JPS6059733A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
- Publication number
- JPS6059733A JPS6059733A JP58167470A JP16747083A JPS6059733A JP S6059733 A JPS6059733 A JP S6059733A JP 58167470 A JP58167470 A JP 58167470A JP 16747083 A JP16747083 A JP 16747083A JP S6059733 A JPS6059733 A JP S6059733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lighting
- arc
- power
- mercury lamp
- lighting condition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、紫外線ｆ：利用して回路パターンの焼付を行
なうための半導体露光装置に関するものである。
なうための半導体露光装置に関するものである。
ＩＣ５ＬＳＩ、超、ＬＳＩなどの半導体回路の回路パタ
ーンの焼付においては１．通常シリコンウェハーなどよ
り成る基板上に紫外線感光性の樹力旨層を積・ 層して
設け、この樹脂層に回路パターンを介して紫外線を含む
光を照射して焼付が行なわれる。
ーンの焼付においては１．通常シリコンウェハーなどよ
り成る基板上に紫外線感光性の樹力旨層を積・ 層して
設け、この樹脂層に回路パターンを介して紫外線を含む
光を照射して焼付が行なわれる。
第１図は、このような焼付に用いられる半導体露光装置
の一例の概略を示す説明図である。
の一例の概略を示す説明図である。
１００は露光用光源として用いられるショートアーク型
水銀灯であり、このショートアーク型水銀灯１００はそ
のアークが集光鏡１０１の焦点上に位置するよう取付け
られる。このショートアーク型水銀灯１００よりの光り
は集光鏡１０１によって集光され、諏１の平面鏡１０２
、インチグレークー１０３、第２の平面鏡１０４及びコ
ンデンサレンズ１０５を介して回路パターンが描かれた
フォトマスク３００に投射され、このフォトマスク３０
０を透過した光が縮小レンズ１０６によシ殿小されて、
基台２００上に保持された、その上面に紫外線感光性樹
脂層が積層された半導体ウエノ・−４００に投射され、
これにより半導体ウェハー４００に７オトマスク３００
に対応した回路パターンか焼付けられる。
水銀灯であり、このショートアーク型水銀灯１００はそ
のアークが集光鏡１０１の焦点上に位置するよう取付け
られる。このショートアーク型水銀灯１００よりの光り
は集光鏡１０１によって集光され、諏１の平面鏡１０２
、インチグレークー１０３、第２の平面鏡１０４及びコ
ンデンサレンズ１０５を介して回路パターンが描かれた
フォトマスク３００に投射され、このフォトマスク３０
０を透過した光が縮小レンズ１０６によシ殿小されて、
基台２００上に保持された、その上面に紫外線感光性樹
脂層が積層された半導体ウエノ・−４００に投射され、
これにより半導体ウェハー４００に７オトマスク３００
に対応した回路パターンか焼付けられる。
１０７はフィルターである。
この半導体露光装置に組み込まれるショートアーク型水
銀灯１００の一例を第２図に示す。
銀灯１００の一例を第２図に示す。
１は石英ガラス製封体であシ、この封体１の両端部には
口金２Ａ、２Ｂが設けられている。３及び４はそれぞれ
陽極支持棒及び陰極支持棒であり、陽極支持棒３の先端
には陽極５が［４定され、陰極支持棒４の先端には陰極
６が固定されておシ、これら陽極５と陰極６は封体１の
内部中央において互に対向している。陽極５及び陰極６
の先端部５１及び６１は伺れもコーン状に形成されてい
る。これは点灯起動が容易になるからで必な。そして、
このショートアーク型水銀灯１００は、例えば第３図に
その点灯電力波形を示すように点灯制御機構（図示せず
）によシ、例えば定格消費箪カと等しい定常の電力５０
０Ｗ（５０Ｖ、］、０Ａ）−７１一点灯ｔ ７１ 定常
電力点灯（第１の点灯状態）と、この定常電力の２倍（
Ｄ％力１０００Ｗ（５３Ｖ、１９Ａ）で点灯する過電力
点灯（第２の魚釣状態）とを、例えは約４ Ｑ Ｑ ｍ
５ｅｃの時間間隔で交互に繰シ返して点灯される０ ところが上記半導体露光装置では、フォトマスクやウェ
ハーの被照射面での照度分布や照度が露光時の過電力点
