JPS6325902A - 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線抵抗体用磁器組成物Info
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- JPS6325902A JPS6325902A JP61169196A JP16919686A JPS6325902A JP S6325902 A JPS6325902 A JP S6325902A JP 61169196 A JP61169196 A JP 61169196A JP 16919686 A JP16919686 A JP 16919686A JP S6325902 A JPS6325902 A JP S6325902A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title 1
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静電容量値の大きい酸化亜鉛系の電圧非直線
抵抗体用磁器組成物に関する。
抵抗体用磁器組成物に関する。
（従来の技術およびその問題点）
電圧非直線抵抗体の材料としては、チタン酸ストロンチ
ウム系のものと、酸化亜鉛系のものとに大別される。こ
のうち、チタン酸ストロンチウム系のものは、ｎ電容量
が数ｎＦと大きいが、電圧非直線係数（α）が小ざいと
いう欠点がある。−方、酸化亜鉛系のものは、電圧非直
線係数（α）が大きく、サージ耐量が大きいという利点
を有する。しかしながら、このような利点を有している
にもかかわらず、静電容量が数ｐＦ〜数１００ｐＦ程度
と小ざく、また、尖頭波形のパルス電圧が印加されたと
きに電圧に応答するまでの時間、つまり、応答特性が５
０ｎｓｅｃ程度であるため、静電気のような高速パルス
電圧には応答しきれないといった欠点がある。このよう
な問題を解決するために、コンデンサを並列に接続する
ことも行なわれているが、コンデンサの選択、および接
続作業など余分な作業、工程が必要となり、好ましい解
決策ではない。
ウム系のものと、酸化亜鉛系のものとに大別される。こ
のうち、チタン酸ストロンチウム系のものは、ｎ電容量
が数ｎＦと大きいが、電圧非直線係数（α）が小ざいと
いう欠点がある。−方、酸化亜鉛系のものは、電圧非直
線係数（α）が大きく、サージ耐量が大きいという利点
を有する。しかしながら、このような利点を有している
にもかかわらず、静電容量が数ｐＦ〜数１００ｐＦ程度
と小ざく、また、尖頭波形のパルス電圧が印加されたと
きに電圧に応答するまでの時間、つまり、応答特性が５
０ｎｓｅｃ程度であるため、静電気のような高速パルス
電圧には応答しきれないといった欠点がある。このよう
な問題を解決するために、コンデンサを並列に接続する
ことも行なわれているが、コンデンサの選択、および接
続作業など余分な作業、工程が必要となり、好ましい解
決策ではない。
（発明の目的）
したがって、この発明は静電容量が従来の酸化亜鉛系の
ものにくらべて大きく、高速パルスに対して十分な応答
特性を発揮することができる電圧非直線抵抗体用磁器組
成物を提供することを目的とする。
ものにくらべて大きく、高速パルスに対して十分な応答
特性を発揮することができる電圧非直線抵抗体用磁器組
成物を提供することを目的とする。
（発明の構成）
この発明にかかる電圧非直線抵抗体用磁器組成物は、Ｚ
ｎＯを主成分とし、これに少なくとも副成分としてＢｉ
２Ｏ３、Ｃｏ２０３、Ｍｎ０ＳＳｂ２０３を下記に示す
範囲で含有させた酸化亜鉛系磁器に対して、ＡＪ２Ｎを
１０ ｐ ｐｍ〜１０００ｐ ｐｍの範囲で添加させた
ことを特徴とするものである。
ｎＯを主成分とし、これに少なくとも副成分としてＢｉ
２Ｏ３、Ｃｏ２０３、Ｍｎ０ＳＳｂ２０３を下記に示す
範囲で含有させた酸化亜鉛系磁器に対して、ＡＪ２Ｎを
