JPS6063377A - 化学蒸着装置 - Google Patents
化学蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6063377A JPS6063377A JP16993883A JP16993883A JPS6063377A JP S6063377 A JPS6063377 A JP S6063377A JP 16993883 A JP16993883 A JP 16993883A JP 16993883 A JP16993883 A JP 16993883A JP S6063377 A JPS6063377 A JP S6063377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- treated
- processed
- vapor deposition
- chemical vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000997 High-speed steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282373 Panthera pardus Species 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000003923 scrap metal Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化学蒸着装置に係り、詳しくはプラズマＣＶＤ
装置の改良に関する。
装置の改良に関する。
工具鏑、高速度鋼等の金属材料からなる機械部品や切削
工具の寿命延長を目的さして、その表面に硬質皮膜を形
成する技術は各種提案されておシ、代表的なものとして
は、高温雰囲気下で処理されるＣＶＤ法、比較的低温雰
囲気下で処理されるＰＶＤ法があるが、前述せる金属材
料にあっては、その材料特性を発揮さすべく様々な熱処
理が施されているため前者の方法でコーティングを施そ
うとすれば、材料が軟化してしまうため後者の方法が一
般的に採用されている。
工具の寿命延長を目的さして、その表面に硬質皮膜を形
成する技術は各種提案されておシ、代表的なものとして
は、高温雰囲気下で処理されるＣＶＤ法、比較的低温雰
囲気下で処理されるＰＶＤ法があるが、前述せる金属材
料にあっては、その材料特性を発揮さすべく様々な熱処
理が施されているため前者の方法でコーティングを施そ
うとすれば、材料が軟化してしまうため後者の方法が一
般的に採用されている。
ところで、前記ＣＶＤ法の中でもプラズマＣＶＤ法とい
うのは、通常のＣＶＤ法と大いに異なシ真空容器内でグ
ロー放電によ逆反応ガスとアンモニア或は窒素ガス等の
雰囲気ガスとｋ（１００℃〜４００℃程度の比較的低温
下で）反応させ、被処理物表面に各種所望の酸化物の硬
質皮膜を形成せしめるものであり、殊に高温雰囲気を嫌
う対象物のコーティングに適しており、その装置も種々
提案されている。
うのは、通常のＣＶＤ法と大いに異なシ真空容器内でグ
ロー放電によ逆反応ガスとアンモニア或は窒素ガス等の
雰囲気ガスとｋ（１００℃〜４００℃程度の比較的低温
下で）反応させ、被処理物表面に各種所望の酸化物の硬
質皮膜を形成せしめるものであり、殊に高温雰囲気を嫌
う対象物のコーティングに適しており、その装置も種々
提案されている。
例えば第１図に示すものは、コイル結合型ブラダマＣＶ
Ｄ装置＋Ｉ＋であり、石英管などの絶縁物で作られた真
空槽ｆ２ｉの外側に巻回された高周波誘導コイル（３）
全通して槽内の雰囲気ガスに高周波電力を作用させてプ
ラズマを発生せしめ、支持台（４）上の被処理物（５）
表面に硬化皮膜を形成せしめるものである。
Ｄ装置＋Ｉ＋であり、石英管などの絶縁物で作られた真
空槽ｆ２ｉの外側に巻回された高周波誘導コイル（３）
全通して槽内の雰囲気ガスに高周波電力を作用させてプ
ラズマを発生せしめ、支持台（４）上の被処理物（５）
