JPS6062155A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6062155A JPS6062155A JP58170653A JP17065383A JPS6062155A JP S6062155 A JPS6062155 A JP S6062155A JP 58170653 A JP58170653 A JP 58170653A JP 17065383 A JP17065383 A JP 17065383A JP S6062155 A JPS6062155 A JP S6062155A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode
- image sensor
- photosensitive
- film transistor
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイメージセンサにＢ・、１する。
従来、イメージセンサはフィンセンサとエリアセンサに
大別されており、フィンセンサはファクシミリなどに、
エリアセンサはビデオカメラなどに用−られている、３
偶゛にファクシミリ用イメージセンサでは、装置の小型
化及び低価格化を目的として密着型フィンセンサのυｉ
１発が活発に進められて因る。この密着型フィンセンサ
は、全体の幅が原稿幅と同一寸法で原稿にほぼ密着して
読み取シを行なうものであり、このため、縮小結像用の
光学系が不要となフ装置全体の小型化番低価格化が実現
されると共に、複雑な結像調整が不要になるなど多くの
利点ｆｔ備えている。しかし、一方では特性が不十分で
あったり、信頼性が劣っていたり、大型のセンサ故に実
装が困難であったや、また多数の信号の外部処理が複雑
すぎてコスト的に成立しないなどの欠点を有している。
大別されており、フィンセンサはファクシミリなどに、
エリアセンサはビデオカメラなどに用−られている、３
偶゛にファクシミリ用イメージセンサでは、装置の小型
化及び低価格化を目的として密着型フィンセンサのυｉ
１発が活発に進められて因る。この密着型フィンセンサ
は、全体の幅が原稿幅と同一寸法で原稿にほぼ密着して
読み取シを行なうものであり、このため、縮小結像用の
光学系が不要となフ装置全体の小型化番低価格化が実現
されると共に、複雑な結像調整が不要になるなど多くの
利点ｆｔ備えている。しかし、一方では特性が不十分で
あったり、信頼性が劣っていたり、大型のセンサ故に実
装が困難であったや、また多数の信号の外部処理が複雑
すぎてコスト的に成立しないなどの欠点を有している。
本発明はこのような欠点を一挙に解決するものであり、
その目的とするところは、高性能で信頼性が高く、しか
も低価格の密着型フィンセンサを提供することにある。
その目的とするところは、高性能で信頼性が高く、しか
も低価格の密着型フィンセンサを提供することにある。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
〜第１図は本発明によるイメージセンサの構成を示す回
路図である。Ｎビット分のエレメントがフィン状に配置
されてレフ、それぞれのエレメントはスキャン回路１０
１．スイッチング回路１０２、感光部１０３から構成さ
れる。スキャン回路１０１は基本的にはシフトレジスタ
１０４であり、薄膜トランジスタでこれを形成しイメー
ジセンサ内に内蔵することが可能であるが、場合によっ
ては外付けにしても構わな因。スキャン回路の出力１０
５は、スイッチング回路１０２のスイッチング用薄膜ト
ヲンジスタ１０６のゲートに入力され、薄膜トランジス
タ１０６のＯＮ／○ＦＦを制御する。基本動作は次の通
９である。感光部１０３内の容量１０７にあらかじめ電
荷を充怖しておく。
路図である。Ｎビット分のエレメントがフィン状に配置
されてレフ、それぞれのエレメントはスキャン回路１０
１．スイッチング回路１０２、感光部１０３から構成さ
れる。スキャン回路１０１は基本的にはシフトレジスタ
１０４であり、薄膜トランジスタでこれを形成しイメー
ジセンサ内に内蔵することが可能であるが、場合によっ
ては外付けにしても構わな因。スキャン回路の出力１０
５は、スイッチング回路１０２のスイッチング用薄膜ト
ヲンジスタ１０６のゲートに入力され、薄膜トランジス
