬
その他の取り扱いの過程や被覆工程等においてこれら微
細なガラス突起は折損してその砕粉微片が基板の被覆処
理すべき面に転移存在する状態がつくり出される事実が
分り、これがピンホールを構成する１つの大きい原因で
あることが判明した。本発明者はかゝる知見に基き、特
にそのフォトマスク形成処理に先立ち、か）る破壊し易
い微細なガラス突起の消去処理を行なうときは、極めて
著しくピンホールの生成を減少し得られ、従来に比し、
不良品の発生の減少、従つて製品の歩溜まりの著しい向
上をもたらすことを見出し。而して、その消去処理とし
ては、面取り加工面に対し、（１）鏡面研摩処理、（１
１）エッチング処理、（Ｉｉｉ）火焔溶融処理等、であ
る。（１）の鏡面研摩処理は、常法による砥石を使つて
面取り加工を施した後、バフ、皮、木等により鏡面研摩
を行なう。この場合、砥石により丸く面取りを行ない角
をつけない方が好ましい。これにより、面取り加工時加
工面に生じた微細なガラス毛羽状突起は除去され従てマ
イクロクラックは消失した平滑な平取り加工面として得
られる。（Ｉｉ）エッチング処理は、エッチング剤とし
てＨＦ′，ＨＢＦ４，ＮａＯＨ，Ｎａ２ＣＯ３などのア
ルカリ等を液又は蒸気の形で用いる。
ガラスの種類により異なるが、例えば、ソーダ石炭系の
ガラス基板に対しては、１％ＨＦや０．９％汀×６％Ｈ
ＮＯ３の水溶液を用い、基板の該面取り加工面をエッチ
ング処理する。然るときは、マイクロクラック部の微細
なガラス突起は、溶融、瘉着等を起こして消失する。か
くして、大きい凹凸侵食面は生じても無数のマイクロク
ラックは全く乃至殆んど消失した面取り加工面として得
られる。尚エッチング蒸気により基板表面もわずかだが
侵食されるが、ポリウレタン等により軽一い研摩を施す
ことにより解決できる。（Ｉｉｉ）火焔溶液処理は、適
当な微小なバーナー等の火焔を該面取り加工面に沿い走
らせれば、マイクロクラックを構成する微細なガラス突
起は熔融して消失し、なめらかな加工面を生成する。
ガラス基板に対しては、１％ＨＦや０．９％汀×６％Ｈ
ＮＯ３の水溶液を用い、基板の該面取り加工面をエッチ
ング処理する。然るときは、マイクロクラック部の微細
なガラス突起は、溶融、瘉着等を起こして消失する。か
くして、大きい凹凸侵食面は生じても無数のマイクロク
ラックは全く乃至殆んど消失した面取り加工面として得
られる。尚エッチング蒸気により基板表面もわずかだが
侵食されるが、ポリウレタン等により軽一い研摩を施す
ことにより解決できる。（Ｉｉｉ）火焔溶液処理は、適
当な微小なバーナー等の火焔を該面取り加工面に沿い走
らせれば、マイクロクラックを構成する微細なガラス突
起は熔融して消失し、なめらかな加工面を生成する。
！上記のような適宜の消去処理を施した後は、もはやそ
の後の取り扱いで破壊される微細な突起は実質上全く或
は殆んどないので、その基板の表面にクローム及び酸化
クローム等の薄膜によるフォトマスクを形成したとき、
従来に比しピンホールの発生のない良質の製品が歩溜ま
り良く得られる。従来の処理基板のピンホール数を１０
０をすれば、本法処理基板を用いることによつてその数
を２０〜３０に減少させることが可能である。
の後の取り扱いで破壊される微細な突起は実質上全く或
は殆んどないので、その基板の表面にクローム及び酸化
クローム等の薄膜によるフォトマスクを形成したとき、
従来に比しピンホールの発生のない良質の製品が歩溜ま
り良く得られる。従来の処理基板のピンホール数を１０
０をすれば、本法処理基板を用いることによつてその数
を２０〜３０に減少させることが可能である。
図面は、本法の実施の１例により得られた加工基板を示
し、（１）はガラス基板、（２）はガラス基板に従来の
ように砥石研摩による面取り加工を施した後、エッチン
グ処理してマイクロクラックを実質上全部消失せしめた
面取り加工面、（３）はその表面に常法により施したク
ローム及び酸化クロームから成る被膜のフォトマスクを
示す。このようにして得られた薄膜基板には、高精度微
細パターンを高能率、確実になし得られ、半導体集積回
路の生産に使つてその歩溜りを向上させる。このように
、本発明によるときは、基板の面取り加工面にマイクロ
クラックの消去処理を施した後、その表面にフォトマス
ク加工を施すようにしたので、そのフォトマスクに生ず
るピンホールは著しく減少し、製品の歩溜りを著しく向
上し得られ、高精度パターン、高集積半導体素子の製造
に適用し得る加工基板をもたらす効果を有する。
し、（１）はガラス基板、（２）はガラス基板に従来の
ように砥石研摩による面取り加工を施した後、エッチン
グ処理してマイクロクラックを実質上全部消失せしめた
面取り加工面、（３）はその表面に常法により施したク
ローム及び酸化クロームから成る被膜のフォトマスクを
示す。このようにして得られた薄膜基板には、高精度微
細パターンを高能率、確実になし得られ、半導体集積回
路の生産に使つてその歩溜りを向上させる。このように
、本発明によるときは、基板の面取り加工面にマイクロ
クラックの消去処理を施した後、その表面にフォトマス
ク加工を施すようにしたので、そのフォトマスクに生ず
るピンホールは著しく減少し、製品の歩溜りを著しく向
上し得られ、高精度パターン、高集積半導体素子の製造
に適用し得る加工基板をもたらす効果を有する。
図面は本発明加工法により得られたフォトフィルム基板
の１部を截除した斜面図を示す。 １・・・ガラス基板、２・・・面取り加工面、３・・・
フォトマスク。
の１部を截除した斜面図を示す。 １・・・ガラス基板、２・・・面取り加工面、３・・・
フォトマスク。
Claims (1)
- １ フォトマスク基板に面取り加工を行なう工程と、該
基板面にフォトマスクを形成する工程とから成る半導体
素子製造用フォトマスク基板の加工法に於て、該フォト
マスク形成工程に先立ち、面取り加工面のマイクロクラ
ックを構成する多数の微細な突起を消去処理することを
特徴とするフォトマスク基板の加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54053457A JPS6055827B2 (ja) | 1979-05-02 | 1979-05-02 | フオトマスク基板の加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54053457A JPS6055827B2 (ja) | 1979-05-02 | 1979-05-02 | フオトマスク基板の加工法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55146928A JPS55146928A (en) | 1980-11-15 |
| JPS6055827B2 true JPS6055827B2 (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=12943380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54053457A Expired JPS6055827B2 (ja) | 1979-05-02 | 1979-05-02 | フオトマスク基板の加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055827B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333124A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646227A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Mask substrate for electronic device |
| JPS6029747A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Hoya Corp | 電子デバイス用マスク基板 |
| JPS6116552U (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-30 | 旭硝子株式会社 | 集積回路製造用マスク基板 |
