JPS6057536A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6057536A JPS6057536A JP16622383A JP16622383A JPS6057536A JP S6057536 A JPS6057536 A JP S6057536A JP 16622383 A JP16622383 A JP 16622383A JP 16622383 A JP16622383 A JP 16622383A JP S6057536 A JPS6057536 A JP S6057536A
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- JP
- Japan
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- protective film
- film layer
- silicon
- plasma
- magnetic
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気記録媒体に関し、その目的とするところ
は、耐久性および耐食性に優れた磁気記録媒体を提供す
ることにある。
は、耐久性および耐食性に優れた磁気記録媒体を提供す
ることにある。
一般に、磁性粉末を結合剤成分とともに基体フィルム」
二に結着させるか、或いは強磁性金属またはそれらの合
金などを真空蒸着等によって基体フィルム上に被着して
つくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等
と激しく摺接するため磁性層が摩耗され易く、特に真空
蒸着等によって形成される強磁性金属薄膜型磁気記録媒
体は、高密度記録特性に優れる反面、磁気ヘッドとのｌ
ソ擦係数が大きくて摩耗や損傷を受け易く、また空気中
で除々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特性が劣
化するなどのケ１Ｅ点がある。
二に結着させるか、或いは強磁性金属またはそれらの合
金などを真空蒸着等によって基体フィルム上に被着して
つくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等
と激しく摺接するため磁性層が摩耗され易く、特に真空
蒸着等によって形成される強磁性金属薄膜型磁気記録媒
体は、高密度記録特性に優れる反面、磁気ヘッドとのｌ
ソ擦係数が大きくて摩耗や損傷を受け易く、また空気中
で除々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特性が劣
化するなどのケ１Ｅ点がある。
このため、磁性層上に種々の保護膜層を設けて耐久性お
よび耐食性を改善することが行われており、近年、たと
えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン等のケイ素
系有機化合物のプラズマ重合保護膜層を磁性層上に形成
することが提案されているが、この種のケイ素系有機化
合物のプラズマ重合保護膜層ば酸素原子を含むため、充
分に緻密で硬い保護膜層が得られず、未だ充分に耐久性
および耐食性を改善することができない。
よび耐食性を改善することが行われており、近年、たと
えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン等のケイ素
系有機化合物のプラズマ重合保護膜層を磁性層上に形成
することが提案されているが、この種のケイ素系有機化
合物のプラズマ重合保護膜層ば酸素原子を含むため、充
分に緻密で硬い保護膜層が得られず、未だ充分に耐久性
および耐食性を改善することができない。
この発明者らはかかる現状に鑑み鋭意研究を重ねた結果
、磁性層−ににケイ素原子、炭素原子および水素原子も
しくはこれらと窒素原子からなる有機化合物のプラズマ
重合保護膜層を設けると、緻密で硬いプラズマ重合保護
）１９層が磁性層上に強固に被着形成され、耐摩耗性が
大きく改善されて耐久性が向」ニされるとともに耐食性
も充分に改善されるごとを見いだし、この発明をなすに
至った。
、磁性層−ににケイ素原子、炭素原子および水素原子も
しくはこれらと窒素原子からなる有機化合物のプラズマ
重合保護膜層を設けると、緻密で硬いプラズマ重合保護
）１９層が磁性層上に強固に被着形成され、耐摩耗性が
大きく改善されて耐久性が向」ニされるとともに耐食性