タ１０６のＯＮ／○ＦＦを制御する。基本動作は次の通
９である。感光部１０３内の容量１０７にあらかじめ電
荷を充怖しておく。
光が照射されると、その光量に応じて抵抗１０８が変化
し、それに伴ない容量１０７に蓄えられて込た電荷が放
電し、点１０８の電位が変化する。
し、それに伴ない容量１０７に蓄えられて込た電荷が放
電し、点１０８の電位が変化する。
スキャン回路１０４の信号によってスイッチング用薄膜
トヲンジスタ１０６がＯＮすると、点１０８の電位が出
力フィンＶＯ１ｌＴに読み出される。この動作が各エレ
メントごとに、順次行なわれる。）仁の結果、各感光部
ｉｏａに入射した光の光量に応じた光電変換が実現され
ることになる。
トヲンジスタ１０６がＯＮすると、点１０８の電位が出
力フィンＶＯ１ｌＴに読み出される。この動作が各エレ
メントごとに、順次行なわれる。）仁の結果、各感光部
ｉｏａに入射した光の光量に応じた光電変換が実現され
ることになる。
第２図は本発明によるイメージセンサの具体的な第１の
実施例であり、スイッチング用＃膜トヲンジスタと感光
部の構造を示す断面図である。ガラス、石英、セラミッ
ク等の基板２０１上に薄膜トランジスタ２０２と感光部
２０３が形成されて因る。薄膜トランジスタ２０２は、
チャネル領域となる半導体薄膜２ｏ４．ソース領域２０
５ 、ドレイン領域２０６１ゲート絶縁膜２０７ 、ゲ
ート電極２０８．層間絶縁膜２ｏ９．ソース電極２１０
、）”ｌ／イン電極２１１から構成され、ソース電極２
１０は出力フィンを、またドレイン電極２１１は薄膜感
光体層の電極をそれぞれ成している。
実施例であり、スイッチング用＃膜トヲンジスタと感光
部の構造を示す断面図である。ガラス、石英、セラミッ
ク等の基板２０１上に薄膜トランジスタ２０２と感光部
２０３が形成されて因る。薄膜トランジスタ２０２は、
チャネル領域となる半導体薄膜２ｏ４．ソース領域２０
５ 、ドレイン領域２０６１ゲート絶縁膜２０７ 、ゲ
ート電極２０８．層間絶縁膜２ｏ９．ソース電極２１０
、）”ｌ／イン電極２１１から構成され、ソース電極２
１０は出力フィンを、またドレイン電極２１１は薄膜感
光体層の電極をそれぞれ成している。
感光部２０３は電極２１１．接地フィン２１２゜薄膜感
光体／１ｆ２１３から構成される。薄膜感光体層２１３
には、アモルファスシリコン、セレン、ある込はカドミ
ラ・ムセレンなどの光に敏感な半導体薄膜が用いられる
。ここに見られるように感光部の容量としでは、薄膜感
光体層自体の有する容量が用しられる。
光体／１ｆ２１３から構成される。薄膜感光体層２１３
には、アモルファスシリコン、セレン、ある込はカドミ
ラ・ムセレンなどの光に敏感な半導体薄膜が用いられる
。ここに見られるように感光部の容量としでは、薄膜感
光体層自体の有する容量が用しられる。
本発明の特徴は薄膜トランジスタの上に薄膜感光体層を
形成するだけで高性、能なイメージセンサが実現できる
という簡便さにある。これによって高性能なイメージセ
ンサが極めて安価に提供できる。
形成するだけで高性、能なイメージセンサが実現できる
という簡便さにある。これによって高性能なイメージセ
ンサが極めて安価に提供できる。
第３図は第２図に示したイメージセンサの１ビット分の
パターンレイアウト図である。薄膜トランジスタ３０１
はソース領域３ｏ３．ドレイン領域３０４．ゲートを極
３０５．コンタクトホーλ３０６ｊンース電極３ｏ７．
ドレイン電極３０８から構成され、ソース電極３０７は
出力フィンを成している。ゲート電極３０５は、スキャ
ン回路の出力につながっている。感光部３０２は電極３
０８、接地フィン３ｏ９．薄膜感光体層３１０から構成
される。
パターンレイアウト図である。薄膜トランジスタ３０１
はソース領域３ｏ３．ドレイン領域３０４．ゲートを極
３０５．コンタクトホーλ３０６ｊンース電極３ｏ７．
ドレイン電極３０８から構成され、ソース電極３０７は
出力フィンを成している。ゲート電極３０５は、スキャ
ン回路の出力につながっている。感光部３０２は電極３
０８、接地フィン３ｏ９．薄膜感光体層３１０から構成
される。
第４図は一上第２図に示したイメージセンサの製造方法
を示す図である。まず第４図１６１のように基板４０１
上に適当な半導体薄膜４０２を堆積させた後、所望のパ
ターンを形成する。次に第４図１６１のようにゲート絶
