JPS6057678A - 螢光灯電池 - Google Patents
螢光灯電池Info
- Publication number
- JPS6057678A JPS6057678A JP59055177A JP5517784A JPS6057678A JP S6057678 A JPS6057678 A JP S6057678A JP 59055177 A JP59055177 A JP 59055177A JP 5517784 A JP5517784 A JP 5517784A JP S6057678 A JPS6057678 A JP S6057678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor layer
- fluorescent lamp
- single crystal
- crystal semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水素またはハロゲン元素が添加された単結晶半
導体層中に、ＰＮ接合、ＩＩＩＮ接合、ショットキ接合
を少なくともひとつ設け、かかる接合に白色の螢光灯等
の人工光を照射してラジオ、重子時計、その他の電子機
器を動作−ヒしめる蛍光灯電池に関する。
導体層中に、ＰＮ接合、ＩＩＩＮ接合、ショットキ接合
を少なくともひとつ設け、かかる接合に白色の螢光灯等
の人工光を照射してラジオ、重子時計、その他の電子機
器を動作−ヒしめる蛍光灯電池に関する。
本発明は特にかかる蛍光灯電池において、非単結晶半導
体を透光性基板上の酸化スズまたはＩＴＯ上に設けたこ
と、さらにかかる透光性ｍｔ＆はその表面に凹凸表面が
形成されていてもよいことが４．＋Ｉ徴である。
体を透光性基板上の酸化スズまたはＩＴＯ上に設けたこ
と、さらにかかる透光性ｍｔ＆はその表面に凹凸表面が
形成されていてもよいことが４．＋Ｉ徴である。
従来、光電変換装置は一般に太陽電池と称せられている
ことより明らかなごとく、太陽光を照射して電気エネル
ギーに変換することを目的としていた。加えてかかる電
力用の発電に用いられる半導体は単結晶半導体であり、
本発明の主張する水素またはハロゲン元素が添加された
非ｉ１１結晶半導体とはまった（その結晶構造も＋１・
）性も異なっていた。
ことより明らかなごとく、太陽光を照射して電気エネル
ギーに変換することを目的としていた。加えてかかる電
力用の発電に用いられる半導体は単結晶半導体であり、
本発明の主張する水素またはハロゲン元素が添加された
非ｉ１１結晶半導体とはまった（その結晶構造も＋１・
）性も異なっていた。
本発明は単結晶半導体を用いるのではなく、非単結晶半
導体を用いることにより、充電変換をする半導体層の厚
さを単結晶半導体の２００〜４００μの厚さではなく、
１μまたはそれ以下の厚さとした。さらに水素またはハ
ロケン元素を添加したため、光学的工矛ルギバンド中が
単結晶半導体（珪素）の１．１ｅＶより太きく１．５〜
２，５ｅνを有している。このため、太陽のごとく赤色
が強い光ではなく短波長光に対して特に優れている。そ
の結果、本発明に示す白色螢光灯等の人工の光を用いる
発光灯電池がきわめて有効であることが判明した。
導体を用いることにより、充電変換をする半導体層の厚
さを単結晶半導体の２００〜４００μの厚さではなく、
１μまたはそれ以下の厚さとした。さらに水素またはハ
ロケン元素を添加したため、光学的工矛ルギバンド中が
単結晶半導体（珪素）の１．１ｅＶより太きく１．５〜
２，５ｅνを有している。このため、太陽のごとく赤色
が強い光ではなく短波長光に対して特に優れている。そ
の結果、本発明に示す白色螢光灯等の人工の光を用いる
発光灯電池がきわめて有効であることが判明した。
さらに本発明は１μまたはそれ以下の薄さの半導体を基
板」二特に好ましくは凹凸表向を有する基板上に形成す
るため、キャリアガスをまったく用いぬ、また実質的に
用いぬ程度とした反応系を利用している。この代表的な
ものが減圧気相法である。
板」二特に好ましくは凹凸表向を有する基板上に形成す
るため、キャリアガスをまったく用いぬ、また実質的に
用いぬ程度とした反応系を利用している。この代表的な
ものが減圧気相法である。
しかし減圧気相法は単に反応容器内を減圧下としたこと
のみを特徴としている。このため減圧の程度を強＜ １
ｍｍ１＋ｇ程度とすると、反応生成物の基板上への被膜
成長速度が著しく少なくなる。本発明は反応容器内の圧
力を０．０１〜１０ｔｏｒｒとし、加えて容器内は実質
的に反応性気体のめ、またはそれと添加物のみとしたこ
とを特徴としている。加えて半導体被膜での半導体特性
をさらに強くするため、水素またハロゲン元素を０．１
−２００ Ｔニル％半導体被股中に添加したことを第２
の特徴としζいる。
