JPS605895A - 陶磁器に電気鍍金する方法 - Google Patents

陶磁器に電気鍍金する方法

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JPS605895A
JPS605895A JP11469783A JP11469783A JPS605895A JP S605895 A JPS605895 A JP S605895A JP 11469783 A JP11469783 A JP 11469783A JP 11469783 A JP11469783 A JP 11469783A JP S605895 A JPS605895 A JP S605895A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、陶器若しくは磁器(以下、陶磁器という)の
表面に、電気鍍金手法によって金、銀、銅、ニッケル、
クロム、黄tla1等の金属乃至は合金を鍍金する方法
に関するものである。
従来から、陶磁器の表面に、装飾用或いは機能用等の目
的をもって、各種金属乃至は合金の鍍金層を形成するこ
とが行なわれており、その一つの方法として、金、銀の
封金属づ」1においては、それらの微粉末をフリットに
混合−uしめてなる。・1χ状物を、塗布乃至は印刷等
の手法によって目的物の、II。
面に適用した後、中性乃至は弱酸性情囲気−1・で加熱
、焼(=Jげする窯業的手法が採用されている。3iた
、第二の方法として、1“正金属j;)外、例えば11
・1、ニッケル、クロム、芦銅等のものにあってシ31
、・般に上記の如き窯業的手法でその金属1riiを形
成−4ることが困つ:11であるとごろから、jIHj
電解5jf金手法が採用され、例えば次亜リン酸−ノ−
1−リウム法、水A″、1ヒホウ素化合物法或いはヒド
ラジン法等によって実施されている。
しかしなから、!!l! ’?rの第一・の方法は窯業
的手法−(あって、そのイ顕r11に形成ざ、11.イ
〕金属JFiの付着力し、1十分に大きい1)のではあ
るか、実施可能な金属か金、釘シ等の(11金屈頓に限
られ、一般的てはない技術であることに問題を白L ”
Uおり、また後者の第二の方法は形成されろ鍍金金11
’i; I?’iの411着力か弱(、ltJ品として
の耐久性に劣゛ろ問題を内在している。
また、他の方法としては、炭酸ガス(C(J2)中にお
いてそれを還元す、乙ごとによって、陶も〃器表面にカ
ーボン皮11Aを形成−uしめ、この皮11分を電極と
して電気鍍金を行なう手法があるが、かがるカーボン皮
膜の陶磁器表面に列する密着性が弱くこのため該カーボ
ン皮+1’Xj J−に形成されZ> If金層の(=
J着力が弱いという問題が、IIす、川に別の方法とし
て、前記第一・の方法で加ブ“Iシ、焼(=JシJして
得られた金属表面を電極として別の金1.QSを電気鍍
金する手法も考えられているが、この場合はフリットの
量を極力少なくして、電気抵抗が高くならないようにし
なげればならず、ま〕こ必然的にコストも111ノくな
って、一般的な手法ではないのである。
この他、更に、金属を陶磁器の表面に溶」1する方法も
あるか、何着力が弱く、また表面も1且く、従って特別
な用途以外には用いられていないのが実情であり、また
蒸着法或いり、lスパッタリンク法も何着力が弱く、且
つ高価である等の各種の間IWを内在している。
ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景G、ニして
為されたものであって、その目的とするとごろは、陶磁
器の表面に何着力の強い各種の金属層を安価に形成し1
7る電気鍍金手法を提供することにある。
すなわち、本発明は、かかるEft的を構成するために
、陶器若しくは磁器の電気壮り金ずべき部分の少なくと
も表面を、L3’を器半専体からなる導電部にて構成し
、かかる導電部を電極として、所定の73鍍浴中におい
て電気鍍金を行なうごとにより、該導電部の表面に所定
の金属をtJ’+出さ−U、かかる表面を被)W・uし
めるようにしたごとを」冒牧とするものである。
このように、本発明に従えば、陶磁器の金属層を形成ず
・\き部う〕の少な(とも表面を構成する、窯業的に一
体化し2に磁器下ベイ1)・からなる導電部の表面に対
して、電気鍍金が施されることとなるため、形成される
金属層の何着力は専ら電気t12金の何着力に支配され
るごととなり、それ故、−ゴI責に実施されている電気
鍍金技術によってその((1着力は容易に高められiす
るのであり、以”Cその耐久性を著しく ’lf、6め
得ることとなったのである。しかも、金属層の形成はi
14に従来からの電気鍍金手法か採用されるものである
ところから、適用されi!する金属乃至G、1合金の範
