JPS6057218B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6057218B2 JPS6057218B2 JP51125479A JP12547976A JPS6057218B2 JP S6057218 B2 JPS6057218 B2 JP S6057218B2 JP 51125479 A JP51125479 A JP 51125479A JP 12547976 A JP12547976 A JP 12547976A JP S6057218 B2 JPS6057218 B2 JP S6057218B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- aqueous solution
- semiconductor device
- curve
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法の改良に関する。
従来、半導体装置の製造においては選択拡散や電極取出
しを行なうために酸化珪素被膜の部分的な除去、メサエ
ツチングを実施するためのシリコンの部分的な除去、さ
らには相互配線用の金属蒸着膜の部分除去に写真食刻法
が適用されて来た。 この工程は先ずウェーハに感光性
樹脂を塗布してから熱処理を実施し、つぎにマスク合せ
を行なう。
しを行なうために酸化珪素被膜の部分的な除去、メサエ
ツチングを実施するためのシリコンの部分的な除去、さ
らには相互配線用の金属蒸着膜の部分除去に写真食刻法
が適用されて来た。 この工程は先ずウェーハに感光性
樹脂を塗布してから熱処理を実施し、つぎにマスク合せ
を行なう。
このマスク合せは感光性樹脂のちに感光する部分と感光
させない個所を設定するのに使用される。前記マスク合
せが終了してから露光、現像、熱処理（ポストベーク）
工程を経て検査に入る。そして食品は食刻工程と残存し
た感光性樹脂の除去工程、さらにそれに続く酸化・拡散
等の次工程へと進められる。 ところで感光性樹脂には
いわゆるネガレジストとポジレジストが知られているが
、ポジレジストとしてはナフトキノンー１；２ジアミド
スルホニルクロライドとノボラック樹脂の縮合物が知ら
れている。
させない個所を設定するのに使用される。前記マスク合
せが終了してから露光、現像、熱処理（ポストベーク）
工程を経て検査に入る。そして食品は食刻工程と残存し
た感光性樹脂の除去工程、さらにそれに続く酸化・拡散
等の次工程へと進められる。 ところで感光性樹脂には
いわゆるネガレジストとポジレジストが知られているが
、ポジレジストとしてはナフトキノンー１；２ジアミド
スルホニルクロライドとノボラック樹脂の縮合物が知ら
れている。
このレジストは露光するとナフトキノンー １；２ジア
ミド基が紫外線で窒素を放出してケテン基となりさらに
微量の水分によつてアルカリ可溶性のインデルカルボ酸
になる。このようにして、レジストのうち光が照射され
た部分は分解してアルカリ可溶性となり現像によつて溶
解除去されることになる。このポジレジストはネガレジ
ストに比べて解像力、画像ラインの切れが良く、画像ラ
インも直線的に得られる上にひげ状のものは全く発生し
ない等の利点があるが基板との付着力が弱いことと、現
像液がアルカリ溶液（一般には燐酸ナトリウムと珪酸ナ
トリウムの混合液）てあるため、半導体装置がナトリウ
ムで汚染され電気特性上問題が生ずる頻度が大きい。
ミド基が紫外線で窒素を放出してケテン基となりさらに
微量の水分によつてアルカリ可溶性のインデルカルボ酸
になる。このようにして、レジストのうち光が照射され
た部分は分解してアルカリ可溶性となり現像によつて溶
解除去されることになる。このポジレジストはネガレジ
ストに比べて解像力、画像ラインの切れが良く、画像ラ
インも直線的に得られる上にひげ状のものは全く発生し
ない等の利点があるが基板との付着力が弱いことと、現
像液がアルカリ溶液（一般には燐酸ナトリウムと珪酸ナ
トリウムの混合液）てあるため、半導体装置がナトリウ
ムで汚染され電気特性上問題が生ずる頻度が大きい。
基板との付着力について米国特許３３１８７５７３号、
２７６３５７３号、２４３６３０４号等に示されている
様に有機シラン結合剤で基板表面を処理することにより
強化できる。
２７６３５７３号、２４３６３０４号等に示されている
様に有機シラン結合剤で基板表面を処理することにより
強化できる。
これにより食刻工程時にもレジストが剥離しないように
