JPS6060772A - 複合可変容量ダイオ−ド - Google Patents
複合可変容量ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6060772A JPS6060772A JP58168292A JP16829283A JPS6060772A JP S6060772 A JPS6060772 A JP S6060772A JP 58168292 A JP58168292 A JP 58168292A JP 16829283 A JP16829283 A JP 16829283A JP S6060772 A JPS6060772 A JP S6060772A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- variable capacitance
- capacitance diode
- diode
- composite
- diodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/62—Capacitors having potential barriers
- H10D1/64—Variable-capacitance diodes, e.g. varactors
Landscapes
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は小型電子機器の実装密度を高くできる複合可変
容量ダイオードに関する。
容量ダイオードに関する。
（従来例の構成とその問題点）
電−７機器における小型化薄型化はとどまるところを知
らず、今後さらに進むものと考えられ、個別ディスクリ
ート部品の小型化、チップ化の中、電子機器の高密度実
装がはかられている。しかしながら、小型化薄型化の動
きと並行し多機能・高性能化も重要な要素となり、回路
の簡素化が必要となってきている。−例としてテレビチ
ューナの場合を例にとると、アメリカにおけるＣＡＴＶ
受信のため受信チャンネル数が大幅に増加し、従来でＵ
ＵＨＦを含むチャネルが８２チヤンネルであったが、
Ｖ）ＴＦ帯の周波数空き領域使用により１３０チャンネ
ル以上必要なテレビチューナも出てきている。
らず、今後さらに進むものと考えられ、個別ディスクリ
ート部品の小型化、チップ化の中、電子機器の高密度実
装がはかられている。しかしながら、小型化薄型化の動
きと並行し多機能・高性能化も重要な要素となり、回路
の簡素化が必要となってきている。−例としてテレビチ
ューナの場合を例にとると、アメリカにおけるＣＡＴＶ
受信のため受信チャンネル数が大幅に増加し、従来でＵ
ＵＨＦを含むチャネルが８２チヤンネルであったが、
Ｖ）ＴＦ帯の周波数空き領域使用により１３０チャンネ
ル以上必要なテレビチューナも出てきている。
このようなテレビチューナを考えてみると可変容量ダイ
オードによる電圧対容量特性を利用した電子同調チュー
ナが一般的であるが、受信チャンネル増加に伴々い、第
１図に示すように一つの同調回路に一つの可変容量ダイ
オードで設組していたものも、周波数変化比の改善、回
路特性（損失、選択度）の観点から第２図に示すように
２個以上のダイオードの組み合わせにより実現するケー
スが増加し２ている。このようなテレビチューナの例を
とってみると、従来方式に比べ部品点数の大幅な増加に
より機器の小型化は非常に困難なものとなり、小型化を
進める場合、価格、生産性に大きな課題となる。
オードによる電圧対容量特性を利用した電子同調チュー
ナが一般的であるが、受信チャンネル増加に伴々い、第
１図に示すように一つの同調回路に一つの可変容量ダイ
オードで設組していたものも、周波数変化比の改善、回
路特性（損失、選択度）の観点から第２図に示すように
２個以上のダイオードの組み合わせにより実現するケー
スが増加し２ている。このようなテレビチューナの例を
とってみると、従来方式に比べ部品点数の大幅な増加に
より機器の小型化は非常に困難なものとなり、小型化を
進める場合、価格、生産性に大きな課題となる。
（発明の目的）
不発開目、可変容量ダイオードを多く必要とする小型電
子機器において、実装密度を高くシ、シかも価格が低廉
で、生産性の優れた部品を得ることを目的とする。
子機器において、実装密度を高くシ、シかも価格が低廉
で、生産性の優れた部品を得ることを目的とする。
（発明の構成）
本発明の複合可変容量ダイオードは、電圧対容量特性の
異なる可変容量ダイオードを２個以上組合わせて１つの
パッケージ中におさめた構成を有している。
異なる可変容量ダイオードを２個以上組合わせて１つの
パッケージ中におさめた構成を有している。
（実施例の説明）
第２図の可変容量ダイオードの増加した従来のＣＡＴＶ
受信用チコーナにおいてダイオード周辺の回路の共通性
−維持されている。また可変容量ダイオードＤ、、Ｄ２
およびＤ３は共通の容量変化特性が必要であり、可変容
量ダイオ−Ｍ Ｄ４． Ｄ５オヨびＤ６同志も共通の容
