JPS6064379A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS6064379A JPS6064379A JP58173382A JP17338283A JPS6064379A JP S6064379 A JPS6064379 A JP S6064379A JP 58173382 A JP58173382 A JP 58173382A JP 17338283 A JP17338283 A JP 17338283A JP S6064379 A JPS6064379 A JP S6064379A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- light
- shielding film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は画素毎にトランジスタを有するマトリクス屋液
晶表示装置、特に外部からの光による特性劣化を防止す
るため遮光膜を設けた構造のものに関する。
晶表示装置、特に外部からの光による特性劣化を防止す
るため遮光膜を設けた構造のものに関する。
画素選択トランジスタのスイッチング特性は、チャンネ
ル部への光照射によって劣化する、特にチャンネル部に
アモルファスシリコンを用い几トランジスタはその特性
劣化が著しく、液晶表示装置として使用する場合少なく
ともチャンネル部を覆うようにして遮光のための薄膜を
形成するのが一般的である。
ル部への光照射によって劣化する、特にチャンネル部に
アモルファスシリコンを用い几トランジスタはその特性
劣化が著しく、液晶表示装置として使用する場合少なく
ともチャンネル部を覆うようにして遮光のための薄膜を
形成するのが一般的である。
第１図に示されるのは、従来の遮光膜を有する画素選択
トランジスタの構造断面図で、絶縁基板１の上に形成さ
れたチャンネル領域２を覆う↓うＫして層間絶縁膜３を
介し遮光膜４が形成されているが、前記遮光、＠４は工
程上フローティングとして存在する事が多くその電位は
安定していない、ところで遮光膜を電極とみなした場合
層間絶縁膜を介してチャンネル部に電界効果を及ぼし、
チャンネル中のキャリアの移動１：Ｆ変化させる、その
ためＯＦＦ電流等が安定せず良い特性のトランジスタが
得られなかった。また遮光膜の電位の影響を軽減するた
め層間絶縁膜を厚く形成する方法が考えられるが、層間
絶縁膜を厚くすることによって横方向からのチャンネル
への光の侵入が増シ遮光膜木米の効果が薄れてしまうと
いう不具合が生じてしまり。
トランジスタの構造断面図で、絶縁基板１の上に形成さ
れたチャンネル領域２を覆う↓うＫして層間絶縁膜３を
介し遮光膜４が形成されているが、前記遮光、＠４は工
程上フローティングとして存在する事が多くその電位は
安定していない、ところで遮光膜を電極とみなした場合
層間絶縁膜を介してチャンネル部に電界効果を及ぼし、
チャンネル中のキャリアの移動１：Ｆ変化させる、その
ためＯＦＦ電流等が安定せず良い特性のトランジスタが
得られなかった。また遮光膜の電位の影響を軽減するた
め層間絶縁膜を厚く形成する方法が考えられるが、層間
絶縁膜を厚くすることによって横方向からのチャンネル
への光の侵入が増シ遮光膜木米の効果が薄れてしまうと
いう不具合が生じてしまり。
本発明はこれらの欠点を除去するため、安定しかつ広い
スイッチング特性を示す、遮光膜を有する画素選択トラ
ンジスタを提供することを目的とする。
スイッチング特性を示す、遮光膜を有する画素選択トラ
ンジスタを提供することを目的とする。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す構造断面図で、絶縁基
板Ｃ＊とえは石英）１の上に形成たゲート領域５の上に
、たとえばプラズマＯＶＤ装置によって堆積させたゲー
ト絶縁＠（たとえば６０００Ａ厚の二酸化ケイ素膜）６
を介して形成された、たとえばＴモルフ了スシリコン膜
層であるチャンネル領域２を覆うようにして層間絶縁膜
Ｃｆｃとえはゲート絶縁＠ｂと同様にして形成された８
０００Ａ厚の二酸化ケイ素膜）３を介して、たとえばａ
ｙを１００ＯＡ程度積層させた遮光、膜４が形成されて
いるが、前記遮光膜４は電気的にゲート領域５に接続さ
れており、ゲート電位に落ちついている。ゆえにトラン
ジスタがＯＦＦしている時のリーク電流は小さく安定し
ていて、ＯＮ／ ＯＦ Ｆ比は大き（とれる。但しゲー
ト容量の増大を防ぐため層間絶縁＠３の厚さは遮光膜の
本来の効果を妨げない程度に充分厚くする事が必要とな
る。父層間絶縁膜３は金属電極配線の上に形成すること
等からその膜質はあまり良いとは考えられず層間絶縁膜
３自体のリーク電流の低減を考えると、ある程変少なく
ともゲート絶縁膜６より充分厚いことが望まれる。
板Ｃ＊とえは石英）１の上に形成たゲート領域５の上に
、たとえばプラズマＯＶＤ装置によって堆積させたゲー
ト絶縁＠（たとえば６０００Ａ厚の二酸化ケイ素膜）６
を介して形成された、たとえばＴモルフ了スシリコン膜
層であるチャンネル領域２を覆うようにして層間絶縁膜
Ｃｆｃとえはゲート絶縁＠ｂと同様にして形成された８
０００Ａ厚の二酸化ケイ素膜）３を介して、たとえばａ
ｙを１００ＯＡ程度積層させた遮光、膜４が形成されて
いるが、前記遮光膜４は電気的にゲート領域５に接続さ
れており、ゲート電位に落ちついている。ゆえにトラン
ジスタがＯＦＦしている時のリーク電流は小さく安定し
ていて、ＯＮ／ ＯＦ Ｆ比は大き（とれる。但しゲー
ト容量の増大を防ぐため層間絶縁＠３の厚さは遮光膜の
本来の効果を妨げない程度に充分厚くする事が必要とな
る。父層間絶縁膜３は金属電極配線の上に形成すること