なつて付着力に関する問題がほぼ解決されるがナトリウ
ムによる汚染の問題は依然とて残されている。一方ポジ
レジスト用の現像液として最近アミノアルコール等アル
カリを含まないものが市販さているが、画像ラインの切
れが悪いか、再現性の乏しい等の欠点がある。
なつて付着力に関する問題がほぼ解決されるがナトリウ
ムによる汚染の問題は依然とて残されている。一方ポジ
レジスト用の現像液として最近アミノアルコール等アル
カリを含まないものが市販さているが、画像ラインの切
れが悪いか、再現性の乏しい等の欠点がある。
前記アルカリ性現像液を使用した場合、半導体装置がナ
トリウムでどの程度汚染されるかを調査した。この実験
は（３１１）のＮ型４．４Ω儒シリコンウェーハを酸化
前処理をした後酸化工程を行なう。
トリウムでどの程度汚染されるかを調査した。この実験
は（３１１）のＮ型４．４Ω儒シリコンウェーハを酸化
前処理をした後酸化工程を行なう。
ここでナトリウムをゲツタリング（Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ
）す燐珪化ガラスを被覆した試料と被覆しない試料を作
成し、これらをアルカリ性現像液に浸漬後脱イオン水で
洗浄する。勿論これは入念且つ十分に行なう。次にこれ
らの試料にモス●キャパシタ． （ＭＯＳ●ＣａｐａｃｉｔＯｒ）を作成後ＢＴ試験を行
なつた。
）す燐珪化ガラスを被覆した試料と被覆しない試料を作
成し、これらをアルカリ性現像液に浸漬後脱イオン水で
洗浄する。勿論これは入念且つ十分に行なう。次にこれ
らの試料にモス●キャパシタ． （ＭＯＳ●ＣａｐａｃｉｔＯｒ）を作成後ＢＴ試験を行
なつた。
この試験結果を第１図Ａ，Ｂに示す。
すなをち、同図Ａは燐珪化ガラスを被覆しない場合、同
図Ｂ！１燐珪化ガラスを被覆した場合の実験結果を．示
している。図から明らかなように燐珪化ガラスを被覆し
た試料（第１図Ｂ）に比べ燐珪化ガラスを被覆しない試
料（同図Ａ）は＋ＢＴ，−Ｂη拭験の何れに対してもＶ
ＦＢのシフトが大きく明らかにアルカリイオンの汚染を
受けていることが判る。また現像液に浸漬してから酸化
した試料も■ＦＢの変動が大きく、Ｃ−Ｖ曲線の変形を
も伴つており、アルカリイオンと同時に金属イオンによ
る汚染の可能性も示唆している。なお、上記ＢＴ試験と
はＢＴ処理（ＢｉａｓＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＴｒｅａ
ｔｍｅｎｔ）の後に行なう試験、ＮＦＢは表面電荷量、
ＶＦＢはフラットバンド電圧を示す。この発明は上記の
欠点を除去した新規な半導体装置の製造方法を提案する
もので、特に写真食刻法における感光性樹脂の現像及び
除去に関する新方法である。
図Ｂ！１燐珪化ガラスを被覆した場合の実験結果を．示
している。図から明らかなように燐珪化ガラスを被覆し
た試料（第１図Ｂ）に比べ燐珪化ガラスを被覆しない試
料（同図Ａ）は＋ＢＴ，−Ｂη拭験の何れに対してもＶ
ＦＢのシフトが大きく明らかにアルカリイオンの汚染を
受けていることが判る。また現像液に浸漬してから酸化
した試料も■ＦＢの変動が大きく、Ｃ−Ｖ曲線の変形を
も伴つており、アルカリイオンと同時に金属イオンによ
る汚染の可能性も示唆している。なお、上記ＢＴ試験と
はＢＴ処理（ＢｉａｓＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＴｒｅａ
ｔｍｅｎｔ）の後に行なう試験、ＮＦＢは表面電荷量、
ＶＦＢはフラットバンド電圧を示す。この発明は上記の
欠点を除去した新規な半導体装置の製造方法を提案する
もので、特に写真食刻法における感光性樹脂の現像及び
除去に関する新方法である。
即ち、本発明は感光性樹脂の現像に関しては化″学式Ｒ
１−ーー申−Ｒ４−ー０Ｈ］＋０Ｈ−で表わされるトリ
アルキル（ヒドロキシアルキル）アンモニウム●ハイド
ロキサイド（以後ＴＨＡＨ）略称する）の重量比１％な
いし８％の濃度の水溶液を使用し末露光の感光性樹脂の
除去には重量比４％を越え２０％以下の濃度のＴＨＡＨ
水溶液を適用することを特徴とする。
１−ーー申−Ｒ４−ー０Ｈ］＋０Ｈ−で表わされるトリ
アルキル（ヒドロキシアルキル）アンモニウム●ハイド
ロキサイド（以後ＴＨＡＨ）略称する）の重量比１％な
いし８％の濃度の水溶液を使用し末露光の感光性樹脂の
除去には重量比４％を越え２０％以下の濃度のＴＨＡＨ
水溶液を適用することを特徴とする。