表面に硬化皮膜を形成せしめるものである。
又、第２図に示すものは、容量結合型プラズマＣＶＤ装
置（６）であり、電極板（７）と被処理物支持台（４）
全平行に配置し、その間にプラズマ密度生させ、プラズ
マ密度や反応ガスの流れが均一となるように工大された
ものである。尚、図中第１図と同符号のものは同一の構
成品を示す。
置（６）であり、電極板（７）と被処理物支持台（４）
全平行に配置し、その間にプラズマ密度生させ、プラズ
マ密度や反応ガスの流れが均一となるように工大された
ものである。尚、図中第１図と同符号のものは同一の構
成品を示す。
ところが、前者の装置ｉｌ＋にあっては、石英管からな
る真空槽（２）の半径方向に出力分布が生じるため膜厚
分布が不均一となる。又、石英管は現在の技術では６イ
ンチ以上のものが製造できないため大型化が極めて困難
である。
る真空槽（２）の半径方向に出力分布が生じるため膜厚
分布が不均一となる。又、石英管は現在の技術では６イ
ンチ以上のものが製造できないため大型化が極めて困難
である。
又、後者の装置（６）にあっては、電極板（７）と支持
台（４）との電極同距離によって膜質の変化が生じ、均
質な皮膜が得らｎない。さらに電極板（７）に堆積した
皮膜が剥離して被処理物表面上に落下堆積するという問
題点がある。
台（４）との電極同距離によって膜質の変化が生じ、均
質な皮膜が得らｎない。さらに電極板（７）に堆積した
皮膜が剥離して被処理物表面上に落下堆積するという問
題点がある。
そこで、本発明者は先に特開昭５７−７３４７５号で前
記問題点の改良を試み、＠６図に示す如く、高周波誘導
コイル＋３１”ｉ真空槽（２ｊ°の内部に設置し、真空
槽ケ大きくすることでガスの分布の均一化を促進し、更
にイオン化したガスが加速されて発熱体（８）′によ−
り加熱さ九た被処理物（５）°に当る様に被処理物に負
の電位ｔ’ｂ−ける構成とした化学蒸着装置ケ提案した
。その結果、複雑な形状の中小型の被処理物では均質な
つきまわり特性の優れた皮膜が形成された。一方、大型
品でもかなり均質化した皮膜が得られたが、イオン化し
たガスが負の電位にある被処理物に向い一方向から当る
ために、その部位が他の部位に比べて幾分厚目となるこ
とがあった。
記問題点の改良を試み、＠６図に示す如く、高周波誘導
コイル＋３１”ｉ真空槽（２ｊ°の内部に設置し、真空
槽ケ大きくすることでガスの分布の均一化を促進し、更
にイオン化したガスが加速されて発熱体（８）′によ−
り加熱さ九た被処理物（５）°に当る様に被処理物に負
の電位ｔ’ｂ−ける構成とした化学蒸着装置ケ提案した
。その結果、複雑な形状の中小型の被処理物では均質な
つきまわり特性の優れた皮膜が形成された。一方、大型
品でもかなり均質化した皮膜が得られたが、イオン化し
たガスが負の電位にある被処理物に向い一方向から当る
ために、その部位が他の部位に比べて幾分厚目となるこ
とがあった。
本発明は上記問題点に鮨みなさｎたもので、その目的と
するところは、歯切用切削工具であるホブやピニオンカ
ッタ等の複雑で、特に大型の被処理物でも、膜質及び膜
厚分布が均一な皮膜を形成するプラズマＣＶＤ装置を提
供しようと試みるもので、その特徴とするところは、排
気口を有する真空槽と； 該真空槽の槽外にあって、槽
内に雰囲気ガスと反応ガスと全所定の流量比とガス圧に
調整して供給するガス供給部と； 前記真空槽内に設け
らｎ１負の電位に保たｎ１被処理物を支持するための支
持台と； 前記被処理物？加熱するための加熱体と；
前記ガスを高周波放電により励起するコイル状電極とか
ら構成さｆした化学蒸着装置において、前記コイル状電
極が、被処理物？囲続するように配置され、該被処理物
を指向して開口したガス噴出部を有する管体で形成さｒ
Ｌ、該管体と前記ガス供給部とが配管接続された点にあ
る。
するところは、歯切用切削工具であるホブやピニオンカ
ッタ等の複雑で、特に大型の被処理物でも、膜質及び膜
厚分布が均一な皮膜を形成するプラズマＣＶＤ装置を提
供しようと試みるもので、その特徴とするところは、排
