JPS6057574B2 - エレクトロクロミツク電極の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク電極の製造方法Info
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- JPS6057574B2 JPS6057574B2 JP54024812A JP2481279A JPS6057574B2 JP S6057574 B2 JPS6057574 B2 JP S6057574B2 JP 54024812 A JP54024812 A JP 54024812A JP 2481279 A JP2481279 A JP 2481279A JP S6057574 B2 JPS6057574 B2 JP S6057574B2
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロクロミック（以下ＥＣと略す）電極
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
従来からＥＣ表示体としてＷＯ３、Ｔｉ０。
等の固体ＥＣ）又は有機ビオロゲン化合物が知られてい
るが前者において電極の溶出が、後者においては酸化還
元物質の表面への被着が問題とされた。本発明者はイリ
ジウムの電極の水素、酸素吸着に関する研究中に、イリ
ジウムの電極の色の変化がおこることを見い出し昭和４
時電気化学会夏期大会で報告した。このイリジウム電極
の色の変化をＥＣ表示にしようとする報告がある。本発
明者はイリジウム電極のＥＣ性を示す電極が、イリジウ
ム電極の水素、酸素吸脱着反応によつてもたらされるこ
とを発見した。すなわち下限電位＋Ｏ、４Ｖ（ｖｓ、Ｒ
ＨＥ）以下の水素吸着又は発生領域、上限電位＋１．０
Ｖ〜＋１．７０Ｖの酸素吸着領域間の連続掃引によつて
のみＥＣ電極が製造されることを発見した。第１図は本
発明に用いられた電気化学的セルでありパイレックスガ
ラス製である。
るが前者において電極の溶出が、後者においては酸化還
元物質の表面への被着が問題とされた。本発明者はイリ
ジウムの電極の水素、酸素吸着に関する研究中に、イリ
ジウムの電極の色の変化がおこることを見い出し昭和４
時電気化学会夏期大会で報告した。このイリジウム電極
の色の変化をＥＣ表示にしようとする報告がある。本発
明者はイリジウム電極のＥＣ性を示す電極が、イリジウ
ム電極の水素、酸素吸脱着反応によつてもたらされるこ
とを発見した。すなわち下限電位＋Ｏ、４Ｖ（ｖｓ、Ｒ
ＨＥ）以下の水素吸着又は発生領域、上限電位＋１．０
Ｖ〜＋１．７０Ｖの酸素吸着領域間の連続掃引によつて
のみＥＣ電極が製造されることを発見した。第１図は本
発明に用いられた電気化学的セルでありパイレックスガ
ラス製である。
第１図において１はイリジウム金属Ｗｉｒｅ）２は白金
対極、３は参照電極用白金電極、４は１気圧Ｈｏガスで
ある。５は１ＮＨ２Ｓ０４水溶液である。
対極、３は参照電極用白金電極、４は１気圧Ｈｏガスで
ある。５は１ＮＨ２Ｓ０４水溶液である。
このようなセルを第２図のごとくの装置で駆動した。６
はポテンシオスタツト、７はファンクションジェネレー
ター、８はシンクロスコープである。
はポテンシオスタツト、７はファンクションジェネレー
ター、８はシンクロスコープである。
第３図はセルに加えられた連続掃引波形であり、掃引速
度Ｏ、１ＶＩｓｅｃで行なつた。
度Ｏ、１ＶＩｓｅｃで行なつた。
Ｖｍｉｎ■５０ｗｌ、り（ｖｓ、ｍ正）、Ｖｍａｘを１
．４Ｖ（ｖｓ、ＲＨＥ）としたときのイリジウム電極の
掃引電流応答が第４図である。これは８なるシンクロス
コープで観察した。Ａは水素の脱着反応、Ｂは酸素の吸
着反応を示す電流値、Ｂ’は酸素脱着反応、Ａ’は水素
吸着反応である。掃引回数Ｎの増加に共なつてＢ部及び
Ｂ’部が著しく増加する。一方Ａ及びＡ’は一定である
。Ａの面積（電荷量）が一定であるのでこの時のＢの増
加量を掃引回数に対しプロットしたものが第６図である
。なおＶｍｉｎ■５０７７１、Ｖ−定でＶｍａｘを変化
させたＢ／Ａ挙動を合わせてのせてある。この図からＶ
ｍａｘ■１、ＯＶ以上でないとＥＣ性を示す電極被膜Ｂ
の生長はおこらないことが明らかとなつた。
．４Ｖ（ｖｓ、ＲＨＥ）としたときのイリジウム電極の
掃引電流応答が第４図である。これは８なるシンクロス
コープで観察した。Ａは水素の脱着反応、Ｂは酸素の吸
着反応を示す電流値、Ｂ’は酸素脱着反応、Ａ’は水素
吸着反応である。掃引回数Ｎの増加に共なつてＢ部及び
Ｂ’部が著しく増加する。一方Ａ及びＡ’は一定である
。Ａの面積（電荷量）が一定であるのでこの時のＢの増
加量を掃引回数に対しプロットしたものが第６図である
。なおＶｍｉｎ■５０７７１、Ｖ−定でＶｍａｘを変化
させたＢ／Ａ挙動を合わせてのせてある。この図からＶ
ｍａｘ■１、ＯＶ以上でないとＥＣ性を示す電極被膜Ｂ
