JPS6066407A - 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法Info
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- JPS6066407A JPS6066407A JP58174742A JP17474283A JPS6066407A JP S6066407 A JPS6066407 A JP S6066407A JP 58174742 A JP58174742 A JP 58174742A JP 17474283 A JP17474283 A JP 17474283A JP S6066407 A JPS6066407 A JP S6066407A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 19
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 7
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 4
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 4
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 4
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 4
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 241000283160 Inia Species 0.000 description 1
- 241000087799 Koma Species 0.000 description 1
- -1 MOO Substances 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 240000008042 Zea mays Species 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011549 displacement method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はｉ！’＆ ｉ薯１（１ｉｉＬ！録川どし用の用
途が明袖される薄膜磁気ヘッドに適しｌζセラミックス
基板及びこの製痔プノ）人に関りるものである。
途が明袖される薄膜磁気ヘッドに適しｌζセラミックス
基板及びこの製痔プノ）人に関りるものである。
近年、）」ソイ１−．センダストなどを使用した磁気ヘ
ッドに代って、小型、１島密磨「、Ｃ録などの１４徴を
持つ薄膜磁気ヘッドが注１〕されている１、薄膜磁気ヘ
ッドＪＪ板としく一要求される狛１７［としては、（１
）表面が平坦で気孔が存在しない、（２）加工性が良好
で加工中にクランクＡ゛）１ツピングをイ１しない、（
３）耐淳耗性が良好、、（／Ｉ）ｌｉり動１！ｆ性が良
好、（５）絶縁Ｉ１９のＡ Ｉ ２０３と熱膨張率の差
が小さい、ｌ＝、どが重要である。
