JPS6060776A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS6060776A JPS6060776A JP58169791A JP16979183A JPS6060776A JP S6060776 A JPS6060776 A JP S6060776A JP 58169791 A JP58169791 A JP 58169791A JP 16979183 A JP16979183 A JP 16979183A JP S6060776 A JPS6060776 A JP S6060776A
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- Japan
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- electrode layer
- layer
- electrode
- photovoltaic device
- optical semiconductor
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は太陽光等の元エネルギを直接電気エネルギ（＝
変換する光起電力装置の製造方法Ｉ：関する。
変換する光起電力装置の製造方法Ｉ：関する。
幹）従来技術
光エネルギを直接電気エネルギに変換する光起電力装置
、所謂太陽電池は無尽蔵な太陽光を主たるエネルギ源と
しているため（二、エネルギ９１の枯渇が問題となる中
で脚光を浴でいる。
、所謂太陽電池は無尽蔵な太陽光を主たるエネルギ源と
しているため（二、エネルギ９１の枯渇が問題となる中
で脚光を浴でいる。
第１図は斯る光起電力装置を示し、（１）はガラス・透
光性ブラステンク等の絶縁基板、（２ａ）（２１））（
２０）は該絶縁基板（１）の−主面！−並設された複数
の光電変換領域で、該変換領域（２ａ）（２１））（２
０）の各々は、絶縁基板（１）側から酸化スズ（ＳｎＯ
２）、酸化インジウムスズ（Ｉｎ２０１５−ＳｎＯ２）
等の透明酸化電極材の第１電極！ （５ａ）（３ｂ）（
ｇｃ）と、例えば光入射側からＰＩＮ接合を有するアモ
ルファスシリコン等の膜状光半導体１ｉ１（４ａ）（４
１））（４Ｑ）と、該光半導体層（４ＩＬ）（４ｂ）（
４ｃ）とオーミック接触するアルミニウムＡ７等の第２
電極層（５ａ） （５ｂ） （５’）と、を順次重畳せ
しめた積層構造を成している。更Ｃ：、上記並設された
光電変換領域（２ａ）（２’ｔｌ）（２ｃ）は右隣１）
ノ元半導体＠（４１））（４０）下面から絶縁基板（１
）上に露出した第１電極層（３ｂ） （５ｃ）の露出部
（５ｂ’） （３ｃ’）−二、左隣シの光半導体層（４
ａ）（４１））上面から延出して来た第２電極層（５ａ
）（５ｂ）の延長部（５ｅ：） （５１）’）が厘接結
合し、従って複数の光電変換領域（２ａ）（２１１）
（２Ｑ）は電気的に直列接続される。
光性ブラステンク等の絶縁基板、（２ａ）（２１））（
２０）は該絶縁基板（１）の−主面！−並設された複数
の光電変換領域で、該変換領域（２ａ）（２１））（２
０）の各々は、絶縁基板（１）側から酸化スズ（ＳｎＯ
２）、酸化インジウムスズ（Ｉｎ２０１５−ＳｎＯ２）
等の透明酸化電極材の第１電極！ （５ａ）（３ｂ）（
ｇｃ）と、例えば光入射側からＰＩＮ接合を有するアモ
ルファスシリコン等の膜状光半導体１ｉ１（４ａ）（４
１））（４Ｑ）と、該光半導体層（４ＩＬ）（４ｂ）（
４ｃ）とオーミック接触するアルミニウムＡ７等の第２
電極層（５ａ） （５ｂ） （５’）と、を順次重畳せ
しめた積層構造を成している。更Ｃ：、上記並設された
光電変換領域（２ａ）（２’ｔｌ）（２ｃ）は右隣１）
ノ元半導体＠（４１））（４０）下面から絶縁基板（１
）上に露出した第１電極層（３ｂ） （５ｃ）の露出部
（５ｂ’） （３ｃ’）−二、左隣シの光半導体層（４
ａ）（４１））上面から延出して来た第２電極層（５ａ