のみを特徴としている。このため減圧の程度を強＜ １
ｍｍ１＋ｇ程度とすると、反応生成物の基板上への被膜
成長速度が著しく少なくなる。本発明は反応容器内の圧
力を０．０１〜１０ｔｏｒｒとし、加えて容器内は実質
的に反応性気体のめ、またはそれと添加物のみとしたこ
とを特徴としている。加えて半導体被膜での半導体特性
をさらに強くするため、水素またハロゲン元素を０．１
−２００ Ｔニル％半導体被股中に添加したことを第２
の特徴としζいる。
本発明は光電変換素子を非単結晶半導体で作製すること
を特長としており、かかる非単結晶半２０体は多少の局
部応力を加えても信頼性」二の異常またはストレス敏感
性を有していないという実験事実、および少なくとも本
発明方法を用いる限りにおいて、被形成面を有する基板
は必ずしも５Ｉ・川面である必要をめられていないとい
う事実に基一つく。
を特長としており、かかる非単結晶半２０体は多少の局
部応力を加えても信頼性」二の異常またはストレス敏感
性を有していないという実験事実、および少なくとも本
発明方法を用いる限りにおいて、被形成面を有する基板
は必ずしも５Ｉ・川面である必要をめられていないとい
う事実に基一つく。
以下にその実施例を図面に従つ−Ｃ説明する。
第１図は本発明の発光灯電池に用いる場合の１９３作原
理を示したものである。
理を示したものである。
即ち第１図（八）は半導体層（１）の透光性基板例えば
ガラス、サファイア（３）上に導電性被膜（２）例えば
酸化スズ（Ｓｎ（１） ）、ＩＴＯを形成し、さらにこ
の上側に水素またはノ＼１：Ｊケン元素が添加された半
導体層（１）を形成したものである。この半導体層は、
ＭＩＮ （金属−真性半導体−Ｎ型半導体）のショット
キ接合の構造であっても、ｆ）ＩＮ（Ｐ型半導体−真性
半導体−Ｎ型半導体）接合構造またはＰＮ接合であって
も、さらにまたはこれらを多重にした接合であってもよ
い。それは本発明の目的を満たし、即ち、最も光−電気
変換効率（η）が大きく、がっ製造のしやすさとの兼ね
合いで決めればよい。
ガラス、サファイア（３）上に導電性被膜（２）例えば
酸化スズ（Ｓｎ（１） ）、ＩＴＯを形成し、さらにこ
の上側に水素またはノ＼１：Ｊケン元素が添加された半
導体層（１）を形成したものである。この半導体層は、
ＭＩＮ （金属−真性半導体−Ｎ型半導体）のショット
キ接合の構造であっても、ｆ）ＩＮ（Ｐ型半導体−真性
半導体−Ｎ型半導体）接合構造またはＰＮ接合であって
も、さらにまたはこれらを多重にした接合であってもよ
い。それは本発明の目的を満たし、即ち、最も光−電気
変換効率（η）が大きく、がっ製造のしやすさとの兼ね
合いで決めればよい。
第１図はこの半導体層（１）の上側に電極（４）を設け
ている。光は（５）で左側より入射させている。この図
面は透光性基板を用いているが、本発明はかかる発光灯
電池（白色の螢光灯等の人工の光を電気に変換すること
によりラジオ、電子時計その他の電子機器を動作せしめ
る電池）である。
ている。光は（５）で左側より入射させている。この図
面は透光性基板を用いているが、本発明はかかる発光灯
電池（白色の螢光灯等の人工の光を電気に変換すること
によりラジオ、電子時計その他の電子機器を動作せしめ
る電池）である。
かかるセルまたは電池特に発光灯電池にあっては、平坦
電池は必ずしも好ましい形であるとはいえず、第１図（
Ａ）の構造を利用した本発明構造即ち第３図（Ａ）がそ
の形状を考えた時きわめて商品価値が高いことがゎがる
。それはラジオ、７Ｉｉ子時計等の外形ケースを作製し
た後、Ｒ核的なストレスはケースである基板が保護し、
がっ光−電気変換はその容器の一部またはすべての而を
受光面とすることができるからである。
電池は必ずしも好ましい形であるとはいえず、第１図（
Ａ）の構造を利用した本発明構造即ち第３図（Ａ）がそ
の形状を考えた時きわめて商品価値が高いことがゎがる
。それはラジオ、７Ｉｉ子時計等の外形ケースを作製し
た後、Ｒ核的なストレスはケースである基板が保護し、
がっ光−電気変換はその容器の一部またはすべての而を
受光面とすることができるからである。
第１図（Ｂ）は、基板（３）上に下側電極（２）。
半導体層（１）、上側電極（４）を設＋）でいる。上側
電極はクシ型、魚骨型等をさせるごとにより光の吸収と
電気的導電率の向上を計った。
電極はクシ型、魚骨型等をさせるごとにより光の吸収と
電気的導電率の向上を計った。
第１図（Ｂ）は例えば電燈のかさ等に用いることが可能
である。その−例を第３図（Ｂ）に示しである。これは
電燈、螢光灯の保護ケースの一部に光電変換電池を設け
たもの、例えば電燈の上側ケースの内側に設けたもので
ある。かかる場合中央部に穴をあけておく必要がある。
である。その−例を第３図（Ｂ）に示しである。これは
