JPS6055963B2 - 正特性サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サ−ミスタの製造方法Info
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- JPS6055963B2 JPS6055963B2 JP55101784A JP10178480A JPS6055963B2 JP S6055963 B2 JPS6055963 B2 JP S6055963B2 JP 55101784 A JP55101784 A JP 55101784A JP 10178480 A JP10178480 A JP 10178480A JP S6055963 B2 JPS6055963 B2 JP S6055963B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正特性サーミスタの製造方法に関する。
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ０）を主成分とし、こ
れにチタニウム（Ｔｉ）の原子半径に近い原子半径を有
する５価の元素、あるいはバリウム（Ｂａ）の原子半径
に近い３価の元素をドープしてＴｉの原子価を制御する
ことにより半導体化された正特性サーミスタは、そのキ
ュリー点温度近辺て抵抗値の異常増加を起こす正の抵抗
温度特性を有する半導体として公知である。
れにチタニウム（Ｔｉ）の原子半径に近い原子半径を有
する５価の元素、あるいはバリウム（Ｂａ）の原子半径
に近い３価の元素をドープしてＴｉの原子価を制御する
ことにより半導体化された正特性サーミスタは、そのキ
ュリー点温度近辺て抵抗値の異常増加を起こす正の抵抗
温度特性を有する半導体として公知である。
さらにこの材料にマンガン（Ｍｎ）を微量添加した場合
、上記抵抗値の異常増加が著しく向上することが知られ
ている。また添加したＭｎは結晶粒界に存在することが
望ましく、結晶粒内に存在する場合には正特性サーミス
タの常温における比抵抗値が増加するはかりでなく、抵
抗値の異常増加持性も低下することになる。上記の理由
からＭｎを結晶粒界に均一に分散させることが重要とな
り、ＳｉＯ２等のガ ラス状成分となる添加物を加える
ことも行なわれている。しれル、正特性サーミスタ材料
の配合時などに二酸化マンガンあるいはマンガンの硫酸
塩、硝酸塩等のマンガン塩を添加した原料を混合し焼成
して作成した磁田ては応々に磁内にＭｎの濃度差が見ら
れＭｎの多い部分が斑点となるなど、Ｍｎの分散が均一
になりにくいという欠点があり、そのため抵抗値の異常
増加持性（以下ＰＣＴ特性と呼ぶ）あるいは耐電圧特性
が劣化し１がちであつた。第２図に原料並びに工程を示
した。１３は原料としてマンガン塩を添加したもの。
、上記抵抗値の異常増加が著しく向上することが知られ
ている。また添加したＭｎは結晶粒界に存在することが
望ましく、結晶粒内に存在する場合には正特性サーミス
タの常温における比抵抗値が増加するはかりでなく、抵
抗値の異常増加持性も低下することになる。上記の理由
からＭｎを結晶粒界に均一に分散させることが重要とな
り、ＳｉＯ２等のガ ラス状成分となる添加物を加える
ことも行なわれている。しれル、正特性サーミスタ材料
の配合時などに二酸化マンガンあるいはマンガンの硫酸
塩、硝酸塩等のマンガン塩を添加した原料を混合し焼成
して作成した磁田ては応々に磁内にＭｎの濃度差が見ら
れＭｎの多い部分が斑点となるなど、Ｍｎの分散が均一
になりにくいという欠点があり、そのため抵抗値の異常
増加持性（以下ＰＣＴ特性と呼ぶ）あるいは耐電圧特性
が劣化し１がちであつた。第２図に原料並びに工程を示
した。１３は原料としてマンガン塩を添加したもの。
ボールミルで行なう湿式混合２後乾燥３させた後、電気
炉を用いて仮焼４する。仮焼後の原料をボールミルで湿
式粉砕５し、乾燥６後、造粒７し、乾式加圧成形８し、
焼成１２して正特性サーー ミスタを得ている。 本発
明は上記の欠点を除き、微量添加物であるマンガンを均
一に分散させて耐電圧特性が改良され、斑点の発生のな
い正特性サーミスタを製造しようとするものてある。
炉を用いて仮焼４する。仮焼後の原料をボールミルで湿
式粉砕５し、乾燥６後、造粒７し、乾式加圧成形８し、
焼成１２して正特性サーー ミスタを得ている。 本発
明は上記の欠点を除き、微量添加物であるマンガンを均
一に分散させて耐電圧特性が改良され、斑点の発生のな
い正特性サーミスタを製造しようとするものてある。
上記目的達成のため、チタン酸バリウム及びマンガンを
除く添加物より作成した正特性サーミスタ原料を乾式加