ッドに代って、小型、１島密磨「、Ｃ録などの１４徴を
持つ薄膜磁気ヘッドが注１〕されている１、薄膜磁気ヘ
ッドＪＪ板としく一要求される狛１７［としては、（１
）表面が平坦で気孔が存在しない、（２）加工性が良好
で加工中にクランクＡ゛）１ツピングをイ１しない、（
３）耐淳耗性が良好、、（／Ｉ）ｌｉり動１！ｆ性が良
好、（５）絶縁Ｉ１９のＡ Ｉ ２０３と熱膨張率の差
が小さい、ｌ＝、どが重要である。
このような特性を満だ−１ＪＡ利としては一般にセラミ
ックスが用いられるが、現白−主流どな一ノ（いるＡｌ
２０ａ −Ｔ！ Ｃ基板ｒｔよ（２＞（３＞の特性は
優れるが、摺動特性は良りｒ −（’ ｌ；Ｌない。一
方、高密度に焼結した安定化ジル−に）ｌは摺動！Ｉｓ
Ｉ ′Ｐｌに優れるが、耐摩耗性、加工性し、１△１７
０．１−Ｔ！（ン早板に比べ劣る１、これＩ３１、Ｚ
ｒ （’） 、が△Ｉ ９０３−’−ｒ＋ｃに比べ、硬
度、１７ング率が小さいことに起因りるｂのど１１１定
される。
ックスが用いられるが、現白−主流どな一ノ（いるＡｌ
２０ａ −Ｔ！ Ｃ基板ｒｔよ（２＞（３＞の特性は
優れるが、摺動特性は良りｒ −（’ ｌ；Ｌない。一
方、高密度に焼結した安定化ジル−に）ｌは摺動！Ｉｓ
Ｉ ′Ｐｌに優れるが、耐摩耗性、加工性し、１△１７
０．１−Ｔ！（ン早板に比べ劣る１、これＩ３１、Ｚ
ｒ （’） 、が△Ｉ ９０３−’−ｒ＋ｃに比べ、硬
度、１７ング率が小さいことに起因りるｂのど１１１定
される。
本発明は安定化シルコニノアのこのよ）な欠点を解消す
べくなされたもので、安定化ジルコニアと、Ｓ Ｉ ａ
Ｎ ４ 、 Ｓ ｉ Ｃ＋ Ｂ ａ Ｃ’ＴＥどを複
合化Ｊるこどにより、ｊＪＩＩ Ｊ竹、耐摩耗性を著し
く向上さけることができることを兄出しＩζものである
。
べくなされたもので、安定化ジルコニアと、Ｓ Ｉ ａ
Ｎ ４ 、 Ｓ ｉ Ｃ＋ Ｂ ａ Ｃ’ＴＥどを複
合化Ｊるこどにより、ｊＪＩＩ Ｊ竹、耐摩耗性を著し
く向上さけることができることを兄出しＩζものである
。
本発明の主成分Ｃある安定化ジルコにｉｌは、通常Ｙ２
０３ 、 ＭＯＯ，Ｃａ Ｏ等の安定化剤を添加し、人
気中常月−焼結により焼結している。しかしながら、量
板材どしては（１）の特性を清またずため、相対密度は
少なくとも９９％以」−はイｔ ＜ ’ｌ’ ＬＬ ＜
ｔらず、帛°圧焼ｔ１Ｊでは＜ｒ Ｊ：ｉ不十分（゛あ
る。
０３ 、 ＭＯＯ，Ｃａ Ｏ等の安定化剤を添加し、人
気中常月−焼結により焼結している。しかしながら、量
板材どしては（１）の特性を清またずため、相対密度は
少なくとも９９％以」−はイｔ ＜ ’ｌ’ ＬＬ ＜
ｔらず、帛°圧焼ｔ１Ｊでは＜ｒ Ｊ：ｉ不十分（゛あ
る。
また、本発明Ｃ゛は非酸化物系化合物を添加しているｔ
こめ、大気中常圧焼結は不可能（・ある。畠密度化を図
るには、貞空中子備焼結後、λ（）間静水ハープレス（
１−１１Ｐ ）を行うことも考えられるが、化合物の添
加毎が多く ’ｃＴるど予備焼結後の相対密度が９５％
に達しなくイｉるため１１１１）を行−ノ（ｔ）Δ１゛
カスが浸透しくしまいＩｆ ＋ １）の効果がイ１い１
．シかるに本発明では安定化ジルコニアと化合物の投合
物を１４００＝−Ｉ ＧＯｆｌ ℃’（’ホットプレス