灯の度毎に変動する欠点が生ずる場合のあることがわか
った。
口金２Ａ、２Ｂが設けられている。３及び４はそれぞれ
陽極支持棒及び陰極支持棒であり、陽極支持棒３の先端
には陽極５が［４定され、陰極支持棒４の先端には陰極
６が固定されておシ、これら陽極５と陰極６は封体１の
内部中央において互に対向している。陽極５及び陰極６
の先端部５１及び６１は伺れもコーン状に形成されてい
る。これは点灯起動が容易になるからで必な。そして、
このショートアーク型水銀灯１００は、例えば第３図に
その点灯電力波形を示すように点灯制御機構（図示せず
）によシ、例えば定格消費箪カと等しい定常の電力５０
０Ｗ（５０Ｖ、］、０Ａ）−７１一点灯ｔ ７１ 定常
電力点灯（第１の点灯状態）と、この定常電力の２倍（
Ｄ％力１０００Ｗ（５３Ｖ、１９Ａ）で点灯する過電力
点灯（第２の魚釣状態）とを、例えは約４ Ｑ Ｑ ｍ
５ｅｃの時間間隔で交互に繰シ返して点灯される０ ところが上記半導体露光装置では、フォトマスクやウェ
ハーの被照射面での照度分布や照度が露光時の過電力点
灯の度毎に変動する欠点が生ずる場合のあることがわか
った。
つまシ、第２図に示した構成のショートアーク型水銀灯
１００における点灯時のアークの状態を調べたところ、
定常電力点灯時においては第４図に示すような輝度分布
が得られ、この輝度分布によると、アーク輝点が陰極６
の先端６２と陽極５の先端５２の２ケ所に形成されてお
り、このため簡単な光学系では２ケ所のアーク輝点の光
の両者を良好に集光することがもともと困難な点がｔり
ｊ７、一方過電力点灯時においてはアークの太さが定常
電力点灯時よりも約１．３〜１．５倍程度大きくなるが
、その大きくなる程度に − バラツキがあること、ま
た過電力点灯の度毎にアーク輝点の位置が変化する場合
もあり、結局集光に係るバラツキ要因が多々あって、フ
ォトマスクやウェハーの被照射面での照度分布や照度が
変動する欠点があることがわかった。
１００における点灯時のアークの状態を調べたところ、
定常電力点灯時においては第４図に示すような輝度分布
が得られ、この輝度分布によると、アーク輝点が陰極６
の先端６２と陽極５の先端５２の２ケ所に形成されてお
り、このため簡単な光学系では２ケ所のアーク輝点の光
の両者を良好に集光することがもともと困難な点がｔり
ｊ７、一方過電力点灯時においてはアークの太さが定常
電力点灯時よりも約１．３〜１．５倍程度大きくなるが
、その大きくなる程度に − バラツキがあること、ま
た過電力点灯の度毎にアーク輝点の位置が変化する場合
もあり、結局集光に係るバラツキ要因が多々あって、フ
ォトマスクやウェハーの被照射面での照度分布や照度が
変動する欠点があることがわかった。
本発明は以上の如き事情に基いてなされたものであって
、その目的とするところは、例えば定常の電力若しくは
それ以下で点灯する第１の点灯状態と前記定常の電力よ
シは大きな過電力で点灯する第２の点灯状態とを交互に
繰り返し点灯されるショートアーク型水銀灯を組み込ん
だ半導体露光装置において、フォトマスクやウェハーの
被照射面での照度分布や照度の変化を抑制した半導体露
光装置を提供することにあシ、その特徴とするところは
、平炬な先端面を有するテーパ状の先端部より成る陽極
を具えたショートアーク型水銀灯と、このショートアー
ク型水銀灯を、定常の電力若しくはそれ以下で点灯する
第１の点灯状態と前記定常の電力よシは大きな過電力で
点灯する第２の点灯状態とを交互に繰り返して点灯させ
る点灯制御機構とを組み合せた点にある。
、その目的とするところは、例えば定常の電力若しくは
それ以下で点灯する第１の点灯状態と前記定常の電力よ
シは大きな過電力で点灯する第２の点灯状態とを交互に
繰り返し点灯されるショートアーク型水銀灯を組み込ん
だ半導体露光装置において、フォトマスクやウェハーの
被照射面での照度分布や照度の変化を抑制した半導体露
光装置を提供することにあシ、その特徴とするところは
、平炬な先端面を有するテーパ状の先端部より成る陽極
を具えたショートアーク型水銀灯と、このショートアー
ク型水銀灯を、定常の電力若しくはそれ以下で点灯する
第１の点灯状態と前記定常の電力よシは大きな過電力で
点灯する第２の点灯状態とを交互に繰り返して点灯させ
る点灯制御機構とを組み合せた点にある。
以下図面によυ本発明の一実施例を説明する。
第５図は本発明の一実施例に係る半導体露光装置に露光
用光源として組み込むショートアーク型水銀灯１００の
一例を示す説明図であり、７は陽極であり、この陽極７
は、第６図及び第７図に拡大して示すように、大径柱状