圧成形後、この成形体の硫酸塩あるいは硝酸塩などの溶
液に浸漬することによりマンガン塩を上記成形体中に均
一に分散させた後、焼成を行なうことを特徴とするもの
であり、以下実施例と共に本発明について詳細に説明す
る。 実施例 （ＢａＯ．７８５ＰｂＯ．２ｌ５）ＴｌＯ３＋０．００
１３Ｎｂ２０５＋０．２４Ｓｉ０２となるように秤量し
たセラミック原料１をボールミルで湿式混合２後、乾燥
３させた後電気炉を用いて１０００℃で仮焼４した。
除く添加物より作成した正特性サーミスタ原料を乾式加
圧成形後、この成形体の硫酸塩あるいは硝酸塩などの溶
液に浸漬することによりマンガン塩を上記成形体中に均
一に分散させた後、焼成を行なうことを特徴とするもの
であり、以下実施例と共に本発明について詳細に説明す
る。 実施例 （ＢａＯ．７８５ＰｂＯ．２ｌ５）ＴｌＯ３＋０．００
１３Ｎｂ２０５＋０．２４Ｓｉ０２となるように秤量し
たセラミック原料１をボールミルで湿式混合２後、乾燥
３させた後電気炉を用いて１０００℃で仮焼４した。
仮焼後の原料をボールミルを用いて湿式粉砕５し、乾燥
６後ポリビニールアルコールの水溶液を加えて造粒７し
直径１５Ｔ！Ｒｌｎｌ厚み１．５ｗｒ！ｎに乾式加圧成
形８した。成形圧力は、１５００ｋ９／Ａｉである。こ
の成形体を乾燥機中で１５０℃で２時間乾燥９させた後
、デシケータ中で３吟真空脱気１０を行なつた。この際
の減圧度は６５ｃＴｎＨｙである。その後減圧したまま
硝酸マンガン溶液を滴下して、上記成形体に含浸１１さ
せた。この場合成形体に含浸させる硝酸マンガン溶液の
濃度は、成形体中の原料重量及び成形体中に浸透する硝
酸マンガン溶液量と測定し、硝酸マンガン溶液含浸後の
組成が（ＢａＯ．７８５ＰｂＯ．２ｌ５）ＴｌＯ３＋０
．００１３Ｎｂ２０５＋０．２４Ｓ１０２＋０．０００
４Ｍｎ（ＮＯ３）２の組成となるようにあれらかじめ調
整されたものである。このようにして作成した素子を１
２７０℃で１時間焼成１２して正特性サーミスタを得た
。この素子に銀電極を作成し、耐電圧特性を測定したと
ころ試料１柵の平均値は３２０Ｖ／Ｔｆｎであつた。こ
こで、乾式加圧成形の成形圧力を１５００ｋ９／Ｃｌｔ
としたのは１０００ｋｇ／ｄ以下では硝酸マンガン溶液
を含浸させた場合、成形体が崩れやすく、また、２００
０ｋ９／ＣＪ以上で成形した場合には、硝酸マンガン溶
液が含浸しにくくなるからである。
６後ポリビニールアルコールの水溶液を加えて造粒７し
直径１５Ｔ！Ｒｌｎｌ厚み１．５ｗｒ！ｎに乾式加圧成
形８した。成形圧力は、１５００ｋ９／Ａｉである。こ
の成形体を乾燥機中で１５０℃で２時間乾燥９させた後
、デシケータ中で３吟真空脱気１０を行なつた。この際
の減圧度は６５ｃＴｎＨｙである。その後減圧したまま
硝酸マンガン溶液を滴下して、上記成形体に含浸１１さ
せた。この場合成形体に含浸させる硝酸マンガン溶液の
濃度は、成形体中の原料重量及び成形体中に浸透する硝
酸マンガン溶液量と測定し、硝酸マンガン溶液含浸後の
組成が（ＢａＯ．７８５ＰｂＯ．２ｌ５）ＴｌＯ３＋０
．００１３Ｎｂ２０５＋０．２４Ｓ１０２＋０．０００
４Ｍｎ（ＮＯ３）２の組成となるようにあれらかじめ調
整されたものである。このようにして作成した素子を１
２７０℃で１時間焼成１２して正特性サーミスタを得た
。この素子に銀電極を作成し、耐電圧特性を測定したと
ころ試料１柵の平均値は３２０Ｖ／Ｔｆｎであつた。こ
こで、乾式加圧成形の成形圧力を１５００ｋ９／Ｃｌｔ
としたのは１０００ｋｇ／ｄ以下では硝酸マンガン溶液
を含浸させた場合、成形体が崩れやすく、また、２００
０ｋ９／ＣＪ以上で成形した場合には、硝酸マンガン溶
液が含浸しにくくなるからである。
また、成形後の素子を１５０℃で２時間乾燥させるのは
、成形体中の水分を蒸発させて硝酸マンガン溶液が含浸
しやすくなるようにするため並びに硝酸マンガン溶液を
含浸させた際、成形体が溶液中で崩れることを防ぐため
である。尚、焼成後の素体を螢光Ｘ線分析で分析した結
果では、各素子中のＭｒｌＯ２の含有量には、ほとんど
差は認められなかつた。これは含浸させた硝酸マンガン
溶液が十分稀薄なものであるため、素子中に浸透する硝
酸マンガン溶液が多少異なつても、添加されるマンガン
量としてはほとんど差がないためではないかと考えられ
る。上記のようにして本発明により作成された素子（実
施例）と従来の方法としての湿式混合時に同時にＭｎＯ
２を添加して混合、仮焼し粉砕後成形焼成した素子（従
来例）との比較を下記表に示す。
、成形体中の水分を蒸発させて硝酸マンガン溶液が含浸
しやすくなるようにするため並びに硝酸マンガン溶液を
含浸させた際、成形体が溶液中で崩れることを防ぐため