量変化特性が必要である。
受信用チコーナにおいてダイオード周辺の回路の共通性
−維持されている。また可変容量ダイオードＤ、、Ｄ２
およびＤ３は共通の容量変化特性が必要であり、可変容
量ダイオ−Ｍ Ｄ４． Ｄ５オヨびＤ６同志も共通の容
量変化特性が必要である。
そして、損失、回路選択度および周波数変化比の観点か
ら可変容量ダイオ−１’Ｄ、、Ｄ２． Ｄ３ の容量変
化特性と可変容量ダイオ−１’ Ｄ４．Ｄ５． Ｄ６の
容量変化特性とは異ならせることが必要である。従って
第３図の本発明の実施例のよう例可変容量ダイオードｐ
１とＤ４．Ｄ２とＤ５．Ｄ３とＤ６をそれぞｉ１組合わ
せて１つのパッケージに収納した複合ダイオードＤ７．
Ｄ８．Ｄ９ とすることができる。また、第４図の本発
明の他の実施例のようにさらにバイアス供給用抵抗をも
１つのパッケージに含ｔｒ ヨウにした複合ダイオード
Ｄ１０ 、ＤＩＩ 、Ｄｌ２のように構成することもで
きる。
ら可変容量ダイオ−１’Ｄ、、Ｄ２． Ｄ３ の容量変
化特性と可変容量ダイオ−１’ Ｄ４．Ｄ５． Ｄ６の
容量変化特性とは異ならせることが必要である。従って
第３図の本発明の実施例のよう例可変容量ダイオードｐ
１とＤ４．Ｄ２とＤ５．Ｄ３とＤ６をそれぞｉ１組合わ
せて１つのパッケージに収納した複合ダイオードＤ７．
Ｄ８．Ｄ９ とすることができる。また、第４図の本発
明の他の実施例のようにさらにバイアス供給用抵抗をも
１つのパッケージに含ｔｒ ヨウにした複合ダイオード
Ｄ１０ 、ＤＩＩ 、Ｄｌ２のように構成することもで
きる。
第５図は複合ダイオードの構成例を示したもので、同図
（ａ）は電圧容量特性の異なる２つの可変容量ダイオー
ドＤａ、 Ｄｂを未接続の１寸１つのパッケージに収め
た複合ダイオードの実施例で、第３図あるいは第４図の
回路において使用するときにはパッケージ外で必要な接
続がなされる。第５図（ｂ）は２つの可変容量ダイオー
ドＤａとＤｂのカソードが接続された形でパッケージに
収めた実施例であり、第３図の回路において複合ダイオ
ードＤ７゜Ｄ８．Ｄ９ と して使用できるものである
。第５図（ｅ）ｄバイアス抵抗Ｒをも可変容量ダイオー
ドＤａ 、 Ｄｂと共に１つのパッケージに収め、該ダ
イオードＤａ、Ｄｂのカソードに共通に暴続した実施例
であり、第４図の回路において複合ダイオードＤＩ０１
■）Ｉ□、Ｄｌ。とじて使用できるものである。これら
はモノリシック構成とすることにより、より小形とする
ことができる。
（ａ）は電圧容量特性の異なる２つの可変容量ダイオー
ドＤａ、 Ｄｂを未接続の１寸１つのパッケージに収め
た複合ダイオードの実施例で、第３図あるいは第４図の
回路において使用するときにはパッケージ外で必要な接
続がなされる。第５図（ｂ）は２つの可変容量ダイオー
ドＤａとＤｂのカソードが接続された形でパッケージに
収めた実施例であり、第３図の回路において複合ダイオ
ードＤ７゜Ｄ８．Ｄ９ と して使用できるものである
。第５図（ｅ）ｄバイアス抵抗Ｒをも可変容量ダイオー
ドＤａ 、 Ｄｂと共に１つのパッケージに収め、該ダ
イオードＤａ、Ｄｂのカソードに共通に暴続した実施例
であり、第４図の回路において複合ダイオードＤＩ０１
■）Ｉ□、Ｄｌ。とじて使用できるものである。これら
はモノリシック構成とすることにより、より小形とする
ことができる。
（発明の効果）
本発明は以上のような複合ダイオード化により、部品点
数の削減と高密度実装化が可能となり、また容量特性の
異なるダイオードが複合化されているため特性の向上と
均一化が可能となる。
数の削減と高密度実装化が可能となり、また容量特性の
異なるダイオードが複合化されているため特性の向上と
均一化が可能となる。
第１図は一般チューナの従来例、第２図はＣＡＴＶ受信
チコーナの従来例、第３図および第４図は複合ダイオー
ド使用実施例、第５図は複合ダイオードパッケージの実
施例をそれぞれ示すものである。 （なお、第１図ないし第３図においてＲＦ増幅素子Ｑの
バイアス抵抗は省略しである。）Ａ・・・・・・・・信
号入力端子、ＢＴ・・・・・・・ダイオ−トノくイアス
印加端子、 Ｑ ・・・・・・・・ＲＦ増幅素子（ＦＥ
Ｔ ）、Ｌｌ ＋１＝２＋Ｌ３＋Ｌ４・・・・・・・・
・同調用インダクタンス、ｃ、 、ｃ２．ｃ４．ｃ５・
・・・・・・・・直流阻止コンデンサ、Ｃ３・・・・・
高周波接地コンデンサ、Ｄ１〜Ｄ１□・・・・・・可変
容量ダイオード、Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３・・・・ダイオード
用バイアス抵抗。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 星 野 恒 司 ：
チコーナの従来例、第３図および第４図は複合ダイオー
ド使用実施例、第５図は複合ダイオードパッケージの実
施例をそれぞれ示すものである。 （なお、第１図ないし第３図においてＲＦ増幅素子Ｑの
バイアス抵抗は省略しである。）Ａ・・・・・・・・信