の胴部７１と、この胴部７１からテーバ状に伸びその先
端面７２が平坦面である先端部７３とにより構成されて
いる。
用光源として組み込むショートアーク型水銀灯１００の
一例を示す説明図であり、７は陽極であり、この陽極７
は、第６図及び第７図に拡大して示すように、大径柱状
の胴部７１と、この胴部７１からテーバ状に伸びその先
端面７２が平坦面である先端部７３とにより構成されて
いる。
その他の部分については第２図に示した構成と同一であ
シ、同一部分には同一の符号を付して示しである。
シ、同一部分には同一の符号を付して示しである。
このショートアーク型水銀灯１００の具体的構成例を下
記第１表に示す。
記第１表に示す。
第 １ 表
すなわち本発明で用いるショートアーク型水銀灯は、直
流電源で駆動される高圧若しくは超高圧のショートアー
ク型水銀灯であシ、点灯時における封体内圧力は上記構
成例を含めて約７〜３０気圧の範囲内のものである。
流電源で駆動される高圧若しくは超高圧のショートアー
ク型水銀灯であシ、点灯時における封体内圧力は上記構
成例を含めて約７〜３０気圧の範囲内のものである。
点灯制御機構（図示せず）としては、従来この種半導体
露光装置に組み合せて用いられている点灯用電源装置を
用いる。
露光装置に組み合せて用いられている点灯用電源装置を
用いる。
以上のような半導体露光装置によれば、ショートアーク
型水銀灯１００において、１９分極７の先端部７３が平
坦な先端面７２を有するテーバ状であるため、定常電力
点灯（第１の点灯状態）時においては第８図に示すよう
な輝反分布が得られ、従来のように陽極先端がコーン状
である場合には生じていた陽極先端のアーク輝点が消滅
し、陰極６のコーン状先端６２の一ケ所のみにアーク輝
点が形成され、このアーク輝点がいわば点光源として機
能するようになり、しかも：Ａ電力点刻（第２の点灯状
態）時においてもアークの太さが陽極側近傍が多少変化
するたけで全体としては定常電力点灯時と１１とんど変
わることがないため、従ってアーク輝点が陰極先端に常
に安定して形成され、定常電力点灯及び過電力点灯の倒
れの場合においても陰極先端のアーク輝点に放射エネル
ギーが集中し、従って過電力点灯時にはその過電力に応
じてアーク輝点の輝度が著しく高くなり、結局アーク輝
点が集光鏡１０１の焦点上に位置するようショートアー
ク型水銀灯１００を取付けることによシ容易に集光する
ことができ、この結果フォトマスク３００や半導体ウェ
ハー４００を照明する被照射面での光の照度を増大せし
めることができるばかりでなく、その照度及び照夏分布
の変動を抑止することができる。
型水銀灯１００において、１９分極７の先端部７３が平
坦な先端面７２を有するテーバ状であるため、定常電力
点灯（第１の点灯状態）時においては第８図に示すよう
な輝反分布が得られ、従来のように陽極先端がコーン状
である場合には生じていた陽極先端のアーク輝点が消滅
し、陰極６のコーン状先端６２の一ケ所のみにアーク輝
点が形成され、このアーク輝点がいわば点光源として機
能するようになり、しかも：Ａ電力点刻（第２の点灯状
態）時においてもアークの太さが陽極側近傍が多少変化
するたけで全体としては定常電力点灯時と１１とんど変
わることがないため、従ってアーク輝点が陰極先端に常
に安定して形成され、定常電力点灯及び過電力点灯の倒
れの場合においても陰極先端のアーク輝点に放射エネル
ギーが集中し、従って過電力点灯時にはその過電力に応
じてアーク輝点の輝度が著しく高くなり、結局アーク輝
点が集光鏡１０１の焦点上に位置するようショートアー
ク型水銀灯１００を取付けることによシ容易に集光する
ことができ、この結果フォトマスク３００や半導体ウェ
ハー４００を照明する被照射面での光の照度を増大せし
めることができるばかりでなく、その照度及び照夏分布
の変動を抑止することができる。
以上において、ショートアーク型水銀灯１００における
陽極７の好ましい寸法例を挙げると、胴部７１の外径Ｄ
＋が４〜１０調、先端面７２の直径Ｄ２が０．４〜５ｍ
＋である。
陽極７の好ましい寸法例を挙げると、胴部７１の外径Ｄ
＋が４〜１０調、先端面７２の直径Ｄ２が０．４〜５ｍ
＋である。
そして過電力点灯するときの過電力の大きさは、定常電
力点灯時における定常電力の大きさの約２倍以円である
ことが好ましい。この定常電力は定格消費電力と同じか
或いはその近傍値とされる。
力点灯時における定常電力の大きさの約２倍以円である
ことが好ましい。この定常電力は定格消費電力と同じか
或いはその近傍値とされる。
尚定格消費電力は、通常メーカーが保証する性能とその