）（５ｂ）の延長部（５ｅ：） （５１）’）が厘接結
合し、従って複数の光電変換領域（２ａ）（２１１）
（２Ｑ）は電気的に直列接続される。
この様な装置に於いて、光利用効率を左右する一つの要
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）に対し、
実際に発電に寄与する光電変換領域（２ａ）（２’ｂ）
（２ｃ） の総面積ｃ７）占メル割合いである。然るに
各光電変換領域（２１Ｌ） （２１））（２０）の隣接
間隔に必然的Ｃ：存在する分離領域は上記面積割合いを
低下させる。
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）に対し、
実際に発電に寄与する光電変換領域（２ａ）（２’ｂ）
（２ｃ） の総面積ｃ７）占メル割合いである。然るに
各光電変換領域（２１Ｌ） （２１））（２０）の隣接
間隔に必然的Ｃ：存在する分離領域は上記面積割合いを
低下させる。
従って、光利用効率を向上させるためには各光電変換領
域（２ａ） （２ｂ） （２ａ）の隣接間隔である分離
領域を小さくしなければならない。
域（２ａ） （２ｂ） （２ａ）の隣接間隔である分離
領域を小さくしなければならない。
斯る間隔縮小は各層の加工精度で決まり、従って、細密
加工性に優れている写真蝕刻技術が有望である。この技
術による場合、基板（１）全面への第１電極層の被着工
程と、フォトレジスト及びエツチングＣ二よる各個別の
第１電極層（！１ａ）（５１）＞ （３０）の分離、即
ち各第１電極層（３ａ）（５°ｂ）Ｃｏｏ）の隣接間隔
部分の除去工程と、を順次重た後、同様の被着工程及び
除去工程を光半導体層（４ａ）（４１１）Ｃ４０）並び
に第２電極＆（５ａ）（５１））（５ｃ）ｉｎついても
各々再度縁り返し行なうこと（二なる。
加工性に優れている写真蝕刻技術が有望である。この技
術による場合、基板（１）全面への第１電極層の被着工
程と、フォトレジスト及びエツチングＣ二よる各個別の
第１電極層（！１ａ）（５１）＞ （３０）の分離、即
ち各第１電極層（３ａ）（５°ｂ）Ｃｏｏ）の隣接間隔
部分の除去工程と、を順次重た後、同様の被着工程及び
除去工程を光半導体層（４ａ）（４１１）Ｃ４０）並び
に第２電極＆（５ａ）（５１））（５ｃ）ｉｎついても
各々再度縁り返し行なうこと（二なる。
然し乍ら、上記写真蝕刻技術は水洗い等のウェットプロ
セスを含むために、膜状を成す光半導体層（４ａ）（４
’ｂ）（４ａ） にピンホールが形成されることがあり
、次工程で被着される第２電極材が斯るピンホールを介
して第１電極層（５ａ）（３ｔ’） （５ｏ） ＋：到
達する結果、該第１電極層（５ａ）（３’ｔ＋）（５Ｑ
）は当該光電変換領域（２１Ｌ）（２ｂ）（２ｏ）の光
半導体層（４ａ）（４ｂ） （４Ｃ）を挾んで対向する
第２電極層（５ＩＬ）（５ｂ）（５０）と電気的に短絡
する事故を招いていた。また、第２電極層（５８）（５
ｂ）（５Ｃ）かオーミック接触する光半導体ｌ５ｉｊ（
４ａ）（４１））（４Ｃ）の接触面は上記写真蝕刻技術
によるフォトレジストの塗布・剥離及び水洗いに於いて
ピンホールが形成されないまでも膜質が劣化せしめられ
ると共（：、水洗いＣ：使用した水が僅かながら残留し
次工程で被着される第２電極層（５ａ）（５−ｏ）（５
ｃ）を腐食する危惧を有してｔ）だ。
セスを含むために、膜状を成す光半導体層（４ａ）（４
’ｂ）（４ａ） にピンホールが形成されることがあり
、次工程で被着される第２電極材が斯るピンホールを介
して第１電極層（５ａ）（３ｔ’） （５ｏ） ＋：到
達する結果、該第１電極層（５ａ）（３’ｔ＋）（５Ｑ
）は当該光電変換領域（２１Ｌ）（２ｂ）（２ｏ）の光
半導体層（４ａ）（４ｂ） （４Ｃ）を挾んで対向する
第２電極層（５ＩＬ）（５ｂ）（５０）と電気的に短絡
する事故を招いていた。また、第２電極層（５８）（５
ｂ）（５Ｃ）かオーミック接触する光半導体ｌ５ｉｊ（
