JPS6057301A - 一眼レフレツクスカメラのハ−フミラ− - Google Patents
一眼レフレツクスカメラのハ−フミラ−Info
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- JPS6057301A JPS6057301A JP16573983A JP16573983A JPS6057301A JP S6057301 A JPS6057301 A JP S6057301A JP 16573983 A JP16573983 A JP 16573983A JP 16573983 A JP16573983 A JP 16573983A JP S6057301 A JPS6057301 A JP S6057301A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、−眼レフレックスカメラにおいて、撮影レン
ズを分割し、反則光をファインダ光学系に透過光を焦点
検出用もしくはスポット測光用などの受光素子に導くハ
ーフミラ−に関する。
ズを分割し、反則光をファインダ光学系に透過光を焦点
検出用もしくはスポット測光用などの受光素子に導くハ
ーフミラ−に関する。
従来技術
従来、第1図図示のように、撮影レンズ(TL)ひアイ
ピース(Ell)を有するファインダ光学系に導くとと
もに、透過光を副ミラー(SM)で反射させて焦点検出
用受光素子(LR)に尋く一眼レフレックスカメラは知
られている。しかしなから、このような従来装置におい
ては、ハーフミラ−(I−IM)は全面にわたって光半
透過膜か蒸着されているのに列し、焦点検出用受光素子
(LR)か副ミラー(央部のみてあり、それ以外の周辺
部を透過した光は伺ら有効には用いられない。逆に、ハ
ーフミラ−(11M)の周辺部を透過した光かミラーボ
ックスの内部で反射されて受光素子(’LR)に入I・
Jさせられると、焦点を誤検出してしまう腺因となり好
ましくない。また、ファインダ像が全体に暗くなってし
まうという欠点もある。尚、このような欠点は、ハーフ
ミラ−(IIM)を透過した光を焦点検出用の受光素子
(LR)に導(場合にのみ生しるものではなく、スポッ
ト測光用や比較的感度分布の狭い中央重点測光用の受光
素子に導く場合にも生じる。
ピース(Ell)を有するファインダ光学系に導くとと
もに、透過光を副ミラー(SM)で反射させて焦点検出
用受光素子(LR)に尋く一眼レフレックスカメラは知
られている。しかしなから、このような従来装置におい
ては、ハーフミラ−(I−IM)は全面にわたって光半
透過膜か蒸着されているのに列し、焦点検出用受光素子
(LR)か副ミラー(央部のみてあり、それ以外の周辺
部を透過した光は伺ら有効には用いられない。逆に、ハ
ーフミラ−(11M)の周辺部を透過した光かミラーボ
ックスの内部で反射されて受光素子(’LR)に入I・
Jさせられると、焦点を誤検出してしまう腺因となり好
ましくない。また、ファインダ像が全体に暗くなってし
まうという欠点もある。尚、このような欠点は、ハーフ
ミラ−(IIM)を透過した光を焦点検出用の受光素子
(LR)に導(場合にのみ生しるものではなく、スポッ
ト測光用や比較的感度分布の狭い中央重点測光用の受光
素子に導く場合にも生じる。
目 的
本発明は、上述の如き従来装置の欠点を解消し、撮影レ
ンズ透過光をファインダ用尺4=J光と受光素子用透過
光とに分割する一眼レフレックスカメラにより適したハ
ーフミラ−を提供することを目的とするものである。
ンズ透過光をファインダ用尺4=J光と受光素子用透過
光とに分割する一眼レフレックスカメラにより適したハ
ーフミラ−を提供することを目的とするものである。
発明の要旨
上記目的を達成する為に、本発明は、ます、)八−フミ
ラー上の周辺部の反則率を」二けるとともに透過率をほ
ぼゼロにしてファインダ像を明るくするとともに受光素
子への有害光をな(ず為に、周辺部にのみ金属膜を用い
る。そして、その上に中央部及び周辺部の全面にわたっ
て高屈折率誘電体膜及び低屈折率誘電体膜の二層からな
る増反射膜を配置して更に周辺部の反射率を上けるとと
もに金属膜を保護する。史に、金属膜と基板との間に少