することにより、化合物のωが５０ ｖａ１％５ど多く
ａつでも４ｆＪ ）＝Ｉ密度は９９％１メ土に緻密１ｅ
！Ｉるを見出した。この場０１４００℃以下では相λ
・１密庶が９９％に達せず、まＩこ、ｉ ｅｏ。
こめ、大気中常圧焼結は不可能（・ある。畠密度化を図
るには、貞空中子備焼結後、λ（）間静水ハープレス（
１−１１Ｐ ）を行うことも考えられるが、化合物の添
加毎が多く ’ｃＴるど予備焼結後の相対密度が９５％
に達しなくイｉるため１１１１）を行−ノ（ｔ）Δ１゛
カスが浸透しくしまいＩｆ ＋ １）の効果がイ１い１
．シかるに本発明では安定化ジルコニアと化合物の投合
物を１４００＝−Ｉ ＧＯｆｌ ℃’（’ホットプレス
することにより、化合物のωが５０ ｖａ１％５ど多く
ａつでも４ｆＪ ）＝Ｉ密度は９９％１メ土に緻密１ｅ
！Ｉるを見出した。この場０１４００℃以下では相λ
・１密庶が９９％に達せず、まＩこ、ｉ ｅｏ。
℃以上では安定化ジルコニアの結晶粒の粒成■〈が著し
くなるため不適当ぐある。
くなるため不適当ぐある。
本発明では安定化剤どしてのＹ ：！ ０３ｆｌｉを６
−・ｉｏ ｍｏ１％に限定したが、これは６ｍｏ１％以
下ぐは準安定正方品の含も率が高いために、７７ｔ １
ルへの膜１す（）、パターン（＝Ｊ（ｙＪの際の数百℃
の加熱冷７．１１に起因して残留正方品がｉｌｉ斜品ｔ
＼変態し、ぞの際体積膨張を伴な−うｌこめ、基板のソ
リ、バ・ターンなどの問題が生じるためである。また−
１限を２０ ｍｏ１％ど定めたのは、２０ ｍｏ１％を
越えると〜′１方品中にＹ４ＺｒａＯ＋：ｚが析出し、
強度１１Ｌ−１・’ｅ ；ｌ、４ａキ好マシ＜ないため
である。また、Ｓｉ ３Ｎ４．Ｓｉ Ｃ，Ｂ４Ｃなどの
含イＪ司を１１・〜５０ ｖｏ１％ど定めたのは！＋
ＶＯ１％以手では枚合材どしＣの効果がないｌζめであ
り、また５０ ｖｏ１％以−１ｒは、硬庶、耐摩耗↑１
が良好ではあるが安定ジルコニラ７のもつ１１す動特性
が失われてしまうためＣある。
−・ｉｏ ｍｏ１％に限定したが、これは６ｍｏ１％以
下ぐは準安定正方品の含も率が高いために、７７ｔ １
ルへの膜１す（）、パターン（＝Ｊ（ｙＪの際の数百℃
の加熱冷７．１１に起因して残留正方品がｉｌｉ斜品ｔ
＼変態し、ぞの際体積膨張を伴な−うｌこめ、基板のソ
リ、バ・ターンなどの問題が生じるためである。また−
１限を２０ ｍｏ１％ど定めたのは、２０ ｍｏ１％を
越えると〜′１方品中にＹ４ＺｒａＯ＋：ｚが析出し、
強度１１Ｌ−１・’ｅ ；ｌ、４ａキ好マシ＜ないため
である。また、Ｓｉ ３Ｎ４．Ｓｉ Ｃ，Ｂ４Ｃなどの
含イＪ司を１１・〜５０ ｖｏ１％ど定めたのは！＋
ＶＯ１％以手では枚合材どしＣの効果がないｌζめであ
り、また５０ ｖｏ１％以−１ｒは、硬庶、耐摩耗↑１
が良好ではあるが安定ジルコニラ７のもつ１１す動特性
が失われてしまうためＣある。
Ｓ！ Ｃ，Ｓ！ ３Ｎ４．８４ Ｃイ「どの男前化物系
化合物高硬Ｕ 、高導電性などの！ｌｅ＋徴を６つ、７
ｒ０２とこれらの化合物を涙合しＣ焼′結し７に場合、
ジルーＩニア？Ｉ−！Ｊラックス中化合物粒子が分散す
る下−相混合組織となる。これは３１ ａ Ｎ４ 、３
ｉＣ，ＢａＣなどの化合物が元来共右結合竹が強く勤焼
結性である」−に、ホラ［・プレス温度が低い！こめほ