気口を有する真空槽と； 該真空槽の槽外にあって、槽
内に雰囲気ガスと反応ガスと全所定の流量比とガス圧に
調整して供給するガス供給部と； 前記真空槽内に設け
らｎ１負の電位に保たｎ１被処理物を支持するための支
持台と； 前記被処理物？加熱するための加熱体と；
前記ガスを高周波放電により励起するコイル状電極とか
ら構成さｆした化学蒸着装置において、前記コイル状電
極が、被処理物？囲続するように配置され、該被処理物
を指向して開口したガス噴出部を有する管体で形成さｒ
Ｌ、該管体と前記ガス供給部とが配管接続された点にあ
る。
以下本発明全図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
第４図において、（１０１１ｄ金属製の圧力容器からな
る真空槽で、槽外には貯留ガスボンベ電力・ら供給され
る雰囲気ガス及び反応ガス？所定の流量とガス圧に調整
し供給するためのガス供給部（１２１が設けられており
、後浦する高周波誘導コイル（Ｉ９）に配管接続されて
いる。一方、前記真空槽（１ｏ）の底部にはガス排気用
の排気口θ３）が設けられている。該真空槽を金属製と
したことにより、槽を任意の大きさに容易に製作出来て
好適である。
る真空槽で、槽外には貯留ガスボンベ電力・ら供給され
る雰囲気ガス及び反応ガス？所定の流量とガス圧に調整
し供給するためのガス供給部（１２１が設けられており
、後浦する高周波誘導コイル（Ｉ９）に配管接続されて
いる。一方、前記真空槽（１ｏ）の底部にはガス排気用
の排気口θ３）が設けられている。該真空槽を金属製と
したことにより、槽を任意の大きさに容易に製作出来て
好適である。
（１，４１は被処理物−の支持台で、該支持台０４１に
Ｆｉ直流電源（１６（から負の電位が印加されるよう結
線されると共に、゛前記直流電源０６）の正の電位は高
周波交流電源ａηのアースラ゛イン賭に結線され、高周
波交流電源０ηからの出力は槽内に設けらｎた高周波誘
導コイル（１９１に印加されるように構成されている。
Ｆｉ直流電源（１６（から負の電位が印加されるよう結
線されると共に、゛前記直流電源０６）の正の電位は高
周波交流電源ａηのアースラ゛イン賭に結線され、高周
波交流電源０ηからの出力は槽内に設けらｎた高周波誘
導コイル（１９１に印加されるように構成されている。
前記高周波誘導コイル（１９）は被処理物（１５）を囲
続するように配置さｎており、該被処理物に指向して開
口したガス噴出孔（２０１有する金屑製の管体圀）で形
成されている。前記管体圓は槽外のガス供給部（１４に
配管接続さｎている。前記ガス噴出孔四は図示の如く、
コイル状管体（２１）の被処理物（１５）対向側に一列
状に複数個穿孔されているが、第５図に示す他の実施例
の如く、任意横断面において複数個設けられていてもよ
く、更に第６図に示す他の実施例の如く、スリツト（２
Ｕａ）としてもよい。また第７図に示す他の実施例の如
く、ガス摩′冑１４用ノズル（２Ｕｂ） １．（１）ｉ
Ｊ記ガス噴出孔シ０）位置に設けてもよい。
続するように配置さｎており、該被処理物に指向して開
口したガス噴出孔（２０１有する金屑製の管体圀）で形
成されている。前記管体圓は槽外のガス供給部（１４に
配管接続さｎている。前記ガス噴出孔四は図示の如く、
コイル状管体（２１）の被処理物（１５）対向側に一列
状に複数個穿孔されているが、第５図に示す他の実施例
の如く、任意横断面において複数個設けられていてもよ
く、更に第６図に示す他の実施例の如く、スリツト（２
Ｕａ）としてもよい。また第７図に示す他の実施例の如
く、ガス摩′冑１４用ノズル（２Ｕｂ） １．（１）ｉ
Ｊ記ガス噴出孔シ０）位置に設けてもよい。
（２ｚＩ″ｉ発熱体で、前記高心波銹導コイル（１９１
で囲続さｎた被処理物（１５Ｌａ：加熱するためのもの
であり、前記高周波誘導コイル（１９１の外側に配置さ
れている。
で囲続さｎた被処理物（１５Ｌａ：加熱するためのもの
であり、前記高周波誘導コイル（１９１の外側に配置さ
れている。
次に上記の如く構成き１また不発ｒｌ１１装置による皮