１０ ｐ ｐｍ〜１０００ｐ ｐｍの範囲で添加させた
ことを特徴とするものである。
０．３モル％≦Ｂｉ２Ｏ３≦５．０モル％０．１モル％
≦Ｃｏ２Ｏ３≦５．０モル％０．１モル％≦ＭｎＯ≦３
．０モル％ ０．１モル％≦５ｂ２ｏ３≦３．０モル％上記した酸化
亜鉛系磁器には副成分として、ざらにＣｒ ｚＯ３、Ｓ
ｉ Ｏ２などを含有させ、特性を改善するようにして
もよい。
≦Ｃｏ２Ｏ３≦５．０モル％０．１モル％≦ＭｎＯ≦３
．０モル％ ０．１モル％≦５ｂ２ｏ３≦３．０モル％上記した酸化
亜鉛系磁器には副成分として、ざらにＣｒ ｚＯ３、Ｓ
ｉ Ｏ２などを含有させ、特性を改善するようにして
もよい。
副成分を上記した組成範囲に限定したのは、各副成分の
下限値未満になったり、上限値を越えたりすると、サー
ジ耐量が小−きくなるからである。
下限値未満になったり、上限値を越えたりすると、サー
ジ耐量が小−きくなるからである。
また、酸化亜鉛系磁器に対するＡＪ２Ｎの添加量を１０
ｐｐｍ〜１１０００ｐｐとしたのは、１０ｐｐｍ未満で
はｍｆｆ１であるため、静電容量の値を設定するための
条件を選びだすことが難しく、特性にバラツキがみられ
る。一方、１１０００ｐｐを越えると、電圧非直線係数
（α）の値が小きくなり、バリスタ特性が低下するから
である。
ｐｐｍ〜１１０００ｐｐとしたのは、１０ｐｐｍ未満で
はｍｆｆ１であるため、静電容量の値を設定するための
条件を選びだすことが難しく、特性にバラツキがみられ
る。一方、１１０００ｐｐを越えると、電圧非直線係数
（α）の値が小きくなり、バリスタ特性が低下するから
である。
（効果）
この発明によれば、Ａ！ＱＮを添加することにより、静
電容量の値を大きくすることができるとともに、静電サ
ージによるバリスタ電圧の変化率を小ざくすることがで
沙るという効果を有する。
電容量の値を大きくすることができるとともに、静電サ
ージによるバリスタ電圧の変化率を小ざくすることがで
沙るという効果を有する。
（実施例）
以下に、この発明を実施例に従って詳細に説明する。
実施例１
組成として次に示す比率からなる電圧非直線抵抗体を得
るために、Ｚ ｎ ＯＸＢ １２０３、Ｃｏ２０３、Ｍ
ｎ Ｏ、Ｓ ｂ２０３、ＡＪ２Ｎの各原料を準備した
。
るために、Ｚ ｎ ＯＸＢ １２０３、Ｃｏ２０３、Ｍ
ｎ Ｏ、Ｓ ｂ２０３、ＡＪ２Ｎの各原料を準備した
。
ＺｎＯ： ９６．０モル％
Ｂｉ２Ｏ３： １．０ｔ７１ｚ％
Ｃｏ２０３：１．０モル％
ＭｎＯ：１．０モル％
５ｂ２０３： １．０モル％
ＡＪ２Ｎ二〇〜１１０００ｐｐ
調合原料をボールミルで湿式粉砕し、脱水したのち、８
ｏＯ℃、２時間で仮焼した。この仮焼原料を粉砕してポ
リビニルアルコールを２重量％加えて造粒した。造粒粉
末を用いて、成形圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２で直径８ｍ
ｍφの大きさに成形した。この成形体を１２５０℃、２
時間で焼成し、直径が６．６ｍｍφの磁器素体を得た。
ｏＯ℃、２時間で仮焼した。この仮焼原料を粉砕してポ
リビニルアルコールを２重量％加えて造粒した。造粒粉
末を用いて、成形圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２で直径８ｍ
ｍφの大きさに成形した。この成形体を１２５０℃、２
時間で焼成し、直径が６．６ｍｍφの磁器素体を得た。
なお、磁器素体の厚みについては、それぞれ０．６ｍｍ
、１．２ｍｍ、１．８ｍｍ１および２．１ｍｍのものを
準備した。そして、この磁器素体の両手面に銀ペースト
をスクリーン印刷し、６００℃で焼沙付けて、直径が４
．７ｍｍφの電極を形成し、これを試料とした。
、１．２ｍｍ、１．８ｍｍ１および２．１ｍｍのものを
準備した。そして、この磁器素体の両手面に銀ペースト
をスクリーン印刷し、６００℃で焼沙付けて、直径が４
．７ｍｍφの電極を形成し、これを試料とした。