性能を維持する使用寿命とを定めるにあたって基準とな
る使用電力を示す。
性能を維持する使用寿命とを定めるにあたって基準とな
る使用電力を示す。
以上本発明の一実施例について説明したが、本発明にお
いては種々変更が可能であって、ショートアーク型水銀
灯１００のアーク輝点よりの光をどのような光学系によ
って波形するかは自由に選定してよい。
いては種々変更が可能であって、ショートアーク型水銀
灯１００のアーク輝点よりの光をどのような光学系によ
って波形するかは自由に選定してよい。
以上のように本発明は、平：Ｉ一旦な先端向を有するテ
ーパ状の先端部よシ成る陽極を具えたショートアーク型
水銀灯と、このショートアーク型水銀灯を、定常の電力
若しくはそれ以下で点灯する第１の点灯状態と前記定常
の電力よりは大きな過電力で点灯する第２の点灯状態と
を交互に縁り返して点灯させる点灯制御機構とを組み合
せたものであるから、前述した理由によシ、従来の露光
時の過電力点灯の度毎に生じ易かったフォトマスクやウ
ェハーの被照射面での照度の変化や照度分布の変化を抑
制することができ、非常に優れた半導体露光装置を提供
することができる。
ーパ状の先端部よシ成る陽極を具えたショートアーク型
水銀灯と、このショートアーク型水銀灯を、定常の電力
若しくはそれ以下で点灯する第１の点灯状態と前記定常
の電力よりは大きな過電力で点灯する第２の点灯状態と
を交互に縁り返して点灯させる点灯制御機構とを組み合
せたものであるから、前述した理由によシ、従来の露光
時の過電力点灯の度毎に生じ易かったフォトマスクやウ
ェハーの被照射面での照度の変化や照度分布の変化を抑
制することができ、非常に優れた半導体露光装置を提供
することができる。
第１図は半導体露光装置の一例の概略を模式的に示す説
明図、第２図は従来の半導体露光装置に用いられている
ショートアーク型水銀灯の一例を示す説明図、第３図は
第１の点灯状態と第２の点灯状態とを交互に繰シ返して
点灯するときのショートアーク型水銀灯に供給する電力
の波形の一例を示す説明図、第４図は第２図に示したン
ヨートアーク型水銀灯の点灯時におりるアークの輝度分
布を示す説明図、第５図は本発明半導体露光装置に用い
ることができるショートアーク型水銀灯の一例を示す説
明図、第６図及び第７図はそれぞれ第５図の要部を拡大
して示す説明用正面図及び説明用側面図、Ｍ８図は第５
図に示したショートアーク型水銀灯の点灯時におけるア
ークの輝度分布を示す説明図である。 １００・・・ショートアーク型水銀灯 １０１・・・集光鏡 １０２・・・第１の平面鏡１０３
・・・インチグレーター １０４・・・第２の平面鏡１
０５・・・コンデンサレンズ １０６・・・縮小レンズ
１０７・・・フィルター ２００・・・基 台３００・
・・フォトマスク ４００・・・半導体ウェハー１ ・
・・石英ガラス製封体 ５ ・・・陽 極５１・・・先
端部 ６ ・・・陰 極 ６１ ・・・先端部 ７ ・・・陽 極７１・・・胴
部 ７２・・・先端部 ７３・・・先端部 学１図 ゝ−−２００ ヤ２図 傑３図 学８図 手続補正書（自発） 昭和５９年７月２３日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１６７４７０号 ２、発明の名称 半導体露光装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区大手町２丁１」６番１号朝日東
海ビル１９階 名称 ウシオ電機株式会社 ５、補正の対象 １）別紙のとおり ２）（１）明細書第１頁第１３行乃至第２頁第１行間を
下記のように訂正する。 ［本発明は、紫外線を利用して半導体の焼イリを行なう
ための半導体露光装置に関するものである。 ＩＣ５ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体回路の回路パター
ンの焼付においては、通常シリコンウニして紫外線を含
む光を照射して焼付が行なわれる。 例えばエツチング用レジスト層の形成のために行なわれ
る焼付においては、通常、半導体ウェハー上に形成した
紫外線感光性のレジスト層にフォトマスクを介して水銀
灯の光を照射して露光する方法が広く採用されている。 半導体ウェハーは通常円形であり、その表面領域は縦横
に配列された微小区域に区画され、これらの微小区域が
後に分割されて各々が半導体デバイスを構成するチップ
となる。１枚の半導体ウェハーの大きさは直径で３イン
チ、５インチ、６インチ程度のものが一般的であるが、
半入り体ウェハーは、その製造技（・トｊの進四に伴い