電燈、螢光灯の保護ケースの一部に光電変換電池を設け
たもの、例えば電燈の上側ケースの内側に設けたもので
ある。かかる場合中央部に穴をあけておく必要がある。
またかかる使用法により１００νとは異なった電圧をｆ
ｆ？ｉ車に引き出すことができる。このためトランス等
を用いることなく低電圧を発生さ一部、ラジオ、カリ・
トユレイタ等の充電器として利用することも可能であり
、またかかる電気を用いて連続光とは異なる光例えば赤
、緑等の特定波長の光を発光ざ−Ｕる光光素了に電気的
に連結してもよい。
ｆ？ｉ車に引き出すことができる。このためトランス等
を用いることなく低電圧を発生さ一部、ラジオ、カリ・
トユレイタ等の充電器として利用することも可能であり
、またかかる電気を用いて連続光とは異なる光例えば赤
、緑等の特定波長の光を発光ざ−Ｕる光光素了に電気的
に連結してもよい。
第１図（Ａ）及び（Ｂ）の半導体層の構造は、不発門人
の出願による特願昭５３−−０８６８６７、特願昭５３
−０８６８６８ （昭和５３年７月１７日出１頭）の「
光電変換半導体装置およびその作製方法」に記載された
ものと同様である。
の出願による特願昭５３−−０８６８６７、特願昭５３
−０８６８６８ （昭和５３年７月１７日出１頭）の「
光電変換半導体装置およびその作製方法」に記載された
ものと同様である。
第２図は本発明の少なくとも一部が凹凸状をした基板に
半導体層を設けた蛍光灯電池を作製するための装置であ
る。図面に従ってその実施例を説明する。図面において
凹凸型をした基板（２１）はホルダー（２２）上に設置
され、かつ不要部を（２３）により遮蔽している。この
基板を反応炉（２４）内に設置した。反応性気体はく２
８）がシランのごとき珪化物気体、（２９）はメタンの
如き炭化物気体、（３０）はジボランのごときＰ型の導
電型を呈し得る不純物、（３１）はフメスヒン、アルソ
ンのごときＮ型の導電性を呈する不純物を導入する。（
３５）は反応の前後に反応炉内をパージする不活性気体
である。これらは入り口（２７）よりマイクロ波を用い
た励起系（エキサイタ＞（２６）を経て、反応炉（２４
）に導入される。マイクロ波は１〜１０ＧＩｌｚ例えば
２．４６ＧＨｚの周波数を用い、反応性気体の化学的活
性化、分解または反応をさせ、プラズマ状態を呈してい
る。珪素中に炭素が混入し、炭化珪素５ｉｘＣ＋−×（
０≦ｘ〈１）が形成された場合は、コニ不ルギギャソプ
は１．５ｅＶより大きり１．７〜３．５ ｅＶの間の任
意の値をＸの値を変えることにより得ることができる。
半導体層を設けた蛍光灯電池を作製するための装置であ
る。図面に従ってその実施例を説明する。図面において
凹凸型をした基板（２１）はホルダー（２２）上に設置
され、かつ不要部を（２３）により遮蔽している。この
基板を反応炉（２４）内に設置した。反応性気体はく２
８）がシランのごとき珪化物気体、（２９）はメタンの
如き炭化物気体、（３０）はジボランのごときＰ型の導
電型を呈し得る不純物、（３１）はフメスヒン、アルソ
ンのごときＮ型の導電性を呈する不純物を導入する。（
３５）は反応の前後に反応炉内をパージする不活性気体
である。これらは入り口（２７）よりマイクロ波を用い
た励起系（エキサイタ＞（２６）を経て、反応炉（２４
）に導入される。マイクロ波は１〜１０ＧＩｌｚ例えば
２．４６ＧＨｚの周波数を用い、反応性気体の化学的活
性化、分解または反応をさせ、プラズマ状態を呈してい
る。珪素中に炭素が混入し、炭化珪素５ｉｘＣ＋−×（
０≦ｘ〈１）が形成された場合は、コニ不ルギギャソプ
は１．５ｅＶより大きり１．７〜３．５ ｅＶの間の任
意の値をＸの値を変えることにより得ることができる。
反応性気体はかかるエキサイタにて励起、分解または反
応するため、反応炉内では被形成面は必ずしも平坦であ
る必要がないことは実験的にわかった。さらにこのエキ
サイタ（２６と反応炉（２４）は０．０１〜１ＯｔＯｒ
ｒに減圧され、活性状態の反応生成物は１〜１０ Ｍ
Ｉｔ ｚの周波数の高周波エネルギ（２５）によりさら
に活性になって凹凸状の基板面に付着し被膜化する。減
圧の程度は真空ポンプ（３４）とその前段の二−ドルノ
＼ルブ（３３）により一定圧力に設定することはＩｊＪ
能である。
応するため、反応炉内では被形成面は必ずしも平坦であ
る必要がないことは実験的にわかった。さらにこのエキ
サイタ（２６と反応炉（２４）は０．０１〜１ＯｔＯｒ
ｒに減圧され、活性状態の反応生成物は１〜１０ Ｍ
Ｉｔ ｚの周波数の高周波エネルギ（２５）によりさら
に活性になって凹凸状の基板面に付着し被膜化する。減
圧の程度は真空ポンプ（３４）とその前段の二−ドルノ
＼ルブ（３３）により一定圧力に設定することはＩｊＪ
能である。
反応性気体は珪化物としてシランを用いたが、ジクロー
ルシラン（Ｓ ｉＨＬｃ Ｉｔ）、トリクロールシラン