等からその膜質はあまり良いとは考えられず層間絶縁膜
３自体のリーク電流の低減を考えると、ある程変少なく
ともゲート絶縁膜６より充分厚いことが望まれる。
次に第３図は本発明の他の実施例を示す構造断面図で遮
光膜４は、一部でソース電極７に接続されており、前記
遮光膜４の電位はソース電位に保たれていて第２図に示
される実施例と同様に遮光膜の電位がトランジスタ特性
に悪影響を与えることはない。
光膜４は、一部でソース電極７に接続されており、前記
遮光膜４の電位はソース電位に保たれていて第２図に示
される実施例と同様に遮光膜の電位がトランジスタ特性
に悪影響を与えることはない。
以上のごとぐ、本発明によれば外部からの光をチャンネ
ル領域から遮断するための遮光膜領域を有する画素選択
トランジスタにおいて、遮光Ｍを付加することによるト
ランジスタ特性への悪影響を排除する方法を、付加工程
なしに提供するものである。
ル領域から遮断するための遮光膜領域を有する画素選択
トランジスタにおいて、遮光Ｍを付加することによるト
ランジスタ特性への悪影響を排除する方法を、付加工程
なしに提供するものである。
第１図は、従来の遮光膜を有する画素選択トランジスタ
の構造断面図であり、第２図は、本発明の一実施例にお
ける遮光膜を有する画素選択トランジスタの構造断面図
であり、第３図は、本発明の他の実施例における遮光膜
を有する画素選択トランジスタの構造断面図である。 １０．絶縁基板 ２０．チャンネル領域 ３０．＠間絶縁＠ ６．、ゲート絶縁膜４゜、遮光膜
７０．ソース領域 ５０．ゲート領域 ８０．ドレイン領域以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務 第１図 第３図 第２じ
の構造断面図であり、第２図は、本発明の一実施例にお
ける遮光膜を有する画素選択トランジスタの構造断面図
であり、第３図は、本発明の他の実施例における遮光膜
を有する画素選択トランジスタの構造断面図である。 １０．絶縁基板 ２０．チャンネル領域 ３０．＠間絶縁＠ ６．、ゲート絶縁膜４゜、遮光膜
７０．ソース領域 ５０．ゲート領域 ８０．ドレイン領域以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務 第１図 第３図 第２じ
Claims (4)
- （１）。マトリクス配列した各画素毎の画素選択トラン
ジスタの少なくともチャンネル部を覆う遮光膜の電位を
、ゲート電位もしくはそれ以下の電位に接続する事を特
徴とする液晶表示装置。 - （２）。画素選択トランジスタの少なくともチャンネル
部が、アモルファスシリコンである事を特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。 - （３） 、 ｍ光膜とチャンネル部との層間絶縁膜がゲ
ート絶縁膜に比べて充分厚い事を特徴とする特許請求の
範囲第２項記載の液晶表示装置。 - （４）、遮光膜が金属である事を特徴とする特許請求の
範囲第３項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173382A JPS6064379A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173382A JPS6064379A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064379A true JPS6064379A (ja) | 1985-04-12 |
Family
ID=15959357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58173382A Pending JPS6064379A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6064379A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808595A (en) * | 1995-06-29 | 1998-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor circuit and image display |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS595229A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-01-12 | Asahi Glass Co Ltd | 画像表示装置 |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP58173382A patent/JPS6064379A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS595229A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-01-12 | Asahi Glass Co Ltd | 画像表示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808595A (en) * | 1995-06-29 | 1998-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor circuit and image display |
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