各試料について、周波’ｌ；１１ Ｋ Ｈｚで各バリス
タ電圧における静電容量を測定した。第１図はその測定
結果であり、各バリスタ電圧における試料としては、バ
リスタ電圧が１００■のとき、試料の厚みが０．６ｍｍ
のものを用い、以下同様に、２ＯＯＶのときには厚みが
１．２ｍｍのもの、３０ｏｖのときには厚みが１．８ｍ
ｍのもの、４００■のときには２．１ｍｍのものをそれ
ぞれ用いた。
タ電圧における静電容量を測定した。第１図はその測定
結果であり、各バリスタ電圧における試料としては、バ
リスタ電圧が１００■のとき、試料の厚みが０．６ｍｍ
のものを用い、以下同様に、２ＯＯＶのときには厚みが
１．２ｍｍのもの、３０ｏｖのときには厚みが１．８ｍ
ｍのもの、４００■のときには２．１ｍｍのものをそれ
ぞれ用いた。
第１図から、ＡＪｌｐＮを添加することにより、各バリ
スタ電圧における静電容量が無添加のものにくらべて大
きくなっており、高速パルスに対して応答特性を改善で
きていることが明らかである。
スタ電圧における静電容量が無添加のものにくらべて大
きくなっており、高速パルスに対して応答特性を改善で
きていることが明らかである。
実施例２
この実施例においては、次の組成からなる電圧非直線抵
抗体を用い、これに添加物である／１２Ｎの量を変化さ
せたときのバリスタ電圧（ＶｌｍＡ）、電圧非直線係数
（α）の値の変化を調べた。バリスタ電圧（Ｖ１＋Ａ）
は１ｍＡの電流を流したときの値を示している。また、
電圧非直線係数（α）の値は１ｍＡ、１０ｍＡの各電流
を流したときのバリスタ電圧をもとにして、ＡＯｇ（■
１ｏｍＡ／■ｌｌ１Ａ）ａより求めた。
抗体を用い、これに添加物である／１２Ｎの量を変化さ
せたときのバリスタ電圧（ＶｌｍＡ）、電圧非直線係数
（α）の値の変化を調べた。バリスタ電圧（Ｖ１＋Ａ）
は１ｍＡの電流を流したときの値を示している。また、
電圧非直線係数（α）の値は１ｍＡ、１０ｍＡの各電流
を流したときのバリスタ電圧をもとにして、ＡＯｇ（■
１ｏｍＡ／■ｌｌ１Ａ）ａより求めた。
ＺｎＯ： ９６．０モル％
Ｂｉ２Ｏ３：１．０モル％
Ｃｏ２Ｏ３： １．０モル％
ＭｎＯ：１．０モル％
５ｂ２０３二１．０モル％
試料の作成は実施例１と同様にして行ない、実験の試料
の厚みは１．０ｍｍのものを用いた。
の厚みは１．０ｍｍのものを用いた。
第２図から明らかなように、Ａ、ＱＮの量を増やすに従
ってバリスタ電圧が増加している。一方、ＡＪ２Ｎの量
が１１０００ｐｐを越えると、電圧非直線係数（α）が
著しく低下する。
ってバリスタ電圧が増加している。一方、ＡＪ２Ｎの量
が１１０００ｐｐを越えると、電圧非直線係数（α）が
著しく低下する。
実施例３
この実施例は、実施例２で用いた組成のものについて、
Ａ！ＱＮの添加量を変化させたときの静電サージによる
バリスタ電圧（ＶｌｍＡ）の変化率を示したものである
。
Ａ！ＱＮの添加量を変化させたときの静電サージによる
バリスタ電圧（ＶｌｍＡ）の変化率を示したものである
。
静電サージによるバリスタ電圧（Ｖ１＋Ａ）の変化率は
、まず、９００Ａ （８Ｘ２０ｕｓｅｃ）の尖頭形の電
流サージを５分間の間隔をおいて２回印加した後の値を
求める。次に、静電サージの試験を行ったのち、１５Ｋ
Ｖの直流電圧を印加した前後における変化率を求めるこ
とによって得た値である。第３図はその測定結果を示す
図である。
、まず、９００Ａ （８Ｘ２０ｕｓｅｃ）の尖頭形の電
流サージを５分間の間隔をおいて２回印加した後の値を
求める。次に、静電サージの試験を行ったのち、１５Ｋ
Ｖの直流電圧を印加した前後における変化率を求めるこ
とによって得た値である。第３図はその測定結果を示す
図である。
第３図から、無添加のものにくらべて、この発明による
ものはＡｕＮの添加範囲で変化率を小きくすることがで
きる。
ものはＡｕＮの添加範囲で変化率を小きくすることがで
きる。
実施例４