４ａ）（４１））（４Ｃ）の接触面は上記写真蝕刻技術
によるフォトレジストの塗布・剥離及び水洗いに於いて
ピンホールが形成されないまでも膜質が劣化せしめられ
ると共（：、水洗いＣ：使用した水が僅かながら残留し
次工程で被着される第２電極層（５ａ）（５−ｏ）（５
ｃ）を腐食する危惧を有してｔ）だ。
特開昭５７−１２５６８号公報（−開示された先行技術
は、レーザビーム照射による層の焼き切シで、上記隣接
間隔を設けるものであシ、写真蝕刻技術を使わないその
技法は上記の課題を解決する上で極めて有効である。
は、レーザビーム照射による層の焼き切シで、上記隣接
間隔を設けるものであシ、写真蝕刻技術を使わないその
技法は上記の課題を解決する上で極めて有効である。
斯るレーザ技術（二よシ第１図の如き光起電力装置を製
造する場合、第１電極層、光半導体層及び第２電極層は
各層被着工程終了後（１各光電変換領域（２ａ） （２
ｔ’） （２’）毎にレーザビームの照射によシ分離さ
れる。このレーザビームの照射による分離に於いて留意
しなければならないことは、斯るレーザビームの照射１
：よシ除去される膜（層）の溶融物等の残留物が除去部
分近傍（＝残存付着したシ、或いは飛散して後工程で被
着される膜（層）にピンホールを形成せしめたシするこ
とである。特Ｉ：光半導体層（４ａ） （４ｂ） （４
。
造する場合、第１電極層、光半導体層及び第２電極層は
各層被着工程終了後（１各光電変換領域（２ａ） （２
ｔ’） （２’）毎にレーザビームの照射によシ分離さ
れる。このレーザビームの照射による分離に於いて留意
しなければならないことは、斯るレーザビームの照射１
：よシ除去される膜（層）の溶融物等の残留物が除去部
分近傍（＝残存付着したシ、或いは飛散して後工程で被
着される膜（層）にピンホールを形成せしめたシするこ
とである。特Ｉ：光半導体層（４ａ） （４ｂ） （４
。
）にピンホールが形成されると、前に述べた如く該光半
導体層（４ａ） （４ｂ） （４０）を挾ンテ対向する
第１電極＆ （３ａ）（５’ｂ）（５ｃ）と第２電極Ｉ
Ｅｉ＆（５ａ）（５ｔ））（５０）とカミ熱的に短絡す
る。しかも、光半導体層（４ａ）（４ｂ）（４０）の膜
厚は他の電極層（３ａ）・・・、（５ａ）・・・のそれ
１：比して光電変換に有効！二作用するない。
導体層（４ａ） （４ｂ） （４０）を挾ンテ対向する
第１電極＆ （３ａ）（５’ｂ）（５ｃ）と第２電極Ｉ
Ｅｉ＆（５ａ）（５ｔ））（５０）とカミ熱的に短絡す
る。しかも、光半導体層（４ａ）（４ｂ）（４０）の膜
厚は他の電極層（３ａ）・・・、（５ａ）・・・のそれ
１：比して光電変換に有効！二作用するない。
Ｃ／→ 発明の目的
本発明は斯る点（１錯みて為されたものであって、光半
導体層へのピンホールの発生を招くことなく細密加工性
（＝富むエネルギビームの利用を可能ならしめることを
目的としている。
導体層へのピンホールの発生を招くことなく細密加工性
（＝富むエネルギビームの利用を可能ならしめることを
目的としている。
に）発明の構成
複数の膜状光電変換領域が基板の絶縁表面に於いて電気
的（：直列接続された本発明光起電力装置の製造方法は
、上記基板の絶縁表面（１第１電極層及び光半導体層を
重畳被着した後、上記第１電極層及び光半導体層を両者
の加工しきい値エネルギ密度以上のエネルギのエネルギ
ビームを照射して複数の光電変換領域毎（−分離すると
共（−１次いで光半導体層の加工しきい値エネルギ密度
以上であって第１電極脂のそれ未満のエネルギビームを
光半導体層Ｃ二照射して被覆状態Ｃ−あった第１電極層
の一部を選択的（二露出せしめる構成（二ある。
的（：直列接続された本発明光起電力装置の製造方法は
、上記基板の絶縁表面（１第１電極層及び光半導体層を
重畳被着した後、上記第１電極層及び光半導体層を両者
の加工しきい値エネルギ密度以上のエネルギのエネルギ
ビームを照射して複数の光電変換領域毎（−分離すると
