JPS6060758A - ホトセンサ - Google Patents
ホトセンサInfo
- Publication number
- JPS6060758A JPS6060758A JP58168312A JP16831283A JPS6060758A JP S6060758 A JPS6060758 A JP S6060758A JP 58168312 A JP58168312 A JP 58168312A JP 16831283 A JP16831283 A JP 16831283A JP S6060758 A JPS6060758 A JP S6060758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diode
- photosensor
- upper electrode
- blocking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
】０〔発明の利用分野〕
本発明はファクシミリ等の光学読取部に使用されるライ
ンセンサに好適する、アモルファスシリコンをダイオー
ドとして用いてなるホトセンサに関するものである。
ンセンサに好適する、アモルファスシリコンをダイオー
ドとして用いてなるホトセンサに関するものである。
１５ 以下、本発明をラインセンサに適用した場合につ
いて説明する。
いて説明する。
従来、ラインセンサは、ブロッキングダイオード側の上
部電極を、Ａｔ（アルミニウム）または下−・（・層よ
りＣｒ （クロム）および、Ｕの順で積層形成したもの
を用いて構成していた。
部電極を、Ａｔ（アルミニウム）または下−・（・層よ
りＣｒ （クロム）および、Ｕの順で積層形成したもの
を用いて構成していた。
しかしながらこのような従来センサでは、いずれにして
も最上層はＭで形成され、そこからの外部端子の取り田
しに半田付けを用いることができなかった。このため、
外部端子取出手段として機械的圧接等を用いてい７ｔが
、この方法では上部電極と外部端子の接続信頼性が低い
５、ｔ−た、Ａ３版用等の大型ファクシミリのラインセ
ンサの場合には、精度上、上記圧接方法では外部端子、
特にそれがＦＰＣ（フレキシブル・プリンティド・サー
キット）である場合、それらの接続が極めて困難である
等の欠点がめった。
も最上層はＭで形成され、そこからの外部端子の取り田
しに半田付けを用いることができなかった。このため、
外部端子取出手段として機械的圧接等を用いてい７ｔが
、この方法では上部電極と外部端子の接続信頼性が低い
５、ｔ−た、Ａ３版用等の大型ファクシミリのラインセ
ンサの場合には、精度上、上記圧接方法では外部端子、
特にそれがＦＰＣ（フレキシブル・プリンティド・サー
キット）である場合、それらの接続が極めて困難である
等の欠点がめった。
本発明は上記のような欠点を除去するためになされたも
ので、アモルファスシリコンのダイオード特性を劣化さ
せることなく、ブロッキングダイオード側の上部電極と
外部端子の半田付けを可能とし、それらの接続の信頼性
を高めると共に、大型ファクシミリのラインセンサに適
用した場合における外部端子との接続の簡単化を計るこ
とができるホトセンサを提供することを目的とする。
ので、アモルファスシリコンのダイオード特性を劣化さ
せることなく、ブロッキングダイオード側の上部電極と
外部端子の半田付けを可能とし、それらの接続の信頼性
を高めると共に、大型ファクシミリのラインセンサに適
用した場合における外部端子との接続の簡単化を計るこ
とができるホトセンサを提供することを目的とする。
本発明は、アモルファスシリコ７ ’ｆ タイオードと
して用いてなるホトセンサにおいて、ブロッキングダイ
オード側の上部電極を、少なくとも最下層にＣｒ、最上
層にＡｕを用いて構成し、前記上部電極と外部端子の半
田付けを可能としたものである。
して用いてなるホトセンサにおいて、ブロッキングダイ
オード側の上部電極を、少なくとも最下層にＣｒ、最上
層にＡｕを用いて構成し、前記上部電極と外部端子の半
田付けを可能としたものである。
以下、第１図全参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明によるホトセンサが適用されたラインセ