（ＳｉｌｌＣＩ７）、四塩化珪素（ＳｔＣＩ、 ）であ
ってもよく、炭化物としてメタン（Ｃ１１，）のめでは
なくプロノマン（Ｃ，）ｌ、）等その他の炭化水素であ
ってもよい。
ルシラン（Ｓ ｉＨＬｃ Ｉｔ）、トリクロールシラン
（ＳｉｌｌＣＩ７）、四塩化珪素（ＳｔＣＩ、 ）であ
ってもよく、炭化物としてメタン（Ｃ１１，）のめでは
なくプロノマン（Ｃ，）ｌ、）等その他の炭化水素であ
ってもよい。
またこの炭化物を用いなくてもこのかわりに窒化物とし
てアンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎｚｌ１４）を
用いてもよい。パージ用の不活性気体（３５）は一般に
価格面より安価な窒素を用いたが、半導体層を基板上に
形成してしまった後、さらにこの半導体中の活性水素を
添加することにより半導体層中の不対結合手を中和、除
去するためこの（３５）より水素（ｌｌｚ）を導入して
もよい。かくのごとき水素の誘導アニールにより半導体
層中には１０〜５０原子％の水素が添加できた。この水
素の代わりにハロゲン元素を添加しても不対結合手の中
和・除去に効果があった。この誘導アニールは、温度は
珪素にあっては２５０℃以下、炭化珪素にあっては３５
０℃以下であることが好ましく、これらの温度以上では
添加された水素が再放出され、Ｓｉ Ｈ結合、（、−Ｈ
結合がとれてしまう傾向があった。
てアンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎｚｌ１４）を
用いてもよい。パージ用の不活性気体（３５）は一般に
価格面より安価な窒素を用いたが、半導体層を基板上に
形成してしまった後、さらにこの半導体中の活性水素を
添加することにより半導体層中の不対結合手を中和、除
去するためこの（３５）より水素（ｌｌｚ）を導入して
もよい。かくのごとき水素の誘導アニールにより半導体
層中には１０〜５０原子％の水素が添加できた。この水
素の代わりにハロゲン元素を添加しても不対結合手の中
和・除去に効果があった。この誘導アニールは、温度は
珪素にあっては２５０℃以下、炭化珪素にあっては３５
０℃以下であることが好ましく、これらの温度以上では
添加された水素が再放出され、Ｓｉ Ｈ結合、（、−Ｈ
結合がとれてしまう傾向があった。
反応炉中の温度は室ａＬ〜３５０℃を用いた。もちろん
室温〜５００℃であってもよい。しかし基板に対する温
度制御が材料制限をもたらすため室温〜３００℃が実用
的に好ましかった。
室温〜５００℃であってもよい。しかし基板に対する温
度制御が材料制限をもたらすため室温〜３００℃が実用
的に好ましかった。
反応生成物は反応炉内の圧力との関係で決められるが、
被膜の厚さはそれ以上の厚い層にまで均質に形成するこ
とができた。半導体被膜の成長速度は、１０人／分〜１
μ／分であり、それは圧力を０．０１〜１Ｑｔｏｒｒと
変えることにより、またエキサイタのマイクロ波エネル
ギまたは反応炉の高周波エネルギをＪｌｉ１節すること
により実施できた。
被膜の厚さはそれ以上の厚い層にまで均質に形成するこ
とができた。半導体被膜の成長速度は、１０人／分〜１
μ／分であり、それは圧力を０．０１〜１Ｑｔｏｒｒと
変えることにより、またエキサイタのマイクロ波エネル
ギまたは反応炉の高周波エネルギをＪｌｉ１節すること
により実施できた。
本発明方法で重要な特徴は第１に反応炉が減圧であるた
め反応性気体または反応生成物の平均自由工程が大きく
、そのため凹部の内部にまでも十分に飛翔し得ること、
また反応炉に前置してエキサイタを設けたため、反応性
気体が互いに完全に混合し、化学量論的に均質な反応生
成物ができること、また第２にその反応性気体またはエ
ネルギ的にきわめて高く励起された状態であるため、基
板の凹凸が０．１〜１μのごとき細かいあらさのめなら
ず１０μまたはそれ以上特に容器状をしていてもあらゆ
る部分の表面に均一に被膜化すること、さらに第３に基
板そのものを抵抗加熱等で加熱させるため基板の表面の
温度に対しての被膜化の温度は鈍感であり、かつ基板の
温度が室温〜２００℃または３５０℃であるため基板の
各部の表面の温度が不均一になりにくく、その結果、被
膜の膜厚の不均一さを助長しない。第４に第２図は横型
反応炉で示したが、これば縦型であってもまたは基板を
移動し得る可動式の連続炉であっても作製可能であり、
換言すれば反応性気体の入り口側に被膜が多量に形成さ
れ、その裏面には少しも形成させないことが可能である
。
め反応性気体または反応生成物の平均自由工程が大きく
、そのため凹部の内部にまでも十分に飛翔し得ること、
また反応炉に前置してエキサイタを設けたため、反応性
気体が互いに完全に混合し、化学量論的に均質な反応生
成物ができること、また第２にその反応性気体またはエ