も充分に改善されるごとを見いだし、この発明をなすに
至った。
この発明において磁性層上に被着形成されるブラスマ重
合保護ｌ模層は、反応槽内で、ケイ素原子、炭素原子お
よび水素原子もしくはこれらと窒素原子からなるケイ素
系有機化合物のモノマーガスを画周波によりプラズマ重
合させて磁性層の表面に被着形成することによって形成
される。このプラズマ重合保護膜層を形成するのに使用
するモノマーガスとしては、たとえば、テトラメチルシ
ラン、ヘキサメチルジシラザン、ビニルトリメチルシラ
ン、トリメチルシリルアセチレン等のケイ素系有機化合
物のモノマーガスが好ましく使用され、これらのケイ素
系有機化合物のモノマーガスは、高周波によりラジカル
が生成され、この生成されたラジカルが反応し重合して
被成となる。このプラズマ重合を行う際、テトラメチル
シランおよびヘキサメチルジシラザン等とともに不飽和
結合を有するビニル１〜リメチルシラン、トリメチルシ
リルアセチレン等のケイ素系有機化合物のモノマーガス
を添加すると、この添加したモノマーガスの作用によっ
て被着速度が速くなり、緻密で硬いプラズマ重合保護膜
層が得られるため、これら不飽和結合を有するケイ素系
有機化合物のモノマーガスを添加してプラズマ重合を行
うのが好ましく、またこれらのモノマーガスをプラズマ
重合する際、さらにアルゴンガスおよびヘリウムガス等
のキャリアガスを（ｊｆ存させるとモノマーガスを単独
でプラズマ重合する場合に比べて３〜５倍の速度で被着
されるため、これらのキャリアガスを併存させて行うの
が好ましい。この際キャリアガスには酸素ガスを混合し
てもよい。テトラメチルシランおよびヘキサメチルジシ
ラザン等のケイ素系有機化合物のモノマーガスにビニル
トリメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン等の不
飽和結合を有するケイ素系有機化合物のモノマーガスを
添加してプラズマ重合を行う際、その組成割合はケイ素
系有機化合物のモノマーガス対不飽和結合を有するケイ
素系有機化合物のモノマーガスの比にして４対１から２
０対１の範囲内にするのが好ましく、不飽和結合を有す
るケイ素系有機化合物のモノマーカスが少なずぎると被
着速度がそれほど速くなら−３、多すぎると緻密で硬い
プラズマ重合保護膜層がｉＭられない。またこれらのケ
イ素系有機化合物のモノマーガスにキャリアガスを併存
させる際、その組成割合はキャリアガス対前記ケイ素系
を機化合物のモノマーガスの比にして４対１の割合で併
存させるのが好ましく、キャリアガスが少なすぎると被
着速度が低下し、多すぎると七ツマーガスが少なくなっ
てプラズマ重合反応に支障をきたす。
合保護ｌ模層は、反応槽内で、ケイ素原子、炭素原子お
よび水素原子もしくはこれらと窒素原子からなるケイ素
系有機化合物のモノマーガスを画周波によりプラズマ重
合させて磁性層の表面に被着形成することによって形成
される。このプラズマ重合保護膜層を形成するのに使用
するモノマーガスとしては、たとえば、テトラメチルシ
ラン、ヘキサメチルジシラザン、ビニルトリメチルシラ
ン、トリメチルシリルアセチレン等のケイ素系有機化合
物のモノマーガスが好ましく使用され、これらのケイ素
系有機化合物のモノマーガスは、高周波によりラジカル
が生成され、この生成されたラジカルが反応し重合して
被成となる。このプラズマ重合を行う際、テトラメチル
シランおよびヘキサメチルジシラザン等とともに不飽和
結合を有するビニル１〜リメチルシラン、トリメチルシ
リルアセチレン等のケイ素系有機化合物のモノマーガス
を添加すると、この添加したモノマーガスの作用によっ
て被着速度が速くなり、緻密で硬いプラズマ重合保護膜
層が得られるため、これら不飽和結合を有するケイ素系
有機化合物のモノマーガスを添加してプラズマ重合を行
うのが好ましく、またこれらのモノマーガスをプラズマ
重合する際、さらにアルゴンガスおよびヘリウムガス等
のキャリアガスを（ｊｆ存させるとモノマーガスを単独
でプラズマ重合する場合に比べて３〜５倍の速度で被着
されるため、これらのキャリアガスを併存させて行うの
が好ましい。この際キャリアガスには酸素ガスを混合し
てもよい。テトラメチルシランおよびヘキサメチルジシ
ラザン等のケイ素系有機化合物のモノマーガスにビニル
トリメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン等の不
飽和結合を有するケイ素系有機化合物のモノマーガスを
