JPS6055967B2 - セラミック抵抗体 - Google Patents
セラミック抵抗体Info
- Publication number
- JPS6055967B2 JPS6055967B2 JP55109389A JP10938980A JPS6055967B2 JP S6055967 B2 JPS6055967 B2 JP S6055967B2 JP 55109389 A JP55109389 A JP 55109389A JP 10938980 A JP10938980 A JP 10938980A JP S6055967 B2 JPS6055967 B2 JP S6055967B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- resistor
- resistance value
- ceramic resistor
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミック抵抗体に関し、抵抗値が非常に小
さく、かつ−５０℃〜＋１０００℃の温度範囲での抵抗
値の温度による変化が小さな抵抗体が容易に得られるよ
うにすることを目的とする。
さく、かつ−５０℃〜＋１０００℃の温度範囲での抵抗
値の温度による変化が小さな抵抗体が容易に得られるよ
うにすることを目的とする。
従来のセラミック抵抗体にはＳｉＣやＷを用いたもの
、あるいはＢａＴｉ０。
、あるいはＢａＴｉ０。
系ＰＴＣサーミスタなどがあるが、このうちＳｉＣを用
いたものは温度による抵抗変化が非常に大きく、一定電
圧下において温度上昇とともに大きく電流が変動するた
め温度制御が難しい。Ｗを用いたものは１０００℃の温
度までの抵抗値上昇が約１０倍にものぼり、温度変化率
が小さい抵抗体と比較して、一定電圧を印加した場合、
所定の温度に達するまでの時間が長くかかる欠点がある
。またＷ抵抗体は非酸化性雰囲気で焼成しなければなら
ず、製造コストが高くつく。 ＢａＴｉＯ。系ＰＴＣサ
ーミスタは３００℃以上の温度になると急激に抵抗値が
上昇するため使用温度が限定される。 本発明は従来に
おける上述のような問題を解決しようとするものであり
以下に図面を用いその実施例を説明する。
いたものは温度による抵抗変化が非常に大きく、一定電
圧下において温度上昇とともに大きく電流が変動するた
め温度制御が難しい。Ｗを用いたものは１０００℃の温
度までの抵抗値上昇が約１０倍にものぼり、温度変化率
が小さい抵抗体と比較して、一定電圧を印加した場合、
所定の温度に達するまでの時間が長くかかる欠点がある
。またＷ抵抗体は非酸化性雰囲気で焼成しなければなら
ず、製造コストが高くつく。 ＢａＴｉＯ。系ＰＴＣサ
ーミスタは３００℃以上の温度になると急激に抵抗値が
上昇するため使用温度が限定される。 本発明は従来に
おける上述のような問題を解決しようとするものであり
以下に図面を用いその実施例を説明する。
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ガリウム（Ｇａ。
Ｏ０）、酸化硅素（ＳｉＯ０）を後出の表の左側に示す
ように配合し、成形圧力５００に９／ｄで、長さ２５ｃ
ｍ）巾１．５α、厚み１．５ｃ７ｎの棒状体に成形し、
１３５０℃の温度で１時間焼成した。なお成形体の焼成
による収縮率は１９％であつた。得られた焼成体の両端
に銀電極を設け、比抵抗、抵抗値の温度変化率を測定し
た。その結果を次の表の右側に、各試料に対応させて示
す。なお表中※印を付した試料は比較例を示す。なおこ
こで、表における抵抗値の温度変化率は次の式より求め
た。
ように配合し、成形圧力５００に９／ｄで、長さ２５ｃ
ｍ）巾１．５α、厚み１．５ｃ７ｎの棒状体に成形し、
１３５０℃の温度で１時間焼成した。なお成形体の焼成
による収縮率は１９％であつた。得られた焼成体の両端
に銀電極を設け、比抵抗、抵抗値の温度変化率を測定し
た。その結果を次の表の右側に、各試料に対応させて示
す。なお表中※印を付した試料は比較例を示す。なおこ
こで、表における抵抗値の温度変化率は次の式より求め
た。
式中Ｒ２Ｏは素子の温度が２０℃の時の抵抗値、Ｒｘ素
子の温度が−５０温Ｃ〜１０００℃の間で、２０℃の時
の抵抗値との差が最大なときの抵抗値をそれぞれあられ
す。
子の温度が−５０温Ｃ〜１０００℃の間で、２０℃の時
の抵抗値との差が最大なときの抵抗値をそれぞれあられ
す。
ここで、表中代表的な組成を有する試料の抵抗温度特性
を図に示す。
を図に示す。
図中のＮＯ．は表中の試料ＮＯ．に対応する。表および
図かられかるように、ＺｒｌＯを主成分とし、全量中に