とんど焼結に奇Ｊフシないものと考えられる。
化合物高硬Ｕ 、高導電性などの！ｌｅ＋徴を６つ、７
ｒ０２とこれらの化合物を涙合しＣ焼′結し７に場合、
ジルーＩニア？Ｉ−！Ｊラックス中化合物粒子が分散す
る下−相混合組織となる。これは３１ ａ Ｎ４ 、３
ｉＣ，ＢａＣなどの化合物が元来共右結合竹が強く勤焼
結性である」−に、ホラ［・プレス温度が低い！こめほ
とんど焼結に奇Ｊフシないものと考えられる。
またＸ線回折をｆｊっでも、Ｚｒ ０２と化合物のピー
クのみ観察されることから４［Ｊηの反応は起き−Ｃい
ないと１１１、定される。これらの化合物はＺｒＯ２に
比べ高硬度であるため、薄膜磁気ヘッド用基板に１史用
した場合、耐１９耗性を著しく向上さける。
クのみ観察されることから４［Ｊηの反応は起き−Ｃい
ないと１１１、定される。これらの化合物はＺｒＯ２に
比べ高硬度であるため、薄膜磁気ヘッド用基板に１史用
した場合、耐１９耗性を著しく向上さける。
また、Ｚｒ ０２は翫７ング率がセラミックスの中では
最も小さい１）の８１１類に属り°るが、これらの化合
物を複合化することにより、ヤング率ＧＥＬ増加りるた
め加］中の応力による変形量が減少・ノる。さらに、ン
ル］ニノ′は待に正り品が残留しでいると切削性ｈ′Ｘ
余り良・（ないのにス・１し、化合物を複合化するど分
散した化合物粒子 ｈ＜切削抵抗を減少さけるＩこめ加
−１−竹は向１りる。
最も小さい１）の８１１類に属り°るが、これらの化合
物を複合化することにより、ヤング率ＧＥＬ増加りるた
め加］中の応力による変形量が減少・ノる。さらに、ン
ル］ニノ′は待に正り品が残留しでいると切削性ｈ′Ｘ
余り良・（ないのにス・１し、化合物を複合化するど分
散した化合物粒子 ｈ＜切削抵抗を減少さけるＩこめ加
−１−竹は向１りる。
以上、安定化ジル」ニアにＳｔ ３Ｎａ 、 Ｓｆ Ｃ
１”） Ａ （／などを複合化さけると、安定化ジルコ
ニアの摺動特性を損わずに特に耐摩耗す！１．加１−性
を著しく向上させることができる。このことはｒＶａ。
１”） Ａ （／などを複合化さけると、安定化ジルコ
ニアの摺動特性を損わずに特に耐摩耗す！１．加１−性
を著しく向上させることができる。このことはｒＶａ。
Ｖａ 、 Ｖｌａｌ遺族元素の窒化物、炭化物又は５１
３Ｎ４ 、Ｓｉ Ｃ，Ｂ４Ｃなどでも同様の効果が認め
られた。
３Ｎ４ 、Ｓｉ Ｃ，Ｂ４Ｃなどでも同様の効果が認め
られた。
また、焼結助剤どして△１２０３を添加りるど、焼結を
促進７るだｔｊではイ１くントリツ・シス中の立方晶の
粒成長を抑制−づるため、薄膜磁気ヘッドどして最終的
な形状に加工す′る際、ｆツピングの１１１゜大きざを
１賊少さけることがぐきる１、添加毎は全体Φに対し、
ｉ−！ｉｖｔ％であるが、これはＩＷ１％以下では粒成
長Ｍ＋ １ｌｉ１１に効果がないため（パあり、また、
５ＷＬ％以↓の添加は実質的に意味が（ｉいためである
。
促進７るだｔｊではイ１くントリツ・シス中の立方晶の
粒成長を抑制−づるため、薄膜磁気ヘッドどして最終的
な形状に加工す′る際、ｆツピングの１１１゜大きざを
１賊少さけることがぐきる１、添加毎は全体Φに対し、
ｉ−！ｉｖｔ％であるが、これはＩＷ１％以下では粒成