なくとも金属層゛に隣接する高屈折率誘電体膜を配置し
て、金属膜の基板に対する付着力の弱さを向上させ、か
つ、中央部においては該高屈折率誘電体膜と上記増反射
膜とでほぼ反射率も透過率も50%で吸収のほとんどな
い光半透過膜を構成し、撮影レンズを透過した光を効率
良くファインダ光学系及び受光素子に導くことができる
上に、耐久性に優れ製造も容易であり、従って、上述の
如き一眼レフレックスカメラに適したハーフミラ−を得
ることを特徴とするものである。
ラー上の周辺部の反則率を」二けるとともに透過率をほ
ぼゼロにしてファインダ像を明るくするとともに受光素
子への有害光をな(ず為に、周辺部にのみ金属膜を用い
る。そして、その上に中央部及び周辺部の全面にわたっ
て高屈折率誘電体膜及び低屈折率誘電体膜の二層からな
る増反射膜を配置して更に周辺部の反射率を上けるとと
もに金属膜を保護する。史に、金属膜と基板との間に少
なくとも金属層゛に隣接する高屈折率誘電体膜を配置し
て、金属膜の基板に対する付着力の弱さを向上させ、か
つ、中央部においては該高屈折率誘電体膜と上記増反射
膜とでほぼ反射率も透過率も50%で吸収のほとんどな
い光半透過膜を構成し、撮影レンズを透過した光を効率
良くファインダ光学系及び受光素子に導くことができる
上に、耐久性に優れ製造も容易であり、従って、上述の
如き一眼レフレックスカメラに適したハーフミラ−を得
ることを特徴とするものである。
実施例
以下、図面に基ついて本発明の実施例をその比較例とと
もに詳細に説明する。
もに詳細に説明する。
実施例1
第2図(a) (b)は実施例1のハーフミラ−の正面
図及びllllr面図である。゛第2図@、)において
、(へ)はそこを透過する光が受光素子(I、k)に等
かれる中央部であり、Φ)は周辺部である。中央部(ホ
)はハーフミラ−が光軸凶)に対して45°傾けて用い
られることを鑑みて、撮影レンズ(′1”L)上への射
影が円となるように上下方向に長い楕円形状とされてい
る。
図及びllllr面図である。゛第2図@、)において
、(へ)はそこを透過する光が受光素子(I、k)に等
かれる中央部であり、Φ)は周辺部である。中央部(ホ
)はハーフミラ−が光軸凶)に対して45°傾けて用い
られることを鑑みて、撮影レンズ(′1”L)上への射
影が円となるように上下方向に長い楕円形状とされてい
る。
本実施例は、第2図(b)に図示されたように、空気側
から透明基板0側へ順に、透明基板p)よりも屈折率の
高い誘電体QIlからなる第1誘電体層(1)、透明基
板←)よりも屈折率の低い誘電体σ、)からなる第2誘
電体層(11)、アルミニウムからなる金属層(AL)
高屈折率誘電体σカからなる第3誘電層Cl11)、低
屈折率誘電体(L)からなる第4誘電体層(IV)及び
高屈折率誘電体tr+からなる第5誘電体層(V)の誘
電体5層積層十金属膜からなる光半透過膜を有する。金
属層(AI)は周辺部(B)にのみ形成されており、第
1〜第5誘電体層(I)〜(Dはそれぞれ中央部(A)
及び周辺部(B)の全面に形成されている。
から透明基板0側へ順に、透明基板p)よりも屈折率の
高い誘電体QIlからなる第1誘電体層(1)、透明基
板←)よりも屈折率の低い誘電体σ、)からなる第2誘
電体層(11)、アルミニウムからなる金属層(AL)
高屈折率誘電体σカからなる第3誘電層Cl11)、低
屈折率誘電体(L)からなる第4誘電体層(IV)及び
高屈折率誘電体tr+からなる第5誘電体層(V)の誘
電体5層積層十金属膜からなる光半透過膜を有する。金
属層(AI)は周辺部(B)にのみ形成されており、第
1〜第5誘電体層(I)〜(Dはそれぞれ中央部(A)
及び周辺部(B)の全面に形成されている。
本実施例の膜構成を第1表に示す。
本実施例において、高屈折率誘電体σカはZr0zであ
り、低屈折率誘電体(]−)はMgFzである。A0は
可視波長域内(400〜7 (10nm)で選択された
設計波長で、本実施例では550nmである。
り、低屈折率誘電体(]−)はMgFzである。A0は
可視波長域内(400〜7 (10nm)で選択された
設計波長で、本実施例では550nmである。
本実施例は、基板0の表面にますZr0zを全面に0.