囲力< j)f L <広かり、より−・f1ツ的な金
属被覆手法乃至は全屈j響形成手法と為し得たのであり
、またその工程としても複i1[:な或いは面倒な工程
を採用するものでないところから、経済的と為しiりた
のである。
ところで、かかる本発明においては、電気鍍金されるべ
き陶磁器の表面に導電性を与える為に、かかる陶磁器の
当該部分の少なくとも表面が、磁器半導体からなる導電
部にて一体的に構成・uしめられているが、かかる磁器
半導体からなる導電;(1チは、次の如き各種の方法に
よって容易に形成ずろことが可能である。
先ず、第一の方法としては、既に焼成の終了した陶磁器
の表面に所定の半導体磁77’;原料絹成物を吹伺LJ
、刷毛塗り等の手法によって塗布せしめたり、或いは所
定のパターンに印刷したりして、かかる陶磁器の表面に
所定厚さの塗布ff1i乃至し;1印刷層を形成−uし
めた後、焼成することにより、形成される磁器下う9体
の導電部を陶磁器の基地に一体化せしめる方法である。
また、第二の方尻は、適音の陶θLj:: !!jlJ
造の過程に従って(4rられる陶(l〃器原料組成物の
成形体乃至はそれを予(a焼成して得られる券焼体の表
面に、所定の半導体磁器原料組成物を吹1」す、刷下塗
り等の塗布または印刷手法によって通用し、そごに所定
厚さの塗布層乃至は印刷層を形成〜uしめた後、ごれを
焼成ずろごと6.二より、かかる成形体乃至はその素焼
体の陶磁器化と同時に陶磁器表面に導電1?i(部)を
形成−uしめる手法で3)る。’l:、’iに、この方
法においては、半導体磁器1jl :l”1組成物が液
状組成物とし゛(目的とずイ)成形体J、たG31素焼
体の表面に適用さねn−場合、その塗布乃至は印刷層の
形成をりJ原曲に行ない冑ると共に、形成される磁器半
ニア5(体の導電層が陶磁器の)と地にλ1して、より
効果的に一体化・uしめられ冑る利点があり、また半導
体\磁器原料組成物の焼成と共に、成形体乃至はその素
35“6体の焼成か一度に行ないi’i’、 7.利点
もあるのである。
なお、こ0月1、うに、陶rfA器また口それをjjえ
る成形体若しくC11−その素焼体の表面に形成される
磁器半導体からなる導電層(+’l(> の厚さは、(
汝の電気鍍金手法において電気を導通せしめ得る範囲に
おいて適宜に決定され得るものであるか、一般に(1,
l mm以−にの厚さにおいて、かかる導電1t;1を
形成することが望まし、いのである。尤も、このような
導電層を陶磁器の表面に形成するごとに代えて、陶磁器
全体を半導体化しても、何等差支えないのである。すな
わち、所定の半導体磁器原料組成物を用いて、目的とす
る陶磁器を与える成形体を形成し、これを焼成すること
によって、半導体化−Uしめた陶磁器を用いることも、
本発明にあって(1、l可能である。
また、かかる導電層(部)を形成するために用いられる
半導体磁器原料組成物としては、酸化チタン(T i 
02 ) 、チタン酸ハリウA (B a i’ 10
3)、チタン酸ストロンチウム(3rTiO3)、チタ
ンN(t 7グネシウム(xMgO・y’Vi O2)
、亜鉛華(ZnO)、そして錫化合物等の半導体磁器を
与えi)Iる公知の成分乃至化合物の−・■Φまたは二
種以上の混合物が用いられることとなる。
そして、このような半導体研÷(J原料組成物には、更
に電気的或いは膨張係数制御の為の添加物が必要に応じ
て添加されることとなるが、」1記の同時焼成手法によ
る導電層の形成の場合においては、陶磁器の基地(成形
体若しくはその素焼体)と゛1′導体θり器原料組成物
からi!−1られる導電層の膨張係数等の特性を111
8同柱なものとしておくことが望ましく、これによって
焼成時のひひ割れ等の1−ラブルを効果的に回避す、K
〕ことが出来るのである。
なお1、二ノよ・)な半導体(13,12:’t 13
:r ll′l 組1iW i/I ヲ用イた導電層の
形成し1、一般に高21’、!、 J、l’&成が行な
われる磁器においては還九雰囲気31′L成条件か採用
されることとなるLごイ)から、特に磁器のjllJ造
T犯iにおいて自°利に実施されi4するものであるが
、また一方では、比較的低温で(;IIL成する陶磁z
)1の製造工程において、一般に採用される酸化雰囲気
の焼成条件下では、前記〉14曽体磁器原オパ1組成物
には第三成分としてランタン、セリウム等の酸化物の如
きj皇子価制御成分が配合−1!シめられることとなる
。この原子価制御成分の配合によって、at化雰囲気下
での焼成であってJ注支器半導体からなる導電層(部)
が効果的に形成され1)Iるのである。
そして、ごのよ・)にして陶(l)■ニーiの電気鍍金
すべき部分の少なくとも表面を、磁器半j″7体からな
る導電部にて構成してなる所定形状の陶tり?器材料、