大型化する傾向にある。 １枚の半導体ウェハーの全面を同時に露光せしめて全微
小区域を一度に焼（＝Ｊ番：Ｊる１２７）元方法におい
ては、大出力の水銀灯が必要であり、そのために露光装
置が大型となること、しかも半導体ウェハーにおりる照
度の均一化に相当高度な技ｆＪ’ｊを要すること、など
の問題点があり、結局半導体ウェハーの大型化傾向に適
応することが困デ「である。 このようなことから、最近１枚の半導体ウェハーにおい
て、縦横に配列された微小区域の各々を１個づつ順次に
露光せしめてパターンを順次焼旬ける露光方式が提案さ
れた。このようなステップ露光方式によれば、１回の露
光においては、微小区域１個分の面積を露光ずれはよく
、このため小出力の水銀灯を用いることが可能となって
露光装置が小型になること、しかもＩ Ｍの１冷光面積
が小さいので半導体ウェハーの被露光部の照度の均一化
が容易であること、などの大きな利益が得られ、結局高
い精度でパターンの焼付けを行なうことかできる。 而して水銀灯は、消灯時には封入された水銀ガスが凝縮
するため、短い周期で点滅を繰り返すことができず、こ
のため連続点灯せしめたまま大電力点灯状態と小電力点
灯状態を交互に繰り返し、大電力点灯状態において半導
体ウェハーの露光位置にある微小区域の露光を行ない、
小電力点灯状態において、例えばシャッターで水銀灯よ
りの光を遮光して、半導体ウェハーにおＬ−Ｊる次の露
光を施すべき微小区域が露光位置に位置されるよう当該
半導体ウェハーをステップ的に移動させることが有利で
ある。これは、大電力点灯状ｒＢで必要な光量が得られ
ると共に、小電力点灯状態では電力の浪費を防止しなか
ら水１Ｒ灯の点灯状態が維持されるからである３゜ 第１図は、半導体ウェハーのパターンの焼付に用いられ
る半導体」 （２）同第３頁第９行中「例えは」を「前述のステップ
露光のために、例えば」と訂正する。 （３）同第５頁第７行乃至第８行及び第９頁第５行中［
テーバ状の先端部より成る］を１−テーバ状に形成され
た先端部を有する」と訂正する。 （４）同第７頁第１２行及び第１３行を下記のように訂
正する。 ［れ、しかも過電力点灯（第２の点灯状ｆｉ、Ｈ）Ｊ（
５）同第７頁第１６行乃至第１８行間を下記のように８
１正する。 「んど変わることがなく、アーク輝点が１（３極先端の
一ケ所のみに常に安定して形成されるので、この陰極先
端」 （６）同第７頁第２０行中「過電力に応して」を「過電
力の大きさに応じて」と訂ｉＥする。 （７）同第８頁第４行を下記のように訂正する。 「とができ、この結果、過電力点灯状態における光を照
Ｕ＝Ｉすることにより、半屑体つ−１（８）同第８頁第
７行中［できる。−］を「できて高い精度で安定した露
光を繰り返し０行な・うことができる。」と訂正する。 （９）同第３頁＠１８行乃至第１９行中、第４真第１５
行中及び第５頁第４行中「フオ（・マスクや」を削除す
る。 （別紙） ２、特許請求の範囲 ］）平坦な先端面を有するテーパ状に形成された先端部
を有する陽極を具えたショートアーク型水銀灯と、この
ショートアーク型水ｆｆ１Ｊ灯を、定常の電力若しくは
それ以下で点灯する第１の点灯状態と前記定常の電力よ
りは大きな過電力で点灯する第２の点灯状態とを交互に
繰り返して点灯させる点灯制御機構とを組み合せたこと
を１１１−徴とする半導体露光装置。
明図、第２図は従来の半導体露光装置に用いられている
ショートアーク型水銀灯の一例を示す説明図、第３図は
第１の点灯状態と第２の点灯状態とを交互に繰シ返して
点灯するときのショートアーク型水銀灯に供給する電力
の波形の一例を示す説明図、第４図は第２図に示したン
ヨートアーク型水銀灯の点灯時におりるアークの輝度分
布を示す説明図、第５図は本発明半導体露光装置に用い
ることができるショートアーク型水銀灯の一例を示す説
明図、第６図及び第７図はそれぞれ第５図の要部を拡大
して示す説明用正面図及び説明用側面図、Ｍ８図は第５
図に示したショートアーク型水銀灯の点灯時におけるア
ークの輝度分布を示す説明図である。 １００・・・ショートアーク型水銀灯 １０１・・・集光鏡 １０２・・・第１の平面鏡１０３
・・・インチグレーター １０４・・・第２の平面鏡１
０５・・・コンデンサレンズ １０６・・・縮小レンズ
１０７・・・フィルター ２００・・・基 台３００・
・・フォトマスク ４００・・・半導体ウェハー１ ・
・・石英ガラス製封体 ５ ・・・陽 極５１・・・先
端部 ６ ・・・陰 極 ６１ ・・・先端部 ７ ・・・陽 極７１・・・胴