55λ0となるまて真空蒸着し、その」二にMgF2を
014A0真空蒸着し、史にZr0zを0.33!◎真
空蒸着し、中央部(5)にマスクを置いてA1を反射率
か約90%となるまで数]Qnm程度真空蒸着し、マス
クを取り除いた後に全面に、MgJ・2と、ZrO2と
をそれぞれ0.25λ0となるまで真空蒸着することに
よって製造される。
55λ0となるまて真空蒸着し、その」二にMgF2を
014A0真空蒸着し、史にZr0zを0.33!◎真
空蒸着し、中央部(5)にマスクを置いてA1を反射率
か約90%となるまで数]Qnm程度真空蒸着し、マス
クを取り除いた後に全面に、MgJ・2と、ZrO2と
をそれぞれ0.25λ0となるまで真空蒸着することに
よって製造される。
本実施例の中央部(A)及び周辺部(13)における入
射角45°の光に対する分光反射率特性を第3図にそれ
ぞれA及びBで示す。
射角45°の光に対する分光反射率特性を第3図にそれ
ぞれA及びBで示す。
尚、分光反射率特性の比較の為に、第1〜第5誘電体層
(’I)〜(V)の間ではなく第1層(1)の」二に周
辺部にのみA1を設けたものを比較例1として示す。
(’I)〜(V)の間ではなく第1層(1)の」二に周
辺部にのみA1を設けたものを比較例1として示す。
比較例1
本比較例1の膜構成を第4図の断面図及び第2表に゛示
し、その中央部(ハ))及び周辺部(13)における→
射角45°の光に対する分光反射率特性を第5図に示す
。
し、その中央部(ハ))及び周辺部(13)における→
射角45°の光に対する分光反射率特性を第5図に示す
。
第2表
(、+o =550nmJ
実施例工に依れは、第3図から明らかなように、中央部
(A)においても周辺部(B)においても可視波長域内
でほぼ50%、95%のフラットな反射率を得ることか
でき、ファインダ像の色つきも生じない」二に、第3図
と第5図とを比較すると明らかなように、実施例】の方
か周辺部(I3)における反射率か可視波長域全体にわ
たって高いのでファインダ像をより明るくすることかで
きる。更に、比較例Jでは、金属層(A1)か外部に露
呈するので傷が伺きやすく耐久性が悪いか、実施例1て
は、金属層(Al)の」二を強固なMgl’z及びZ
rO,zておおうので耐久性も良い。また、第6図のよ
うに、基板0」二にまず周辺部(B)のみにA1を蒸着
し、その」二に全面にわたって比較例Jの膜構成の誘電
体多層膜(I)〜(V)を蒸着する比較例2も考えられ
る。この場合、中央部(〜における分光反射率特性は比
較例1と同しであるので省略し、周辺部QS)における
入射角45゜の光に対する分光反射率特性を第7図に示
す。第7図から明らかなように、比較例2では分光特性
かフラットな帯域が狭くなってOJ視波長全域を包括す
ることができなくなる。これに対し、実施例1では、第
3図図示のように、可視波長全域にわたってフラットな
特性が得られる。更に比較例2ては、A’lが直接カラ
スからなる基板←)に蒸着されるが、A1のガラスに対
する付着力か弱いので膜かはがれたりすることかある。
(A)においても周辺部(B)においても可視波長域内
でほぼ50%、95%のフラットな反射率を得ることか
でき、ファインダ像の色つきも生じない」二に、第3図
と第5図とを比較すると明らかなように、実施例】の方
か周辺部(I3)における反射率か可視波長域全体にわ
たって高いのでファインダ像をより明るくすることかで
きる。更に、比較例Jでは、金属層(A1)か外部に露
呈するので傷が伺きやすく耐久性が悪いか、実施例1て
は、金属層(Al)の」二を強固なMgl’z及びZ
