JPS6058741B2 - メタトルイジンの製造方法 - Google Patents
メタトルイジンの製造方法Info
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- JPS6058741B2 JPS6058741B2 JP509477A JP509477A JPS6058741B2 JP S6058741 B2 JPS6058741 B2 JP S6058741B2 JP 509477 A JP509477 A JP 509477A JP 509477 A JP509477 A JP 509477A JP S6058741 B2 JPS6058741 B2 JP S6058741B2
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- nitro
- metatoluidine
- compound
- halogenobenzylamine
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は染料中間体、有機化合物の製造用中間体、特に
医薬の中間体として有用なメタトルイジンの製造方法に
関するものである。
医薬の中間体として有用なメタトルイジンの製造方法に
関するものである。
従来、メタトルイジンの製造方法としては、石炭の乾留
々分より得る方法が古くから知られているが、この方法
では原料の乾留々分に量的な制限があり大量の生産が望
めない欠点がある。
々分より得る方法が古くから知られているが、この方法
では原料の乾留々分に量的な制限があり大量の生産が望
めない欠点がある。
また、一般的にはトルエンをモノニトロ化し次いで対応
するメタニトロトルエンの還元によつて得られる。しか
しながら、オルトトルイジンおよびパラトルイジンは比
較的容易に得ることができるが、メタトルイジンは、ト
ルエンのモノニトロ化により3位がニトロ化されたメタ
ニトロトルエンの生成率が低いため数%程度のきわめて
低収率でしか得られない欠点がある。最近になり、下記
反応工程式で示すようにオルトハロゲノトルエンまたは
パラハロゲノトルエンをニトロ化し、得られるハロゲノ
モノニトロトルエンのうち20〜35%程度生成してい
る2−ハロゲノー3−ニトロトルエンまたは3−ニトロ
ー4ーハロゲノトルエンを他の多量に生成してるハロゲ
ンモノニトロトルエンと分離し、これを接触還元、脱ハ
ロゲン化することによつてメタトルイジンを得る方法が
提案されている(特開昭50一151828号)。
するメタニトロトルエンの還元によつて得られる。しか
しながら、オルトトルイジンおよびパラトルイジンは比
較的容易に得ることができるが、メタトルイジンは、ト
ルエンのモノニトロ化により3位がニトロ化されたメタ
ニトロトルエンの生成率が低いため数%程度のきわめて
低収率でしか得られない欠点がある。最近になり、下記
反応工程式で示すようにオルトハロゲノトルエンまたは
パラハロゲノトルエンをニトロ化し、得られるハロゲノ
モノニトロトルエンのうち20〜35%程度生成してい
る2−ハロゲノー3−ニトロトルエンまたは3−ニトロ
ー4ーハロゲノトルエンを他の多量に生成してるハロゲ
ンモノニトロトルエンと分離し、これを接触還元、脱ハ
ロゲン化することによつてメタトルイジンを得る方法が
提案されている(特開昭50一151828号)。
(従来方法)
しかしながら、この従来方法ではオルトハロゲノトルエ
ンまたはパラハロゲノトルエンのニトロ化反応によつて
3位がニトロ化された2−ハロゲノー3−ニトロトルエ
ンまたは3−ニトロー4−ハロゲノトルエンを撰択的に
製造することができないため、目的とするメタトルイジ
ンを高収率に製造することができない欠点がある。
ンまたはパラハロゲノトルエンのニトロ化反応によつて
3位がニトロ化された2−ハロゲノー3−ニトロトルエ
ンまたは3−ニトロー4−ハロゲノトルエンを撰択的に
製造することができないため、目的とするメタトルイジ
ンを高収率に製造することができない欠点がある。
そしてニトロ化反応後、数十パーセント程度生成してい
るにすぎない3−ニトロ体を、多量に副生している2−