例えば板状、棒状、バーfプ状、ヒン状、容器状等の各
種形状の材料に対して、通常の電気IF金手υ:にて所
定の金属の鍍金層が形成されることとなるのである。す
なわち、−に述の如くして形成された磁器半シ、ダ体か
らなる導電部を陰(・7λ(マイナス極)とし、鍍金し
ようとする金属或いは不溶性金属を陽極(プラス極)と
して、その金属塩を電解液とする所定の電鍍浴中におい
て、通常の電気う3’ I’l’1″際作を行なうこと
により、該導電部の表面に所定の金属が析出され、かか
る表面が被覆−d、 Lめられることとなるのである。
ごのように、本発明においては、陶磁器の少なくとも表
面に窯業的に一体1ヒーuしめられたi、i′7電部(
層)に、所定の金属層か電気鍍金手法により形成される
ものであるため、かかる金属層の(=I着力を著しく高
め得て、その1lii1久性を効果的に改善し得るので
あり、またそのような1lli1久性のある金属層を、
経済的に安価に形成し17るのである。
以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本発明を更に
具体的に明らかにするが、本発明がかかる実施例の記載
によって何等の制約をも受り?、ものでないこと、言う
フトてもないところである。なお、実施例中の百分率し
t:、 ’1.?に断りのない限り、重甲ノ、い(f″
で示すものとする。
実施例 1 先ず、辿當の磁器jtpJ造の手順に従って、aり器原
料組成物をボールミルにて湿式混合微粉砕した後、32
5メノソフ、のfr;iにてふるい、冑られたそンク器
原料組成物の泥漿をl’、l’S貨乾燥する、二とによ
り、顆粒状の粉体をiMだ。次いて、この顆1))状粉
体を13<:m X I 3 an′の大きさの金型に
充iM、し、5(]Okg/aitの圧力を加えること
により、厚さが0.85 cmの角板状成形体(13<
:m x l 3 <:m )とし、更にこの成形体を
900°(:の?2!を度てご(時間焼成するごとによ
り、角板状の素焼物を得た。
なお、使用した磁器原料組成物は陶石=32%、長石ニ
ア%、珪石=30%、1111ミ目粘土:2o%、カオ
リン:10%、及び石灰石:1%からなる内容のもので
あり、そしζ、このに11成物から得られた素焼物の化
学分析値は、C: a O: (1,53%、M g 
O: (1,03%、 I<、O: 1. 8 4 %
、 AN 2 Q3:1’4.3%及び5jO2:83
.3%であった。
一方、導電層としての磁g+4半導体を磁器の表面に形
成せしめるため、半導体磁器片わ1組成物として0.2
%の酸化ニオブ(Nb203)を混合分11にせしめた
チタン酸ストロンチウム(SrTiOg)粉の泥漿を用
意した。
次いで、先に得た角板状の213−’rb物の表面に、
1−記チタン酸ストロンチウムの泥漿を噴霧吹き1−1
けし、そして(・λ燥−1しめた後、還元性雰囲気下°
C81380°cx4時間の条件下において焼成するこ
とにより、約I QcmX I Qcmの大きさの、且
つ厚さが0.7 cmの磁器角板を得た。
かくして得られた、表面に半導体化されたチタン酸スト
ロンチウムの磁器質導電層を有する磁器角板を用い、こ
れと、25%の亜鉛を含む芭1ril 仮とを対峙させ
て、シアン化銅(CuCN)25tr/l、シアン化亜
鉛[Zr1(CN) 2’l l 1 [!/β、全シ
アン化ソーダ(NaCN)45g/i’!からなる電鍍
浴中に浸し、かかる電波塔の6111度を730″Cに
保ちながら、前記磁器角板をマイナス極、黄年1板をプ
ラス(・猟として、直イ11.電j丁を印加して、30
 (l rn A / d r+rの電流を〔30分間
流すことニヨリ、所定の電気鍍金を行なった。この電気
鍍金により、磁器角板の表面にはでパ「銅が析出し、そ
の表面がかかる111出した黄↑11で被覆せしめられ
た。
なお、?jI金後の磁器角板をダイトモンドカソタにて
fli密に切1υ1して、その切11J7面倭観察した
ところ、そのllji面は基地となる絶縁磁H:;の部
分、磁器質導電層の部分、↑+q金された黄銅からなる
金属層の部分にて1■成され、またそれらの各厚さを測
定したとごろ、それぞれ0.7 (In 、、 0.3
 mm、及び1〕μで あ っ ノこ。
実施例 2 実施例1においてi」またl 3cmX l 3cmの
大きさの、17さが0.85cmの角板1ノ、二の成形
体(未ブ、fb成)を十分乾燥−ヒしぬ、次いでこの成
形体の表面に、0.1シロのシリカ(S + 02 )
を混合分1111.・lしめたチタン浩バリウム(I3
 ai” i 03 ) 45)の泥漿を噴霧吹(ζ1
シ」手法にて塗布した(茨、當l!l!Lにて十分に乾
lL’+G −1! Lめた。そして、この十分乾燥し
た成形体を十分な昇温時間にて1380℃の温度まで加