ネルギ的にきわめて高く励起された状態であるため、基
板の凹凸が０．１〜１μのごとき細かいあらさのめなら
ず１０μまたはそれ以上特に容器状をしていてもあらゆ
る部分の表面に均一に被膜化すること、さらに第３に基
板そのものを抵抗加熱等で加熱させるため基板の表面の
温度に対しての被膜化の温度は鈍感であり、かつ基板の
温度が室温〜２００℃または３５０℃であるため基板の
各部の表面の温度が不均一になりにくく、その結果、被
膜の膜厚の不均一さを助長しない。第４に第２図は横型
反応炉で示したが、これば縦型であってもまたは基板を
移動し得る可動式の連続炉であっても作製可能であり、
換言すれば反応性気体の入り口側に被膜が多量に形成さ
れ、その裏面には少しも形成させないことが可能である
。
これらの多（の特長を実験的に得たために本発明構想の
半導体装置が発明されたものである。もちろん本発明で
いう均一度とは膜厚のばらつきが一般に±５％以内であ
り、電気的特性が被膜の不均一さを考慮しなくてよい程
度であることを意味する。
半導体装置が発明されたものである。もちろん本発明で
いう均一度とは膜厚のばらつきが一般に±５％以内であ
り、電気的特性が被膜の不均一さを考慮しなくてよい程
度であることを意味する。
以上のごとく、減圧気相法またはプラズマ気相法は反応
炉中の圧力により反応炉内にグロー放電が発生しグロー
放電法ということもできる。
炉中の圧力により反応炉内にグロー放電が発生しグロー
放電法ということもできる。
第３図は本発明の半導体装置の実施例である。
（Ａ＞、（Ｂ）は第１図の（Ａ）、＜Ｂ）において示し
た通りであり、（４３）より光が照射されている。
た通りであり、（４３）より光が照射されている。
第３図（Ｂ）は基板（４１）の−上面の高低差（４４）
が１μ以上例えば１ ｎｔｍ以上を有している。
が１μ以上例えば１ ｎｔｍ以上を有している。
かかる凹凸の表面上に半導体層（４２）を形成さゼたも
のである。
のである。
第３図（Ｃ）、＜ Ｄ ）は容器状をしており、その一
部には穴があいた構造である。室内の置き時、１１１等
がその一例である。
部には穴があいた構造である。室内の置き時、１１１等
がその一例である。
以下に本発明の螢光灯電池の具体例を示し、本発明を補
充する。
充する。
具体例１
基板としてガラス′（厚さ１．１ｍｍ ）を用いて、こ
の上面に酸化スズを形成せしめ、さらに第２図に示した
プラズマ気相装置によりＰＩＮ接合を有する水素が添加
された非単結晶半導体を形成した。この時Ｐ型の非単結
晶半導体は炭化珪素（ｊＶさ１５０人）とした。さらに
Ｉ型半導体はギヤリアガスをまったく用いず１００％の
濃度のシランを用いて厚さは０．７μとした。さらにＮ
型の非単結晶半導体はＰＨ３／ＳｉＨ，＝ １％として
、５００人の厚さに積層した。裏面電極はアルミニュー
ムとした。非単結晶半導体の形成における反応条件は、
基板温度２１０℃、高周波出力３．５Ｍ）ｌｚ、圧力Ｑ
、１ｔｏｒｒ 、被膜成長速度９０人／分であった。得
られた特性は、白色螢光打丁３００Ｌｘの照射にて、開
放電圧０．６ｖ、短絡電流２０μ八１５曲線因子０．４
８、変換効率３．７％であった。
の上面に酸化スズを形成せしめ、さらに第２図に示した
プラズマ気相装置によりＰＩＮ接合を有する水素が添加
された非単結晶半導体を形成した。この時Ｐ型の非単結
晶半導体は炭化珪素（ｊＶさ１５０人）とした。さらに
Ｉ型半導体はギヤリアガスをまったく用いず１００％の
濃度のシランを用いて厚さは０．７μとした。さらにＮ
型の非単結晶半導体はＰＨ３／ＳｉＨ，＝ １％として
、５００人の厚さに積層した。裏面電極はアルミニュー
ムとした。非単結晶半導体の形成における反応条件は、
基板温度２１０℃、高周波出力３．５Ｍ）ｌｚ、圧力Ｑ
、１ｔｏｒｒ 、被膜成長速度９０人／分であった。得
られた特性は、白色螢光打丁３００Ｌｘの照射にて、開
放電圧０．６ｖ、短絡電流２０μ八１５曲線因子０．４
８、変換効率３．７％であった。
本発明において基板はガラス、セラミックス、金属板等
の固い材料であるものがその代表的な例である。しかし
ポリイミド樹脂等の可曲性基板であってもよいことはい
うまでもない。また弾力性を有する基板であってもよい
。
の固い材料であるものがその代表的な例である。しかし
ポリイミド樹脂等の可曲性基板であってもよいことはい
うまでもない。また弾力性を有する基板であってもよい
。
なお本発明で意味する非単結晶半導体材料は単に珪素、
炭化珪素のみではなく、その他の化合物半導体であって
もよい。
炭化珪素のみではなく、その他の化合物半導体であって
もよい。
本発明の特徴は凹凸の基板表面の一部または全部に非単
結晶半導体の層を設け、かかる層を用いて光電変換素子
を設けたもので、１００ｖの商用電圧源より１．５〜６
