JPS62282416A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
- Publication number
- JPS62282416A JPS62282416A JP61127009A JP12700986A JPS62282416A JP S62282416 A JPS62282416 A JP S62282416A JP 61127009 A JP61127009 A JP 61127009A JP 12700986 A JP12700986 A JP 12700986A JP S62282416 A JPS62282416 A JP S62282416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- oxide
- voltage nonlinear
- voltage
- resistance unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KAGOZRSGIYZEKW-UHFFFAOYSA-N cobalt(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Co+3].[Co+3] KAGOZRSGIYZEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 claims 1
- HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N polonium atom Chemical compound [Po] HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Er+3].[Er+3] ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 125000001867 hydroperoxy group Chemical group [*]OO[H] 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
この発明は、電圧非直線抵抗体、特にサージ電圧を印加
したのちの非直線係数（α）の劣化の小、
さい電圧非直線抵抗体に関する。
したのちの非直線係数（α）の劣化の小、
さい電圧非直線抵抗体に関する。
（従来の技術およびその問題点）
電圧非直１８抵抗体の構成材料としては、従来よりシリ
コン、シリコンカーバイト、セレンなどがあったが、最
近では酸化亜鉛（ＺｎＯ）が主流になっている。
コン、シリコンカーバイト、セレンなどがあったが、最
近では酸化亜鉛（ＺｎＯ）が主流になっている。
そして、この発明の最適な従来技術として、特公昭４８
−４２３１５号公報には、電圧非直線抵抗体用の磁器組
成物が開示されている。つまり、この抵抗体磁器は酸化
肛鉛（ＺｎＯ）にＢｉ２Ｏ３、Ｃｏ ＯｌＭ ｎ ０１
Ｓｂ２Ｏ３を添加含有させたものである。
−４２３１５号公報には、電圧非直線抵抗体用の磁器組
成物が開示されている。つまり、この抵抗体磁器は酸化
肛鉛（ＺｎＯ）にＢｉ２Ｏ３、Ｃｏ ＯｌＭ ｎ ０１
Ｓｂ２Ｏ３を添加含有させたものである。
しかしながら、この種の電圧非直線抵抗体はサージ電圧
が繰り返して印加されると、その非直線性が低下し、特
にバリスタ電圧以下において、その変化が大きく現れ、
ｖｒ１電流が大きくなるという問題がある。
が繰り返して印加されると、その非直線性が低下し、特
にバリスタ電圧以下において、その変化が大きく現れ、
ｖｒ１電流が大きくなるという問題がある。
（発明の目的）
したがって、この発明は上記した従来技術の問題を解決
し、サージ電圧を繰り返して印加しても非直線性が低下
しない特徴を有する電圧非直線抵抗体を提供することを
目的とする。
し、サージ電圧を繰り返して印加しても非直線性が低下
しない特徴を有する電圧非直線抵抗体を提供することを
目的とする。
（発明の構成）
この発明にかかる電圧非直線抵抗体は次の組成からなる
。
。
つまり、酸化亜鉛を主成分とし、この主成分に対して、
酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）０．０１〜５モル％酸化マ
ンガン（ＭｎＯ） ０．０５〜５モル％酸化コバル
ト （Ｃｏ２Ｏ３） ０．０１−１０モル％酸化アン
チモン（Ｓｂ２Ｏ３）０．０１〜１０モル％および、イ
ツトリウム、エルビウム、ホロニウムのうち少なくとも
１種をそれぞれＹ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３に換
算して０．０１〜２モル％添加含有したものからなる。
ンガン（ＭｎＯ） ０．０５〜５モル％酸化コバル
ト （Ｃｏ２Ｏ３） ０．０１−１０モル％酸化アン
チモン（Ｓｂ２Ｏ３）０．０１〜１０モル％および、イ
ツトリウム、エルビウム、ホロニウムのうち少なくとも
１種をそれぞれＹ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３に換
算して０．０１〜２モル％添加含有したものからなる。
ここで、酸化亜鉛に対する添加物の量を上記した範囲に
限定したのは、次のような理由による。
限定したのは、次のような理由による。
まず、酸化ビスマス（Ｂ１２Ｏ３）を０．０１〜５モル
％としたのは、０．０１モル％未満になったり、また５
モル％を越えると、非直線係数（α）の変化率が大きく
なる。また、酸化マンガン（ＭｎＯ）を０．０５〜５モ
ル％としたのは、０．０５モル％未満になったり、５モ
Ｊｔｚ％を越えると、非直線係数（α）の値が小きくな
る。また、酸化コバルト（Ｃ０２Ｏ３）を０．０１〜１
０モル％としたのは、０．０１モル％未満となったり、