ンサの一例を示す断面図で、図中１はＣｒからなる第１
層配線層、２はこの層１上のａ−８ｉ（アモルファスシ
リコン）ダイオード部、３は５ｉＯｚからなる層間絶縁
層、４はホトダイオード側のａ−８ｉダイオ一ド部２上
に形成されたＩＴＯ（インジウム、すず酸化物）からな
るホトダイオード部透明電極である。５，６および７は
、ブロッキングダイオード側のａ −Ｓ ｉダイオード
部２上に順次積層形成されて上部電極を構成するＣｒ層
、 ＮｉＣｒ にクロム）層およびＡｕ層である。
ンサの一例を示す断面図で、図中１はＣｒからなる第１
層配線層、２はこの層１上のａ−８ｉ（アモルファスシ
リコン）ダイオード部、３は５ｉＯｚからなる層間絶縁
層、４はホトダイオード側のａ−８ｉダイオ一ド部２上
に形成されたＩＴＯ（インジウム、すず酸化物）からな
るホトダイオード部透明電極である。５，６および７は
、ブロッキングダイオード側のａ −Ｓ ｉダイオード
部２上に順次積層形成されて上部電極を構成するＣｒ層
、 ＮｉＣｒ にクロム）層およびＡｕ層である。
上述構成のラインセンサの製造例を以下に説明する。ま
ず、第１層配線層１としてＣｒを０．１μｍ厚スパッタ
リングした後、パターニングする。次に、ａ −Ｓ ｉ
のｎｉｐ ３層を合計的０．６μｍ厚デボジショニング
（堆積）した後、ホトエツチングしてａ−８ｔダイオ一
ド部２を形成する。その後、層間絶縁層６として５ｔＯ
２を２μｍ厚スパッタリングし、スルーホール全形成す
る。続いて、ＩＴＯを０．５μｍ厚スパッタリングした
後、ホトエツチングしてホトダイオード側のａ −Ｓ
ｉダイオード部２上にホトダイオード部透明電極４を形
成する。その後、ブロッキングダイオード側のａ −Ｓ
ｉダイオード部２上に上部電極を形成するもので、こ
れは、まずＣｒ層５を０．１μｍ厚、 ＮｉＣｒ層６を
［Ｎｐｍ厚およびＡｕ層７ｅ０．２μｍ厚でスパッタリ
ングにょシ順次積層形成した後、これら３層を一体とし
てホトエツチングによりパターニングしてなるものであ
る。
ず、第１層配線層１としてＣｒを０．１μｍ厚スパッタ
リングした後、パターニングする。次に、ａ −Ｓ ｉ
のｎｉｐ ３層を合計的０．６μｍ厚デボジショニング
（堆積）した後、ホトエツチングしてａ−８ｔダイオ一
ド部２を形成する。その後、層間絶縁層６として５ｔＯ
２を２μｍ厚スパッタリングし、スルーホール全形成す
る。続いて、ＩＴＯを０．５μｍ厚スパッタリングした
後、ホトエツチングしてホトダイオード側のａ −Ｓ
ｉダイオード部２上にホトダイオード部透明電極４を形
成する。その後、ブロッキングダイオード側のａ −Ｓ
ｉダイオード部２上に上部電極を形成するもので、こ
れは、まずＣｒ層５を０．１μｍ厚、 ＮｉＣｒ層６を
［Ｎｐｍ厚およびＡｕ層７ｅ０．２μｍ厚でスパッタリ
ングにょシ順次積層形成した後、これら３層を一体とし
てホトエツチングによりパターニングしてなるものであ
る。
なお、上述実施例ではブロッキングダイオード側のａ−
８１ダイオ一ド部２上の上部電極を、最下層よすＣｒ層
５． ＮｉＣｒ層６およびＡｕ層７の順で積層形成した
が、これのみに限定されることはない。
８１ダイオ一ド部２上の上部電極を、最下層よすＣｒ層
５． ＮｉＣｒ層６およびＡｕ層７の順で積層形成した
が、これのみに限定されることはない。
例えば最下層をＣｒ層５とし、その上部にＮｉ にッケ
ル）層およびＡｕ層７を順次積層形成し、あるいは最下
層をＣｒ層５とし、その上層にＡｕ層７を積層形成した
ものであってもよく、要は、最下層をａ−８ｉダイオ一
ド部２と容易に反応せず、かつピンホールの少ないＣｒ
層５とし、最上層を外部端子（図示せず）と半田付は可
能のＡｕ層７としたものであればよい。
ル）層およびＡｕ層７を順次積層形成し、あるいは最下
層をＣｒ層５とし、その上層にＡｕ層７を積層形成した
ものであってもよく、要は、最下層をａ−８ｉダイオ一
ド部２と容易に反応せず、かつピンホールの少ないＣｒ
層５とし、最上層を外部端子（図示せず）と半田付は可
能のＡｕ層７としたものであればよい。
また、ホトダイオード部透明電極４け、ＩＴＯの他、金
属シリサイドにより形成してもよい。
属シリサイドにより形成してもよい。