長Ｍ＋ １ｌｉ１１に効果がないため（パあり、また、
５ＷＬ％以↓の添加は実質的に意味が（ｉいためである
。
以下、本発明を実施例により訂細に説明力る１゜実施例
平均粒ｔ’ｆｉ （１，０３μｇＨのｌ ｒ Ｏ、ｉｉ
＆粉末とＹ ７０３粉末、さらに：ｓｉ ３ Ｎ４．Ｓ
ｉ Ｃ，Ｒ４Ｃ粉末及びΔ１２０３粉末を所定の割合に
配合し、純水を溶媒どじでアルミナボールミルｒ ２
’ＩＩ Ｉｌｉ“目１１１混合しＩＣ８：１ｚ合溶液を
乾燥し１０％の１〕ｖΔ溶液を添加してらいかい機で造
粒後、１［Ｏｎ ／ Ｃｍ２の圧力−Ｃ８Ｏφ×６・〜
・ １の成ｑ１７体に子猫成型した。次にこれを真空中
１４５０℃Ｘ ３００ ｋ（ｊ／’ Ｃ１１ｌ’ Ｘ
ｉｌｌの条１′１ドＣホッ１−プレスした。焼結１ホの
密度は水中置換法Ｃ測定し理論花ζ度を除しく相対密度
をめた。次に焼結体をダイＸ７Ｔ：ンドブレードで切削
し、試験ｊ１とした。
＆粉末とＹ ７０３粉末、さらに：ｓｉ ３ Ｎ４．Ｓ
ｉ Ｃ，Ｒ４Ｃ粉末及びΔ１２０３粉末を所定の割合に
配合し、純水を溶媒どじでアルミナボールミルｒ ２
’ＩＩ Ｉｌｉ“目１１１混合しＩＣ８：１ｚ合溶液を
乾燥し１０％の１〕ｖΔ溶液を添加してらいかい機で造
粒後、１［Ｏｎ ／ Ｃｍ２の圧力−Ｃ８Ｏφ×６・〜
・ １の成ｑ１７体に子猫成型した。次にこれを真空中
１４５０℃Ｘ ３００ ｋ（ｊ／’ Ｃ１１ｌ’ Ｘ
ｉｌｌの条１′１ドＣホッ１−プレスした。焼結１ホの
密度は水中置換法Ｃ測定し理論花ζ度を除しく相対密度
をめた。次に焼結体をダイＸ７Ｔ：ンドブレードで切削
し、試験ｊ１とした。
曲げ強度試験には４Ｘ３Ｘ３５の試片を使用し、ＪＩＳ
・１点曲げで測定した１、また、−℃ハの一部を鏡面仙
摩し、ボッ７観京、ビッカース硬庶ａ１１１定（荷車２
０（１（＋）を行った１、まＩｓ、Ｉ’ｉ’ ｉ［：
ｊストを？ｊい、摩耗！：’Ｈ４１１ｉ１１定し、シル
−」−ツノの摩耗量を １００どしたどきの相対比較ｋ
ｔｊ・）た。力１ＦＬ性は、鏡面１ｄｌ ＋’？ Ｌ／
た試片にダ１′１７シンドーＩレードでｉｈを入れ一シ
ツピング面ど切削面の綾に４１ｆるデツピングの大小（
・比較した。、 、１．た焼結体から実際の薄膜１１気
ｌ＼ツドの形状に切り出し、）蝕気ゲ、イスクど接触さ
Ｌ！ （”ｊ’ −ｒスフを回転し、１１１１動特性を
比較した。以上の測定結架を一部１表に小り。
・１点曲げで測定した１、また、−℃ハの一部を鏡面仙
摩し、ボッ７観京、ビッカース硬庶ａ１１１定（荷車２
０（１（＋）を行った１、まＩｓ、Ｉ’ｉ’ ｉ［：
ｊストを？ｊい、摩耗！：’Ｈ４１１ｉ１１定し、シル
−」−ツノの摩耗量を １００どしたどきの相対比較ｋ
ｔｊ・）た。力１ＦＬ性は、鏡面１ｄｌ ＋’？ Ｌ／
た試片にダ１′１７シンドーＩレードでｉｈを入れ一シ
ツピング面ど切削面の綾に４１ｆるデツピングの大小（
・比較した。、 、１．た焼結体から実際の薄膜１１気
ｌ＼ツドの形状に切り出し、）蝕気ゲ、イスクど接触さ
Ｌ！ （”ｊ’ −ｒスフを回転し、１１１１動特性を
比較した。以上の測定結架を一部１表に小り。
第１表で本発明範囲内の実施例はＮＯ，’ｌ・〜５ ′
ｃ明細書の浄古（内容に変更なし） あり、ＮＯ，６・〜８は比較例Ｃある。尚、ＮＯ６１〜