この実施例は副成分であるＢｉ２Ｏ３の量と添加物の／
ＩＮの量を変化させたときの静電サージによるバリスタ
電圧（Ｖ １ｍＡ）の変化率を調べた例である。試験方
法は実施例３と同様にして行った。
ＩＮの量を変化させたときの静電サージによるバリスタ
電圧（Ｖ １ｍＡ）の変化率を調べた例である。試験方
法は実施例３と同様にして行った。
その他の成分は、Ｃｏ２Ｏ３： １．０モル％、間ｎｏ
：１．０モル％、５ｂ２０３：１．０モル％からなり、
ＺｎＯの量についてはＢｉ２Ｏ３の量に応じて調整され
る。
：１．０モル％、５ｂ２０３：１．０モル％からなり、
ＺｎＯの量についてはＢｉ２Ｏ３の量に応じて調整され
る。
第４図はその測定結果であり、ＡＪ２Ｎの量を適宜選択
することによって、静電サージによるバリスタ電圧（Ｖ
ｌｍＡ）の変化率の小ざいものが得られている。
することによって、静電サージによるバリスタ電圧（Ｖ
ｌｍＡ）の変化率の小ざいものが得られている。
実施例５
この実施例は副成分であるＣ Ｏ２０３の量と添加物の
Ａ、、ＱＮの量を変化させたときの静電サージによるバ
リスタ電圧（Ｖ １ｍＡ）の変化率を調べた例である。
Ａ、、ＱＮの量を変化させたときの静電サージによるバ
リスタ電圧（Ｖ １ｍＡ）の変化率を調べた例である。
試験方法は実施例３と同様にして行った。
ソノ他の成分は、Ｂ １２ｏ３： １．０モル％、Ｍｎ
ｏ：１．０モル％、５ｂ２０３二１．Ｏモル％からなり
、Ｚｎ○の量についてはＣｏ２Ｏ３の量に応じて調整さ
れる。
ｏ：１．０モル％、５ｂ２０３二１．Ｏモル％からなり
、Ｚｎ○の量についてはＣｏ２Ｏ３の量に応じて調整さ
れる。
第５図はその測定結果であり、／ｌ！Ｎの量を適宜選択
することによって、静電サージによるバリスタ電圧（Ｖ
１ｍＡ）の変化率の小きいものが得られている。
することによって、静電サージによるバリスタ電圧（Ｖ
１ｍＡ）の変化率の小きいものが得られている。
実施例に
の実施例は副成分であるＭ ｎ Ｏと５ｂ２０３の量を
変化ざぜたときの静電サージによるバリスタ電圧（Ｖｌ
ｍＡ）の変化率を調べた例である。試験方法εよ実施例
３と同様にして行った。添加物のＡ、ＱＮの量は１００
ｐ ｐｍに固定した。
変化ざぜたときの静電サージによるバリスタ電圧（Ｖｌ
ｍＡ）の変化率を調べた例である。試験方法εよ実施例
３と同様にして行った。添加物のＡ、ＱＮの量は１００
ｐ ｐｍに固定した。
その他の成分は、Ｂｉｚ０３：１．０モル％、Ｃｏ２Ｏ
３：１．０モル％からなり、ＺｎＯの量についてはＭｎ
Ｏと５ｂ２０３の量に応じて調整される。
３：１．０モル％からなり、ＺｎＯの量についてはＭｎ
Ｏと５ｂ２０３の量に応じて調整される。
第６図はその測定結果であり、ＡＪ２Ｎの量を適宜選択
することによって、静電サージによるバリスタ電圧（Ｖ
ｌｍＡ）の変化率の小きいものが得られている。
することによって、静電サージによるバリスタ電圧（Ｖ
ｌｍＡ）の変化率の小きいものが得られている。
第１図は、ＡＪ２Ｎの添加量を変化させた各試料におけ
るバリスタ電圧と周波数ＩＫＨｚにおける静電容量の関
係を示した図。 第２図は、ＡＪ２Ｎの量を変化させたときのバリスタ電
圧（ＶｌｍＡ）、電圧非直線係￥１．（α）の値を示し
た図。 第３図は、／ｌ！Ｎの添加量を変化させたとさ・の静電
サージによるバリスタ電圧（Ｖ１＋Ａ）の変化率を示し
た図である。 第４区は、副成分であるＢ１２ｏ３の量と添加物のＡ
ｕＮＬ：Ｉ）量を変化きせたときの静電サージによるバ
リスタ電圧（Ｖ １ｍＡ）の変化率を示した図である。 第５図は、副成分であるＣ Ｏ２０３の量と添加物のＡ
ｐＮの量を変化させたときの静電サージによるバリスタ
電圧（Ｖ １＋ａＡ）の変化率を示した図である。 第６図は、副成分であるＭ ｎ Ｏと５ｂ２０３の量を
変化させたときの静電サージによるバリスタ電圧（Ｖ
１ｎ＋Ａ）の変化率を示した図である。
るバリスタ電圧と周波数ＩＫＨｚにおける静電容量の関