rO,zておおうので耐久性も良い。また、第6図のよ
うに、基板0」二にまず周辺部(B)のみにA1を蒸着
し、その」二に全面にわたって比較例Jの膜構成の誘電
体多層膜(I)〜(V)を蒸着する比較例2も考えられ
る。この場合、中央部(〜における分光反射率特性は比
較例1と同しであるので省略し、周辺部QS)における
入射角45゜の光に対する分光反射率特性を第7図に示
す。第7図から明らかなように、比較例2では分光特性
かフラットな帯域が狭くなってOJ視波長全域を包括す
ることができなくなる。これに対し、実施例1では、第
3図図示のように、可視波長全域にわたってフラットな
特性が得られる。更に比較例2ては、A’lが直接カラ
スからなる基板←)に蒸着されるが、A1のガラスに対
する付着力か弱いので膜かはがれたりすることかある。
これに対し、実施例1ては、Alとガラスとの間にガラ
スに対する付着力も(A1の付着力も)良好な誘電体か
介在するので、比較例2に比へて耐久性か良い。
スに対する付着力も(A1の付着力も)良好な誘電体か
介在するので、比較例2に比へて耐久性か良い。
尚、第8図図示のように、実施例1の基板←)の裏面に
おける反射によって中央部<A)を透過した光か有害光
となって受光素子に受光されることのないように、基板
←)の裏面に反射防止膜(+匂を設けても良い。
おける反射によって中央部<A)を透過した光か有害光
となって受光素子に受光されることのないように、基板
←)の裏面に反射防止膜(+匂を設けても良い。
反射防止膜Q勺の膜構成を第3表に示す。
(IO=b 6flnml
本反射防止膜(6)において、第1層(1)はMgFi
がらなり、第2層(2)はZr0zからなる。第3層は
、第1層(1)と第2層(2)との中間の屈折率を有す
る誘電体(ロ)からなり、本実施例ではAl2O8が用
いられている。尚、本例において、反則防止膜但)は基
板□の表面の中央部(/X)を透過した光が入円する領
域に設けられておれは良く、裏面の全面に設ける必要は
ない。本例を製造する場合、第3〜5誘電体層(III
) (V:X7)真空as、A 1(7) 真空蒸k、
? 1 、2 M電体層(1)〜(IJ)の真空蒸着及
び第1〜3層(1)〜(3)の真空蒸扁の計4回の真空
蒸着作業を要するが、基板0の反転装置を設けるが基板
0)の表裏両面を同時に真空蒸着できるようにずれは、
作業を簡単化できる。
がらなり、第2層(2)はZr0zからなる。第3層は
、第1層(1)と第2層(2)との中間の屈折率を有す
る誘電体(ロ)からなり、本実施例ではAl2O8が用
いられている。尚、本例において、反則防止膜但)は基
板□の表面の中央部(/X)を透過した光が入円する領
域に設けられておれは良く、裏面の全面に設ける必要は
ない。本例を製造する場合、第3〜5誘電体層(III
) (V:X7)真空as、A 1(7) 真空蒸k、
? 1 、2 M電体層(1)〜(IJ)の真空蒸着及
び第1〜3層(1)〜(3)の真空蒸扁の計4回の真空
蒸着作業を要するが、基板0の反転装置を設けるが基板
0)の表裏両面を同時に真空蒸着できるようにずれは、
作業を簡単化できる。
実施例2
本実施例は、第2表に示す比較例Jの各層の膜厚を変え
ることなく、金属層(A1)を第2誘電体層(IJ)と
第3誘電体層CIII)との間の周辺部(M2)のみに
配したものである。その膜構成を第4表に示す。
ることなく、金属層(A1)を第2誘電体層(IJ)と
第3誘電体層CIII)との間の周辺部(M2)のみに
配したものである。その膜構成を第4表に示す。
(λ0−0−550n
本実施例の入射角/15°の光に苅する分光反1.1.