ニトロ体および/または4−ニトロ体から精密蒸留によ
り分離しなければ、次工程の還元、脱ハロゲン化反応に
より目的とするメタトルイジンを高純度に製造すること
ができない欠点がある。
るにすぎない3−ニトロ体を、多量に副生している2−
ニトロ体および/または4−ニトロ体から精密蒸留によ
り分離しなければ、次工程の還元、脱ハロゲン化反応に
より目的とするメタトルイジンを高純度に製造すること
ができない欠点がある。
すなわち、オルトハロゲノトルエンまたはパラハロゲノ
トルエンをニトロ化し、分離工程を経ずさらに還元 脱
ハロゲン化反応を行なつた後で、生成したオルトトルイ
ジン、メタトルイジンおよびパラトルイジンの混合物か
ら目的とするメタトルイジンを分離することは、各生成
物の沸点が近接しているため極めて困難となるからであ
る。
トルエンをニトロ化し、分離工程を経ずさらに還元 脱
ハロゲン化反応を行なつた後で、生成したオルトトルイ
ジン、メタトルイジンおよびパラトルイジンの混合物か
ら目的とするメタトルイジンを分離することは、各生成
物の沸点が近接しているため極めて困難となるからであ
る。
したがつて、ニトロ化反応後の分離工程は欠くことがで
きず、またその分離方法も精密蒸留法を採用しなければ
ならない欠点がある。これらの欠点は出発原料としてオ
ルトハロゲノトルエンまたはパラハロゲノトルエンを使
用するかぎり解決することができない。本発明らはメタ
トルイジンを高収率に効率よく製造するため種々研究を
重ねた結果、出発原料として4−ハロゲノベンジルアミ
ン化合物を採用し、これをニトロ化すれば撰択的に3−
ニトロー4−ハロゲノベンジルアミン化合物が製造でき
、さらにこれを還元すれば、ニトロ基のアミン化反応と
ともに脱ハロゲン化およびC−N結合の切断還元反応が
一段階で行なわれることを見出し本発明を完成するに至
つた。
きず、またその分離方法も精密蒸留法を採用しなければ
ならない欠点がある。これらの欠点は出発原料としてオ
ルトハロゲノトルエンまたはパラハロゲノトルエンを使
用するかぎり解決することができない。本発明らはメタ
トルイジンを高収率に効率よく製造するため種々研究を
重ねた結果、出発原料として4−ハロゲノベンジルアミ
ン化合物を採用し、これをニトロ化すれば撰択的に3−
ニトロー4−ハロゲノベンジルアミン化合物が製造でき
、さらにこれを還元すれば、ニトロ基のアミン化反応と
ともに脱ハロゲン化およびC−N結合の切断還元反応が
一段階で行なわれることを見出し本発明を完成するに至
つた。
すなわち、本発明は一般式
(式中のR1は水素原子、アルキル基また はフ
ェニル基を表わし、R2は水素原子 またはアルキル
基を表わし、xはハロゲ ン原子を表わす。
ェニル基を表わし、R2は水素原子 またはアルキル
基を表わし、xはハロゲ ン原子を表わす。
)で示される4−ハロゲノベンジルアミン化合物をニト
ロ化し、次いで還元することを特徴とするメタトルイジ
ンの製造方法である。
ロ化し、次いで還元することを特徴とするメタトルイジ
ンの製造方法である。
本発明の製造方法は下記反応工程式で示すように、先ず
前記一般式〔1〕で示される4−ノ和ゲノベンジルアミ
ン化合物をニトロ化し、次いでニトロ化反応により、撰
択的に3位がニトロ化され生成した3−ニトロー4−ハ
ロゲノベンジルアミン化合物〔■〕を還元し、ニトロ基
のアミン化、脱ノ田ゲン化および一℃H2−ーN<工
基のC−Nの結合の切断還元を一段階で行なうことによ
り、目的とするメタトルイジン〔■〕を製造する。
前記一般式〔1〕で示される4−ノ和ゲノベンジルアミ
ン化合物をニトロ化し、次いでニトロ化反応により、撰
択的に3位がニトロ化され生成した3−ニトロー4−ハ
ロゲノベンジルアミン化合物〔■〕を還元し、ニトロ基
のアミン化、脱ノ田ゲン化および一℃H2−ーN<工
基のC−Nの結合の切断還元を一段階で行なうことによ
り、目的とするメタトルイジン〔■〕を製造する。
(式中のRl,R2およびXは前記と同一の 原
子または基を示す。)本発明の出発原料としては、前記
一般式〔1〕のR1が水素原子、メチル基、エチル基、
n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−