１０モル％を越えると、非直線係数（α）の変化率が大
きくなる。また、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）を０．
０１〜１０モル％としたのは、０．０１モル％未満にな
ったり、１０モル％を越えると、非直線係数（α）の値
が小ざくなるとともに、その変化率も大きくなる。。さ
らに、イツトリウム、エルビウム、ホロニウムのうち少
なくとも１種をそれぞれＹ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、ＨＯ２
Ｏ３に換算して０．０１−２モル％としたのは、サージ
電圧を繰り返して印加した場合、０．０１モル％未満に
なったり、２モル％を趣えると、非直線係数（α）の変
化率が大きくなる。
％としたのは、０．０１モル％未満になったり、また５
モル％を越えると、非直線係数（α）の変化率が大きく
なる。また、酸化マンガン（ＭｎＯ）を０．０５〜５モ
ル％としたのは、０．０５モル％未満になったり、５モ
Ｊｔｚ％を越えると、非直線係数（α）の値が小きくな
る。また、酸化コバルト（Ｃ０２Ｏ３）を０．０１〜１
０モル％としたのは、０．０１モル％未満となったり、
１０モル％を越えると、非直線係数（α）の変化率が大
きくなる。また、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）を０．
０１〜１０モル％としたのは、０．０１モル％未満にな
ったり、１０モル％を越えると、非直線係数（α）の値
が小ざくなるとともに、その変化率も大きくなる。。さ
らに、イツトリウム、エルビウム、ホロニウムのうち少
なくとも１種をそれぞれＹ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、ＨＯ２
Ｏ３に換算して０．０１−２モル％としたのは、サージ
電圧を繰り返して印加した場合、０．０１モル％未満に
なったり、２モル％を趣えると、非直線係数（α）の変
化率が大きくなる。
（実施例）
以下、この発明を実施例にしたがって詳細に説明する。
原料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ
２Ｏ３）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化アンチモン（
Ｓｂ２゜３）、酸化コバルト（Ｃｏ２Ｏ３）、酸化イツ
トリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）
、酸化ホロニウム（Ｈｏ２Ｏ３）を用い、各ｒ５′Ａｆ
−４を第１表に示した比率の磁器組成物が得られるよう
に調合した。この調合原料を湿式混合したのち脱水し、
８００℃で仮焼した。この仮焼原料にバインダであるポ
リビニルアルコールを１０重量％添加し、混合した。得
られた造粒粉末を直径１０ｍｍ、厚み１．２ｍｍの大き
さで成形比重３．２ｇ／ａｍ３に成形した。この成型体
を１２５０℃、２時間の条件で焼成し、磁器素体を得た
。このｒＪＪ！を器素体の両平面にオーミック電極を形
成し、電極にリード線を半田付けし、ざらにエポキシ樹
脂で被覆した。
２Ｏ３）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化アンチモン（
Ｓｂ２゜３）、酸化コバルト（Ｃｏ２Ｏ３）、酸化イツ
トリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）
、酸化ホロニウム（Ｈｏ２Ｏ３）を用い、各ｒ５′Ａｆ
−４を第１表に示した比率の磁器組成物が得られるよう
に調合した。この調合原料を湿式混合したのち脱水し、
８００℃で仮焼した。この仮焼原料にバインダであるポ
リビニルアルコールを１０重量％添加し、混合した。得
られた造粒粉末を直径１０ｍｍ、厚み１．２ｍｍの大き
さで成形比重３．２ｇ／ａｍ３に成形した。この成型体
を１２５０℃、２時間の条件で焼成し、磁器素体を得た
。このｒＪＪ！を器素体の両平面にオーミック電極を形
成し、電極にリード線を半田付けし、ざらにエポキシ樹
脂で被覆した。
このようにして得られた電圧非直線抵抗体について、バ
リスタ電圧、電圧非直線係数（α）を測定した。さらに
、この抵抗体に対し、８Ｘ１０μｓｅｃ、１００ＯＡの
尖頭波形電流を１０回印加し、□ 非直線係数（α）
の変化を初期値と比較した。測定結果を第１表に示した
。なお、表中、＊印のものはこの発明範囲外のものであ
る。
リスタ電圧、電圧非直線係数（α）を測定した。さらに
、この抵抗体に対し、８Ｘ１０μｓｅｃ、１００ＯＡの
尖頭波形電流を１０回印加し、□ 非直線係数（α）
の変化を初期値と比較した。測定結果を第１表に示した
。なお、表中、＊印のものはこの発明範囲外のものであ
る。
第１表
（以下、余白）
（効果）
上記した各試料から明らかなように、この発明にかかる
電圧非直線抵抗体によれば、従来の酸化ビスマス、酸化
コバルト、酸化マンガン、酸化アンチモンを含有した酸
化亜鉛のものにくらべて、イツトリウム、エルビウム、
ホロニウムをざらに添加したものは、サージ印加後の非
直線係数（α）の劣化が小きくなり、寿命特性にすぐれ
ていることがわかる。
電圧非直線抵抗体によれば、従来の酸化ビスマス、酸化
コバルト、酸化マンガン、酸化アンチモンを含有した酸
化亜鉛のものにくらべて、イツトリウム、エルビウム、
ホロニウムをざらに添加したものは、サージ印加後の非
直線係数（α）の劣化が小きくなり、寿命特性にすぐれ
ていることがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化亜鉛を主成分とし、この主成分に対して、酸化ビ
スマス（Ｂｉ＿２Ｏ＿３）０．０１〜５モル％酸化マン
ガン（ＭｎＯ）０．０５〜５モル％酸化コバルト（Ｃｏ
＿２Ｏ＿３）０．０１〜１０モル％酸化アンチモン（Ｓ