J率特性は第9図に示されるように、中央部も周辺部も
フラットであり、実施例1とはとんとかわりかない。本
実施例によれは、金属1it(Al)が表面に露呈しな
いので比較例1に比へて物理的耐久性が向上する」−に
、金属層(A1月−の第1・2誘電体層(1)(IJ)
か増反射膜となるので比較例1に比へてて周辺部(ki
2)の反射率を」二けることができる。
J率特性は第9図に示されるように、中央部も周辺部も
フラットであり、実施例1とはとんとかわりかない。本
実施例によれは、金属1it(Al)が表面に露呈しな
いので比較例1に比へて物理的耐久性が向上する」−に
、金属層(A1月−の第1・2誘電体層(1)(IJ)
か増反射膜となるので比較例1に比へてて周辺部(ki
2)の反射率を」二けることができる。
更に、本実施例によれは、誘電体層は5層積層されるか
、光学的INK厚は0.28ハとo125λ0と0)
2 Uliであり0.56λ0は0.28ハの2倍であ
るので、4種の光学的膜厚を要する実施例1に比べて真
空蒸着が容易である。
、光学的INK厚は0.28ハとo125λ0と0)
2 Uliであり0.56λ0は0.28ハの2倍であ
るので、4種の光学的膜厚を要する実施例1に比べて真
空蒸着が容易である。
実施例3
本実施例は、実施例1の各誘電体層(1)〜(1’)の
光学的膜厚を変えたものであり、その膜構成を第5表に
示す。
光学的膜厚を変えたものであり、その膜構成を第5表に
示す。
(λO−0−550n
本実施例の分光反射率特性は実施例1とほぼ同しである
ので省略する。
ので省略する。
実施例4
本実施例は、誘電体3層膜に金属膜を組合せたものであ
り、その断面図を第10図に示す。本実施例は、本発明
のベースとなる最もシンプルな膜4’t6成を有してい
る。第10図から明らかなように、不実、′施□例は、
空気側から透明基板←)側へ順に、高屈折率誘電体(1
1)か全面に設けられたmI誘電体層(i)、低屈折率
誘電体(i−)が全H7tに設けられた第2誘電体層(
II)、A1か周辺部(B)のみに設けられた金属層(
A1)及び高屈折率誘電体qりか全1n1に設りられた
第3誘電体層(III)の誘電体3層+金属層の膜構成
を冶する。
り、その断面図を第10図に示す。本実施例は、本発明
のベースとなる最もシンプルな膜4’t6成を有してい
る。第10図から明らかなように、不実、′施□例は、
空気側から透明基板←)側へ順に、高屈折率誘電体(1
1)か全面に設けられたmI誘電体層(i)、低屈折率
誘電体(i−)が全H7tに設けられた第2誘電体層(
II)、A1か周辺部(B)のみに設けられた金属層(
A1)及び高屈折率誘電体qりか全1n1に設りられた
第3誘電体層(III)の誘電体3層+金属層の膜構成
を冶する。
本実施例の具体的数値を第6表に示す。本実施例におい
ても高屈折率誘電体σDは1r02てあり、低屈折率誘
電体σ−)はMg+・2からなる。
ても高屈折率誘電体σDは1r02てあり、低屈折率誘
電体σ−)はMg+・2からなる。
(”=bb(Jnm〕
本実施例は、実施例1とほぼ同様に製造される。
本実施例の中央部い)における入射角45°の光に対す
る分光反射率特性を第11図にXて示す。
る分光反射率特性を第11図にXて示す。
実施例5
本実施例は、上記実施例4の第3誘電体層(11)の光
学的膜厚5を0.50λ0に変えたものである。その具
体的膜構成を第7表に示し、中央部(A)における入I
・j角45°の光に対する分光反射率特性を第111U
HこYて示す。
学的膜厚5を0.50λ0に変えたものである。その具
体的膜構成を第7表に示し、中央部(A)における入I
・j角45°の光に対する分光反射率特性を第111U
HこYて示す。
(λO= 5 s onm)
実施例6
本実施例は、誘電体8層膜と金属膜とを組合せて、中央
部の反射率を上げたものであり、その断面図を第12図
に、その具体的膜構成を第8表に示す。本実施例も、高
屈折率誘電体り1)はZ’rO2とl−102との混合
物からなり、低屈折率誘電体建)はMgF2からなる。
部の反射率を上げたものであり、その断面図を第12図
に、その具体的膜構成を第8表に示す。本実施例も、高
屈折率誘電体り1)はZ’rO2とl−102との混合
物からなり、低屈折率誘電体建)はMgF2からなる。
本実施例の中央部い)における入IJ、1角45°のつ
覧に対する分光反射率特性を第H図にZて示す。
覧に対する分光反射率特性を第H図にZて示す。
尚、実施例4〜6において周辺部(Is) iこおける
分光反射率特性は、実施例1とほぼ同しであるので省略
する。
分光反射率特性は、実施例1とほぼ同しであるので省略
する。
以上のように、第3誘電体層(+11)と基板0との間
に介在される誘電体層の層数を変えたり、第1〜3誘電
体層(1)〜(III)も含めた誘電体層の膜厚を変え
たりすることによって、可視波長域に対する平均的な反
射率を変えたり、分光箱外を変えたりすることかできる
。実施例4・5を比較すると明らかなように、同一の膜
