JPS6057954A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6057954A JPS6057954A JP16729883A JP16729883A JPS6057954A JP S6057954 A JPS6057954 A JP S6057954A JP 16729883 A JP16729883 A JP 16729883A JP 16729883 A JP16729883 A JP 16729883A JP S6057954 A JPS6057954 A JP S6057954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film wiring
- wiring layers
- semiconductor substrate
- layers
- adhered
- Prior art date
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｉａｌ 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法にかかり、特に配線パタ
ーンの形成方法に関する。
ーンの形成方法に関する。
（ト）） 従来技術と問題点
半導体集積回路（ＩＣ＞においては上面に配線層がパタ
ーンニングされて各素子間を接続しており、配線層が多
い場合には多層配線構造が採られている。
ーンニングされて各素子間を接続しており、配線層が多
い場合には多層配線構造が採られている。
このような配線層は眉間に絶縁膜を介在させており、ま
た最上面にも絶縁膜を被覆しているが、配線層と絶縁膜
を交互に積層すると凹凸が！Ｊ二して、断線あるいは短
絡の事故を起こしやすくなる。第１図に半導体基板１上
にアルミニウム模配線層２をパターンニングして、その
上に燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜３を被覆した構造断面を
例示しているが、図示のようにＰＳＧＩＩ！３上には凹
凸が生じており、更に積層すれば一層凹凸が激しくなる
ことが容易に予想される。
た最上面にも絶縁膜を被覆しているが、配線層と絶縁膜
を交互に積層すると凹凸が！Ｊ二して、断線あるいは短
絡の事故を起こしやすくなる。第１図に半導体基板１上
にアルミニウム模配線層２をパターンニングして、その
上に燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜３を被覆した構造断面を
例示しているが、図示のようにＰＳＧＩＩ！３上には凹
凸が生じており、更に積層すれば一層凹凸が激しくなる
ことが容易に予想される。
そのため、従来より配線層と絶縁膜とを交互に積層する
場合、凸部の側面をテーパー状にしたり、あるいは上面
を平坦化しながら形成するなどの方法が種々提案されて
おり、このような対策はＩＣの信頼性上極めて重要な問
題である。
場合、凸部の側面をテーパー状にしたり、あるいは上面
を平坦化しながら形成するなどの方法が種々提案されて
おり、このような対策はＩＣの信頼性上極めて重要な問
題である。
しかしながら、従来の対策は異質材料を用いたり（例え
ば絶縁膜として有機樹脂を塗布して平坦化する）、また
微妙な形成方法が多く、必ずしも信頼度面から安定した
方法ではない。
ば絶縁膜として有機樹脂を塗布して平坦化する）、また
微妙な形成方法が多く、必ずしも信頼度面から安定した
方法ではない。
（Ｃ） 発明の目的
本発明はこのような問題点にかんがみ、配線層が設けら
れた表面を簡便に平坦化する製法を提案するものである
。
れた表面を簡便に平坦化する製法を提案するものである
。
ｆｄｌ 発明の構成
その目的は、半導体基板あるいは絶縁膜上に金属膜配線
層をパターンニング形成し、次いで電磁波エネルギーを
照射しながら絶縁膜を前記金属膜配線層間に気相成長す
る工程が含まれる半導体装置の製造方法によって達成さ
れる。
層をパターンニング形成し、次いで電磁波エネルギーを
照射しながら絶縁膜を前記金属膜配線層間に気相成長す
る工程が含まれる半導体装置の製造方法によって達成さ
れる。
（（リ 発明の実施例
以下１図面を参照して一実施例によって詳細に説明する
。
。
第２図は半導体基板１上に膜厚１μｍのアルミニウム膜
配線層２を形成した断面図である。このような配線層２
は蒸着法によってアルミニウム膜を被着し、公知のフォ
トプロセスを適用してパターンニングされる。
配線層２を形成した断面図である。このような配線層２
は蒸着法によってアルミニウム膜を被着し、公知のフォ
トプロセスを適用してパターンニングされる。
次いで、これを化学気相成長（ＣＶ Ｄ）装置に入れて
、半導体基板１上から全面に赤外線エネルギーを照射し
ながら、所要ガスをＣＶＤ装置に導入して、ＰＳＧ膜４
を被着する。そうすれば、半導体基板１自身は赤外線エ
ネルギーを吸収して加熱され、４００〜４５０℃に昇温
する。一方、アルミニウム膜配線層２の表面は赤外線を
反射するから、温度が余り高くならない。従って、眉間
の高温部分即ち、半導体基板上で反応ガスが分解して、
第３図に示すようにアルミニウム膜配線層２の眉間を埋
めるようにｔｔａ積して［）ＳＧ膜４が被着し、図示の
ように平坦な表面が得られる。この場合、調整不備が原
因して、眉間をＰＳＧＩ！！！４が埋めた後、更にアル
ミニウム膜配線層２上にも被着してくると、軽くエツチ
ングしてアルミニウム膜配線層２を表出させ、平坦化す
ることができる。
、半導体基板１上から全面に赤外線エネルギーを照射し
ながら、所要ガスをＣＶＤ装置に導入して、ＰＳＧ膜４
を被着する。そうすれば、半導体基板１自身は赤外線エ
ネルギーを吸収して加熱され、４００〜４５０℃に昇温
する。一方、アルミニウム膜配線層２の表面は赤外線を