ブチル基、n−アミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基、デシル基、フェニル基または置換
フェニル基であり、R2が水素原子、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、n−アミル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基またはデシル基等であり
、Xがクロル原子、臭素原子またはフッソ原子である4
−ハロゲノベンジルアミン化合物であり、代表的な出発
原料としては、4−クロルーまたは4−ブロムーベンジ
ルアミン、−N−メチルベンジルアミン、−N−エチル
ベンジルアミン、−N−n−プロピルベンジルアミン、
−N−1−プロピルペンlジルアミン、−N−n−ブチ
ルベンジルアミン、一N−n−アミルベンジルアミン、
−N−n−ヘキシルベンジルアミン、−N−n−ヘプチ
ルベンジルアミン、−N−n−オクチルベンジルアミン
、−N−n−ノニルベンジルアミン、−N−nーデシル
ベンジルアミン、−N−フェニルベンジルアミン、−N
,N−ジエチルベンジルアミン、−N,N−ジーn−プ
ロピルベンジルアミン、−N,N−ジー1−プロピルベ
ンジルアミン、N,N−ジブチルベンジルアミン、−N
,N−ジアミルベンジルアミン、−N−メチルーN−フ
ェニルベンジルアミン、−N−エチルーN−フェニルベ
ンジルアミン等をあげるとができる。
子または基を示す。)本発明の出発原料としては、前記
一般式〔1〕のR1が水素原子、メチル基、エチル基、
n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−
ブチル基、n−アミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基、デシル基、フェニル基または置換
フェニル基であり、R2が水素原子、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、n−アミル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基またはデシル基等であり
、Xがクロル原子、臭素原子またはフッソ原子である4
−ハロゲノベンジルアミン化合物であり、代表的な出発
原料としては、4−クロルーまたは4−ブロムーベンジ
ルアミン、−N−メチルベンジルアミン、−N−エチル
ベンジルアミン、−N−n−プロピルベンジルアミン、
−N−1−プロピルペンlジルアミン、−N−n−ブチ
ルベンジルアミン、一N−n−アミルベンジルアミン、
−N−n−ヘキシルベンジルアミン、−N−n−ヘプチ
ルベンジルアミン、−N−n−オクチルベンジルアミン
、−N−n−ノニルベンジルアミン、−N−nーデシル
ベンジルアミン、−N−フェニルベンジルアミン、−N
,N−ジエチルベンジルアミン、−N,N−ジーn−プ
ロピルベンジルアミン、−N,N−ジー1−プロピルベ
ンジルアミン、N,N−ジブチルベンジルアミン、−N
,N−ジアミルベンジルアミン、−N−メチルーN−フ
ェニルベンジルアミン、−N−エチルーN−フェニルベ
ンジルアミン等をあげるとができる。
本発明のニトロ化反応は硝酸と硫酸との混酸または濃硝
酸をニトロ化剤とする通常のニトロ化方法によつて行な
われるが、具体的には14−ハロゲノベンジルアミン化
合物の1モル当り、1〜1.5モル好ましくは1.1〜
1,3モルの発硝酸と2.5〜5モル好ましくは3〜4
モルの濃硝酸とからなる混酸を、0゜C〜50℃好まし
くは10℃〜40℃の温度範囲に2〜5時間攪拌下反応
させるか、もしくは24−ハロゲノベンジルアミン化合
物の1モル当り、1〜7モル好ましくは2〜3モルの濃
硫酸を0℃〜40℃好ましくは15゜C〜30゜Cで混
合し、4一ハロゲノベンジルアミン化合物を硫酸塩を形
成させた後、使用した4−ハロゲノベンジルアミン化合
物の1モル当に、1〜1.5モル好ましくは1.1〜1
.3モルの発煙硝酸と0.5〜5モル好ましくは1〜3
モルの濃硫酸(但し、濃硫酸の総量は4−ハロゲノベン
ジルアミン化合物1ルモルの当り、1.5〜9モル好ま