膜形成過程についてシリコンナイトライド厄ｒ例にして
説明する〇 捷ず、被処理物（１５ノヶ支持台０４１に装ＸＷシフと
後、真空槽（１０）内部を１Ｇ−３〜１０ ’ Ｔｏｒ
ｔに排気する。その際同時に発熱体（２ｚを作動せしめ
て彼処Ｊ、！Ｉｉ物ヲ１ｍ〜４００℃に加熱する。次い
で不活性の雰囲気ガス（Ａｒ、Ｈｅ等）を槽内に導入し
、槽内ガス圧ヶ０．１ＴＯｒｒ 程度にする。次に高周
波誘導コイル賎に高周波交流電圧忙印加すると共に支持
ｇ （１４１に直流電圧？印加して、前記ガスに−ｆオ
ン化、加速し被処理物表面のイオンボンバード全豹１０
分向行なう。
膜形成過程についてシリコンナイトライド厄ｒ例にして
説明する〇 捷ず、被処理物（１５ノヶ支持台０４１に装ＸＷシフと
後、真空槽（１０）内部を１Ｇ−３〜１０ ’ Ｔｏｒ
ｔに排気する。その際同時に発熱体（２ｚを作動せしめ
て彼処Ｊ、！Ｉｉ物ヲ１ｍ〜４００℃に加熱する。次い
で不活性の雰囲気ガス（Ａｒ、Ｈｅ等）を槽内に導入し
、槽内ガス圧ヶ０．１ＴＯｒｒ 程度にする。次に高周
波誘導コイル賎に高周波交流電圧忙印加すると共に支持
ｇ （１４１に直流電圧？印加して、前記ガスに−ｆオ
ン化、加速し被処理物表面のイオンボンバード全豹１０
分向行なう。
この場合、前記ガスは被処理物（１５１’ｚ囲続して配
置された高周波誘導コイル部上で、該被処理物（１５］
に向けて開口し念ガス噴出孔鶴よシ噴出さｎるので、被
処理物（１５）はくまなくボンバードされるのである。
置された高周波誘導コイル部上で、該被処理物（１５］
に向けて開口し念ガス噴出孔鶴よシ噴出さｎるので、被
処理物（１５）はくまなくボンバードされるのである。
その後、一旦発熱体し２への通電のみを残して他は停電
せしめ槽内のガスを排気して槽内真空度を１Ｏ−３ＴＯ
ｒｒ以上に復元する。
せしめ槽内のガスを排気して槽内真空度を１Ｏ−３ＴＯ
ｒｒ以上に復元する。
次いで、ガス導入系からシランガス（ＳｉＨ４）と窒素
ガスを適宜の割合、好ましくは１：５〜１：２０で槽内
に導入し、槽内ガス圧ヲ０．１〜ＩＴｏｒｒ とする。
ガスを適宜の割合、好ましくは１：５〜１：２０で槽内
に導入し、槽内ガス圧ヲ０．１〜ＩＴｏｒｒ とする。
このとき、高周波誘導コイル０９）に高周波交流電圧を
印加し、更に支持台（１４１を介して被処理物α６）を
直流電源０６）より−５００Ｖ〜−ＩＫＶに印加する。
印加し、更に支持台（１４１を介して被処理物α６）を
直流電源０６）より−５００Ｖ〜−ＩＫＶに印加する。
さすれば、槽内に導入さｎたＳｉＨ，と窒素ガスは高周
波誘導コイル０９１の回りに生じた高間波放電領域で分
解、励起、イオン化される。
波誘導コイル０９１の回りに生じた高間波放電領域で分
解、励起、イオン化される。
このイオン化粒子は被処理物０５１に向う電界で加速さ
ｎ１加熱さｔ′した被処理物（１５Ｊに衝突して付着し
シリコンナイトライドの皮膜全形成する。
ｎ１加熱さｔ′した被処理物（１５Ｊに衝突して付着し
シリコンナイトライドの皮膜全形成する。
この場合も、前記ＳｉＨ４と窒素ガスは被処理物０５１
を囲続した、管状の高周波誘導コイルＱＱＩのガス噴出
孔（２０）より被処理物（１５ｊに向けて噴射されてい
るので、被処理物（Ｉ５）は常に均一で濃厚なガスに包
ま２’していることになり、その上高間波放電も被処理
物（１５）の周囲に均一に発生しているので、被処理物
（１５）には均一な皮膜が形成される。
を囲続した、管状の高周波誘導コイルＱＱＩのガス噴出
孔（２０）より被処理物（１５ｊに向けて噴射されてい
るので、被処理物（Ｉ５）は常に均一で濃厚なガスに包
ま２’していることになり、その上高間波放電も被処理
物（１５）の周囲に均一に発生しているので、被処理物
（１５）には均一な皮膜が形成される。
Ｑｌ上詳述したように本装置は、高同波放電を生じさせ
るためのコイル状電極が、被処理物を囲続するように配
置され、該被処理物を指向して開口したガス噴出部を有
する管体で形成さｔ′しているので、被処理物の回りに
均一で濃厚なガス雰囲気及び高目波数電域を形成するこ