なお、上記化学式中、Ｒはアルキル基であり、必ずしも
同一組成である必要はない。ところでＴＨＡＨはアルカ
リ性を呈する物質として知られている。一般に、半導体
に接して形成されたシリコン酸化膜中にナトリウムイオ
ンが存在すると、そのナトリウムイオンは可動イオンと
なり、ＭＯＳ型デバイスやプレーナ型バイポーラデバイ
ス等の特性を著しく低下させる外、半導体表面にナトリ
ウム等のアルカリ性金属イオンが存在すると容易に酸化
膜へ移動して特性を害うことが判明している。従つてこ
のようなアルカリ性溶液は半導体の処理工程で使用され
ていないのが実状であつた。しかし、本発明者等は種々
実験を行なつた結果ＴＨＡＨ水溶液が脱脂、無機質によ
る汚染除去ならびに極く薄い酸化膜除去の何れについて
も有効であること、更にＴＨＡＨ水溶液からシリコン等
の半導体への有害な逆汚染を起４こさない事実を確認し
た。次に本発明者等は前記ＴＨＡＦＩ水溶液がポジレジ
ストの現像及び除去に適用可能か否かをＴＨＡＨの一種
であるコリン〔（ＣＨ３）３Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）０
Ｈ〕を用いて追加調査した。
同一組成である必要はない。ところでＴＨＡＨはアルカ
リ性を呈する物質として知られている。一般に、半導体
に接して形成されたシリコン酸化膜中にナトリウムイオ
ンが存在すると、そのナトリウムイオンは可動イオンと
なり、ＭＯＳ型デバイスやプレーナ型バイポーラデバイ
ス等の特性を著しく低下させる外、半導体表面にナトリ
ウム等のアルカリ性金属イオンが存在すると容易に酸化
膜へ移動して特性を害うことが判明している。従つてこ
のようなアルカリ性溶液は半導体の処理工程で使用され
ていないのが実状であつた。しかし、本発明者等は種々
実験を行なつた結果ＴＨＡＨ水溶液が脱脂、無機質によ
る汚染除去ならびに極く薄い酸化膜除去の何れについて
も有効であること、更にＴＨＡＨ水溶液からシリコン等
の半導体への有害な逆汚染を起４こさない事実を確認し
た。次に本発明者等は前記ＴＨＡＦＩ水溶液がポジレジ
ストの現像及び除去に適用可能か否かをＴＨＡＨの一種
であるコリン〔（ＣＨ３）３Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）０
Ｈ〕を用いて追加調査した。
即ち縦軸にレジスト残膜率（現像後膜厚／塗布後膜厚）
横軸に露光量をとつた特性曲線をコリン水溶液の濃度を
パラメータとして得た。これが第２図てある。同図にお
いて曲線Ａはコリンの重量比１％、曲線Ｂは同重量比４
％、曲線Ｃは同重量比６％、曲線Ｄは同重量比８％の場
合を示している。現像液として理想的なものはレジスト
残膜率がある露光量までは１．０に近く、一定露光量に
達すれば急激に０ななる形状のものである。同図から明
らかな様に、本発明に係る現像液は、従来のアルカリ性
現像液の場合と同様の現像特性を示しており、ポジレジ
ストの現像液として十分利用できることが確認できた。
さらにコリン水溶液１重量％（以後％は重量％を示す）
未満では現像能力が十分でなく、また８％を越えた水溶
液では未露光のレジストも溶解することが判明した。こ
のような現像ならびにレジスト除去にコリン水溶液を適
用した場合得られる半導体装置の特性を調べるために第
１図の結果を得た方法と同じ手段で調査した。この結果
ＮＦＢ，■ＦＢとも燐珪化ガラス被膜を被着した半導体
装置と何ら変わりなかつた。この結果からもすぐれた処
理液であることが判る。よつて本発明ではポジ型感光性
樹脂の現像には１％ないし８％のＴＨＡＨ水溶液を、未
露光の前記感光性樹脂除去にもＴＦＩＡＨ水溶液を適用
することにした。次に実施例により本発明を詳述する。
横軸に露光量をとつた特性曲線をコリン水溶液の濃度を
パラメータとして得た。これが第２図てある。同図にお
いて曲線Ａはコリンの重量比１％、曲線Ｂは同重量比４
％、曲線Ｃは同重量比６％、曲線Ｄは同重量比８％の場
合を示している。現像液として理想的なものはレジスト
残膜率がある露光量までは１．０に近く、一定露光量に
達すれば急激に０ななる形状のものである。同図から明
らかな様に、本発明に係る現像液は、従来のアルカリ性
現像液の場合と同様の現像特性を示しており、ポジレジ
ストの現像液として十分利用できることが確認できた。
さらにコリン水溶液１重量％（以後％は重量％を示す）
未満では現像能力が十分でなく、また８％を越えた水溶
液では未露光のレジストも溶解することが判明した。こ