ｖの所定の低電圧を！−ランスを用いずに発生させるこ
とができた。さらにそれを利用面に例えば凹状のケース
の内側に密着して光電変換素子を設けることを特徴とし
ている。
結晶半導体の層を設け、かかる層を用いて光電変換素子
を設けたもので、１００ｖの商用電圧源より１．５〜６
ｖの所定の低電圧を！−ランスを用いずに発生させるこ
とができた。さらにそれを利用面に例えば凹状のケース
の内側に密着して光電変換素子を設けることを特徴とし
ている。
第１図は本発明を実施するための光電変換装置の実施例
である。 第２図は本発明の半導体装置の作製方法を示−Ｊ反応系
である。 第３図は本発明の螢光灯電池の実施例である。
である。 第２図は本発明の半導体装置の作製方法を示−Ｊ反応系
である。 第３図は本発明の螢光灯電池の実施例である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上の被形成面上に水素またはハロゲン元素が添
加された非単結晶半導体層を設け、該半導体層に照射さ
れた白色の螢光灯等の人工の光を電気に変換し、ラジオ
、重子時計、その他の電子機器に前記半導体層に設けら
れた電極を接続して動作せしめることを特徴とした蛍光
灯電池。 ２、特許請求の範囲第１項において、非単結晶半導体層
は透光性基板上に酸化スズまたはＩＴＯのごとき導電性
被膜を設け、この上面にショットキ接合、ＰＩＮ接合、
ＰＮ接合またはこれらを多重にした接合を設けたことを
特徴とした蛍光灯電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055177A JPS6057678A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 螢光灯電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055177A JPS6057678A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 螢光灯電池 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2217479A Division JPS55115376A (en) | 1979-02-26 | 1979-02-26 | Semiconductor device and manufacturing thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057678A true JPS6057678A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=12991439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59055177A Pending JPS6057678A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 螢光灯電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057678A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344540U (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128777B1 (ja) * | 1969-01-23 | 1976-08-21 | ||
| JPS5337718A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-07 | Asahi Glass Co Ltd | Laminated glass with heating wire incorporated therein |
| JPS5342693A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Rca Corp | Semiconductor device including amorphous silicone layer |
| JPS53143180A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-13 | Energy Conversion Devices Inc | Amorphous semiconductor structure and method of producing same |
| JPS5347333B2 (ja) * | 1972-04-06 | 1978-12-20 | ||