とができ、これにより複雑な形状の大型品の被処理物で
も、均質な厚みの皮膜ケ形成させることができる。
るためのコイル状電極が、被処理物を囲続するように配
置され、該被処理物を指向して開口したガス噴出部を有
する管体で形成さｔ′しているので、被処理物の回りに
均一で濃厚なガス雰囲気及び高目波数電域を形成するこ
とができ、これにより複雑な形状の大型品の被処理物で
も、均質な厚みの皮膜ケ形成させることができる。
第１図〜第３図は従来のプラズマＣＶＤ装置の概念図、
第４図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の概念図、＠５図
〜＠７図は本発明に係るコイル状電極に設けたガス噴出
部の実施例？示す部分断面図ケ示す。 ｉｌ＋−・・コイル結合端プラズマＣＶ Ｉ）装置、！
２ｉ ｉ２）’１ｌＯ）・・・真空槽、＋３１ （３１
’（＋９１・・・高目波誘導コイル、ｔ４Ｈ４１・（１
４）・・・支持台、＋５１ ＋５１・（１５）・・・被
処理物、（１２）・・・ガス供給部、（Ｉ３）・・・排
気口、（２０）・・・ガス噴出孔、（２１＋・・・管体
、ｔ８１’（２２１・・−発熱体。 特 許 １）願 人 林式会社神Ｐ製鋼所同 上 ７Ｍ
水屯設エン殊式会社 會 ゝ１ゝ−４１’＝−１ 子３１ズ１ 第６（゛［ ２）
第４図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の概念図、＠５図
〜＠７図は本発明に係るコイル状電極に設けたガス噴出
部の実施例？示す部分断面図ケ示す。 ｉｌ＋−・・コイル結合端プラズマＣＶ Ｉ）装置、！
２ｉ ｉ２）’１ｌＯ）・・・真空槽、＋３１ （３１
’（＋９１・・・高目波誘導コイル、ｔ４Ｈ４１・（１
４）・・・支持台、＋５１ ＋５１・（１５）・・・被
処理物、（１２）・・・ガス供給部、（Ｉ３）・・・排
気口、（２０）・・・ガス噴出孔、（２１＋・・・管体
、ｔ８１’（２２１・・−発熱体。 特 許 １）願 人 林式会社神Ｐ製鋼所同 上 ７Ｍ
水屯設エン殊式会社 會 ゝ１ゝ−４１’＝−１ 子３１ズ１ 第６（゛［ ２）
Claims (1)
- １ 排気口を有する真空信と； 該真空槽の棺外にあっ
て、槽内に雰囲気ガスと反応ガスとを所定の流量比とガ
ス圧に調整して供給するガス供給部と； 前記真空槽内
に設けられ、負の電位に保たれ、被処理＠全支持するた
めの支持台と； 前記被処理物を加熱するための加熱体
と；前記ガスを高周波放電によシ励起するコイル状電極
とから構成された化学蒸着装置において、前記コイル状
電極が、被処理物を囲続するように配置され、該被処理
物を指向して開Ｄ したガス噴出部を有する管体で形成
され、該管体と前記ガス供給部とが配管接続されてなる
ことを特徴とする化学蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16993883A JPS6063377A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16993883A JPS6063377A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 化学蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063377A true JPS6063377A (ja) | 1985-04-11 |
Family
ID=15895689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16993883A Pending JPS6063377A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063377A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103643216A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-03-19 | 中山市创科科研技术服务有限公司 | 一种用于在Si片上沉积碳膜的设备 |