のような現像ならびにレジスト除去にコリン水溶液を適
用した場合得られる半導体装置の特性を調べるために第
１図の結果を得た方法と同じ手段で調査した。この結果
ＮＦＢ，■ＦＢとも燐珪化ガラス被膜を被着した半導体
装置と何ら変わりなかつた。この結果からもすぐれた処
理液であることが判る。よつて本発明ではポジ型感光性
樹脂の現像には１％ないし８％のＴＨＡＨ水溶液を、未
露光の前記感光性樹脂除去にもＴＦＩＡＨ水溶液を適用
することにした。次に実施例により本発明を詳述する。
ｎ型のシリコン基板に珪素酸化物を被着後ポジ型の感光
性樹脂０ＦＰＲ■（商品名、東京応化工業製）を１．５
μ厚さに被着する。
性樹脂０ＦＰＲ■（商品名、東京応化工業製）を１．５
μ厚さに被着する。
次にホトマスクによるマスク合せを行なうが、その前に
被着した感光性樹脂の溶剤を揮散させるために８０℃で
２０分間程度の熱処理を行なう。前記マスク合せは露光
及び非露光部分の選択を行なうためのものであるが露光
は被着物表面に平行に配置した光源によつて実施される
。次に現像工程に入る。現像液としては重量比がそれぞ
れ１，４，６，８％のコリン水溶液を用い室温で１分間
浸漬する。その後２分間水洗し乾燥させる。そして各露
光量に対応する部分のレジスト膜厚は薄膜測定器によつ
て測定する。これによつて得られた露光量とレジスト残
膜率をプロットしたものが第２図である。同図中曲線Ａ
がコリンの重量比１％、曲線Ｂが同重量比４％、曲線Ｃ
が同重量比６％、曲線Ｄが同重量比８％の場合を示す。
第２図に示されるように曲線Ａの右側の領域、すなわち
コリンの濃度が１％より小さい場合には更に露光感度（
曲線が横軸が交差する点における露光量）が悪くなり、
露光に必要な露光時間が更に長くなる結果を招来するこ
とは明らかである。一方、レジスト残膜率曲線と縦軸と
の交点に着目するとコリンの濃度が８％すなわち、曲線
Ｄでは０．５より小さくなり、同じく６％すなわち曲線
Ｃでは０．６となつている。残膜率が０．５以下では、
レジスト膜厚が半分以下となるので、後の食刻工程にお
ける耐蝕性に不安が残る。従つて、残膜率は０．５以上
であることが好ましく、コリンの濃度も８％程度が上限
であると考えられる。なお現像能力としてはポジレジス
ト樹脂の種類、現像、時間、液温などによつて若干の差
があるが、許容できる残膜率内に収まる。また、半導体
装置の製造には現像工程後加熱を施したのち未現像部分
のエツク等の検査を行なつてから露出した酸化珪素を食
刻工程て除去後洗浄してから未露光感光樹脂を一例とし
て６％のコリン水溶液で除去洗浄工程を行なつた。
被着した感光性樹脂の溶剤を揮散させるために８０℃で
２０分間程度の熱処理を行なう。前記マスク合せは露光
及び非露光部分の選択を行なうためのものであるが露光
は被着物表面に平行に配置した光源によつて実施される
。次に現像工程に入る。現像液としては重量比がそれぞ
れ１，４，６，８％のコリン水溶液を用い室温で１分間
浸漬する。その後２分間水洗し乾燥させる。そして各露
光量に対応する部分のレジスト膜厚は薄膜測定器によつ
て測定する。これによつて得られた露光量とレジスト残
膜率をプロットしたものが第２図である。同図中曲線Ａ
がコリンの重量比１％、曲線Ｂが同重量比４％、曲線Ｃ
が同重量比６％、曲線Ｄが同重量比８％の場合を示す。
第２図に示されるように曲線Ａの右側の領域、すなわち
コリンの濃度が１％より小さい場合には更に露光感度（
曲線が横軸が交差する点における露光量）が悪くなり、
露光に必要な露光時間が更に長くなる結果を招来するこ
とは明らかである。一方、レジスト残膜率曲線と縦軸と
の交点に着目するとコリンの濃度が８％すなわち、曲線
Ｄでは０．５より小さくなり、同じく６％すなわち曲線
Ｃでは０．６となつている。残膜率が０．５以下では、
レジスト膜厚が半分以下となるので、後の食刻工程にお
ける耐蝕性に不安が残る。従つて、残膜率は０．５以上
であることが好ましく、コリンの濃度も８％程度が上限
であると考えられる。なお現像能力としてはポジレジス
ト樹脂の種類、現像、時間、液温などによつて若干の差
があるが、許容できる残膜率内に収まる。また、半導体
装置の製造には現像工程後加熱を施したのち未現像部分
のエツク等の検査を行なつてから露出した酸化珪素を食
刻工程て除去後洗浄してから未露光感光樹脂を一例とし
て６％のコリン水溶液で除去洗浄工程を行なつた。
なお、未露光感光樹脂の除去は、比較的濃度のＴＩ（Ａ
Ｈ水溶液であつても長時間の除去工程により可能である