添加してプラズマ重合を行う際、その組成割合はケイ素
系有機化合物のモノマーガス対不飽和結合を有するケイ
素系有機化合物のモノマーガスの比にして４対１から２
０対１の範囲内にするのが好ましく、不飽和結合を有す
るケイ素系有機化合物のモノマーカスが少なずぎると被
着速度がそれほど速くなら−３、多すぎると緻密で硬い
プラズマ重合保護膜層がｉＭられない。またこれらのケ
イ素系有機化合物のモノマーガスにキャリアガスを併存
させる際、その組成割合はキャリアガス対前記ケイ素系
を機化合物のモノマーガスの比にして４対１の割合で併
存させるのが好ましく、キャリアガスが少なすぎると被
着速度が低下し、多すぎると七ツマーガスが少なくなっ
てプラズマ重合反応に支障をきたす。
プラズマ重合を行う場合のガス圧および高周波の出力は
、ガス圧が高くなるほど被着速度が速くなる反面上ツマ
ーガスが比較的低分子量でプラズマ重合されて硬い保護
膜層が得られず、ガス圧を低くして高周波出力を高くす
ると被着速度が遅くなる反面高分子化された比較的硬い
保護膜層が得られるが、ガス圧を低くして高周波出力を
高くしすぎると、モノマーガスが粉末化してしまいプラ
ズマ重合保護膜層が形成されないため、ガス圧を０．０
３〜３トールの範囲内とし、高周波出力を０．０３〜０
、５ Ｗ ／ ｃＪの範囲内とするのが好ましく、ガ
ス圧を０．１〜１トールとし、高周波出力を０．０５〜
０゜３ Ｗ／ ｃａの範囲内とするのがより好ましい。
、ガス圧が高くなるほど被着速度が速くなる反面上ツマ
ーガスが比較的低分子量でプラズマ重合されて硬い保護
膜層が得られず、ガス圧を低くして高周波出力を高くす
ると被着速度が遅くなる反面高分子化された比較的硬い
保護膜層が得られるが、ガス圧を低くして高周波出力を
高くしすぎると、モノマーガスが粉末化してしまいプラ
ズマ重合保護膜層が形成されないため、ガス圧を０．０
３〜３トールの範囲内とし、高周波出力を０．０３〜０
、５ Ｗ ／ ｃＪの範囲内とするのが好ましく、ガ
ス圧を０．１〜１トールとし、高周波出力を０．０５〜
０゜３ Ｗ／ ｃａの範囲内とするのがより好ましい。
このようにしてプラズマ重合によって被着形成されるケ
イ素原子、炭素原子および水素原子もしくはこれらと窒
素原子からなるケイ素系有機化合物のプラズマ重合保護
膜層ば緻密で摩擦係数も小さく、従ってこの）１［のケ
イ素系有機化合物のプラズマ重合保護膜層が形成される
と耐摩耗性および耐食性が一段と向上する。このような
ケイ素原子、炭素原子および水素原子もしくはこれらと
窒素原子からなるケイ素系有機化合物のプラズマ重合保
護膜層の膜厚は、３０〜１０００人の範囲内であること
が好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護膜層による耐久
性および耐食性の効果が充分に発揮されず、厚ずぎると
スペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪
影響を及ぼす。
イ素原子、炭素原子および水素原子もしくはこれらと窒
素原子からなるケイ素系有機化合物のプラズマ重合保護
膜層ば緻密で摩擦係数も小さく、従ってこの）１［のケ
イ素系有機化合物のプラズマ重合保護膜層が形成される
と耐摩耗性および耐食性が一段と向上する。このような
ケイ素原子、炭素原子および水素原子もしくはこれらと
窒素原子からなるケイ素系有機化合物のプラズマ重合保
護膜層の膜厚は、３０〜１０００人の範囲内であること
が好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護膜層による耐久
性および耐食性の効果が充分に発揮されず、厚ずぎると
スペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪
影響を及ぼす。
基体上に形成される磁性層は、７ Ｆｅ２Ｏ３粉末、Ｆ
ｅ３Ｏ４粉末、ＣＯ含有７−Ｆｅ２Ｏ３粉末、ＣＯ含有
Ｆｅ３Ｏ４粉末、Ｆｅ粉末、Ｃ。
ｅ３Ｏ４粉末、ＣＯ含有７−Ｆｅ２Ｏ３粉末、ＣＯ含有
Ｆｅ３Ｏ４粉末、Ｆｅ粉末、Ｃ。
粉末、Ｆｅ−Ｎｉ粉末などの磁性粉末を結合剤成分およ
び有機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥するか、或い
は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ、ｃｏ−ＣｒＸＣｏ
−Ｐ、、Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐなどの強磁性材を真空蒸着、
