JPS6055964B2 - サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
サ−ミスタの製造方法Info
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- JPS6055964B2 JPS6055964B2 JP10941580A JP10941580A JPS6055964B2 JP S6055964 B2 JPS6055964 B2 JP S6055964B2 JP 10941580 A JP10941580 A JP 10941580A JP 10941580 A JP10941580 A JP 10941580A JP S6055964 B2 JPS6055964 B2 JP S6055964B2
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Links
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マンガン（Ｍｎ）−ニッケル（Ｎｉ）スピ
ネルにクロム（Ｃｒ）を固溶させた焼結性の甘いサーミ
スタ用酸化物半導体素子に、酸化物ビスマス（Ｂｉ。
ネルにクロム（Ｃｒ）を固溶させた焼結性の甘いサーミ
スタ用酸化物半導体素子に、酸化物ビスマス（Ｂｉ。
Ｏ０）をガラスフリット中に多量に含む電極材料を用い
て構成されるサーミスタの製造方法に関するものてある
。 従来、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｃｒ系の３成分系酸化物半導体
は公知（雑誌’’電気化学’’Ｖｏｌ、１９、１９５１
年９月）であり、また汎用サーミスタの電極には銀ある
いは銀−パラジウム系で、ガラスフリット中にＢｉ。ｏ
。が含まれているのは良く知られている。 本発明は、
このＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒの焼結性の甘いサーミスタに、ガ
ラスフリット中にＢｉ２Ｏａを多量に含む電極材料を用
いることにより、素子界面下数１０〜１００１ＬｒｒＬ
内にバルクよりも焼結性の悪いスポンジ層が形成される
が、このスポンジ層を利用することにより素子抵抗値が
調整できることを見出したことによる。 本発明のサー
ミスタ組成は、金属元素としてＭｎ９０〜５５原子％、
Ｎｉ５〜３０原子％、クロム５〜３０原子％の３種を含
有し、これらの合計が１００原子％である。
て構成されるサーミスタの製造方法に関するものてある
。 従来、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｃｒ系の３成分系酸化物半導体
は公知（雑誌’’電気化学’’Ｖｏｌ、１９、１９５１
年９月）であり、また汎用サーミスタの電極には銀ある
いは銀−パラジウム系で、ガラスフリット中にＢｉ。ｏ
。が含まれているのは良く知られている。 本発明は、
このＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒの焼結性の甘いサーミスタに、ガ
ラスフリット中にＢｉ２Ｏａを多量に含む電極材料を用
いることにより、素子界面下数１０〜１００１ＬｒｒＬ
内にバルクよりも焼結性の悪いスポンジ層が形成される
が、このスポンジ層を利用することにより素子抵抗値が
調整できることを見出したことによる。 本発明のサー
ミスタ組成は、金属元素としてＭｎ９０〜５５原子％、
Ｎｉ５〜３０原子％、クロム５〜３０原子％の３種を含
有し、これらの合計が１００原子％である。
ここで、それぞれの含有量の限定理由は既に市販されて
いる汎用サーミスタの特性（比抵抗１０Ω・ Ｃｍ−−
ＩＭ・Ω・α、Ｂ定数１０００〜６０００’に）による
ものである。 以下、実施例を挙げて本発明方法を説明
する。
いる汎用サーミスタの特性（比抵抗１０Ω・ Ｃｍ−−
ＩＭ・Ω・α、Ｂ定数１０００〜６０００’に）による
ものである。 以下、実施例を挙げて本発明方法を説明
する。
まず、市販のＭｎＣＯ３、ＮｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３を、Ｍｎ
：・ Ｎｉ：Ｃｒ■８５：７．５：７．５原子％の組成
になるように配合した。ついで、サーミスタ製造工程を
例示すると、これらの配合組成物をボールミルで湿式混
合し、これらのスラリーを乾燥後、８００℃の温度で仮
焼しこれらの仮焼物をボールミルで湿式粉砕混合を行つ
た。こうして得られたスラリーを乾燥し、ポリビニルア
ルコールをバインダーとして添加混合し、所要量採つて
円板状に加圧成形して成形品を多数作り、これらを空気
中、１２５０゜Ｃの温度で２時間焼結させた。その後、
これらの円板状焼結体の両面にＢｉ。Ｏａをガラスフリ
ット主成分とし、Ａｇを主成分とする電極材料を焼付け