が、種々実験を行なつた結果、未露光感光樹脂の除去に
際してはＴＨＡＨの重量比が４％を超え２０％以下のも
のが好ましいことが判明した。勿論、未露光感光樹脂の
除去に際しても、上述した現像工程の場合と同様、ＴＨ
ＡＨ水溶液の優れた特性が活かされることは明らかであ
る。これで写真食刻工程を終え、酸化拡散又は蒸着工程
等を実施して半導体装置を完成した。この実施例では半
導体基板に被着した酸化珪素を部分的に写真食刻法て除
去する例を示したが、この他にはメサエツチングをシリ
コン基板に形成・する場合及び相互配線をアルミニウム
で行なう場合にも適用可能であることは勿論である。
Ｈ水溶液であつても長時間の除去工程により可能である
が、種々実験を行なつた結果、未露光感光樹脂の除去に
際してはＴＨＡＨの重量比が４％を超え２０％以下のも
のが好ましいことが判明した。勿論、未露光感光樹脂の
除去に際しても、上述した現像工程の場合と同様、ＴＨ
ＡＨ水溶液の優れた特性が活かされることは明らかであ
る。これで写真食刻工程を終え、酸化拡散又は蒸着工程
等を実施して半導体装置を完成した。この実施例では半
導体基板に被着した酸化珪素を部分的に写真食刻法て除
去する例を示したが、この他にはメサエツチングをシリ
コン基板に形成・する場合及び相互配線をアルミニウム
で行なう場合にも適用可能であることは勿論である。
また、この発明による半導体装置の製造方法はＴＨＡＨ
水溶液を写真食刻に用いられるポジ型感光樹脂の現像な
らびに除去に適用可能としたものであり、・本発明によ
れば従来のものと同程度の残膜率とすることができその
他何の支障もない。しかもアルカリを含まない現像液と
して知られている従来のものに比べて再現性は良く、更
に画像ラインの切れもすぐれている。なお上記ＴＨ．Ａ
ｌ（は半導体製）造において最も忌避すべきＮａｌその
他Ｃｕ，．Ａｇの如き不純物の含有量が極めて少ないた
め、製造工程における使用によつて残留し、あるいは他
の部材に移動、吸着して半導体装置の電気的特性を害す
ることがない。これはＴＨＡＦＩがトリメチルアミンと
エチレンオキサイドとから次式如く生成できるためであ
る。次には上記反応によつて１０％以上の濃厚溶液を製
造することも容易であり、この際触媒も不要でかつ上記
原料も高純度のものが得られることに基づき純度の良い
コリンが得やすいという利点がある。
水溶液を写真食刻に用いられるポジ型感光樹脂の現像な
らびに除去に適用可能としたものであり、・本発明によ
れば従来のものと同程度の残膜率とすることができその
他何の支障もない。しかもアルカリを含まない現像液と
して知られている従来のものに比べて再現性は良く、更
に画像ラインの切れもすぐれている。なお上記ＴＨ．Ａ
ｌ（は半導体製）造において最も忌避すべきＮａｌその
他Ｃｕ，．Ａｇの如き不純物の含有量が極めて少ないた
め、製造工程における使用によつて残留し、あるいは他
の部材に移動、吸着して半導体装置の電気的特性を害す
ることがない。これはＴＨＡＦＩがトリメチルアミンと
エチレンオキサイドとから次式如く生成できるためであ
る。次には上記反応によつて１０％以上の濃厚溶液を製
造することも容易であり、この際触媒も不要でかつ上記
原料も高純度のものが得られることに基づき純度の良い
コリンが得やすいという利点がある。
上記を一例のＴＦＩＡＨ（テトラメチルアンモニウムハ
イドロキサイド）と比較してみる。
イドロキサイド）と比較してみる。
ますこの製造は次式Ｒ３Ｎ＋ＲＢｒ→Ｒ，ＮＢｒＲ，Ｎ
Ｂｒ＋ＡｇＯＨ．−４．Ｒ４Ｎ＋０Ｈ−＋ＡｇＢｒ↓の
如くしてＡｇを使用するため不純物としてＡｇが残る。
Ｂｒ＋ＡｇＯＨ．−４．Ｒ４Ｎ＋０Ｈ−＋ＡｇＢｒ↓の
如くしてＡｇを使用するため不純物としてＡｇが残る。
またＴＭＡＨ（７）濃度も数％に止まる。参考のために
コリンとＴＭＡＨとの不純物量単位（Ｐｐｍ）を比較し
た（次表）。上述の高純度であることと、高濃度に得ら
れることとは特に半導体の製造には重要てあり、適用範
囲は今後さらに拡張されるものてある。
コリンとＴＭＡＨとの不純物量単位（Ｐｐｍ）を比較し
た（次表）。上述の高純度であることと、高濃度に得ら
れることとは特に半導体の製造には重要てあり、適用範
囲は今後さらに拡張されるものてある。
第１図は試料にモス・キャパシタを形成し、これにＢη
拭験を施した結果を示した図で、同図Ｂは燐珪化ガラス
を適用して作成したもの、同図Ａは燐珪化ガラス不適用
の場合であり、図中０印はＥｐ（＋ＢＴ処理）、×印は
Ｅｐ（−ＢＴ処理）を各々示す。