イオンブレーティング、スパックリング、メッキ等の手
段Ｑこよって基体上に被着するなどの方法で形成される
。
び有機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥するか、或い
は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ、ｃｏ−ＣｒＸＣｏ
−Ｐ、、Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐなどの強磁性材を真空蒸着、
イオンブレーティング、スパックリング、メッキ等の手
段Ｑこよって基体上に被着するなどの方法で形成される
。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルムな
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープ、円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラＪ８など、
磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープ、円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラＪ８など、
磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ１０μのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、５Ｘ１０’）−ルの真空下でコバルトを加熱蒸発
させてポリエステルフィルム上に厚さ１０００人のコバ
ルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、第
１図に示すプラズマ重合装置を使用し、この強磁性金属
薄膜層を形成したポリエステルフィルム１を反応槽２内
で原反ロール３から円筒状キャン４の周側面にそって移
動させ、巻き取りロール５に巻き取るようにセラ１〜し
、ガス導入管６からテトラメチルシランのモノマーガス
を２’０Ｏｓｃｃｎ＋の／ｆｉｔ ９１で導入し、また
添加ガスとしてビニルトリメチルシラン５０ｓｃｃｍを
導入し、ガス圧０．１０１−−ルで１３．５６Ｍｌ１ｚ
の高周波を出力１００Ｗで印加して１分間プラズマ重合
を行い、プラズマ重合保護膜層を形成した。しかる後、
所定の［ＩＪに裁断して、第２図に示すようなポリエス
テルフィルム１上に強磁性金属薄膜層］０およびプラズ
マ重合保護膜層１１を順次に積層形成した磁気テープ八
をつくった。このときのプラズマ重合保護■受屓の厚み
は３００人であった。なお、図中８は反応槽１内を減圧
するための排気系であり、９は電極７に高周波を印加す
るだめの交流電源である。
填し、５Ｘ１０’）−ルの真空下でコバルトを加熱蒸発
させてポリエステルフィルム上に厚さ１０００人のコバ
ルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、第
１図に示すプラズマ重合装置を使用し、この強磁性金属
薄膜層を形成したポリエステルフィルム１を反応槽２内
で原反ロール３から円筒状キャン４の周側面にそって移
動させ、巻き取りロール５に巻き取るようにセラ１〜し
、ガス導入管６からテトラメチルシランのモノマーガス
を２’０Ｏｓｃｃｎ＋の／ｆｉｔ ９１で導入し、また
添加ガスとしてビニルトリメチルシラン５０ｓｃｃｍを
導入し、ガス圧０．１０１−−ルで１３．５６Ｍｌ１ｚ
の高周波を出力１００Ｗで印加して１分間プラズマ重合
を行い、プラズマ重合保護膜層を形成した。しかる後、
所定の［ＩＪに裁断して、第２図に示すようなポリエス
テルフィルム１上に強磁性金属薄膜層］０およびプラズ
マ重合保護膜層１１を順次に積層形成した磁気テープ八
をつくった。このときのプラズマ重合保護■受屓の厚み
は３００人であった。なお、図中８は反応槽１内を減圧
するための排気系であり、９は電極７に高周波を印加す
るだめの交流電源である。
実施例２
実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、テトラメチルシランのモノマーガスに代えてヘキサメ
チルジシラザンを同量使用し、添加ガスとしてビニルト
リメチルシランに代えてトリメチルシリルアセチレンを
同量使用した以外は実施例１と同様にして磁気テープを