縁属４０３を形成する。
を示す図である。まず第４図１６１のように基板４０１
上に適当な半導体薄膜４０２を堆積させた後、所望のパ
ターンを形成する。次に第４図１６１のようにゲート絶
縁属４０３を形成する。
この際、半導体薄膜４０２がシリコン薄膜であれば熱酸
化法を用−ることができる。ある込は、化学気相成長法
やスパッタ法などにより、絶縁膜を外部から堆積させて
も良い。さらに、ゲート電極４０４を堆積させて、所望
のパターンを形成する。
化法を用−ることができる。ある込は、化学気相成長法
やスパッタ法などにより、絶縁膜を外部から堆積させて
も良い。さらに、ゲート電極４０４を堆積させて、所望
のパターンを形成する。
次に第４図ｉＣ）のように、イオン打ち込み法により、
リン・ヒ素あるいはボロンなどの適当な不純物を添加し
で、ソース領域４０５及びドレイン領域４０６を形成す
る。イオン打ち込み法の代わ９に熱拡散法を用いても良
い。次にｍ４図ｉｄｌのよう姉、層間絶縁膜４０７を堆
積させた後コンタクトホー ′ルを開口する。さらに、
適当な導電材料を堆積さぜた後、所望のバターニングを
行ないソース電極４０８、ドレイン電極４０９．接地フ
ィン４１０を形成する。最後に第４図１６１のように、
薄膜感光体層４１°１を堆積きせた後、所望のパターン
を形成してイメージセンサは完成する。
リン・ヒ素あるいはボロンなどの適当な不純物を添加し
で、ソース領域４０５及びドレイン領域４０６を形成す
る。イオン打ち込み法の代わ９に熱拡散法を用いても良
い。次にｍ４図ｉｄｌのよう姉、層間絶縁膜４０７を堆
積させた後コンタクトホー ′ルを開口する。さらに、
適当な導電材料を堆積さぜた後、所望のバターニングを
行ないソース電極４０８、ドレイン電極４０９．接地フ
ィン４１０を形成する。最後に第４図１６１のように、
薄膜感光体層４１°１を堆積きせた後、所望のパターン
を形成してイメージセンサは完成する。
このよう″に構成された本発明のイメージセンサは、多
くの特徴・効果を有している。まず、第１に、スイッチ
ングトランジスタさらにはスキャン回路までを内蔵した
イメージセンサを極めて筒型に実現できる点である。第
４図を参照して説明すると、Ｃα）から［ｄｌまでの工
程は薄膜トランジスタを形成するために必要となるもの
である。さら忙その工程中に接地フィン４１０も形成さ
れる。したがって、Ｉｇ）のように薄膜感光体層４１１
を堆積させて、トランジスタのドレイン電極４０９と接
地フィン４１０を接続するだけでイメージセンサは完成
する。すなわち、薄膜トランジスタの上に薄膜感光体層
を堆積させるだけでイメージセンサが実現できる。パタ
ーン形成工程はわずか５工程で済む。このうち４工程は
薄膜トランジスタを形成するために必要となるものであ
る。
くの特徴・効果を有している。まず、第１に、スイッチ
ングトランジスタさらにはスキャン回路までを内蔵した
イメージセンサを極めて筒型に実現できる点である。第
４図を参照して説明すると、Ｃα）から［ｄｌまでの工
程は薄膜トランジスタを形成するために必要となるもの
である。さら忙その工程中に接地フィン４１０も形成さ
れる。したがって、Ｉｇ）のように薄膜感光体層４１１
を堆積させて、トランジスタのドレイン電極４０９と接
地フィン４１０を接続するだけでイメージセンサは完成
する。すなわち、薄膜トランジスタの上に薄膜感光体層
を堆積させるだけでイメージセンサが実現できる。パタ
ーン形成工程はわずか５工程で済む。このうち４工程は
薄膜トランジスタを形成するために必要となるものであ
る。
したがって製造コストが安く、また高い歩留シも実現で
きるため、極めて安価にイメージセンサを提供できる。
きるため、極めて安価にイメージセンサを提供できる。
また、スキャン回路を薄膜トランジスタで構成して内蔵
すれば、必要な信号処理の大部分をイメージセンサ内で
行なうことができるため、外部との接続端子数を大幅に
低減させることが可能となり、実装が極めて容易となる
と共に、複雑な外部処理が不要となシ、コスト的に極め
て有利である。
すれば、必要な信号処理の大部分をイメージセンサ内で
行なうことができるため、外部との接続端子数を大幅に
低減させることが可能となり、実装が極めて容易となる
と共に、複雑な外部処理が不要となシ、コスト的に極め
て有利である。