である。尚、焼成後の素体を螢光Ｘ線分析で分析した結
果では、各素子中のＭｒｌＯ２の含有量には、ほとんど
差は認められなかつた。これは含浸させた硝酸マンガン
溶液が十分稀薄なものであるため、素子中に浸透する硝
酸マンガン溶液が多少異なつても、添加されるマンガン
量としてはほとんど差がないためではないかと考えられ
る。上記のようにして本発明により作成された素子（実
施例）と従来の方法としての湿式混合時に同時にＭｎＯ
２を添加して混合、仮焼し粉砕後成形焼成した素子（従
来例）との比較を下記表に示す。
上記のように本発明によれぱ微量添加物であるマンガン
を均一に分散させることができるため、素子の斑点がな
く、さらに耐電圧特性の良好な素子を得ることができる
等の効果がある。尚、マンガンが均一に分散していない
場合には、素子中に低抵抗の部分と高抵抗の部分とが並
存するため、低抵抗部分が電圧印加に対して弱く、低い
耐電圧特性となるのではないかと考えられる。さらに本
発明は微量添加物であるマンガンを稀薄な溶液状として
含浸させるため焼結された素子のマンガン含有量のバラ
ツキが少なくなり、従つてＰＣＴ特性、耐電圧特性のバ
ラツキも小さくなるという利点をも兼ね備えている。
を均一に分散させることができるため、素子の斑点がな
く、さらに耐電圧特性の良好な素子を得ることができる
等の効果がある。尚、マンガンが均一に分散していない
場合には、素子中に低抵抗の部分と高抵抗の部分とが並
存するため、低抵抗部分が電圧印加に対して弱く、低い
耐電圧特性となるのではないかと考えられる。さらに本
発明は微量添加物であるマンガンを稀薄な溶液状として
含浸させるため焼結された素子のマンガン含有量のバラ
ツキが少なくなり、従つてＰＣＴ特性、耐電圧特性のバ
ラツキも小さくなるという利点をも兼ね備えている。
第１図は本発明による工程図、第２図は従来例の工程図
。
。
Claims (1)
- １ チタン酸バリウムを主体とする正特性サーミスタの
製造工程において、チタン酸バリウム及びマンガンを除
く添加物より作成した正特性サーミスタの原料を乾式加
圧成形後、この成形体を硫酸塩あるいは硝酸塩等のマン
ガン塩溶液に浸漬させてマンガン塩を成形体中に均一に
分散させた後、焼成することを特徴とする正特性サーミ
スタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55101784A JPS6055963B2 (ja) | 1980-07-23 | 1980-07-23 | 正特性サ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55101784A JPS6055963B2 (ja) | 1980-07-23 | 1980-07-23 | 正特性サ−ミスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5726402A JPS5726402A (en) | 1982-02-12 |
| JPS6055963B2 true JPS6055963B2 (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14309803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55101784A Expired JPS6055963B2 (ja) | 1980-07-23 | 1980-07-23 | 正特性サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055963B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60179015U (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-28 | 三洋電機株式会社 | トロイダルトランス |
| JPS62248201A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-29 | 松下電器産業株式会社 | 正特性サ−ミスタの製造方法 |
-
1980
- 1980-07-23 JP JP55101784A patent/JPS6055963B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5726402A (en) | 1982-02-12 |
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