つくった。このときのプラズマ重合保護膜層の厚みは３
２０人であった。
、テトラメチルシランのモノマーガスに代えてヘキサメ
チルジシラザンを同量使用し、添加ガスとしてビニルト
リメチルシランに代えてトリメチルシリルアセチレンを
同量使用した以外は実施例１と同様にして磁気テープを
つくった。このときのプラズマ重合保護膜層の厚みは３
２０人であった。
実施例３
実施例１におりるプラズマ重合保護膜層の形成において
、添加ガスのビニルトリメチルシランを省き、ガス圧を
０．１０）−ルから０．０８ トールに変更した以外は
実施例１と同様にして磁気テープをつくった。このとき
のプラズマ重合保護膜層の厚みは１１０人であった。
、添加ガスのビニルトリメチルシランを省き、ガス圧を
０．１０）−ルから０．０８ トールに変更した以外は
実施例１と同様にして磁気テープをつくった。このとき
のプラズマ重合保護膜層の厚みは１１０人であった。
実施例４
実施例２におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、添加ガスのトリメチルシリルアセチレンを省き、ガス
圧を０．１０１−−ルから０．０８ ）−ルに変更した
以外は実施例２と同様にして磁気テープをつくった。こ
のときのプラズマ重合保護膜層の厚みは１００人であっ
た。
、添加ガスのトリメチルシリルアセチレンを省き、ガス
圧を０．１０１−−ルから０．０８ ）−ルに変更した
以外は実施例２と同様にして磁気テープをつくった。こ
のときのプラズマ重合保護膜層の厚みは１００人であっ
た。
実施例５
α−Ｆｅ磁性粉末 ６００重量部
エスレソクＣＮ（ｍ水化学工業 ８０μ社製、塩化ビニ
ル−酢酸ビニ ル共重合体） バンデソクスＴ−５２５０（大 ３０μ日本インキ社製
、ウレタンエ ラストマー） コロネートＬ 、（日本ボリウレタ １０〃ン工業社製
、三官能性低分子 量ンソシアネート化合物） メチルイソブチルケトン ４００〃 トルエン ４００〃 この組成物をボールミル中で７２時間混合分散して磁性
塗料を調製し、この磁性塗料を厚さ１０μのポリエステ
ルフィルム上に乾燥厚が４μとなるように塗布、乾燥し
て磁性層を形成した。次いで、これに実施例１と同様に
してプラズマ重合保護膜層を形成し磁気テープをつくっ
た。
ル−酢酸ビニ ル共重合体） バンデソクスＴ−５２５０（大 ３０μ日本インキ社製
、ウレタンエ ラストマー） コロネートＬ 、（日本ボリウレタ １０〃ン工業社製
、三官能性低分子 量ンソシアネート化合物） メチルイソブチルケトン ４００〃 トルエン ４００〃 この組成物をボールミル中で７２時間混合分散して磁性
塗料を調製し、この磁性塗料を厚さ１０μのポリエステ
ルフィルム上に乾燥厚が４μとなるように塗布、乾燥し
て磁性層を形成した。次いで、これに実施例１と同様に
してプラズマ重合保護膜層を形成し磁気テープをつくっ
た。
比較例１
実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、テトラメチルシランに代えてオクタメチルシクロテト
ラシロキサンを２００ｓｅｃｍ使用し、添加ガスのビニ
ル１〜リメチルシランを省いた以外は実施例１と同様に
して磁気テープをつくった。このときのプラズマ重合保
護膜層の厚みは１２０人であった。
、テトラメチルシランに代えてオクタメチルシクロテト
ラシロキサンを２００ｓｅｃｍ使用し、添加ガスのビニ
ル１〜リメチルシランを省いた以外は実施例１と同様に
して磁気テープをつくった。このときのプラズマ重合保
護膜層の厚みは１２０人であった。
比較例２
実施例１において、プラズマ重合保護膜層の形成を省い
た以外は実施例１と同様にして磁気テープをつくった。
た以外は実施例１と同様にして磁気テープをつくった。
各実施例および各比較例において、プラズマ重合保護膜
層の被着速度を測定し、また各実施例および各比較例で
得られた硼性テープについて耐久性および耐食性を試験
した。耐久性試験は、得られた磁気テープをサファイア
針で摺動試験し、プラズマ重合保護膜層に傷がつくまで
の回数を測定して行い、耐食性試験は、得ら′れた磁気
テープを６０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に７日間放置し
て最大磁束密度を測定し、放置前の磁気テープの最大磁
束密度を１００％としてこれと比較した値でその劣化率
を調べて行った。
層の被着速度を測定し、また各実施例および各比較例で