係を示した図。 第２図は、ＡＪ２Ｎの量を変化させたときのバリスタ電
圧（ＶｌｍＡ）、電圧非直線係￥１．（α）の値を示し
た図。 第３図は、／ｌ！Ｎの添加量を変化させたとさ・の静電
サージによるバリスタ電圧（Ｖ１＋Ａ）の変化率を示し
た図である。 第４区は、副成分であるＢ１２ｏ３の量と添加物のＡ
ｕＮＬ：Ｉ）量を変化きせたときの静電サージによるバ
リスタ電圧（Ｖ １ｍＡ）の変化率を示した図である。 第５図は、副成分であるＣ Ｏ２０３の量と添加物のＡ
ｐＮの量を変化させたときの静電サージによるバリスタ
電圧（Ｖ １＋ａＡ）の変化率を示した図である。 第６図は、副成分であるＭ ｎ Ｏと５ｂ２０３の量を
変化させたときの静電サージによるバリスタ電圧（Ｖ
１ｎ＋Ａ）の変化率を示した図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＺｎＯを主成分とし、これに少なくとも副成分として
Ｂｉ＿２Ｏ＿３、Ｃｏ＿２Ｏ＿３、ＭｎＯ、Ｓｂ＿２Ｏ
＿３を下記に示す範囲で含有させた酸化亜鉛系磁器に対
して、ＡｌＮを１０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲で添
加させたことを特徴とする電圧非直線抵抗体用磁器組成
物。 ０．３モル％≦Ｂｉ＿２Ｏ＿３≦５．０モル％０．１モ
ル％≦Ｃｏ＿２Ｏ＿３≦５．０モル％０．１モル％≦Ｍ
ｎＯ≦３．０モル％ ０．１モル％≦Ｓｂ＿２Ｏ＿３≦３．０モル％
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169196A JPS6325902A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169196A JPS6325902A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325902A true JPS6325902A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15881994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61169196A Pending JPS6325902A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6325902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523778A (ja) * | 2008-05-21 | 2011-08-18 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的構成要素アセンブリ |
| JP2011219283A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP61169196A patent/JPS6325902A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523778A (ja) * | 2008-05-21 | 2011-08-18 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的構成要素アセンブリ |
| US9177703B2 (en) | 2008-05-21 | 2015-11-03 | Epcos Ag | Electric component assembly |
| JP2011219283A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品 |
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