共（−１次いで光半導体層の加工しきい値エネルギ密度
以上であって第１電極脂のそれ未満のエネルギビームを
光半導体層Ｃ二照射して被覆状態Ｃ−あった第１電極層
の一部を選択的（二露出せしめる構成（二ある。
健１実施例
第２図乃至第７図は本発明実施例方法を工程順に示して
いる。
いる。
第２図の工程では厚み１８〜”、ｗｍ程度の透明なガラ
ス製絶縁基板叫の表面全域Ｃ１厚み５００λ〜４０００
Ａの酸化インジウムスズから成る第１電極層０］１が電
子ビーム蒸着により被着される。
ス製絶縁基板叫の表面全域Ｃ１厚み５００λ〜４０００
Ａの酸化インジウムスズから成る第１電極層０］１が電
子ビーム蒸着により被着される。
第３図の工程では、上記第１電極脂ａυを分割すること
なく直ち（二七の表面を含む絶縁基板（Ｉ■上全全面二
例えばシリコン化合物雰囲気中でのグロー放電により、
厚み５０００Ａ〜７０００Ａのアモルファスシリコンの
如きアモルファス半導体から成る光半導体層ａｚが連続
的（二重畳被着される。斯る光半導体層ｈａはその内部
（＝膜面（＝平行な周知の半導体接合例えばＰＩＮ接合
を含み、従ってよシ具体的には、Ｐ型のアモルファスシ
リコン層が被着され、−次いでＩ型及びＮ型のアモルフ
ァスシリコン層か順次積層被着される。上記Ｐ型及びＮ
型の制御、即ち価電子制御は反応ガス雰囲気（二Ｐ型決
足不純物を含むジボラン（Ｂ ２ Ｈ６）を、またＮ型
決定不純物を含むホスフィン（ＰＨ３）を適宜機敏添加
することにより容易！１行なうことかできる。
なく直ち（二七の表面を含む絶縁基板（Ｉ■上全全面二
例えばシリコン化合物雰囲気中でのグロー放電により、
厚み５０００Ａ〜７０００Ａのアモルファスシリコンの
如きアモルファス半導体から成る光半導体層ａｚが連続
的（二重畳被着される。斯る光半導体層ｈａはその内部
（＝膜面（＝平行な周知の半導体接合例えばＰＩＮ接合
を含み、従ってよシ具体的には、Ｐ型のアモルファスシ
リコン層が被着され、−次いでＩ型及びＮ型のアモルフ
ァスシリコン層か順次積層被着される。上記Ｐ型及びＮ
型の制御、即ち価電子制御は反応ガス雰囲気（二Ｐ型決
足不純物を含むジボラン（Ｂ ２ Ｈ６）を、またＮ型
決定不純物を含むホスフィン（ＰＨ３）を適宜機敏添加
することにより容易！１行なうことかできる。
第４図の工程では、隣接間隔部ａ３の光半導体層（１７
Ｊ及び第１電極１曽（１］１か大気中或いは酸素ガス、
吹付けられた状態でレーザビームの照射ｆ二よシ同時？
＝除去されて個別の各第１電極層（１１ａ）（１１ｂ）
・・・及び光半導体層（１２ａ） （１２ｂ）・・・が
分離形成される。
Ｊ及び第１電極１曽（１］１か大気中或いは酸素ガス、
吹付けられた状態でレーザビームの照射ｆ二よシ同時？
＝除去されて個別の各第１電極層（１１ａ）（１１ｂ）
・・・及び光半導体層（１２ａ） （１２ｂ）・・・が
分離形成される。
使用されるレーザは波長１０６μｍのＮａ：ＹＡＧレー
ザが適当であり照射せしめられるレーザビームのエネル
ギ密度は除去すべき第１電極層（１１１及び光半導体層
ａｚの加工しきい値エネルギ密度が各々７Ｘ１０７φＷ
／ｉ、４ Ｘ １０７ Ｗ／ｃｊである点を考慮して両
者の加工しきい値エネルギ密度以上の８Ｘ１０７Ｗ／ａ
Ｊで絶縁基板００が移動可能（二装置せしめられるＸＹ
ステージの移動Ｃ二よって走査速度５Ｑｍ／ＢｅＱ（二
よシ加工される。このレーザ加工により除去される第１
電極層［１１１及び光半導体＠任りの幅（Ｗｌ）ま約５
０μｍ（：設定される。尚個別Ｃ：分離形成された各第
１電極膓（１１！Ｌ） （１１’ｂ入及び光半導体層（
１２ｍ）（ｔ２ｂ）−の界面には帰かなからも酸化膜が
形成されている。
ザが適当であり照射せしめられるレーザビームのエネル
ギ密度は除去すべき第１電極層（１１１及び光半導体層
ａｚの加工しきい値エネルギ密度が各々７Ｘ１０７φＷ
／ｉ、４ Ｘ １０７ Ｗ／ｃｊである点を考慮して両
者の加工しきい値エネルギ密度以上の８Ｘ１０７Ｗ／ａ