しくは3〜6モル)とからなる混酸を09C〜50゜C
好ましくは10゜C〜40′Cの温度範囲て1〜4時間
攪拌下反応させる。
酸をニトロ化剤とする通常のニトロ化方法によつて行な
われるが、具体的には14−ハロゲノベンジルアミン化
合物の1モル当り、1〜1.5モル好ましくは1.1〜
1,3モルの発硝酸と2.5〜5モル好ましくは3〜4
モルの濃硝酸とからなる混酸を、0゜C〜50℃好まし
くは10℃〜40℃の温度範囲に2〜5時間攪拌下反応
させるか、もしくは24−ハロゲノベンジルアミン化合
物の1モル当り、1〜7モル好ましくは2〜3モルの濃
硫酸を0℃〜40℃好ましくは15゜C〜30゜Cで混
合し、4一ハロゲノベンジルアミン化合物を硫酸塩を形
成させた後、使用した4−ハロゲノベンジルアミン化合
物の1モル当に、1〜1.5モル好ましくは1.1〜1
.3モルの発煙硝酸と0.5〜5モル好ましくは1〜3
モルの濃硫酸(但し、濃硫酸の総量は4−ハロゲノベン
ジルアミン化合物1ルモルの当り、1.5〜9モル好ま
しくは3〜6モル)とからなる混酸を09C〜50゜C
好ましくは10゜C〜40′Cの温度範囲て1〜4時間
攪拌下反応させる。
ニトロ化反応の終了後はアンモニア、水酸化カリウム、
水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム等の6アルカリて中
和した後、水洗することによつて純度98%の3−ニト
ロー4−ハロゲノベンジルアミン化合物を90%以上の
収率で得ることができる。
水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム等の6アルカリて中
和した後、水洗することによつて純度98%の3−ニト
ロー4−ハロゲノベンジルアミン化合物を90%以上の
収率で得ることができる。
反応終了後の後処理において、不活性なベンゼン、キシ
レン、トルエン等の溶媒を加え目的物を!抽出し中和一
水洗する処理を行なつても支障はない。本発明において
は2位がニトロ化された2−ニトロー4−ハロゲノベン
ジルアミン化合物等の副生物はほとんで生成しないので
、ニトロ化反応に4よつて得られた3−ニトロー4−ハ
ロゲノベンジルアミン化合物を単離精製することなしに
次の還元反応を引続き行なうこともできる。
レン、トルエン等の溶媒を加え目的物を!抽出し中和一
水洗する処理を行なつても支障はない。本発明において
は2位がニトロ化された2−ニトロー4−ハロゲノベン
ジルアミン化合物等の副生物はほとんで生成しないので
、ニトロ化反応に4よつて得られた3−ニトロー4−ハ
ロゲノベンジルアミン化合物を単離精製することなしに
次の還元反応を引続き行なうこともできる。
本発明のニトロ化反応は前記方法のいずれによつても行
なうことができるが、方法2を採用すれば純度および収
率を向上することができる。
なうことができるが、方法2を採用すれば純度および収
率を向上することができる。
本発明の還元反応は一般に行なわれている、還元触媒の
存在下、水素による接触還元反応が適用でき、還元触媒
としては白金、ニッケル、パラジウム等の触媒が使用で
きる。触媒は金属のままで使用することんできるが、通
常はカーボンブラック、活性炭等の担体表面に担持させ
て用いられ、その使用量は3−ニトロー4−ハロゲノベ
ンジルフアミン化合物に対し、金属として0.2〜0.
踵量%好ましくは0.3〜0.5重量使用する。また反
応は不活性溶媒の存在下または不存在下のいずれにおい
ても行なうことができるが、反応に不活性であるような
溶媒中で反応を行なうこと門は、反応を円滑に進める上
からも好ましく、例えばメタノール、エタノール、プロ
パノール、ブタノール等のアルコール類が好適に用いら
れ、その使用量は3−ニトロー4−ハロゲノベンジルア
ミン化合物に対し、1〜7重量倍好ましくは4〜5重量
倍使用する。
存在下、水素による接触還元反応が適用でき、還元触媒
としては白金、ニッケル、パラジウム等の触媒が使用で
きる。触媒は金属のままで使用することんできるが、通
常はカーボンブラック、活性炭等の担体表面に担持させ
て用いられ、その使用量は3−ニトロー4−ハロゲノベ
ンジルフアミン化合物に対し、金属として0.2〜0.