構成でも第3誘電体層(川)の厚い実施例5の方か第1
1図にYで小されるように、可視波長域の長波長端及び
短波長端における反fA=1率の低下を改良し、分光反
射率動性をよりフラットにすることができる。史に、実
施例6のように誘電体8層膜を用いれは、i’+J視波
長域内の平均的な反射率を約70%まて」二けることか
てきる。ここて、実施例4の該反射率は約45%、実施
例5のそれは約37%である。
に介在される誘電体層の層数を変えたり、第1〜3誘電
体層(1)〜(III)も含めた誘電体層の膜厚を変え
たりすることによって、可視波長域に対する平均的な反
射率を変えたり、分光箱外を変えたりすることかできる
。実施例4・5を比較すると明らかなように、同一の膜
構成でも第3誘電体層(川)の厚い実施例5の方か第1
1図にYで小されるように、可視波長域の長波長端及び
短波長端における反fA=1率の低下を改良し、分光反
射率動性をよりフラットにすることができる。史に、実
施例6のように誘電体8層膜を用いれは、i’+J視波
長域内の平均的な反射率を約70%まて」二けることか
てきる。ここて、実施例4の該反射率は約45%、実施
例5のそれは約37%である。
従って、受光素子へ入射される光量を多くする場合には
実施例4または5を用い、ファインダ像上記実施例にお
いて金属層(A1)のIIu厚については記載されてい
なかったか、周辺部01)における透過率は1%以下程
度に抑える必要かあり、この為に、A1は約4Qnm以
上を必要とする。(Bし、Alに代えてAgも適用可能
であり、この場合は約60nm以上の膜厚を要する。更
に、高屈折率誘電体(II)としてはZrO2ノほかに
、ZrO2ど1102との混合物、TiO2単体、Ce
O2,ZnSなどが適用ijf能であり、低屈折率誘電
体(シ)としてはMgl・2のほかに5102か通用て
きる。
実施例4または5を用い、ファインダ像上記実施例にお
いて金属層(A1)のIIu厚については記載されてい
なかったか、周辺部01)における透過率は1%以下程
度に抑える必要かあり、この為に、A1は約4Qnm以
上を必要とする。(Bし、Alに代えてAgも適用可能
であり、この場合は約60nm以上の膜厚を要する。更
に、高屈折率誘電体(II)としてはZrO2ノほかに
、ZrO2ど1102との混合物、TiO2単体、Ce
O2,ZnSなどが適用ijf能であり、低屈折率誘電
体(シ)としてはMgl・2のほかに5102か通用て
きる。
尚、第2図(a)においては、中央部い)の反射率か約
50%であるのに対し、周辺部(均の反則率は90%を
越えるので、ファインダ像においてこの反則率差か1」
立つ場合か考えられる。これを改善する為には、第13
図の正面図に示すように、中央部Q\)から半径方向に
徐々に透過部の面積か識少するよう多数のドツト(1)
)を設けて、このドラl−(1))に八q、jする光は
透過されるように構成すれは良い。この場合、ドラ)
(]))自体が視認されることのないようドツトQ】の
代わりにスリットでも良く、金属膜(AI)の端面を徐
々にうす(して行き反1.I−J率差か目立たないよう
にずれば良い。
50%であるのに対し、周辺部(均の反則率は90%を
越えるので、ファインダ像においてこの反則率差か1」
立つ場合か考えられる。これを改善する為には、第13
図の正面図に示すように、中央部Q\)から半径方向に
徐々に透過部の面積か識少するよう多数のドツト(1)
)を設けて、このドラl−(1))に八q、jする光は
透過されるように構成すれは良い。この場合、ドラ)
(]))自体が視認されることのないようドツトQ】の
代わりにスリットでも良く、金属膜(AI)の端面を徐
々にうす(して行き反1.I−J率差か目立たないよう
にずれば良い。
効 果
以上のように、本発明は撮影レンズ透過光を分割して反
射光をファインダ光学系に透過光を受光素子にそれぞれ
導く一眼レフレックスカメラのハーフミラ−において、
空気側から透明基板側へ順に、透明基板よりも屈折率の
高い誘電体か全面に蒸着された第1誘電体層、透明基板
よりも屈折率の低い誘電体が全面に蒸着された第2誘電
体層、金属が受光素子に光を桿く為の中央部を除いた周
辺部にのみ蒸着された金属層、及び透明基板よりも屈折
率の高い誘電体が全面に蒸着された第3誘電体層を少な
くとも有することを特徴とするものであり、このように
構成することによって、透過光を必要としない周辺部に
おいてはほぼ95%以上の分光特性のフラットな反射率
を得ることかでき、一方、中央部においてもほぼフラッ
トな分光反射率特性を得ることができ、かつ、中央部は
誘電体多層膜からなるのて吸収はほとんとセロてあり入
射光を効率良く受光素子に導くことかできる。
射光をファインダ光学系に透過光を受光素子にそれぞれ
導く一眼レフレックスカメラのハーフミラ−において、
空気側から透明基板側へ順に、透明基板よりも屈折率の
高い誘電体か全面に蒸着された第1誘電体層、透明基板
よりも屈折率の低い誘電体が全面に蒸着された第2誘電