-
1983
- 1983-09-13 JP JP16993883A patent/JPS6063377A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103643216A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-03-19 | 中山市创科科研技术服务有限公司 | 一种用于在Si片上沉积碳膜的设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4749587A (en) | Process for depositing layers on substrates in a vacuum chamber | |
| EP2153704B1 (en) | Enhancing plasma surface modification using high intensity and high power ultrasonic acoustic waves | |
| KR20010032692A (ko) | 이온빔을 이용한 재료의 표면처리장치 | |
| KR980700451A (ko) | 다이아몬드형 탄소막의 대규모, 저압 플라즈마-이온 피착(Large-Scale, Low Pressure Plasma-lon Deposition of Diamondike Carbon Films) | |
| JP2002115068A (ja) | シャワーヘッド、基板処理装置および基板製造方法 | |
| US20030012890A1 (en) | Method for producing a plasma by microwave irradiation | |
| JPS63274762A (ja) | 反応蒸着膜の形成装置 | |
| TW470995B (en) | Hollow cathode array for plasma generation | |
| JP2004292934A (ja) | イオン窒化装置およびこれを用いた成膜装置 | |
| JPS63118060A (ja) | 加工品の熱化学処理方法およびその装置 | |
| JP4791636B2 (ja) | ハイブリッドパルスプラズマ蒸着装置 | |
| JPS6063377A (ja) | 化学蒸着装置 | |
| JPH0111721Y2 (ja) | ||
| EP0747501A1 (en) | Thin film deposition | |
| JP4151000B2 (ja) | ワークの表面処理方法と、その装置 | |
| RU2847566C1 (ru) | Устройство для получения диффузионных покрытий в высокочастотном емкостном разряде пониженного давления | |
| JPS63118075A (ja) | グロ−放電による被覆方法 | |
| JPH07300677A (ja) | 光ｃｖｄによる成膜方法及びその装置 | |
| JP3421457B2 (ja) | 金属表面の乾式処理のための方法および装置 | |
| JPS62278284A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPS58117870A (ja) | 皮膜形成装置 | |
| JPH07102090A (ja) | 弗素樹脂製チューブの表面改質法 | |
| JP3099801B2 (ja) | 成膜処理方法及び装置 | |
| JPH02213481A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0551726A (ja) | 金属部材の表面硬化方法および硬質膜被覆金属部材の製造方法 |