Ｊで絶縁基板００が移動可能（二装置せしめられるＸＹ
ステージの移動Ｃ二よって走査速度５Ｑｍ／ＢｅＱ（二
よシ加工される。このレーザ加工により除去される第１
電極層［１１１及び光半導体＠任りの幅（Ｗｌ）ま約５
０μｍ（：設定される。尚個別Ｃ：分離形成された各第
１電極膓（１１！Ｌ） （１１’ｂ入及び光半導体層（
１２ｍ）（ｔ２ｂ）−の界面には帰かなからも酸化膜が
形成されている。
第５図の工程では、上記レーザ加工（：続いて上記除去
部分に隣接した一方の光半導体１ｔｉｌ（１２ｔ））・
・・が、不活性ガス雰囲気中１−於いて該光半導体ｒ＝
ａ’ａの加工しきい値エネルギ密度以上であって第１電
極層ｔｔｎのそれ未満のエネルギ密度、即ら４×１ｏ’
ｗ／、７ｐｌ上７ｘ１０７ｗ／ｃ＋＋未満のＥａ：ＹＡ
Ｃ）レーザの照射Ｃユより除去されて、被覆状態（二あ
った第１電極層（１１’ｂ）・・・の一部が選択的（二
露出せしめられる。斯る光半導体Ｑｔｌ’：つみな除去
の対象としたレーザ加工は、光半導体＠（１ｚ及び第１
電極層任Ｊを除去の対象とする先のレーザ加工Ｃ二対し
て、レーザビームのエネルギー密度を制御するだけで連
続的に施すことができる。このレーザ加工（二より除去
せしめられる光半導体層（１２ｂ）・・・の幅（Ｗｌ）
、即ち第１電極層（１１１））・・・の露出部の幅（Ｗ
ｌ）は約１５０μｍ（；設定される。
部分に隣接した一方の光半導体１ｔｉｌ（１２ｔ））・
・・が、不活性ガス雰囲気中１−於いて該光半導体ｒ＝
ａ’ａの加工しきい値エネルギ密度以上であって第１電
極層ｔｔｎのそれ未満のエネルギ密度、即ら４×１ｏ’
ｗ／、７ｐｌ上７ｘ１０７ｗ／ｃ＋＋未満のＥａ：ＹＡ
Ｃ）レーザの照射Ｃユより除去されて、被覆状態（二あ
った第１電極層（１１’ｂ）・・・の一部が選択的（二
露出せしめられる。斯る光半導体Ｑｔｌ’：つみな除去
の対象としたレーザ加工は、光半導体＠（１ｚ及び第１
電極層任Ｊを除去の対象とする先のレーザ加工Ｃ二対し
て、レーザビームのエネルギー密度を制御するだけで連
続的に施すことができる。このレーザ加工（二より除去
せしめられる光半導体層（１２ｂ）・・・の幅（Ｗｌ）
、即ち第１電極層（１１１））・・・の露出部の幅（Ｗ
ｌ）は約１５０μｍ（；設定される。
第６図の工程では、第２電極層０４が、光半導体層（１
２ａ） （１２ｂ）−及び第１電極層（１１ａ） （１
２ｂ）・・・の露出部を含んで絶縁基板（１０）上全面
Ｃ二連続的に被着せしめられる。斯る第２電極５ｃＬＳ
は、第１電極層（１１ａ）（１１ｂ）、、、のＮａ：Ｙ
ＡＧレーザビームＣ二対する加工しきい値工ネルギ密度
より小さい２Ｘ１０７．Ｗ／−の厚み約数１００１のア
ルミニクムと厚み５ｏｏｏ；のチタン銀合金との積層体
から構成されている。
２ａ） （１２ｂ）−及び第１電極層（１１ａ） （１
２ｂ）・・・の露出部を含んで絶縁基板（１０）上全面
Ｃ二連続的に被着せしめられる。斯る第２電極５ｃＬＳ
は、第１電極層（１１ａ）（１１ｂ）、、、のＮａ：Ｙ
ＡＧレーザビームＣ二対する加工しきい値工ネルギ密度
より小さい２Ｘ１０７．Ｗ／−の厚み約数１００１のア
ルミニクムと厚み５ｏｏｏ；のチタン銀合金との積層体
から構成されている。
第７図の工程では、隣接間隔部ａ３の第２電極層■がレ
ーザビームの照射によシ除去されて、個別の各第２電極
層（１４ａ）（１４ｂ）・・・が形成される。即ち、第
１電極層（１１’ｂ）・・・の露出部上を覆うと共に連
続的Ｃ迷った第２電極層α４の一部が除去される結果、
互いに隣接する充電変換領域（１５ａ）（１５１））の
第２電極層（１４ａ）と第１電極層（１ｒｂ）とが電気
的Ｃ二接続される。
ーザビームの照射によシ除去されて、個別の各第２電極
層（１４ａ）（１４ｂ）・・・が形成される。即ち、第
１電極層（１１’ｂ）・・・の露出部上を覆うと共に連
続的Ｃ迷った第２電極層α４の一部が除去される結果、
互いに隣接する充電変換領域（１５ａ）（１５１））の
第２電極層（１４ａ）と第１電極層（１ｒｂ）とが電気