号入力端子、ＢＴ・・・・・・・ダイオ−トノくイアス
印加端子、 Ｑ ・・・・・・・・ＲＦ増幅素子（ＦＥ
Ｔ ）、Ｌｌ ＋１＝２＋Ｌ３＋Ｌ４・・・・・・・・
・同調用インダクタンス、ｃ、 、ｃ２．ｃ４．ｃ５・
・・・・・・・・直流阻止コンデンサ、Ｃ３・・・・・
高周波接地コンデンサ、Ｄ１〜Ｄ１□・・・・・・可変
容量ダイオード、Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３・・・・ダイオード
用バイアス抵抗。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 星 野 恒 司 ：
Claims (3)
- （１） 電圧対容量特性の累々る可変容量ダイオ−１゛
を２個以上組み合わせて１つのパッケージ中に収めたこ
とを特徴とする複合可変容量ダイオード。 - （２） 前記２個以上の可変容量ダイオードのカソード
を互に内部接続したことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の複合可変容量ダイオード。 - （３）バイアス供給用抵抗をも有し、前記カソードの内
部接続点に該バイアス供給用抵抗の一端を接続したこと
を特徴とする特許請求の範囲第（２）項記載の複合可変
容量ダイオード。 （／Ｉ） モノリノノク構成としたことを特徴とする特
許請求の範囲の第（］）項ないし第（３）項のいずれか
１項に記載の複合可変容量ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168292A JPS6060772A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 複合可変容量ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168292A JPS6060772A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 複合可変容量ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060772A true JPS6060772A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15865303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58168292A Pending JPS6060772A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 複合可変容量ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060772A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126062U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 | ||
| JPH045661U (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-20 | ||
| JPH0577603A (ja) * | 1991-02-04 | 1993-03-30 | Pierre A Martin | 自転車等の車輪の複合材料製リム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5397786A (en) * | 1977-02-08 | 1978-08-26 | Nec Corp | Varactor diode |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP58168292A patent/JPS6060772A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5397786A (en) * | 1977-02-08 | 1978-08-26 | Nec Corp | Varactor diode |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126062U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 | ||
| JPH045661U (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-20 | ||
| JPH0577603A (ja) * | 1991-02-04 | 1993-03-30 | Pierre A Martin | 自転車等の車輪の複合材料製リム |
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