の生長はおこらないことが明らかとなつた。
一方１．７Ｖ以上では被膜の溶出がおこり液が紫色を示
した。又一定電位に保持したのではこのような被膜形成
はおこらなかつた。第６図はＶｍａｘ■１．４Ｖに固定
しＶｍｉｎを変化させたときのＢ／Ａの変化を示したも
のである。ＶｍｉｎがＯ、４Ｖ以下でないとこのような
被膜の生長が起こらないことは明らかである。このよう
なことからＥＣ電極の製造条件は下限電位０．４■以下
、上限電位置．０Ｖ以下１．７Ｖ以下である。本発明は
このようなＥＣ電極製造の電位条件を請求したものであ
る。このようなイリジウム電極は数千回の掃引によつて
黒色と化する。その後１Ｖ１ｓｅｃの掃引を行なうとカ
ソーデイツク過程でイリジウムの金属色、アノーデイツ
ク過程で黒色の色の変化すなわち表示ができるイリジウ
ムＥＣ電極が製造できる。
した。又一定電位に保持したのではこのような被膜形成
はおこらなかつた。第６図はＶｍａｘ■１．４Ｖに固定
しＶｍｉｎを変化させたときのＢ／Ａの変化を示したも
のである。ＶｍｉｎがＯ、４Ｖ以下でないとこのような
被膜の生長が起こらないことは明らかである。このよう
なことからＥＣ電極の製造条件は下限電位０．４■以下
、上限電位置．０Ｖ以下１．７Ｖ以下である。本発明は
このようなＥＣ電極製造の電位条件を請求したものであ
る。このようなイリジウム電極は数千回の掃引によつて
黒色と化する。その後１Ｖ１ｓｅｃの掃引を行なうとカ
ソーデイツク過程でイリジウムの金属色、アノーデイツ
ク過程で黒色の色の変化すなわち表示ができるイリジウ
ムＥＣ電極が製造できる。
同様にＰｔ．．Ｒｕ．．ＲｈｌＰｄ．Ｏｓ貴金属電極で
も製造可能である。ここでは三角波掃引を行なつた結果
を示したが、く形波、くさび波等又はこれらの組み合わ
せでも同様なことが観察された。又硫酸以外の酸、中性
塩、アルカリでも同様なことが起つた。以下実施例に従
つて本発明を用いたＥＣディスプレイを説明する。実施
例１ ガラス基板上に形成された４デジット７セグメント形式
のスズネサ上にＥＢ真空蒸着によつて４００〜５００Ａ
のイリジウムを被覆した。
も製造可能である。ここでは三角波掃引を行なつた結果
を示したが、く形波、くさび波等又はこれらの組み合わ
せでも同様なことが観察された。又硫酸以外の酸、中性
塩、アルカリでも同様なことが起つた。以下実施例に従
つて本発明を用いたＥＣディスプレイを説明する。実施
例１ ガラス基板上に形成された４デジット７セグメント形式
のスズネサ上にＥＢ真空蒸着によつて４００〜５００Ａ
のイリジウムを被覆した。
このような電極を１Ｎ硫酸溶液中でＶｍａｘ＝１．５Ｖ
，．Ｖｍｉｎ＝５０ｗＬ，Ｖ１掃引速度１０Ｖ１ｓｅｃ
で三角波連続掃引を１Ｃｇ５回行なつた。イリジウム面
は黒色の被膜となつた。このような電極を用い対極に白
金被覆ガラス基板を用いセルを組み立てた。セル間にグ
リセリンニＨ２ＳＯ４＝１：１の電解液を満たし両極間
を０．５Ｖのく形波で駆動するとイリジウムＥＣ電極は
カソード過程で透明、アノード過程で黒色となつた。つ
まりカソード過程で消去、アノード過程で書き込みが行
なわれた。この時の応答速度は５０ｒｒＬｓｅｃで、コ
ントラストは１：５であつた。
，．Ｖｍｉｎ＝５０ｗＬ，Ｖ１掃引速度１０Ｖ１ｓｅｃ
で三角波連続掃引を１Ｃｇ５回行なつた。イリジウム面
は黒色の被膜となつた。このような電極を用い対極に白
金被覆ガラス基板を用いセルを組み立てた。セル間にグ
リセリンニＨ２ＳＯ４＝１：１の電解液を満たし両極間
を０．５Ｖのく形波で駆動するとイリジウムＥＣ電極は
カソード過程で透明、アノード過程で黒色となつた。つ
まりカソード過程で消去、アノード過程で書き込みが行
なわれた。この時の応答速度は５０ｒｒＬｓｅｃで、コ
ントラストは１：５であつた。
以上実施例によつて本発明を説明したが本イリジウムＥ
Ｃ電極は有機、無機を問わず酸素の関与する電気化学系
なら全て適用できることがわかつた。
Ｃ電極は有機、無機を問わず酸素の関与する電気化学系
なら全て適用できることがわかつた。
本発明によつて得られたＥＣ表示体は、時計電卓、計測
器等の表示、シャッター等の光制御装置として用いられ
る。上述の如く、本発明は、電解液中に一対の参照電極
を挿入し、イリジウム金属線を侵漬して後、該一対の参
照電極に標準水素電極電位（ＲＨＥ）の最小電位＋０．
４■以下、最大電位＋１．０〜＋１．７Ｖ以上を交互に
印加し、該最小電位と該最大電位とを連続掃引して酸化
イリジウム金属線を形成し、該酸化イリジウム金属線を
エレクトロクロミック電極としたから、電解液中の酸素
がガスとして発散されることなくイリジウム金属線に十
分吸着するので、完全な着色がみられ、この金属線を用
いたエレクトロクロミックディスプレイでは、イリジウ
ム金属線が望しい透明、着色の電極応答を示すことがで
きるものである。図面の簡単な説明第１図・・・・・・
電気化学的セル構造、第２図・・・・・・電気化学的電
子測定器及び観測系、第３図・・・・・・電位掃引波形