熱せしめ、この最高温度下において5時間(λi持する
ことにより焼成せしめた後、徐冷した。か(シ′ζ11
また磁器角板状焼結体(焼成物)の寸法は、実施例1と
同様にlQcmXIQcmの大きさで、)!7−さが0
゜7 cmであり、また還元性雰囲気下において焼成し
たため、チタン酸バリウムからなる半う、を体磁器原料
組成物を噴霧吹イ」り塗布した面は半導体化され、青黒
色を呈しており、またそのよ・)な青黒色を〒する導電
層は角板状磁器と、その接触面で窯業的に反応、一体化
されたものであった。
この半導体化された導電層をaする磁器角板と金属二ソ
う一ル坂とを対峙さ−Uて、硫酸ニッケルアンモニウム
[(NI14 ) 2 N i (SO4) 21 1
05g/β、塩化アンモニウム(NI14 Cp、) 
15g/β、(iJl酸(H2Bo、i ) 15 g
/ IIよりなる電波塔に浸し、常温にて磁器角板の導
電層をマイナス極、ニッケル坂をプラス極として、30
0m A / d rdの直流電流を60分間流すこと
により電鍍作業を行なった。
かくして得られた電気鍍金磁器角板ムこついて、実施例
1と同イ1)にして、その絶縁M器の部分、(磁器質導
電層のHH1+分及び電鍍金属層の部分のそれぞれのj
−)、さをijj+J定しノことごろ、それぞれ0,7
2 cm。
0.26開、及び7メIてあっAm。
実施例 3 直径4 cm、1襞さ5叶の大公さのフォルステライト
磁器(2M+(0・Sl(、)2)板に、チタン酸マグ
ネシウム(2M g O・i’ iす、)55%、チタ
ン酸バリウム(BaTi03)4(1%、シリカ2%、
ポリヒニールアルニ1−ル(PVA)3%ヨリなる泥県
を吹伺しノ塗布した後、葭元雰囲気下において1320
 ’c x 4時間の条件で焼成せしめ、前記塗布した
泥υに組成物を牛2t11体化した磁器質導電層を、フ
ォルステラーイI” 碍tiHの表面に形成した。
次いで、この導電1ト1が形成されたフォルステライト
磁器を用いて、前記実施例と同様にして磁器9″(導電
層に電気鍍金を施し7た。な」i、電鍍浴としては、シ
アン化i1’l (Cu L、:N) 2 (l l?
 / E、シアン化ソーダ(N ;i CN)35[/
(1,結晶炭酸ソーダ(Na2CO3)15 g/nか
らなる電P+’+(lIシが用いられ、また3 0 (
l m A / d r+7の電流が6()分間流され
た。
か(して得られた電気釘U金フメルステライ1(j唇器
板におりる磁器質導電層のfllじ1、及び電鍍し人:
銅層の厚さは、それぞれ0.23 mm、10.5 メ
lであっ 〕こ 。
出1頭人 近 1) 糾

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (J、l 陶器若しく0才磁器の電気1jり金ずべき部
    分の少なくとも表面を、磁4114 ゛l’導体からな
    る導電部にて構成し、かかる導電部を電極として、所定
    の電鍍浴中において電気鍍金を行なうことにより、該導
    電部の表面に所定の金属を析出さ・U、かかる表面を被
    覆・uしめることを特徴とする陶磁器に電気鍍金する方
    法。 (2)前記ω9J半導体からなる導電部か、前記陶器も
    しくは磁Z:(の表面に半;η体磁器原料組成物の4T
    布乃至は印刷層を形成せしめた後、焼成するごとにより
    、形成されることを’14Nf“(iとするlIS許請
    求の範囲第1項記載の方法。 (3)前記761器半導体から小′る導電部が、前記陶
    z))もしく&!磁器を与える原料組成物の所定の形状
    の成形体乃至はその幸ハ′L体の表面に、半専住研器原
    オ′−1組成物の塗布乃至は印刷層を形成〜uしめた後
    、焼成することにより、前記成形体乃至はその素焼体の
    陶磁器化と同時に形成されることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記戦の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61218074A (ja) * 1985-03-21 1986-09-27 ウエスチングハウス エレクトリツク コ−ポレ−シヨン 燃料電池の電子伝導性相互接続部の上に金属被膜を沈積させる方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5168619A (en) * 1974-12-11 1976-06-14 Suwa Seikosha Kk Garasukibanjoheno kinmetsukiho

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