的Ｃ二接続される。
使用されるレーザは、Ｎａ二ＹＡＧレーザであシ、その
エネルギ密度は２’Ｘ１０７ｗ／ｄ以上７×１Ｑ ７Ｗ
／ ｄ未満であって、除去される第２電極層ＯＪの幅
（Ｗ５）は約２０μｍ（二設定される。
エネルギ密度は２’Ｘ１０７ｗ／ｄ以上７×１Ｑ ７Ｗ
／ ｄ未満であって、除去される第２電極層ＯＪの幅
（Ｗ５）は約２０μｍ（二設定される。
尚、上記第２電極層（１４１を形成する（二際し、元竿
導体層（１２！’） （１２１）） −・・上（：レー
ザ加工（：よる残留物の付着或いは飛散が認められる時
は該第２電極層（＋４１の両膜な厚くすること（二より
対処可能である。
導体層（１２！’） （１２１）） −・・上（：レー
ザ加工（：よる残留物の付着或いは飛散が認められる時
は該第２電極層（＋４１の両膜な厚くすること（二より
対処可能である。
（へ）発明の効果
本発明はり、上の説明から明らかな如く、第１電ｍＫの
各光電変換領域毎の個別の分割を元半導体層積層後ニオ
・ルギビームの照射によシ施したので、第１電極層のエ
ネルギビームの照射（：よる残留物が付着或いは飛散し
たとしても、元竿導体層は既（二形成済みであり、従っ
て上記残留物を原因とする元竿導体層のピンホールの形
成を防止すること、〃できると共に、従来方法に比して
もレーザ加工数を減少せしめることができ作業性の向上
が図れる。
各光電変換領域毎の個別の分割を元半導体層積層後ニオ
・ルギビームの照射によシ施したので、第１電極層のエ
ネルギビームの照射（：よる残留物が付着或いは飛散し
たとしても、元竿導体層は既（二形成済みであり、従っ
て上記残留物を原因とする元竿導体層のピンホールの形
成を防止すること、〃できると共に、従来方法に比して
もレーザ加工数を減少せしめることができ作業性の向上
が図れる。
第１図は典型的な光起電力装置の要部斜視図、第２図乃
至第７図は本発明製造方法を工程順Ｊ＝示す要部拡大断
面図、を夫々示している。 凹・・・絶縁基板、（１，１） （１１番）（１１’ｂ
）・・・第１電極層、任３ （１２ａ） （１２ｂ）
・ｌｅ半導体１？１、（１４１（１４ａ） （１４１）
） −・・第２電極層。 手 続 補 正 書（自発） １．事件の表示 昭和５８年特許願第１６９７９１号 ２、発明の名称 光起電力装置の製造方法 ６、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名体 （１８８）三洋電機株式会社 ４、代 理 人 住所 守口型京阪本通２了目１８番地 連絡先：電話（東京） ８３５−１１１１特許センター
駐在中川５、補正の対象 、Ｊ！４ニニ、。 ６、補正の内容 明細書第１１頁１５行及び第１６行の間に下記の文章全
挿入します。 記 「上記第７図の図面上に於いては、同じ光電変換領域（
１５ａ）（１５ｂ）−の第１電極層（Ｉｌａ）（１１１
））＝−の側面露出部と第２電極層（１４ａ ）（１４
ｂ）・・の延長部とが結合しているが、上述した如く第
１電極層（１１ａ）（１１ｂ）・・・のレーザビーム照
射時、上記側面露出部〔界面）には僅かながらも絶縁膜
が形成されているので、上記両者の電気的接触は防止さ
れている。」
至第７図は本発明製造方法を工程順Ｊ＝示す要部拡大断
面図、を夫々示している。 凹・・・絶縁基板、（１，１） （１１番）（１１’ｂ
）・・・第１電極層、任３ （１２ａ） （１２ｂ）
・ｌｅ半導体１？１、（１４１（１４ａ） （１４１）
） −・・第２電極層。 手 続 補 正 書（自発） １．事件の表示 昭和５８年特許願第１６９７９１号 ２、発明の名称 光起電力装置の製造方法 ６、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名体 （１８８）三洋電機株式会社 ４、代 理 人 住所 守口型京阪本通２了目１８番地 連絡先：電話（東京） ８３５−１１１１特許センター
駐在中川５、補正の対象 、Ｊ！４ニニ、。 ６、補正の内容 明細書第１１頁１５行及び第１６行の間に下記の文章全
