JPS5852827A - ドライエツチング方法および装置 - Google Patents
ドライエツチング方法および装置Info
- Publication number
- JPS5852827A JPS5852827A JP56150618A JP15061881A JPS5852827A JP S5852827 A JPS5852827 A JP S5852827A JP 56150618 A JP56150618 A JP 56150618A JP 15061881 A JP15061881 A JP 15061881A JP S5852827 A JPS5852827 A JP S5852827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- gas
- reaction tank
- reaction
- ultraviolet rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
- H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/30—Diffusion for doping of conductive or resistive layers
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製１ＩＩＫ利用されるホ） １ノ
グラフイエ＠ｒおいて、ホトレジスト＠’９（トライエ
ツチングする方法および七の装置に関するものである。
グラフイエ＠ｒおいて、ホトレジスト＠’９（トライエ
ツチングする方法および七の装置に関するものである。
従来、手導体基板等の表面に塗布したホトレジストｔエ
ツチングする方法として、酸素ガス會尚周波電力により
放電し、得られた活性酸素、例えば０．．０．０−等？
ホトレジストに接触嘔ゼてホトレジストの０−ｏ結合あ
るいはｏｎ＠合【００ 、００１ 、 ＨｍＯ等の反応
生成−に変えるようにした所謂ドライエツチング方式が
行なわれている。菖ｔｇはこの方式を行なうための通称
アッシャと呼ばれる装置であり、反応管兼放電管１に設
置した治具２Ｖｃ試料３％−軟荷し、下部より反応管内
にガス會導入４し、上部よシガ溝の排出ｓｔ行ない、電
極板６．６に高屑波電運７からの電力を供給して反応管
１内のガス會放電ゼしめ、活性な＃を単分子や原子上生
成して試料表面のホトレジスト會除去するように表って
いる。
ツチングする方法として、酸素ガス會尚周波電力により
放電し、得られた活性酸素、例えば０．．０．０−等？
ホトレジストに接触嘔ゼてホトレジストの０−ｏ結合あ
るいはｏｎ＠合【００ 、００１ 、 ＨｍＯ等の反応
生成−に変えるようにした所謂ドライエツチング方式が
行なわれている。菖ｔｇはこの方式を行なうための通称
アッシャと呼ばれる装置であり、反応管兼放電管１に設
置した治具２Ｖｃ試料３％−軟荷し、下部より反応管内
にガス會導入４し、上部よシガ溝の排出ｓｔ行ない、電
極板６．６に高屑波電運７からの電力を供給して反応管
１内のガス會放電ゼしめ、活性な＃を単分子や原子上生
成して試料表面のホトレジスト會除去するように表って
いる。
ところで、高周波電力による放電で発生した活性酸素分
子や原子でホトレジストｉ除去するこの方法では、試料
【高周波電場内に置いているために電場内で加速ちれた
電子やイオンにより試料表面が衝撃會受け、試料の累子
特性に悪影４１に及ぼ丁ことが多い。また、高周波電力
の放電により得られ友プラズマは励起状態の０１分子、
０３−イオン、０腺子岬檀々の化学種が存在しているた
め、ホトレジスト除去に除しての化学反応は極めて複雑
なものとなる。したがって、これらが原因となって従来
のドライエツチングでは解債性が必ずしも良好で、ない
という間Ｎが生じてｂる。
子や原子でホトレジストｉ除去するこの方法では、試料
【高周波電場内に置いているために電場内で加速ちれた
電子やイオンにより試料表面が衝撃會受け、試料の累子
特性に悪影４１に及ぼ丁ことが多い。また、高周波電力
の放電により得られ友プラズマは励起状態の０１分子、
０３−イオン、０腺子岬檀々の化学種が存在しているた
め、ホトレジスト除去に除しての化学反応は極めて複雑
なものとなる。したがって、これらが原因となって従来
のドライエツチングでは解債性が必ずしも良好で、ない
という間Ｎが生じてｂる。
したかつて本発明の目的は、窒素酸化物に紫外脚管吸収
８＜てこれｔ分解することにより励起状態の酸素原子を
生成し、この原子によシホトレジストｒ分房除云するよ
う（構成することＫよシ、高周波電場内に試料音量くこ
とを不要として電子やイオンによる衝撃を防止するとと
もにホトレジストの化学反Ｇｋ単純化して処理の効率’
に＋％めることができるドライエツチング方法およびそ
の装置を提供することにある。
８＜てこれｔ分解することにより励起状態の酸素原子を
生成し、この原子によシホトレジストｒ分房除云するよ
う（構成することＫよシ、高周波電場内に試料音量くこ
とを不要として電子やイオンによる衝撃を防止するとと
もにホトレジストの化学反Ｇｋ単純化して処理の効率’
に＋％めることができるドライエツチング方法およびそ