第２に、本発明では薄膜感光体層をいわゆる横導電型と
して用いるため、薄膜感光体層のピンホールなどの欠陥
の影響を無視することができる。
して用いるため、薄膜感光体層のピンホールなどの欠陥
の影響を無視することができる。
密着型フィンセンサでは、その大きさが読み取る原稿の
幅と同一になるため大型にならざるを得ない。この大き
なサイズのセンサ内に、無欠陥の薄膜感光体層を形成す
ることは極めて困難であシネ可能に近い。本発明では薄
膜感光体層を横導電型として用いるため、たとえ薄膜感
光体層にピンホールなどの欠陥が存在しても、はとんど
正常に動作する。このため極めて高歩留９でイメージセ
ンサを製造することが可能となる。
幅と同一になるため大型にならざるを得ない。この大き
なサイズのセンサ内に、無欠陥の薄膜感光体層を形成す
ることは極めて困難であシネ可能に近い。本発明では薄
膜感光体層を横導電型として用いるため、たとえ薄膜感
光体層にピンホールなどの欠陥が存在しても、はとんど
正常に動作する。このため極めて高歩留９でイメージセ
ンサを製造することが可能となる。
第３に、本発明では薄膜トランジスタを形成する半導体
薄膜と感光体を形成する半導体薄膜をそれぞれ自由に選
択することができ、最適化が可能であ名。例えば、多結
晶シリコンで薄膜トランジスタを形成し、アモルファス
シリコンで゛感光体層を形成することが可゛能である。
薄膜と感光体を形成する半導体薄膜をそれぞれ自由に選
択することができ、最適化が可能であ名。例えば、多結
晶シリコンで薄膜トランジスタを形成し、アモルファス
シリコンで゛感光体層を形成することが可゛能である。
ま−た、薄膜トランジスタでは結晶性を改善し表面準位
を消滅させて高性能な特性を実現するために、高温で作
製することが望ましいが、本発°明では辷れも可能とな
る。
を消滅させて高性能な特性を実現するために、高温で作
製することが望ましいが、本発°明では辷れも可能とな
る。
すなわち、高温で薄膜トランジスタを作製しておいて、
その上に低温で感光体層を形成する。一般に感光体層は
低温で形成することが要求される。
その上に低温で感光体層を形成する。一般に感光体層は
低温で形成することが要求される。
このように本発明では薄膜トランジスタと感光体層とを
それぞれ別々に最適化させることが可能とな勺、高めて
高性能なイメージセンサを実現することが可能となる。
それぞれ別々に最適化させることが可能とな勺、高めて
高性能なイメージセンサを実現することが可能となる。
第５図は本発明によるイメージセンサの第２の実施例で
あフ、スイッチング用薄膜トランジスタと感光部の構造
を示す断面図である。基板５０１上に薄膜トランジスタ
５０２と感光部５０３とキャパシタ５０４が形成されて
いる。薄膜トランジスタ５０１と感光部５０２の構成は
第２図に示した第１の実施例と同じである。本実施例の
特徴はキャパシタ５０４を内蔵した点にある。各エレメ
ント内の容量が不足する場合には本実施例のように容量
を増大させることができる。電極５０５は接地フィンを
成し、ゲート電極５０６と同時に形成することにより、
第４図と全く同じ製造！方法で作製することができる。
あフ、スイッチング用薄膜トランジスタと感光部の構造
を示す断面図である。基板５０１上に薄膜トランジスタ
５０２と感光部５０３とキャパシタ５０４が形成されて
いる。薄膜トランジスタ５０１と感光部５０２の構成は
第２図に示した第１の実施例と同じである。本実施例の
特徴はキャパシタ５０４を内蔵した点にある。各エレメ
ント内の容量が不足する場合には本実施例のように容量
を増大させることができる。電極５０５は接地フィンを
成し、ゲート電極５０６と同時に形成することにより、
第４図と全く同じ製造！方法で作製することができる。
第６図は第５図に示したイメージセンサの１ビット分の
パターンレイアウト図である。薄膜トランジスタ６０１
、感光部６０２．キャパシタ６０３から構成される。６
０４がキャパシタの接地フィンである。
パターンレイアウト図である。薄膜トランジスタ６０１
、感光部６０２．キャパシタ６０３から構成される。６
０４がキャパシタの接地フィンである。
第７図は本発明によるイメージセンサの第３の実施例で
あり、ス１ツチング用薄膜トヲンジスタと感光部の構造
を示す断面図である。基板７０１上に薄膜トランジスタ