体層、金属が受光素子に光を桿く為の中央部を除いた周
辺部にのみ蒸着された金属層、及び透明基板よりも屈折
率の高い誘電体が全面に蒸着された第3誘電体層を少な
くとも有することを特徴とするものであり、このように
構成することによって、透過光を必要としない周辺部に
おいてはほぼ95%以上の分光特性のフラットな反射率
を得ることかでき、一方、中央部においてもほぼフラッ
トな分光反射率特性を得ることができ、かつ、中央部は
誘電体多層膜からなるのて吸収はほとんとセロてあり入
射光を効率良く受光素子に導くことかできる。
更に、金属層は誘電体層によっておおわれて外部に露呈
しないのて金属層に傷がつくことかない−にに、金属層
と透明基板との間には誘電体層が介在するので、金属層
の透明基板に対する台1着力の弱さによる膜のはかれも
生じず、物理的かつ化学的耐久性に優れる。
しないのて金属層に傷がつくことかない−にに、金属層
と透明基板との間には誘電体層が介在するので、金属層
の透明基板に対する台1着力の弱さによる膜のはかれも
生じず、物理的かつ化学的耐久性に優れる。
史に、実施態様のように、第3誘電体層と透明基板との
間に誘電体層を介在させることによって中央部の反射率
を」二け、ファインダ像を史に見やす(することかでき
る。
間に誘電体層を介在させることによって中央部の反射率
を」二け、ファインダ像を史に見やす(することかでき
る。
第1図は本発明に係る一眼レフレックスカメラの断面図
、第2図(2))(b)は実施例1のハーフミラ−の正
面図及、・ひ断面図、第3図はその分光反I・J率勧性
を示すグラフ、第4図及び第5図は比較例1の…「面図
及びその分光反射率特性を示すグラフ、第6図及び第7
図は比較例2の断面図及びその分光反射率特性を示すグ
ラフ、第8図は実施例】の変形例の断面図、第9図は実
施例2の分光反射率特性を示すグラフ第1.0.12図
は実施例4,6の断面図、第11図は実施例4〜6の分
光反射率特性を示すグラフ、第13図はハーフミラ−の
変形例を示す正面図である。 (TL);撮影レンズ、(I(M);ノ入−フミラー。 (+” +1 ) (1) I) ) (]ζP):フ
ァインダ光学系、(Llす;受光素子、(1);第1誘
電体層、(1,1);第2誘電体層、([1);第3誘
電体層、(Al);金属層、0;透明基板。 以上 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第q図 液 長 第1O図 筋ノ3図
、第2図(2))(b)は実施例1のハーフミラ−の正
面図及、・ひ断面図、第3図はその分光反I・J率勧性
を示すグラフ、第4図及び第5図は比較例1の…「面図
及びその分光反射率特性を示すグラフ、第6図及び第7
図は比較例2の断面図及びその分光反射率特性を示すグ
ラフ、第8図は実施例】の変形例の断面図、第9図は実
施例2の分光反射率特性を示すグラフ第1.0.12図
は実施例4,6の断面図、第11図は実施例4〜6の分
光反射率特性を示すグラフ、第13図はハーフミラ−の
変形例を示す正面図である。 (TL);撮影レンズ、(I(M);ノ入−フミラー。 (+” +1 ) (1) I) ) (]ζP):フ
ァインダ光学系、(Llす;受光素子、(1);第1誘
電体層、(1,1);第2誘電体層、([1);第3誘
電体層、(Al);金属層、0;透明基板。 以上 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第q図 液 長 第1O図 筋ノ3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 撮影レンズ透過光を分割して反射光をファインダ
光学系に透過光を受光素子にそれぞれ導く一眼レフレッ
クスカメラのハーフミラ−において、空気側から透明基
板側へ順に透明基板よりも屈折率の高い誘電体が全面に
蒸着された第1誘電体層、透明基板よりも屈折率の低い
誘電体か全面に蒸着された第2誘電体層、金属が受光素
子に光を導く為の中央部を除いた周辺部にのみ蒸着され
た金属層、及び透明基板よりも屈折率の高い誘電体か全
面に蒸着された第3誘電体層を少なくとも有することを
特徴とする一眼レフレックスカメラのハーフミラ−6 2、更に、第3誘電体層と透明基板との間に、第3誘電
体j輪側から透明基板側へ順に、透明基板トハL届に羞
ミのIIC+、z球宙I十ぜ1噸△ii rr 4ε羊
吉飴ナ一笛4誘電体層と、透明基板よりも高い屈折率を
有する誘電体が全面に蒸着された第5誘電体層とを有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の一眼レ
フレックスカメラのハーフミラ−0/ 6、 更に、第5誘電体層と透明基板との間に第5誘電
体層側から透明基板側へ順に、透明基板よりも屈折率の
低い誘電体が全面に蒸着された第6誘電体層、透明基板
よりも屈折率の高い誘電体が全面に蒸着された第7誘電
体層と、透明基板よりも屈折率の低い誘電体が全面に蒸