の装置を提供することにある。
以下、本発明會図示の実施例により説明する。
銅２図は本発明の一実施例を示し、先ず実施例装置ｔｉ
明し、次［ヤの作用と共ｒ本発明方法を駅間する。この
ドライエツチング装置１０は、内ｓに試料台１２ｔ−設
置できるガラス製の反応槽１１を肩し、反応槽１１の上
部にはガス源１３を肩するガス供給装置１４ｔ−接続し
て開口１５から槽内［Ｎ Ｏ雪ガスを流入さゼる一方、
檜の下部には排出器１６と圧力ｖ４整器１７とｔ１！す
るガス排気装置１ｓｔ接続して開口１９からガスを排気
させる。
明し、次［ヤの作用と共ｒ本発明方法を駅間する。この
ドライエツチング装置１０は、内ｓに試料台１２ｔ−設
置できるガラス製の反応槽１１を肩し、反応槽１１の上
部にはガス源１３を肩するガス供給装置１４ｔ−接続し
て開口１５から槽内［Ｎ Ｏ雪ガスを流入さゼる一方、
檜の下部には排出器１６と圧力ｖ４整器１７とｔ１！す
るガス排気装置１ｓｔ接続して開口１９からガスを排気
させる。
また、餉記槽１１内の上方には一対の凹面＠２０．２１
１１一対問するように配置し、一方の凹面鏡２０には槽
外に設けた紫外＠９２２からの紫外＠２３ｋｆｔ７＠射
δゼるようにしている。この場合、紫外線２３か榴１１
１）！ｌ過する槽の一部には、紫外鮨を良好に透過嘔ゼ
るように石英等にて形成した窓１１＆全形成している。
１１一対問するように配置し、一方の凹面鏡２０には槽
外に設けた紫外＠９２２からの紫外＠２３ｋｆｔ７＠射
δゼるようにしている。この場合、紫外線２３か榴１１
１）！ｌ過する槽の一部には、紫外鮨を良好に透過嘔ゼ
るように石英等にて形成した窓１１＆全形成している。
図中、３は試料としての牛導体ウェーハであるう
以上の１１Ｉ故によれば、本発明のドライエツチングは
ガス供給装置１４とガス排気装［１１８會共に作動毛ゼ
て反応槽１１内Ｋ １１０．ガスを通流さゼる一方で紫
外＃＃２２から凹面鏡２０に紫外ｍｔ−照射することに
より行なわれる。即ち、紫外線は凹面１１１２０，２１
［よって複数回反射場れるため、凹面鏡関會通渡するＭ
Ｏ，ガスは館外＃が単に照射もれるより４効率よく励起
、分解され高濃度の活性＊素が祷られる。
ガス供給装置１４とガス排気装［１１８會共に作動毛ゼ
て反応槽１１内Ｋ １１０．ガスを通流さゼる一方で紫
外＃＃２２から凹面鏡２０に紫外ｍｔ−照射することに
より行なわれる。即ち、紫外線は凹面１１１２０，２１
［よって複数回反射場れるため、凹面鏡関會通渡するＭ
Ｏ，ガスは館外＃が単に照射もれるより４効率よく励起
、分解され高濃度の活性＊素が祷られる。
ｈγ（λ＝２４５０〜３７５０ム）
ＭＯＩ 、 ＭＯ＋０（３Ｆ）セし
て、この活性な酸素は試ＩＰ＋ａＷ面のホトレジスト【
構成するＯ−０結合やＯ−Ｂ＠合ｔアタックし、これら
ｔ分解して最終的にはｏｏ 、 ｏｏ、 。
て、この活性な酸素は試ＩＰ＋ａＷ面のホトレジスト【
構成するＯ−０結合やＯ−Ｂ＠合ｔアタックし、これら
ｔ分解して最終的にはｏｏ 、 ｏｏ、 。
ＨＩＯ等の反応生成物とする。この結果、ホトレジスト
は除去もれ、ドライエツチングが完成されるのである。
は除去もれ、ドライエツチングが完成されるのである。
したがつ、て、以上駅間した本発明によれば、試料には
高周波電界會影響させないので試料基板（牛導体ウェー
／−）ＶＣ電子やイオンの衝撃を生じさせることはなく
基板の電気的特性に悪影響を及ぼさ々い、また、ホトレ
ジストの分解は活、性酸素のみで行なうためその分解反
応管単純なものとすることもできる。更に高周波放電内
での処Ｎｔ受けないので址温処理が可能となり、高温処
理時に生じるホトレジスト中のＭａ＋Ｏａ等のイオンの
基板への熱拡散を防止して基板の電気物性を良好に保持
することができる。
高周波電界會影響させないので試料基板（牛導体ウェー
／−）ＶＣ電子やイオンの衝撃を生じさせることはなく
基板の電気的特性に悪影響を及ぼさ々い、また、ホトレ
ジストの分解は活、性酸素のみで行なうためその分解反
応管単純なものとすることもできる。更に高周波放電内
での処Ｎｔ受けないので址温処理が可能となり、高温処
理時に生じるホトレジスト中のＭａ＋Ｏａ等のイオンの
基板への熱拡散を防止して基板の電気物性を良好に保持
することができる。
第３図は本発明の他の実施例装置Ｆ會示しており、第２
図の実施例と同一部分には同一符号を付して砦明は省略
する。本実施例では反応槽１１ムの少なくとも上部七石
英婢の紫外１１！１會透過下る材料にて形成する一方、
この檜１１Ａの上部の外＠に一対の凹面−２０ム、２１
Ａ ｔ一槽を挾むようにして対問配置し、Ｉ！に一方の
凹面鏡２１ム＃Ｃ紫外脳源２２からの紫外１ｊｌｔ−照
射さゼたものである。なお、本例では試料３は試料台１
２ム上に水平に配置して込る。
図の実施例と同一部分には同一符号を付して砦明は省略
する。本実施例では反応槽１１ムの少なくとも上部七石
英婢の紫外１１！１會透過下る材料にて形成する一方、
この檜１１Ａの上部の外＠に一対の凹面−２０ム、２１
Ａ ｔ一槽を挾むようにして対問配置し、Ｉ！に一方の
凹面鏡２１ム＃Ｃ紫外脳源２２からの紫外１ｊｌｔ−照
射さゼたものである。なお、本例では試料３は試料台１
２ム上に水平に配置して込る。