ｂ＿２Ｏ＿３）０．０１〜１０モル％および、イットリ
ウム、エルビウム、ポ ロニウムのうち少なくとも１種をそれぞれＹ＿２Ｏ＿３
、Ｅｒ＿２Ｏ＿３、Ｈｏ＿２Ｏ＿３に換算して０．０１
〜２モル％添加含有してなることを特徴とする電圧非直
線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61127009A JPS62282416A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61127009A JPS62282416A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282416A true JPS62282416A (ja) | 1987-12-08 |
Family
ID=14949422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61127009A Pending JPS62282416A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62282416A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004026562A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Tdk Corp | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品 |
| CN110423110A (zh) * | 2019-09-01 | 2019-11-08 | 烟台大学 | 一种超高非线性ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷及其制备方法 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61127009A patent/JPS62282416A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004026562A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Tdk Corp | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品 |
| CN110423110A (zh) * | 2019-09-01 | 2019-11-08 | 烟台大学 | 一种超高非线性ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷及其制备方法 |
| CN110423110B (zh) * | 2019-09-01 | 2021-11-05 | 烟台大学 | 一种超高非线性ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3899451A (en) | Oxide varistor | |
| JPS5918602A (ja) | 低電圧セラミツクバリスタ | |
| US3699058A (en) | Uranium-modified zinc oxide voltage variable resistor | |
| US3634337A (en) | Barium-modified zinc oxide voltage variable resistor | |
| JP2540048B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
| JP2715718B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JP2715717B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPS6325902A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
| JPH0732085B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体用電極材料 | |
| JPH0574606A (ja) | 低電圧用酸化亜鉛バリスタ | |
| JPH02248004A (ja) | 電圧非直線性抵抗器 | |
| JPS643325B2 (ja) | ||
| JPH04369803A (ja) | 電圧非直線性抵抗体 | |
| JPS60105202A (ja) | 電圧非直線抵抗器 | |
| JPH03195003A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPH04175259A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
| JPS5932043B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 | |
| JPS6235243B2 (ja) | ||
| JPS6241403B2 (ja) | ||
| JPS622501A (ja) | 電圧電流非直線抵抗体 | |
| JPH06251909A (ja) | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 | |
| JPS6214924B2 (ja) | ||
| JPS6214925B2 (ja) | ||
| JPS63246803A (ja) | 酸化物非直線抵抗体 | |
| JPS643326B2 (ja) |