占める割合でＧａ２ＯＪが０．１〜８重量％含まれる組
成を有する抵抗体、同じくＺｎＯを主成分とし、全量中
に占める割合でＳｉＯ２が２〜６重量％含まれる組成を
有する抵抗体、ならびに同じくＺｎＯを主成分とし、全
量中に占める割合でＧａ２Ｏ３が０．１〜８重量％とＳ
ｉＯ２が２〜６重量％含まれる組成を有する抵抗体にお
いては、抵抗値が１０−３〜数Ω−ｄと非常に低く、か
つ抵抗値の温度変化率が５０％以下と小さく、特性のす
ぐれたものとなつている。
図かられかるように、ＺｒｌＯを主成分とし、全量中に
占める割合でＧａ２ＯＪが０．１〜８重量％含まれる組
成を有する抵抗体、同じくＺｎＯを主成分とし、全量中
に占める割合でＳｉＯ２が２〜６重量％含まれる組成を
有する抵抗体、ならびに同じくＺｎＯを主成分とし、全
量中に占める割合でＧａ２Ｏ３が０．１〜８重量％とＳ
ｉＯ２が２〜６重量％含まれる組成を有する抵抗体にお
いては、抵抗値が１０−３〜数Ω−ｄと非常に低く、か
つ抵抗値の温度変化率が５０％以下と小さく、特性のす
ぐれたものとなつている。
以上のような特性のすぐれた抵抗体は、棒形ヒータ．ア
ルミナ基板等に印刷して形成する面ヒータ．シート状に
成形した板ヒータ、あるいは電極材料として用いると有
用である。なおＺｎＯにＧａ２Ｏ３を添加する代りにＧ
ａ２（ＮＯ３）３を水に溶解させて添加しても焼成時に
Ｇａ２Ｏ３となるため同様な効果が得られる。以上のよ
うに本発明によれば抵抗値が非常に低く、かつ−５０〜
１０００℃の温度範囲における抵抗値変化が小さな抵抗
体を容易に得ることができる。
ルミナ基板等に印刷して形成する面ヒータ．シート状に
成形した板ヒータ、あるいは電極材料として用いると有
用である。なおＺｎＯにＧａ２Ｏ３を添加する代りにＧ
ａ２（ＮＯ３）３を水に溶解させて添加しても焼成時に
Ｇａ２Ｏ３となるため同様な効果が得られる。以上のよ
うに本発明によれば抵抗値が非常に低く、かつ−５０〜
１０００℃の温度範囲における抵抗値変化が小さな抵抗
体を容易に得ることができる。
図は本発明によるセラミック抵抗体の温度特性を示す図
である。
である。
Claims (1)
- １ ＺｎＯを主成分とし、全量中に占める割合で０．１
〜０．８重量％Ｇａ＿２Ｏ＿３と、同じく全量中に占め
る割合で２〜６重量％のＳｉＯ＿２との少なくとも一方
が含まれたことを特徴とするセラミック抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55109389A JPS6055967B2 (ja) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | セラミック抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55109389A JPS6055967B2 (ja) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | セラミック抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5734309A JPS5734309A (en) | 1982-02-24 |
| JPS6055967B2 true JPS6055967B2 (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14508989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55109389A Expired JPS6055967B2 (ja) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | セラミック抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055967B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5632697B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2014-11-26 | 株式会社カネカ | 薄膜太陽電池 |
-
1980
- 1980-08-08 JP JP55109389A patent/JPS6055967B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5734309A (en) | 1982-02-24 |
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