本実施例によれば、紫外ａ！２３のエネルギによりＭｏ
ｌガスが分解されて活性酸素が生成逼れ、この酸素によ
って試料上のホトレジスト會分解除去することは前例と
全く同じである。しかしながら、本例では凹面＠２０ム
、２１ム會反応槽１１ムの外部に設置しているので、鏡
面上構成しているアルき蒸着膜中のアルミニウムが反応
槽内のガス中に拡散下ることはな（、ホトレジストの除
去はもとより基板に悪影響を及ぼ丁こともない。
ｌガスが分解されて活性酸素が生成逼れ、この酸素によ
って試料上のホトレジスト會分解除去することは前例と
全く同じである。しかしながら、本例では凹面＠２０ム
、２１ム會反応槽１１ムの外部に設置しているので、鏡
面上構成しているアルき蒸着膜中のアルミニウムが反応
槽内のガス中に拡散下ることはな（、ホトレジストの除
去はもとより基板に悪影響を及ぼ丁こともない。
ここで、反応ガスとしては前述のＭＯ，ガスに限られず
窒素酸化物を王とするガスであれば他のガスであっても
よい。また、紫外線の波長ｉ！２４５０〜３７５０ムの
波長めるいは２２８０Å以下の波長の元１ａ′に用いる
ことが好ましす、更に、凹面鏡は平ｒＪｊ１ｗ８や多面
鏡であってもよいが、紫外線を複数回反射可能でしかも
試料には直接紫外線を照射させないよう［＠成する仁と
が肝畳である。
窒素酸化物を王とするガスであれば他のガスであっても
よい。また、紫外線の波長ｉ！２４５０〜３７５０ムの
波長めるいは２２８０Å以下の波長の元１ａ′に用いる
ことが好ましす、更に、凹面鏡は平ｒＪｊ１ｗ８や多面
鏡であってもよいが、紫外線を複数回反射可能でしかも
試料には直接紫外線を照射させないよう［＠成する仁と
が肝畳である。
以上のように本発明のドライエツチング方法および七の
装置によれば、窒素酸化物に紫外＊’ｒ吸収６ゼてこれ
ｔ分解することにより励起状瑠の酸素原子を生成し、こ
の原子によシホトレジストを分解除去するように構成し
ているので、高周波電場内に試料を置くことを不要とし
て電子やイオンによる試料基板への衝撃管防止し、これ
により試料基板の電気特性への悪影響を防止すると共に
、ホトレジストの反応を単純化して処理効率音高め、更
に低温での処理管可能にしてＮ＆ 、Ｃａｌ５のイオン
による基板の汚染の防止を図ることもできるという効果
を奏する。
装置によれば、窒素酸化物に紫外＊’ｒ吸収６ゼてこれ
ｔ分解することにより励起状瑠の酸素原子を生成し、こ
の原子によシホトレジストを分解除去するように構成し
ているので、高周波電場内に試料を置くことを不要とし
て電子やイオンによる試料基板への衝撃管防止し、これ
により試料基板の電気特性への悪影響を防止すると共に
、ホトレジストの反応を単純化して処理効率音高め、更
に低温での処理管可能にしてＮ＆ 、Ｃａｌ５のイオン
による基板の汚染の防止を図ることもできるという効果
を奏する。
＃１図は従来装置の概略構成図、第２図は本発明の一実
施例装置の構成図、第３図は他の実施例装置の構成図で
ある。 ３・・・試料、１１．１１ム・・・反応槽、１４・・・
ガス供給ｊｉｆｌ、１８・・・ガス排気装置、２０．２
１．２０ム。 ２１ム・・・凹面鋳（反射＠）、２２・・・紫外線源、
２３・・・紫外線。 第 １ 口 第 ３ 図
施例装置の構成図、第３図は他の実施例装置の構成図で
ある。 ３・・・試料、１１．１１ム・・・反応槽、１４・・・
ガス供給ｊｉｆｌ、１８・・・ガス排気装置、２０．２
１．２０ム。 ２１ム・・・凹面鋳（反射＠）、２２・・・紫外線源、
２３・・・紫外線。 第 １ 口 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、窒素酸化物に紫外ｌｌ會照射してこれｔ吸収さゼ、
＃１１ｊｌｌ！酸化物【分解して励起状謄の酸＃！原子
會生成し、このＭＩＩＬ原子ｒよりホトレジスト會分解
除去することＩＩ−Ｗ黴とするドライエツチング方法、 ２、 ＩＩ素素化化物ＮＯ，ガスを用いてなる特許請
求の範ＴＩ！！ＬＬＬＥＲ項記載のドライエツチング方
法。 ３、ホトレジストヲ塗布した試料を内１！ｆｆ１ｌ！置
可罷な反応槽と、この反応槽内に反応ガスを通諸するガ
ス供給装置およびガス排気装置と、前記反応槽内に照射
されろ紫外ａｔ−発生さゼる紫外＃＃と、この紫外＊１
ｗ数回反射賂ゼて前記反応槽内に照射場ゼる反射値と全
備えること！特徴とするドライエツチング装置。 ４、反歯鏡を反応槽内部に設ける一方、紫外線源からの
紫外電が通過する反応槽の−ｍを石英にて形成してなる
特許請求の範囲第３項記値のドライエツチング装置。 ５、反射鏡會反応槽外部に設ける一方、反応槽を石英に
て形成してなるＩＰ＃Ｗｆ請求の範囲第３積記敏のドラ
イエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150618A JPS5852827A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | ドライエツチング方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150618A JPS5852827A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | ドライエツチング方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852827A true JPS5852827A (ja) | 1983-03-29 |