反射するから、温度が余り高くならない。従って、眉間
の高温部分即ち、半導体基板上で反応ガスが分解して、
第３図に示すようにアルミニウム膜配線層２の眉間を埋
めるようにｔｔａ積して［）ＳＧ膜４が被着し、図示の
ように平坦な表面が得られる。この場合、調整不備が原
因して、眉間をＰＳＧＩ！！！４が埋めた後、更にアル
ミニウム膜配線層２上にも被着してくると、軽くエツチ
ングしてアルミニウム膜配線層２を表出させ、平坦化す
ることができる。
第４図ばかような処理を行なうＣＶＤ装置の概要断面を
を示しており、反応容器１０内に赤外線ランプ１１を取
りつけて、半導体ウェハー１２を赤外線ランプ１１で上
面から加熱するだけで十分に」二記の反応が行なわれる
。また、従来と同様に半導体ウェハー１２を裏面からヒ
ータ１３で加熱すれば、アルミニウム膜配線層２を含む
全面にＩ’ Ｓ Ｇ膜を被着させることができる。かく
して、赤夕１線ランプ１１とヒータ１３との加熱を使い
分ｔＪてＰ Ｓ Ｇ膜を被着さ廿、平坦化した配線層と
眉間の絶縁膜を形成する。
を示しており、反応容器１０内に赤外線ランプ１１を取
りつけて、半導体ウェハー１２を赤外線ランプ１１で上
面から加熱するだけで十分に」二記の反応が行なわれる
。また、従来と同様に半導体ウェハー１２を裏面からヒ
ータ１３で加熱すれば、アルミニウム膜配線層２を含む
全面にＩ’ Ｓ Ｇ膜を被着させることができる。かく
して、赤夕１線ランプ１１とヒータ１３との加熱を使い
分ｔＪてＰ Ｓ Ｇ膜を被着さ廿、平坦化した配線層と
眉間の絶縁膜を形成する。
また、赤外線の代わりにマイクロ波など、他の電磁波エ
ネルギーを照射しても同様に形成できる。
ネルギーを照射しても同様に形成できる。
且つ、上記はアルミニウム膜配線層２を例として説明し
たが、その他の金属膜、例えば金膜、白金１９などの配
線層を形成する場合も同様にして形成され、平坦化され
る。更に、絶縁膜はＰＳＧ膜の他、二酸化シリコン膜を
用いても同様になる。
たが、その他の金属膜、例えば金膜、白金１９などの配
線層を形成する場合も同様にして形成され、平坦化され
る。更に、絶縁膜はＰＳＧ膜の他、二酸化シリコン膜を
用いても同様になる。
（ｆ） 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によれば従来の
ＣＶＤ装置を用いて、ＰＳＧ膜などの安定な絶縁膜を被
着して、容易に平坦化できるためＴＣの信頼性向上に大
きく寄与するものである。
ＣＶＤ装置を用いて、ＰＳＧ膜などの安定な絶縁膜を被
着して、容易に平坦化できるためＴＣの信頼性向上に大
きく寄与するものである。
第１図は従来の配線層の断面図、第２図および第３図は
本発明にかかる配線層の工程断面図、第４図ばＣＶＤ装
置の概要断面図である。 図中、１は半導体基板、２．４はアルミニウム膜配線層
、３はＩ）Ｓ Ｇ膜、１０は反応容器、１１ば赤外線ラ
ンプ、１２は半導体ウェハー、１３はヒータを示してい
る。
本発明にかかる配線層の工程断面図、第４図ばＣＶＤ装
置の概要断面図である。 図中、１は半導体基板、２．４はアルミニウム膜配線層
、３はＩ）Ｓ Ｇ膜、１０は反応容器、１１ば赤外線ラ
ンプ、１２は半導体ウェハー、１３はヒータを示してい
る。
Claims (1)
- 半導体基板あるいは絶縁膜上に金属膜配線層をバクーン
ニング形成し、次いで電磁波エネルギーを照射しながら
絶縁膜を前記金属膜配線層間に気相成長する工程が含ま
れてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16729883A JPS6057954A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16729883A JPS6057954A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057954A true JPS6057954A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15847155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16729883A Pending JPS6057954A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7267920B2 (en) | 2004-02-06 | 2007-09-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Toner for developing electrostatic latent images, production method thereof, and electrostatic latent image developer using the same |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP16729883A patent/JPS6057954A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7267920B2 (en) | 2004-02-06 | 2007-09-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Toner for developing electrostatic latent images, production method thereof, and electrostatic latent image developer using the same |
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