得られた硼性テープについて耐久性および耐食性を試験
した。耐久性試験は、得られた磁気テープをサファイア
針で摺動試験し、プラズマ重合保護膜層に傷がつくまで
の回数を測定して行い、耐食性試験は、得ら′れた磁気
テープを６０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に７日間放置し
て最大磁束密度を測定し、放置前の磁気テープの最大磁
束密度を１００％としてこれと比較した値でその劣化率
を調べて行った。
下表はその結果である。
表
上表から明らかなように、この発明でＩＭられた磁気テ
ープ（実施例１〜５）は、いずれも従来の磁気テープ（
比較例１および２）に比し、劣化率が小さくてｉｔ欠性
がよく、このことがらこの発明によって得られる磁気記
録媒体は、耐久性および耐食性が一段と改善されている
ことがわかる。
ープ（実施例１〜５）は、いずれも従来の磁気テープ（
比較例１および２）に比し、劣化率が小さくてｉｔ欠性
がよく、このことがらこの発明によって得られる磁気記
録媒体は、耐久性および耐食性が一段と改善されている
ことがわかる。
第１図はプラズマ重合保護膜層を形成する際に使用する
プラズマ重合装置の１例を示す概略断面図、第２図はこ
の発明によって得られた磁気テープの部分拡大断面図で
ある。 ■・・・ポリエステルフィルム（基体）、１ｏ・・・強
磁性金属薄膜層（磁性層）、１１・・・プラズマ重合保
護膜層、Ａ・・・磁気テープ（磁気記録媒体）特許出願
人 日立マクセル株式会社
プラズマ重合装置の１例を示す概略断面図、第２図はこ
の発明によって得られた磁気テープの部分拡大断面図で
ある。 ■・・・ポリエステルフィルム（基体）、１ｏ・・・強
磁性金属薄膜層（磁性層）、１１・・・プラズマ重合保
護膜層、Ａ・・・磁気テープ（磁気記録媒体）特許出願
人 日立マクセル株式会社
Claims (1)
- １、基体上に磁性層を形成し、この磁性層上にケイ素原
子、炭素原子および水素原子もしくはこれらと窒素原子
からなる有機化合物のプラズマ重合保護膜層を設げたこ
とを特徴とする磁気記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16622383A JPS6057536A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16622383A JPS6057536A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057536A true JPS6057536A (ja) | 1985-04-03 |
| JPH0576097B2 JPH0576097B2 (ja) | 1993-10-21 |
Family
ID=15827391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16622383A Granted JPS6057536A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057536A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5829119A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 帯電防止性磁気テ−プ |
| JPS6038727A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-28 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP16622383A patent/JPS6057536A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5829119A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 帯電防止性磁気テ−プ |
| JPS6038727A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-28 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576097B2 (ja) | 1993-10-21 |
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