てオーミック接触を得た。この素子の断面を金属顕微鏡
で観察したところ、素子と電極界面下２０μｍのところ
にスポンジ層が確認され、電極の厚みを変化させるとこ
ろのスポンジ層が変化し特性も変化することが判つた。
また、このスポンジ層は種々解析した結果、組成中のＭ
ｎとガラスフリット中のＢｉ。０３との反応によること
が判つた。
：・ Ｎｉ：Ｃｒ■８５：７．５：７．５原子％の組成
になるように配合した。ついで、サーミスタ製造工程を
例示すると、これらの配合組成物をボールミルで湿式混
合し、これらのスラリーを乾燥後、８００℃の温度で仮
焼しこれらの仮焼物をボールミルで湿式粉砕混合を行つ
た。こうして得られたスラリーを乾燥し、ポリビニルア
ルコールをバインダーとして添加混合し、所要量採つて
円板状に加圧成形して成形品を多数作り、これらを空気
中、１２５０゜Ｃの温度で２時間焼結させた。その後、
これらの円板状焼結体の両面にＢｉ。Ｏａをガラスフリ
ット主成分とし、Ａｇを主成分とする電極材料を焼付け
てオーミック接触を得た。この素子の断面を金属顕微鏡
で観察したところ、素子と電極界面下２０μｍのところ
にスポンジ層が確認され、電極の厚みを変化させるとこ
ろのスポンジ層が変化し特性も変化することが判つた。
また、このスポンジ層は種々解析した結果、組成中のＭ
ｎとガラスフリット中のＢｉ。０３との反応によること
が判つた。
そこで、この組成の素子を用いて電極厚みを変えた場合
、またガラスフリット中のＢｉ２Ｏ３濃度を変化させた
場合の特性値を下記の表に示す。この表に示すように電
極材料として与えるＢｉ２Ｏ３量を変えることによつて
容易に特性を変化させることができる。
、またガラスフリット中のＢｉ２Ｏ３濃度を変化させた
場合の特性値を下記の表に示す。この表に示すように電
極材料として与えるＢｉ２Ｏ３量を変えることによつて
容易に特性を変化させることができる。
以上のように本発明は、同一材料組成でも電極材料して
与えるＢｊ２Ｏ３量を製造させることにより、容易に初
期特性を変え得る点て融通性があり、差業性は大なるも
のがある。
与えるＢｊ２Ｏ３量を製造させることにより、容易に初
期特性を変え得る点て融通性があり、差業性は大なるも
のがある。
Claims (1)
- １ 金属酸化物の焼結混合体において、その金属元素と
してマンガン９０〜５５原子％、ニッケル５〜３０原子
％、クロム５〜３０原子％を含有し、これら３種の金属
元素を総合計１００原子％含有するサーミスタ用酸化物
半導体素子に、Ｂｉ＿２Ｏ＿３をガラスフリット主成分
とする電極材料を用い、そのＢｉ＿２Ｏ＿３濃度および
厚みで素子抵抗をコントロールすることを特徴とするサ
ーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10941580A JPS6055964B2 (ja) | 1980-08-09 | 1980-08-09 | サ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10941580A JPS6055964B2 (ja) | 1980-08-09 | 1980-08-09 | サ−ミスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5734307A JPS5734307A (en) | 1982-02-24 |
| JPS6055964B2 true JPS6055964B2 (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14509661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10941580A Expired JPS6055964B2 (ja) | 1980-08-09 | 1980-08-09 | サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055964B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254098A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Tateyama Alum Ind Co Ltd | アルミニウム又はアルミニウム合金の有色電着塗装方法 |
-
1980
- 1980-08-09 JP JP10941580A patent/JPS6055964B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5734307A (en) | 1982-02-24 |
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