７は助剤として△１２０．を２ ｗｔ％添加しである１
゜また、Ｎｏ、８は助剤としてＭｇＯを０．！＋ＷＩ％
添加し、１０５０°Ｃ（ホラ１−プレスしたものＣある
。
ｃ明細書の浄古（内容に変更なし） あり、ＮＯ，６・〜８は比較例Ｃある。尚、ＮＯ６１〜
７は助剤として△１２０．を２ ｗｔ％添加しである１
゜また、Ｎｏ、８は助剤としてＭｇＯを０．！＋ＷＩ％
添加し、１０５０°Ｃ（ホラ１−プレスしたものＣある
。
相λ１１筈度はＡＩ ９０３−Ｔ’ｉ Ｃを除いてリベ
て９９゛ん以−１に緻（デ、°化しており、また鏡面の
ボッ′観察に、１３い−ＣもほどΔ、どボアは１ｌＩ２
察されヂ、１１４ｉとしての基本的待１’ｌ ’（’あ
る表面にボｊ７が０白しないという条ｉ′１を満しＣい
ることがわかっＩこ、、これはマトリックスて゛ある／
ｌ’ ０２がＡｌ２Ｏ，１に比べ（貌結性が冗来１ｑ好
である土に、圧力下で焼結しＣいることに起因づるもの
と思われる。
て９９゛ん以−１に緻（デ、°化しており、また鏡面の
ボッ′観察に、１３い−ＣもほどΔ、どボアは１ｌＩ２
察されヂ、１１４ｉとしての基本的待１’ｌ ’（’あ
る表面にボｊ７が０白しないという条ｉ′１を満しＣい
ることがわかっＩこ、、これはマトリックスて゛ある／
ｌ’ ０２がＡｌ２Ｏ，１に比べ（貌結性が冗来１ｑ好
である土に、圧力下で焼結しＣいることに起因づるもの
と思われる。
じツカース１使さは△’ ２０３−−１’Ｉ Ｃに比べ
、ｌ ｒ Ｑ ２の方が小さいが化合物を複合化づるこ
とににす、Ｈｖは１０（）・〜２００１響づる。′ざの
ため、摩耗量も△１２０３−“［ｉＣには及ばないがＺ
ｒＯ２単独に比べ故割減少し、耐摩耗性は向−１−！Ｊ
る。
、ｌ ｒ Ｑ ２の方が小さいが化合物を複合化づるこ
とににす、Ｈｖは１０（）・〜２００１響づる。′ざの
ため、摩耗量も△１２０３−“［ｉＣには及ばないがＺ
ｒＯ２単独に比べ故割減少し、耐摩耗性は向−１−！Ｊ
る。
曲げ強度【まマトリックスの強度に強く影響を受けるた
め、残留ｉｆ、 ｊｊ品の多いＮｏ、６に比へ、７ｒＣ
ｈ及びＺｒＯ２−化合物系では強電は小さいが基板材と
しては十分な強度である。
め、残留ｉｆ、 ｊｊ品の多いＮｏ、６に比へ、７ｒＣ
ｈ及びＺｒＯ２−化合物系では強電は小さいが基板材と
しては十分な強度である。
溝入れの際のチッピングはへ１２０３−Ｔｉｃの場合量
も少なく、人ささも小さいため最も良好Ｃある。でれに
対しＮＯ，６，７の７１・０２ ｔＩｉ独ではチッピン
グの量、大きさが人さく、まＩ、：切削抵抗も高い。イ
れに比べ化合物を複合化りると、ｆ−ツピングの司、大
きさは小さく／Ｊり加Ｉ ｔｑは向−１−した。１習動
特性はＡ’ ２０，１−ｉ Ｃの場合、短時間でＩ゛イ
スク傷をつ（プるため基＆）Ａとしくあ、１つ好ましく
ないのに対し、Ｎｏ、７の安定化ジルコニアでは長時間
のディスク回申！、に嗣え、１１ｑ動特性は良好である
。化合物を複合化すると名モ摺動１４竹は劣化りるが、
イれぐも△ｌ ４１ ｏ３−ｒ’ｉ Ｃに比べるとはる
かに良好Ｃあり、ｌル板拐どしく好適Ｃある。
も少なく、人ささも小さいため最も良好Ｃある。でれに
対しＮＯ，６，７の７１・０２ ｔＩｉ独ではチッピン
グの量、大きさが人さく、まＩ、：切削抵抗も高い。イ