踵量%好ましくは0.3〜0.5重量使用する。また反
応は不活性溶媒の存在下または不存在下のいずれにおい
ても行なうことができるが、反応に不活性であるような
溶媒中で反応を行なうこと門は、反応を円滑に進める上
からも好ましく、例えばメタノール、エタノール、プロ
パノール、ブタノール等のアルコール類が好適に用いら
れ、その使用量は3−ニトロー4−ハロゲノベンジルア
ミン化合物に対し、1〜7重量倍好ましくは4〜5重量
倍使用する。
本発明における3−ニトロー4−ハロゲノベンジルアミ
ン化合物のアミノ化、脱ハロゲン化およびC−N結合の
切断還元反応は、意外にも常温常圧下でも充分進行する
ため、必要以上に高い温度および圧力は必要としない。
ン化合物のアミノ化、脱ハロゲン化およびC−N結合の
切断還元反応は、意外にも常温常圧下でも充分進行する
ため、必要以上に高い温度および圧力は必要としない。
必要以上に高い温度条件下で反応すると、触媒としてパ
ラジウム触媒を使用した場合、生成したメタトルイジン
とパラジウムとの錯体が副生した収率低下の原因となる
おそれがある。しかし、反応時間を短縮するため反応温
度を30′C〜70゜Cに加熱することはさしつかえな
い。また、水素は理論量使用すればよい。還元反応の終
了後は常法により処理することによつて純度98%以上
のメタトル・fジンを3−ニトロー4−ハロゲノベンジ
ルアミン化合物に対し95%(出発原料の4−ハロゲノ
ベンジルアミン化合物に対し76〜94%)の収率で得
ることができ同時に各種工業製品原料として有用なアミ
ン化合物を効率よく併産回収することができる。例えば
還元反応の終了後、使用した触媒を3過法などによつて
分離し、次いで3液にベンゼン、トルエン、キシレン等
の溶媒を添加し十分攪拌抽出した後、水洗することによ
つてメタトルイジンを含有する溶媒層とアミン化合物(
アミンの塩酸塩)を含有する水溶液層とを分離し、溶媒
層から蒸留分離法によりメタトルイジンを得、水溶液層
はアルカリ中和後、精留しアミン化合物を得る。次に本
発明の方法における特徴および利点を説明すれば、まず
第1に4−ハロゲノベンジルアミン化合物を出発原料と
して採用し、これをニトロ化すれば撰択的に3−ニトロ
ー4−ハロゲノベンジルアミン化合物が得られ、さらに
このニトロ化合物を還元すれば一段階で4−ハロゲノベ
ンジルアミン化合物の3位に撰択的に置換したニトロ基
が還元されアミノ基となるとともに4位のハロゲJ
され、CH2−Nぐゝ1基C−Nン原子が脱離
還元 。
ラジウム触媒を使用した場合、生成したメタトルイジン
とパラジウムとの錯体が副生した収率低下の原因となる
おそれがある。しかし、反応時間を短縮するため反応温
度を30′C〜70゜Cに加熱することはさしつかえな
い。また、水素は理論量使用すればよい。還元反応の終
了後は常法により処理することによつて純度98%以上
のメタトル・fジンを3−ニトロー4−ハロゲノベンジ
ルアミン化合物に対し95%(出発原料の4−ハロゲノ
ベンジルアミン化合物に対し76〜94%)の収率で得
ることができ同時に各種工業製品原料として有用なアミ
ン化合物を効率よく併産回収することができる。例えば
還元反応の終了後、使用した触媒を3過法などによつて
分離し、次いで3液にベンゼン、トルエン、キシレン等
の溶媒を添加し十分攪拌抽出した後、水洗することによ
つてメタトルイジンを含有する溶媒層とアミン化合物(
アミンの塩酸塩)を含有する水溶液層とを分離し、溶媒
層から蒸留分離法によりメタトルイジンを得、水溶液層
はアルカリ中和後、精留しアミン化合物を得る。次に本
発明の方法における特徴および利点を説明すれば、まず
第1に4−ハロゲノベンジルアミン化合物を出発原料と
して採用し、これをニトロ化すれば撰択的に3−ニトロ
ー4−ハロゲノベンジルアミン化合物が得られ、さらに
このニトロ化合物を還元すれば一段階で4−ハロゲノベ