| JPH0429220B2 JPH0429220B2 (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=15500802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56150618A Granted JPS5852827A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | ドライエツチング方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852827A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057937A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Ushio Inc | 紫外線洗浄方法 |
| JPS6048237U (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線洗浄装置 |
| JPS6048236U (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線洗浄装置の開閉扉 |
| JPS62273732A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Toshiba Corp | 光励起ガス処理装置 |
| US6350391B1 (en) | 1995-11-09 | 2002-02-26 | Oramir Semiconductor Equipment Ltd. | Laser stripping improvement by modified gas composition |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55149643A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-21 | Perkin Elmer Corp | Method and device for chemically treating material to be treated |
| JPS56105480A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching method |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP56150618A patent/JPS5852827A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55149643A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-21 | Perkin Elmer Corp | Method and device for chemically treating material to be treated |
| JPS56105480A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching method |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057937A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Ushio Inc | 紫外線洗浄方法 |
| JPS6048237U (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線洗浄装置 |
| JPS6048236U (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線洗浄装置の開閉扉 |
| JPS62273732A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Toshiba Corp | 光励起ガス処理装置 |
| US6350391B1 (en) | 1995-11-09 | 2002-02-26 | Oramir Semiconductor Equipment Ltd. | Laser stripping improvement by modified gas composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0429220B2 (ja) | 1992-05-18 |
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