７０２と感光部７０３が形成されている。薄膜トランジ
スタ７０２の構成は第２図に示した第１の実施例と同じ
である。本実施例ら特徴は、感光部７０３の電極構造に
ある。
あり、ス１ツチング用薄膜トヲンジスタと感光部の構造
を示す断面図である。基板７０１上に薄膜トランジスタ
７０２と感光部７０３が形成されている。薄膜トランジ
スタ７０２の構成は第２図に示した第１の実施例と同じ
である。本実施例ら特徴は、感光部７０３の電極構造に
ある。
一般に薄膜感光体層７０４の膜質は、堆積させる下地の
影響を受けて微妙に変化するが、本実施例では薄膜感光
体層を絶縁膜７０５上のみに形成するため均一な膜質を
得ることができる。第２図に示した第１の実施例では、
薄膜感光体層２］３は絶縁膜２０９上と電極２１１．２
１２上に形成されるため、その膜質に変化が生じる。本
実施例ではこのような影響を除去することができる。
影響を受けて微妙に変化するが、本実施例では薄膜感光
体層を絶縁膜７０５上のみに形成するため均一な膜質を
得ることができる。第２図に示した第１の実施例では、
薄膜感光体層２］３は絶縁膜２０９上と電極２１１．２
１２上に形成されるため、その膜質に変化が生じる。本
実施例ではこのような影響を除去することができる。
第８図は本発明によるイメージセンサの第４の実施例で
あシ、スイッチング用薄膜トヲンジスタと感光部の構造
を示す断面図である。基板８０１上に薄膜トランジスタ
８０２と感光部８０３が形成されている。薄膜トランジ
スタ８０２の構成は第２図に示した第１の実施例と同じ
である。木実施例の特徴は、感光部８０３の構造にある
。薄膜感光体層８０４は層間絶縁膜８０５の下部に形成
され、コンタクトホールを介して２つの電極８０６．８
０７と接続される。これによって薄膜感光体層８０４の
上にパシベーションＩ換８０５が自動的に形成されるこ
とになり、信頼性が大幅に改善される。
あシ、スイッチング用薄膜トヲンジスタと感光部の構造
を示す断面図である。基板８０１上に薄膜トランジスタ
８０２と感光部８０３が形成されている。薄膜トランジ
スタ８０２の構成は第２図に示した第１の実施例と同じ
である。木実施例の特徴は、感光部８０３の構造にある
。薄膜感光体層８０４は層間絶縁膜８０５の下部に形成
され、コンタクトホールを介して２つの電極８０６．８
０７と接続される。これによって薄膜感光体層８０４の
上にパシベーションＩ換８０５が自動的に形成されるこ
とになり、信頼性が大幅に改善される。
第２１第３及び第４の実施例においても、ε′８Ｊ１の
実施例と同様の効果が得られることは明らかである。
実施例と同様の効果が得られることは明らかである。
以上述べた如く、本発明は高性能で信頼性が高く、シか
も低価格のイメージセンサｔａ供するという数多くの優
れた効果を有するものである。
も低価格のイメージセンサｔａ供するという数多くの優
れた効果を有するものである。
第１図は本発明によるイメージセンサの構成ヲ示す回路
図である。 第２図は本発明の第１の実施例の構造を示す断面図であ
る。 第３図は第２図に示した本発明のパターンレイアウト図
である。 第４図「α１〜（、＋は第２図に示した本発明の製造方
法を示す図である。 第５図は本発明の第２の実施例の構造を示す断面図であ
る。 第６図は第５図に示した本発明のパターンレイアウト図
である。 第７図は本発明の第３の実施例の構造を示す断面図であ
る。 第８図は本発明の第４の実施例の構造を示す断面図であ
る。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第１図 ２６／ 第２区 第３図 ｌθ２ ｒ−一一′−−−） ｔθ／ 第５図
図である。 第２図は本発明の第１の実施例の構造を示す断面図であ
る。 第３図は第２図に示した本発明のパターンレイアウト図
である。 第４図「α１〜（、＋は第２図に示した本発明の製造方
法を示す図である。 第５図は本発明の第２の実施例の構造を示す断面図であ
る。 第６図は第５図に示した本発明のパターンレイアウト図
である。 第７図は本発明の第３の実施例の構造を示す断面図であ
る。 第８図は本発明の第４の実施例の構造を示す断面図であ
る。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第１図 ２６／ 第２区 第３図 ｌθ２ ｒ−一一′−−−） ｔθ／ 第５図
Claims (1)
- スイッチング回路としての薄膜トランジスタのソース電
極とドレイン電極、及び接地フィンを同一層かつ同一導
電材料で構成し、前記ドレイン電極と前記接表フィンを
薄膜感光体層で接続して成ることを特徴とするイメージ
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58170653A JPH0618260B2 (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | イメージセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58170653A JPH0618260B2 (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | イメージセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6062155A true JPS6062155A (ja) | 1985-04-10 |
| JPH0618260B2 JPH0618260B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=15908866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58170653A Expired - Lifetime JPH0618260B2 (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | イメージセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618260B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4762378A (en) * | 1986-03-17 | 1988-08-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Display apparatus |
| JPS63250171A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Sharp Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPH01217966A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導電型イメージセンサの製造方法 |
| JPH02111068A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Tdk Corp | 密着形イメージセンサ |
| JPH02211665A (ja) * | 1989-02-13 | 1990-08-22 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101065756B1 (ko) * | 2007-08-30 | 2011-09-19 | 한국과학기술원 | 수직 채널 영역을 갖는 이미지 소자 및 그 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108781A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Light receiving element |
| JPS58142567A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 画像読取り素子の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP58170653A patent/JPH0618260B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0618260B2 (ja) | 1994-03-09 |
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