れに比べ化合物を複合化りると、ｆ−ツピングの司、大
きさは小さく／Ｊり加Ｉ ｔｑは向−１−した。１習動
特性はＡ’ ２０，１−ｉ Ｃの場合、短時間でＩ゛イ
スク傷をつ（プるため基＆）Ａとしくあ、１つ好ましく
ないのに対し、Ｎｏ、７の安定化ジルコニアでは長時間
のディスク回申！、に嗣え、１１ｑ動特性は良好である
。化合物を複合化すると名モ摺動１４竹は劣化りるが、
イれぐも△ｌ ４１ ｏ３−ｒ’ｉ Ｃに比べるとはる
かに良好Ｃあり、ｌル板拐どしく好適Ｃある。
以上にＪ：うに７ｒ ０２に化合物を複合化りることに
より、７ｒ０２の摺動１４Ｆ竹を損わず耐摩耗性。
より、７ｒ０２の摺動１４Ｆ竹を損わず耐摩耗性。
加工性を向、１−さＵることがでさ／、： 、。
昭ｌ１ｌｔ１月１１
発”１１ ｃ’） 名＋４’ ￥１＆磁気ヘッド用基板
ムひその製造方法ｒ市１）、をする占 ↓−二り−４ 補正命令の８伺 距２和５９年１月３１日（尭送日ン鈎
１）市の文・１象 明細誉の「発明の詳細な説明」の欄
ムひその製造方法ｒ市１）、をする占 ↓−二り−４ 補正命令の８伺 距２和５９年１月３１日（尭送日ン鈎
１）市の文・１象 明細誉の「発明の詳細な説明」の欄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸化ジルニ」−ラム（Ｚ ｒ Ｏ２＞ ８＋１・−
９４ｍｏ１％。 酸化−（ツｔ−’）ラム（Ｙ２０３） ６〜２０１１１
０１％／Ｊ１６なる主成分９！＋・−、’１（ｌｖｏ
１％に対し、Ｓ ！ Ｃ、Ｓ Ｉ ３Ｎａ、ＢａＣの）
ら′１種又は２種以上を５〜５０ｖｏ１％及びイれらの
全ωに対し、焼結助剤としての酸化アルミニウム（Ａｌ
２Ｏ２）１−！＋ＷＬ％から４１４成されることを！１
−１ｉ徴とＪる薄膜磁気ヘッド用Ｊ！仮。 ２ 、 Ｑ４Ｉ ｎ’ｌ 請求の範囲第１項記載の薄膜
磁気ヘッド用基板を１４００・〜１６００℃Ｃホットプ
レスすることを１Ｊｊ徴どりる薄１摸磁気ｌ＼ツド用部
板の製造り仏。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174742A JPS6066407A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174742A JPS6066407A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066407A true JPS6066407A (ja) | 1985-04-16 |
Family
ID=15983878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174742A Pending JPS6066407A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066407A (ja) |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58174742A patent/JPS6066407A/ja active Pending
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