ンジルアミン化合物の3位に撰択的に置換したニトロ基
が還元されアミノ基となるとともに4位のハロゲJ
され、CH2−Nぐゝ1基C−Nン原子が脱離
還元 。
結合が切断還元されるので、目的とするメタトルイジン
が選択的に、かつ高純度、高収率で効率よ,く製造する
ことができる。
が選択的に、かつ高純度、高収率で効率よ,く製造する
ことができる。
第2の出発原料4−ハロゲノベンジルアミン化合物のニ
トロ化によつて3−ニトロー4−ハロゲノベンジルアミ
ン化合物が撰択的に高収率で生成するので、これを単離
精製することなしに次の還元反応を引き続き行なう,こ
ともできる。第3に、従来のハロゲノモノニトロトルエ
ンを還元し、メタトルイジンを製造する方法においては
、脱ハロゲン化により副生した塩酸により、融点の高い
、また反応溶媒に難容なメタトルイジンの塩酸塩が生じ
、反応中析出し触媒;活性を低下させる原因ともなるの
て、メタトルイジンー塩酸塩の融点以上、もしくは反応
溶媒に溶解するために必要な温度以上の高温下で反応さ
せなければならない。しかし、本発明の還元反応におい
ては、脱ハロゲン化により副生した塩酸は、一CH2−
N<訃基のC−N結合が切断還元されて生成したアミン
HN<8,と優先的に塩を形成−し、このアミンー塩酸
塩はメタトルイジンー塩酸塩に比べ、融点も低く反応溶
媒に対し溶解しやすいため、低温下においても反応を充
分進行させることができ、反応操作も容易である。第4
に本発明の出発原料として使用する4−ハロゲノベンジ
ルアミン化合物は、4−ハロゲノベンジルハライドとア
ミンとの反応によつて容易に得ることができ、さらに第
5として、本発明の方法にしたがえ、アミン化合物を効
率よく併産回収できるのでれを各種工業薬品の原料とし
て再度有効利用す,ことができる。次に本発明の内容を
一層明確にするため実施例―示し,。
トロ化によつて3−ニトロー4−ハロゲノベンジルアミ
ン化合物が撰択的に高収率で生成するので、これを単離
精製することなしに次の還元反応を引き続き行なう,こ
ともできる。第3に、従来のハロゲノモノニトロトルエ
ンを還元し、メタトルイジンを製造する方法においては
、脱ハロゲン化により副生した塩酸により、融点の高い
、また反応溶媒に難容なメタトルイジンの塩酸塩が生じ
、反応中析出し触媒;活性を低下させる原因ともなるの
て、メタトルイジンー塩酸塩の融点以上、もしくは反応
溶媒に溶解するために必要な温度以上の高温下で反応さ
せなければならない。しかし、本発明の還元反応におい
ては、脱ハロゲン化により副生した塩酸は、一CH2−
N<訃基のC−N結合が切断還元されて生成したアミン
HN<8,と優先的に塩を形成−し、このアミンー塩酸
塩はメタトルイジンー塩酸塩に比べ、融点も低く反応溶
媒に対し溶解しやすいため、低温下においても反応を充
分進行させることができ、反応操作も容易である。第4
に本発明の出発原料として使用する4−ハロゲノベンジ
ルアミン化合物は、4−ハロゲノベンジルハライドとア
ミンとの反応によつて容易に得ることができ、さらに第
5として、本発明の方法にしたがえ、アミン化合物を効
率よく併産回収できるのでれを各種工業薬品の原料とし
て再度有効利用す,ことができる。次に本発明の内容を
一層明確にするため実施例―示し,。
具体的に説明する。3施例1
)ニトロ化反応
500m1容フラスコに発煙硝酸75.6g(1.2モ
ル)と部%一濃硫酸370g(3.7モル)とを仕込み
、20℃以下に冷却しながら攪拌下、4−クロルーN,
N−ジエチルベンジルアミン197.6g(1.0モル
)を滴加した。
ル)と部%一濃硫酸370g(3.7モル)とを仕込み
、20℃以下に冷却しながら攪拌下、4−クロルーN,
N−ジエチルベンジルアミン197.6g(1.0モル
)を滴加した。
滴加終了後さらに30℃〜35℃で3時間攪拌し反応さ
せた。反応終了後、反応溶液を24%一水酸化ナトリウ