さらに、本発明は上述ラインセンサにのみ限定されるも
のではなく、その他のホトセンサについても適用できる
ことは勿論である。
のではなく、その他のホトセンサについても適用できる
ことは勿論である。
以上述べたように本発明は、ａ−８ｉをダイオードとし
て用いてなるホトセンサにおいて、ブロッキング側の上
部電極の最上層をＡｕ層としたので外部端子との接続に
半田付けを用いることができる。
て用いてなるホトセンサにおいて、ブロッキング側の上
部電極の最上層をＡｕ層としたので外部端子との接続に
半田付けを用いることができる。
従って、従来の機械的圧接による接続に比べて接続信頼
性を大幅に高めることができ、大型ファクシミリのライ
ンセンサに適用した場合における外部端子、特にそれが
ＦＰＣである場合であってもそれらを簡単かつ信頼性よ
く接続することができる。
性を大幅に高めることができ、大型ファクシミリのライ
ンセンサに適用した場合における外部端子、特にそれが
ＦＰＣである場合であってもそれらを簡単かつ信頼性よ
く接続することができる。
しかも本発明は、前記上部電極の最下層全６１層とした
ので、上部電極をＭ層のみで形成、すなわちａ −Ｓ
ｉダイオード特性に直接Ａｕ層を接触形成した場合の不
都合−Ａｕはａ−８ｔと直接接触すると容易に反応して
ａ −Ｓ ｉによるダイオード特性を劣化させる−を生
じさせることもない等の効果がある。
ので、上部電極をＭ層のみで形成、すなわちａ −Ｓ
ｉダイオード特性に直接Ａｕ層を接触形成した場合の不
都合−Ａｕはａ−８ｔと直接接触すると容易に反応して
ａ −Ｓ ｉによるダイオード特性を劣化させる−を生
じさせることもない等の効果がある。
第１図は本発明によるホトセンサが適用されたラインセ
ンサの一例を示す断面図である。 １・・・第１層配線層、２・・・ａ −Ｓ ｉダイオー
ド部２．３・・・層間絶縁層、４・・・ホトダイオード
部透明電極、５・・・Ｃｒ層、６・・・ＮｉＣｒ層、７
・・・Ａｕ層。 代理人 弁理士 秋 本 正 実
ンサの一例を示す断面図である。 １・・・第１層配線層、２・・・ａ −Ｓ ｉダイオー
ド部２．３・・・層間絶縁層、４・・・ホトダイオード
部透明電極、５・・・Ｃｒ層、６・・・ＮｉＣｒ層、７
・・・Ａｕ層。 代理人 弁理士 秋 本 正 実
Claims (1)
- アモルファスシリコンをダイオードとして用い５てなる
ホトセンサにおいて、ブロッキングダイオード側の上部
電極を、少なくとも最下層にＣｒ、最上層にＡｕを用い
て構成したことを特徴とするホトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168312A JPS6060758A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | ホトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168312A JPS6060758A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | ホトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060758A true JPS6060758A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15865690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58168312A Pending JPS6060758A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | ホトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060758A (ja) |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP58168312A patent/JPS6060758A/ja active Pending
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