| JPS5425187A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-24 | Rca Corp | Photoelectric semiconductor |
| JPS55115376A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-05 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device and manufacturing thereof |
| JPS56152276A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Teijin Ltd | Solar cell made of amorphous silicon thin film |
-
1984
- 1984-03-21 JP JP59055177A patent/JPS6057678A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128777B1 (ja) * | 1969-01-23 | 1976-08-21 | ||
| JPS5347333B2 (ja) * | 1972-04-06 | 1978-12-20 | ||
| JPS5337718A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-07 | Asahi Glass Co Ltd | Laminated glass with heating wire incorporated therein |
| JPS5342693A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Rca Corp | Semiconductor device including amorphous silicone layer |
| JPS53143180A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-13 | Energy Conversion Devices Inc | Amorphous semiconductor structure and method of producing same |
| JPS5425187A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-24 | Rca Corp | Photoelectric semiconductor |
| JPS55115376A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-05 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device and manufacturing thereof |
| JPS56152276A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Teijin Ltd | Solar cell made of amorphous silicon thin film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344540U (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4959106A (en) | Photovoltaic element with a semiconductor layer comprising non-single crystal material containing at least ZN, SE and H in an amount of 1 to 4 atomic % | |
| JP3571785B2 (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| CN103718276B (zh) | 使氢化非晶硅和非晶氢化硅合金稳定化的方法 | |
| AU610231B2 (en) | Pin junction photovoltaic element having I-type semiconductor layer comprising non-single crystal material containing at least Zn, Se and H in an amount of 1 to 40 atomic per cent | |