ム水溶液で中和し、上層の有機層を分液採取し水洗した
。
せた。反応終了後、反応溶液を24%一水酸化ナトリウ
ム水溶液で中和し、上層の有機層を分液採取し水洗した
。
水洗後、得られた有機層をガスクロマトグラフィーで分
析し、3−ニトロー4−クロルーN,N−ジエチルベン
ジルアミンの純度を求めた。
析し、3−ニトロー4−クロルーN,N−ジエチルベン
ジルアミンの純度を求めた。
分析の結果、未反応の4−クロルーN,N−ジエチルベ
ンジルアミンが8.23%、不明の物質が0.23%、
目的とする中間体の3−ニトロー4ークロルーN,N−
ジエチルベンジルアミンが90.65%であつた。
ンジルアミンが8.23%、不明の物質が0.23%、
目的とする中間体の3−ニトロー4ークロルーN,N−
ジエチルベンジルアミンが90.65%であつた。
次に有機層を減圧下精留し、沸点138〜140℃/5
wnHgの3−ニトロー4−クロルーN,N−ジエチル
ベンジルアミン(純度98.5%)を194.9g(収
率80.36%)を得た。
wnHgの3−ニトロー4−クロルーN,N−ジエチル
ベンジルアミン(純度98.5%)を194.9g(収
率80.36%)を得た。
2)還元反応
上記(1)のニトロ化反応により得られた3−ニトロー
4−クロルーN,N−ジエチルベンジルアミン123.
2g(0.5モル)とエタノール500gとを1e容フ
ラスコ仕込み、さらに10%Pb−Cを4.92g加え
、常圧下50℃〜55℃て攪拌下水素ガスを吹き込み、
水素ガスが理論量吸収されるまで6時間反応させた。
4−クロルーN,N−ジエチルベンジルアミン123.
2g(0.5モル)とエタノール500gとを1e容フ
ラスコ仕込み、さらに10%Pb−Cを4.92g加え
、常圧下50℃〜55℃て攪拌下水素ガスを吹き込み、
水素ガスが理論量吸収されるまで6時間反応させた。
反応終了後、反応溶液を3過して触媒を分離除去し、減
圧濃縮しエタノールを留去した。
圧濃縮しエタノールを留去した。
次いて得られた濃縮物にトルエン100m1を加え充分
に攪拌し、さらに水50m1を加え攪拌した後トルエン
溶液層と水層とを各々分液採取した。次にトルエン溶液
層を10%一水酸化ナトリウム水溶液および水で洗浄し
、減圧下トルエンを留去した後、減圧下精留し沸点98
〜100℃/20wnHgのメタトルイジン(純度99
.4%)を50.8g(収率は3−ニトロー4−クロル
ーN,N−ジエチルベンジルアミンを基準とする理論収
率に対し、95.0%出発原料の4−クロルーN,N−
ジエチルベンジルアミンを基準とする理論収率に対し7
6.4%)得た。一方、分液採取した水層に48%一水
酸化ナトリウム水溶液を加え中和した後、常圧下蒸留し
沸点53〜55加Cのジエチルアミン(純度98.2%
)を31.26g(回収率は3−ニトロー4−クロルー
N,N−ジエチルベンジルアミンを基準とする理論回収
率に対し90%)得た。
に攪拌し、さらに水50m1を加え攪拌した後トルエン
溶液層と水層とを各々分液採取した。次にトルエン溶液
層を10%一水酸化ナトリウム水溶液および水で洗浄し
、減圧下トルエンを留去した後、減圧下精留し沸点98
〜100℃/20wnHgのメタトルイジン(純度99
.4%)を50.8g(収率は3−ニトロー4−クロル
ーN,N−ジエチルベンジルアミンを基準とする理論収
率に対し、95.0%出発原料の4−クロルーN,N−
ジエチルベンジルアミンを基準とする理論収率に対し7
6.4%)得た。一方、分液採取した水層に48%一水
酸化ナトリウム水溶液を加え中和した後、常圧下蒸留し
沸点53〜55加Cのジエチルアミン(純度98.2%
)を31.26g(回収率は3−ニトロー4−クロルー
N,N−ジエチルベンジルアミンを基準とする理論回収
率に対し90%)得た。
実施例2
500mt容フラスコに98%一濃硫酸300g(3.