部 ７２・・・先端部 ７３・・・先端部 学１図 ゝ−−２００ ヤ２図 傑３図 学８図 手続補正書（自発） 昭和５９年７月２３日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１６７４７０号 ２、発明の名称 半導体露光装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区大手町２丁１」６番１号朝日東
海ビル１９階 名称 ウシオ電機株式会社 ５、補正の対象 １）別紙のとおり ２）（１）明細書第１頁第１３行乃至第２頁第１行間を
下記のように訂正する。 ［本発明は、紫外線を利用して半導体の焼イリを行なう
ための半導体露光装置に関するものである。 ＩＣ５ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体回路の回路パター
ンの焼付においては、通常シリコンウニして紫外線を含
む光を照射して焼付が行なわれる。 例えばエツチング用レジスト層の形成のために行なわれ
る焼付においては、通常、半導体ウェハー上に形成した
紫外線感光性のレジスト層にフォトマスクを介して水銀
灯の光を照射して露光する方法が広く採用されている。 半導体ウェハーは通常円形であり、その表面領域は縦横
に配列された微小区域に区画され、これらの微小区域が
後に分割されて各々が半導体デバイスを構成するチップ
となる。１枚の半導体ウェハーの大きさは直径で３イン
チ、５インチ、６インチ程度のものが一般的であるが、
半入り体ウェハーは、その製造技（・トｊの進四に伴い
大型化する傾向にある。 １枚の半導体ウェハーの全面を同時に露光せしめて全微
小区域を一度に焼（＝Ｊ番：Ｊる１２７）元方法におい
ては、大出力の水銀灯が必要であり、そのために露光装
置が大型となること、しかも半導体ウェハーにおりる照
度の均一化に相当高度な技ｆＪ’ｊを要すること、など
の問題点があり、結局半導体ウェハーの大型化傾向に適
応することが困デ「である。 このようなことから、最近１枚の半導体ウェハーにおい
て、縦横に配列された微小区域の各々を１個づつ順次に
露光せしめてパターンを順次焼旬ける露光方式が提案さ
れた。このようなステップ露光方式によれば、１回の露
光においては、微小区域１個分の面積を露光ずれはよく
、このため小出力の水銀灯を用いることが可能となって
露光装置が小型になること、しかもＩ Ｍの１冷光面積
が小さいので半導体ウェハーの被露光部の照度の均一化
が容易であること、などの大きな利益が得られ、結局高
い精度でパターンの焼付けを行なうことかできる。 而して水銀灯は、消灯時には封入された水銀ガスが凝縮
するため、短い周期で点滅を繰り返すことができず、こ
のため連続点灯せしめたまま大電力点灯状態と小電力点
灯状態を交互に繰り返し、大電力点灯状態において半導
体ウェハーの露光位置にある微小区域の露光を行ない、
小電力点灯状態において、例えばシャッターで水銀灯よ
りの光を遮光して、半導体ウェハーにおＬ−Ｊる次の露
光を施すべき微小区域が露光位置に位置されるよう当該
半導体ウェハーをステップ的に移動させることが有利で
ある。これは、大電力点灯状ｒＢで必要な光量が得られ
ると共に、小電力点灯状態では電力の浪費を防止しなか
ら水１Ｒ灯の点灯状態が維持されるからである３゜ 第１図は、半導体ウェハーのパターンの焼付に用いられ
る半導体」 （２）同第３頁第９行中「例えは」を「前述のステップ
露光のために、例えば」と訂正する。 （３）同第５頁第７行乃至第８行及び第９頁第５行中［
テーバ状の先端部より成る］を１−テーバ状に形成され
た先端部を有する」と訂正する。 （４）同第７頁第１２行及び第１３行を下記のように訂
正する。 ［れ、しかも過電力点灯（第２の点灯状ｆｉ、Ｈ）Ｊ（
５）同第７頁第１６行乃至第１８行間を下記のように８
１正する。 「んど変わることがなく、アーク輝点が１（３極先端の
一ケ所のみに常に安定して形成されるので、この陰極先
端」 （６）同第７頁第２０行中「過電力に応して」を「過電
力の大きさに応じて」と訂ｉＥする。 （７）同第８頁第４行を下記のように訂正する。 「とができ、この結果、過電力点灯状態における光を照
Ｕ＝Ｉすることにより、半屑体つ−１（８）同第８頁第
７行中［できる。−］を「できて高い精度で安定した露
光を繰り返し０行な・うことができる。」と訂正する。 （９）同第３頁＠１８行乃至第１９行中、第４真第１５
行中及び第５頁第４行中「フオ（・マスクや」を削除す
る。 （別紙） ２、特許請求の範囲 ］）平坦な先端面を有するテーパ状に形成された先端部
を有する陽極を具えたショートアーク型水銀灯と、この