挿入します。 記 「上記第７図の図面上に於いては、同じ光電変換領域（
１５ａ）（１５ｂ）−の第１電極層（Ｉｌａ）（１１１
））＝−の側面露出部と第２電極層（１４ａ ）（１４
ｂ）・・の延長部とが結合しているが、上述した如く第
１電極層（１１ａ）（１１ｂ）・・・のレーザビーム照
射時、上記側面露出部〔界面）には僅かながらも絶縁膜
が形成されているので、上記両者の電気的接触は防止さ
れている。」
Claims (1)
- （１）複数の膜状光電変換領域が基板の絶縁表面（１於
いて電気的Ｃ二直列接続された光起電力装置の製造方法
であって、上記基板の絶縁表面に第１電極層及び光半導
体層を重畳被着した後、上記第１電極層及び光半導体層
を両者の加工しきい値エネルギ密度以上のエネルギのエ
ネルギビームを照射して複数の光電変換領域＠（二分離
すると共に、次いで光半導体層の加工しきい値エネルギ
密度以上であって第１電楊層のそれ未満のエネルギビー
ムを光半導体ａｔ二照射して被覆状態にあった第１電極
層の一部を選択的に露出せしめ、然る後複数の元電変換
領＠（：跨って連続的に被着せしめられた第２電極層を
、隣接せる光半導体層から露出した第１電極層と電気的
Ｃ二直列接続するべく、当該第１電極論の露出部上を覆
っていた連続的（：連った第２電極層の一部をエネルギ
ビームの照射によシ除去することを特徴とした光起電力
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169791A JPS6060776A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169791A JPS6060776A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060776A true JPS6060776A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15892945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58169791A Pending JPS6060776A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060776A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61219725A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Kogyo Kaihatsu Kenkyusho | 改質シリカガラス成形物の製造方法 |
| JP2015029159A (ja) * | 2010-06-18 | 2015-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の作製方法、及び光電変換装置 |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP58169791A patent/JPS6060776A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61219725A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Kogyo Kaihatsu Kenkyusho | 改質シリカガラス成形物の製造方法 |
| JP2015029159A (ja) * | 2010-06-18 | 2015-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の作製方法、及び光電変換装置 |
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