0モル)仕込み、25℃〜30゜Cで攪拌下、4−クロ
ルーN,N−ジエチルベンジルアミン197.6g(1
.0モル)を滴加した後、さらに20℃以下に冷却しな
がら攪拌下、発煙硝酸75.8g(1.2モル)と98
%一濃硫酸100g(1モノ(ハ)とからなる混酸を滴
加した。
0モル)仕込み、25℃〜30゜Cで攪拌下、4−クロ
ルーN,N−ジエチルベンジルアミン197.6g(1
.0モル)を滴加した後、さらに20℃以下に冷却しな
がら攪拌下、発煙硝酸75.8g(1.2モル)と98
%一濃硫酸100g(1モノ(ハ)とからなる混酸を滴
加した。
滴加終了後30℃〜35℃て3時間攪拌し反応させた。
反応終了後、反応溶液を24%一水酸化ナトリウム水溶
液で中和し、上層の有機層を分液採取し、水洗した。
反応終了後、反応溶液を24%一水酸化ナトリウム水溶
液で中和し、上層の有機層を分液採取し、水洗した。
水洗後、得られた有機層をガスクロマトグラフィーで分
析し、3−ニトロー4−クロルーN,N−ジエチルベン
ジルアミンの純度を求めた。
析し、3−ニトロー4−クロルーN,N−ジエチルベン
ジルアミンの純度を求めた。
*1分析の結果、未反応の4−クロルーN,N−ジ
エチルベンジルアミンが13.9%、目的とする中間体
の3−ニトロー4−クロルーN,N−ジエチルベンジル
アミンが98.61%であり、不明物質は副生していな
かつた。(2)還元反応 前記(1)のニトロ化反応により得られた有機層と全量
のエタノール970gとを2f容フラスコに仕込み、さ
らに10%Pb−Cを9.7g加え、常圧下50゜C〜
55゛Cで攪拌下水素ガスを吹き込み、水素ガスが理論
量吸収されるまで6時間反応さぜた。
エチルベンジルアミンが13.9%、目的とする中間体
の3−ニトロー4−クロルーN,N−ジエチルベンジル
アミンが98.61%であり、不明物質は副生していな
かつた。(2)還元反応 前記(1)のニトロ化反応により得られた有機層と全量
のエタノール970gとを2f容フラスコに仕込み、さ
らに10%Pb−Cを9.7g加え、常圧下50゜C〜
55゛Cで攪拌下水素ガスを吹き込み、水素ガスが理論
量吸収されるまで6時間反応さぜた。
反応終了後、実施例1の(2)還元反応と同様に処理に
、メタトルイジン(純度99.5%)を100.3g(
収率は出発原料の4−クロルーN,N−ジエチルベンジ
ルアミンを基準とする理論収率に対し93.0%)得た
。
、メタトルイジン(純度99.5%)を100.3g(
収率は出発原料の4−クロルーN,N−ジエチルベンジ
ルアミンを基準とする理論収率に対し93.0%)得た
。
実施例3
各種の4−ハロゲノベンジルアミン化合物を出発原料と
して使用し、実施例2と同様にしてニトロ化反応、次い
て水素ガスを6時間吹込み還元反応を行ないメタトルイ
ジンを得た。
して使用し、実施例2と同様にしてニトロ化反応、次い
て水素ガスを6時間吹込み還元反応を行ないメタトルイ
ジンを得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のR_1は水素原子、アルキル基またはフェニル
基を表わし、R_2は水素原子またはアルキル基を表わ
し、xはハロゲ ン原子を表わす。 )で示される4−ハロゲノベンジルアミン化合物をニト
ロ化し、次いで還元することを特徴とするメタトルイジ
ンの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP509477A JPS6058741B2 (ja) | 1977-01-20 | 1977-01-20 | メタトルイジンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP509477A JPS6058741B2 (ja) | 1977-01-20 | 1977-01-20 | メタトルイジンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5390228A JPS5390228A (en) | 1978-08-08 |
| JPS6058741B2 true JPS6058741B2 (ja) | 1985-12-21 |
Family
ID=11601792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP509477A Expired JPS6058741B2 (ja) | 1977-01-20 | 1977-01-20 | メタトルイジンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058741B2 (ja) |
-
1977
- 1977-01-20 JP JP509477A patent/JPS6058741B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5390228A (en) | 1978-08-08 |
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