拭験を施した結果を示した図で、同図Ｂは燐珪化ガラス
を適用して作成したもの、同図Ａは燐珪化ガラス不適用
の場合であり、図中０印はＥｐ（＋ＢＴ処理）、×印は
Ｅｐ（−ＢＴ処理）を各々示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体に被着したポジ型感光性樹脂を露光現像する
にあたり、重量比で１％ないし８％の濃度範囲内のトリ
アルキル（ヒドロキシアルキル）アンモニウム、ハイド
ロキサイド水溶液で現像することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 ２ 半導体に被着したポジ型感光性樹脂を露光現像除去
するにあたり、重量比で１％ないし８％の濃度範囲内の
トリアルキル（ヒドロキシアルキル）アンモニウムム、
ハイドロキサイド水溶液で現像を施したのち、未露光の
前記感光性樹脂をトリアルキル（ヒドロキシアルキル）
アンモニウム・ハイドロキサイド水溶液で除去すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51125479A JPS6057218B2 (ja) | 1976-10-21 | 1976-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51125479A JPS6057218B2 (ja) | 1976-10-21 | 1976-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5351971A JPS5351971A (en) | 1978-05-11 |
| JPS6057218B2 true JPS6057218B2 (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=14911099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51125479A Expired JPS6057218B2 (ja) | 1976-10-21 | 1976-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057218B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5635424A (en) * | 1980-08-13 | 1981-04-08 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| DE3268203D1 (en) * | 1981-04-10 | 1986-02-13 | Shipley Co | Metal ion-free photoresist developer composition |
| JPS5821825A (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | フォトレジスト現像液及びその製造方法 |
| JPS5996731A (ja) * | 1982-11-25 | 1984-06-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59219743A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト現像液 |
| JPH0234858A (ja) * | 1988-11-05 | 1990-02-05 | Toshiba Corp | フォトレジスト現像液の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5264877A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-28 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
-
1976
- 1976-10-21 JP JP51125479A patent/JPS6057218B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5351971A (en) | 1978-05-11 |
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