| US5006180A (en) | Pin heterojunction photovoltaic elements with polycrystal GaP (H,F) semiconductor film | |
| US5007971A (en) | Pin heterojunction photovoltaic elements with polycrystal BP(H,F) semiconductor film | |
| ES532535A0 (es) | Procedimiento para depositar un material transparente electricamente aislante sobre un dispositivo fotovoltaico | |
| US20100258169A1 (en) | Pulsed plasma deposition for forming microcrystalline silicon layer for solar applications | |
| US5002618A (en) | Pin heterojunction photovoltaic elements with polycrystal BAs(H,F) semiconductor film | |
| US4926229A (en) | Pin junction photovoltaic element with P or N-type semiconductor layer comprising non-single crystal material containing Zn, Se, H in an amount of 1 to 4 atomic % and a dopant and I-type semiconductor layer comprising non-single crystal Si(H,F) material | |
| US6503771B1 (en) | Semiconductor photoelectrically sensitive device | |
| JP2000208800A (ja) | 太陽電池及びそれを用いた自己電力供給型表示素子、並びに太陽電池の製造方法 | |
| US5002617A (en) | Pin heterojunction photovoltaic elements with polycrystal AlAs(H,F) semiconductor film | |
| AU629187B2 (en) | Pin junction photovoltaic element with P or N-type semiconductor layer comprising a non-single crystal material containing Zn,Se,Te,H in an amount of 1 to 4 atomic per cent and a dopant and I-type semiconductor layer comprising non-single crystal SI(H,F) material | |
| US6432521B1 (en) | Group III-V compound semiconductor, and semiconductor device using the compound semiconductor | |
| JPS6057678A (ja) | 螢光灯電池 | |
| AU614724B2 (en) | Process for the passivation of electrically conductive material in a plasma | |
| US7038238B1 (en) | Semiconductor device having a non-single crystalline semiconductor layer | |
| JP2573146B2 (ja) | 光電変換半導体装置の製造方法 | |
| JP3181121B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPS57187973A (en) | Solar cell | |
| JP3255903B2 (ja) | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 | |
| JP2810529B2 (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JP2757896B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH04192373A (ja) | 光起電力素子 |