ショートアーク型水ｆｆ１Ｊ灯を、定常の電力若しくは
それ以下で点灯する第１の点灯状態と前記定常の電力よ
りは大きな過電力で点灯する第２の点灯状態とを交互に
繰り返して点灯させる点灯制御機構とを組み合せたこと
を１１１−徴とする半導体露光装置。
Claims (1)
- １）平土且な先端面を有するテーバ状の先端部よシ成る
陽極を具えたショートアーク型水銀灯と、このショート
アーク型水銀灯を、定常の電力若しくはそれ以下で点灯
する第１の点灯状態と前記定常の電力よりは大きな過電
力で点灯する第２の点灯状態とを交互に繰シ返して点灯
させる点灯制御機構とを組み合せたことを特徴とする半
導体露光装置。 □
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58167470A JPS6059733A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58167470A JPS6059733A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 半導体露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059733A true JPS6059733A (ja) | 1985-04-06 |
Family
ID=15850268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58167470A Pending JPS6059733A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059733A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03274648A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-05 | Ushio Inc | ショートアーク型水銀蒸気放電灯 |
| JP2007179842A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Harison Toshiba Lighting Corp | ショートアーク形水銀ランプ点灯装置、紫外線照射装置および紫外線照射方法 |
| JP2007201410A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Harison Toshiba Lighting Corp | 紫外線照射装置 |
| JP2008281934A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Harison Toshiba Lighting Corp | 紫外線照射装置 |
| JP2011054558A (ja) * | 2010-07-20 | 2011-03-17 | Totsuken:Kk | 誘導放電限界回路を用いた安定器 |
| JP2014017134A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Ushio Inc | ショートアーク型水銀ランプ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49119481A (ja) * | 1973-03-16 | 1974-11-14 | ||
| JPS57185663A (en) * | 1982-04-23 | 1982-11-15 | Ushio Inc | Lighting of mercury rare-gas electric-discharge lamp |
-
1983
- 1983-09-13 JP JP58167470A patent/JPS6059733A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49119481A (ja) * | 1973-03-16 | 1974-11-14 | ||
| JPS57185663A (en) * | 1982-04-23 | 1982-11-15 | Ushio Inc | Lighting of mercury rare-gas electric-discharge lamp |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03274648A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-05 | Ushio Inc | ショートアーク型水銀蒸気放電灯 |