着された第8誘電体層とを有することを特徴とする特許
請求の範[11(第2 項記載の一眼レフレックスカメ
ラのハーフミラ−0
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16573983A JPS6057301A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 一眼レフレツクスカメラのハ−フミラ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16573983A JPS6057301A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 一眼レフレツクスカメラのハ−フミラ− |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23812990A Division JPH03109504A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 一眼レフレックスカメラのハーフミラー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057301A true JPS6057301A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15818153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16573983A Pending JPS6057301A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 一眼レフレツクスカメラのハ−フミラ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057301A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS638604A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Canon Inc | 可視域における平坦な分光特性を示す半透膜 |
| JPS6413003U (ja) * | 1987-07-13 | 1989-01-24 | ||
| JPH03109504A (ja) * | 1990-09-06 | 1991-05-09 | Minolta Camera Co Ltd | 一眼レフレックスカメラのハーフミラー |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5689701A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-21 | Minolta Camera Co Ltd | Half mirror |
| JPS57202527A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-11 | Minolta Camera Co Ltd | Mirror equipment of single-lens reflex camera |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16573983A patent/JPS6057301A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5689701A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-21 | Minolta Camera Co Ltd | Half mirror |
| JPS57202527A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-11 | Minolta Camera Co Ltd | Mirror equipment of single-lens reflex camera |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS638604A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Canon Inc | 可視域における平坦な分光特性を示す半透膜 |
| JPS6413003U (ja) * | 1987-07-13 | 1989-01-24 | ||
| JPH03109504A (ja) * | 1990-09-06 | 1991-05-09 | Minolta Camera Co Ltd | 一眼レフレックスカメラのハーフミラー |
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