| JPS63257756A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Shinetsu Sekiei Kk | フオトマスク用ガラス基板 |
| JP2506123B2 (ja) * | 1987-09-29 | 1996-06-12 | シャープ株式会社 | 光ディスク |
| JP2588326B2 (ja) * | 1991-06-29 | 1997-03-05 | 株式会社東芝 | 半導体ウエーハの製造方法 |
| JP4784969B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-10-05 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用のガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
| JP5597059B2 (ja) * | 2010-08-12 | 2014-10-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| JP5635839B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-12-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法及びマスクブランクの製造方法 |
| JP5553735B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2014-07-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| JP6210270B2 (ja) * | 2013-05-14 | 2017-10-11 | 株式会社ニコン | ガラス基板の表面処理方法およびフォトマスクの再生方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5759543B2 (ja) * | 1974-05-30 | 1982-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS5265673A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-31 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and method of manufacture thereof |
| JPS5293274A (en) * | 1976-01-31 | 1977-08-05 | Toppan Printing Co Ltd | Method of manufacturing negative type photomask by way of new lift off process |
| JPS5311717A (en) * | 1976-07-12 | 1978-02-02 | Kubota Ltd | Cultivating machine |
| JPS5328890A (en) * | 1976-08-28 | 1978-03-17 | Masao Kitagawa | Method of cutting and grinding outer periphery of glass plate for chamfering |
| JPS5338594A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-08 | Rakuton Kagaku Kougiyou Kk | Baits for angling |
| JPS5377461A (en) * | 1976-12-21 | 1978-07-08 | Nec Corp | Filleting method of semiconductor wafer |
| JPS5422A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Hitachi Ltd | Glass substrate for use as indicator |
| JPS5425A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Hitachi Ltd | Method of chamfering glass substrate |
-
1979
- 1979-05-02 JP JP54053457A patent/JPS6055827B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333124A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55146928A (en) | 1980-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW439138B (en) | Method of manufacturing semiconductor monocrystalline mirror-surface wafers which includes a gas phase etching process, and semiconductor monocrystalline mirror-surface wafers manufactured by the method | |
| JPS6055827B2 (ja) | フオトマスク基板の加工法 | |
| KR20100130642A (ko) | 제품으로의 유리 제조 및 가공용 보호 코팅 | |
| CN106933026A (zh) | 光掩模和光掩模基板及其制造方法、光掩模坯体、显示装置制造方法 | |
| JPS63248730A (ja) | ガラス製品の製造方法 | |
| KR101685553B1 (ko) | 반도체 제조 장비용 쿼츠 소재의 표면 처리 방법, 및 그에 의해 제조된 쿼츠 소재 | |
| WO2004051369A1 (ja) | フォトマスクブランク、及びフォトマスク | |
| KR102492720B1 (ko) | 실크 스크린의 메쉬 패턴을 활용한 난반사 유리 기판 및 이의 제조방법 | |
| JPH11109607A (ja) | 電子デバイス用ガラス基板及びその製造方法 | |
| TWI700742B (zh) | 用於塗敷石英表面的石英表面處理方法 | |
| JP2018045253A (ja) | ガラス再生処理方法および再生ガラス基板とそれを用いたフォトマスクブランクスとフォトマスク | |
| JPS6134669B2 (ja) | ||
| JPS63257756A (ja) | フオトマスク用ガラス基板 | |
| JP2002016023A (ja) | 薄板の加工方法 | |
| JP2003145426A (ja) | マスク用基板リサイクルのためのパターン除去方法およびそのパターン除去装置およびこれらでパターン除去されたマスク用基板 | |
| JPS6171932A (ja) | 材料の加工方法 | |
| JPS6077148A (ja) | ガラス基板の加工方法 | |
| JPS6227386B2 (ja) | ||
| JPS63127531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6029747A (ja) | 電子デバイス用マスク基板 | |
| JPS6045011A (ja) | 半導体ウエ−ハ及びその製造方法 | |
| JPS6237386B2 (ja) | ||
| JP3324010B2 (ja) | 回転塗布基板の不要膜除去装置用治具 | |
| WO2016152932A1 (ja) | ガラス基板の製造方法 | |
| TWI230817B (en) | A method for forming a metal pattern |