、第４図・・・・・・イリジウム電極の電流応答、第５
図・・・・・・掃引回数とＥＣ電極の長の関係（Ｖｍｉ
ｎ＝５０ｗ１，Ｖ一定、Ｖｍａｘパラメーター）、第６
図・・・・・・掃引回数とＥＣ電極の生長の関係（■Ｍ
ａｘ＝１．４■一定、Ｖｍｉルペラメーター）。
器等の表示、シャッター等の光制御装置として用いられ
る。上述の如く、本発明は、電解液中に一対の参照電極
を挿入し、イリジウム金属線を侵漬して後、該一対の参
照電極に標準水素電極電位（ＲＨＥ）の最小電位＋０．
４■以下、最大電位＋１．０〜＋１．７Ｖ以上を交互に
印加し、該最小電位と該最大電位とを連続掃引して酸化
イリジウム金属線を形成し、該酸化イリジウム金属線を
エレクトロクロミック電極としたから、電解液中の酸素
がガスとして発散されることなくイリジウム金属線に十
分吸着するので、完全な着色がみられ、この金属線を用
いたエレクトロクロミックディスプレイでは、イリジウ
ム金属線が望しい透明、着色の電極応答を示すことがで
きるものである。図面の簡単な説明第１図・・・・・・
電気化学的セル構造、第２図・・・・・・電気化学的電
子測定器及び観測系、第３図・・・・・・電位掃引波形
、第４図・・・・・・イリジウム電極の電流応答、第５
図・・・・・・掃引回数とＥＣ電極の長の関係（Ｖｍｉ
ｎ＝５０ｗ１，Ｖ一定、Ｖｍａｘパラメーター）、第６
図・・・・・・掃引回数とＥＣ電極の生長の関係（■Ｍ
ａｘ＝１．４■一定、Ｖｍｉルペラメーター）。
Claims (1)
- １ 電解液中に一対の参照電極を挿入し、イリジウム金
属線を浸漬して後、該一対の参照電極に標準水素電極電
位（ＲＨＥ）の最小電位＋０．４Ｖ以下、最大電位＋１
．０〜＋１．７Ｖ以上を交互に印加し、該最小電位と該
最大電位とを連続掃引して酸化イリジウム金属線を形成
し、該酸化イリジウム金属線をエレクトロクロミック電
極とする事を特徴とするエレクトロクロミック電極の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54024812A JPS6057574B2 (ja) | 1979-03-02 | 1979-03-02 | エレクトロクロミツク電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54024812A JPS6057574B2 (ja) | 1979-03-02 | 1979-03-02 | エレクトロクロミツク電極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55117130A JPS55117130A (en) | 1980-09-09 |
| JPS6057574B2 true JPS6057574B2 (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=12148595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54024812A Expired JPS6057574B2 (ja) | 1979-03-02 | 1979-03-02 | エレクトロクロミツク電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057574B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637694U (ja) * | 1986-06-28 | 1988-01-19 | ||
| JPS6316667U (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | ||
| JPS6455295U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 |
-
1979
- 1979-03-02 JP JP54024812A patent/JPS6057574B2/ja not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS=1978 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637694U (ja) * | 1986-06-28 | 1988-01-19 | ||
| JPS6316667U (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | ||
| JPS6455295U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55117130A (en) | 1980-09-09 |
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