| JP2007179842A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Harison Toshiba Lighting Corp | ショートアーク形水銀ランプ点灯装置、紫外線照射装置および紫外線照射方法 |
| JP2007201410A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Harison Toshiba Lighting Corp | 紫外線照射装置 |
| JP2008281934A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Harison Toshiba Lighting Corp | 紫外線照射装置 |
| JP2011054558A (ja) * | 2010-07-20 | 2011-03-17 | Totsuken:Kk | 誘導放電限界回路を用いた安定器 |
| JP2014017134A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Ushio Inc | ショートアーク型水銀ランプ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4732842A (en) | Exposure method of semiconductor wafer by rare gas-mercury discharge lamp | |
| TWI421647B (zh) | 曝光裝置、曝光光束照射方法以及顯示用面板基板的製造方法 | |
| JP2002289513A (ja) | 塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法及び処理装置、レジストパターン形成方法 | |
| KR100379873B1 (ko) | 막질개량방법 | |
| JP4391136B2 (ja) | 露光用照明装置 | |
| JPS6059733A (ja) | 半導体露光装置 | |
| JP2002303988A (ja) | 露光装置 | |
| GB2203849A (en) | Method of exposing a semiconductor water to light from a mercury-vapor lamp | |
| JPS62286226A (ja) | 遠紫外線露光装置 | |
| JP2005227465A (ja) | 照明光学系の使用方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法 | |
| CN115494704A (zh) | 一种太阳能电池片铜电极的制作方法及设备 | |
| JP2020170041A (ja) | 光源装置、リソグラフィ装置、および物品製造方法 | |
| JPH11260705A (ja) | 露光装置 | |
| JPS6057930A (ja) | 露光装置 | |
| TW200916970A (en) | An exposing equipment | |
| JPS6120326A (ja) | 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 | |
| CN114779588B (zh) | 光照设备及其使用方法以及半导体处理设备 | |
| JPH02246206A (ja) | 半導体ウエハー露光方法と露光用水銀灯 | |
| JPH0535559Y2 (ja) | ||
| TW200846835A (en) | A cover for shielding a portion of an arc lamp | |
| JPH04365315A (ja) | 半導体基板露光装置 | |
| JP2732457B2 (ja) | ショートアーク型水銀蒸気放電灯 | |
| JP2732453B2 (ja) | 縮小ミラープロジェクション用水銀希ガス放電灯 | |
| GB2161284A (en) | Controlling light emission | |
| JPS6120323A (ja) | 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 |