JPS606641A - 菊酸誘導体の製造方法 - Google Patents

菊酸誘導体の製造方法

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JPS606641A
JPS606641A JP11383083A JP11383083A JPS606641A JP S606641 A JPS606641 A JP S606641A JP 11383083 A JP11383083 A JP 11383083A JP 11383083 A JP11383083 A JP 11383083A JP S606641 A JPS606641 A JP S606641A
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JP
Japan
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compound
nitro
group
formula
cyano
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JP11383083A
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English (en)
Inventor
Aritsune Kaji
加治 有恒
Noboru Ono
昇 小野
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Nippon Soda Co Ltd
Original Assignee
Nippon Soda Co Ltd
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Publication date
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規な製造方法に関し、詳しくは一般式 (式中、R8及びR2は水素原子、ハロゲン原子又は低
級アルキル基を、R3はアセ゛チル基、アリニールスル
ホニル基、ニトロ基、シアン基又は低級アルコキシカル
ボニル基を、R4はシアノ基又は低級アルコキシカルボ
ニル基を示す。)で表わされる部分構造を有する薄酸誘
導体の製造方法である。
本発明によシ製造される薄酸銹導体は農医薬中間体とし
て有用であり、特にピレスロイド系殺虫剤の中間体とし
て有用な化合物である。
従来、薄酸の工業的製造方法としては下記の方法が知ら
れている。
CH3\/CH3 /\ C02RCO□R(又はCN) しかしながら、これら公知の方法においては、(1)法
では原料のジアゾ酢酸エチルが不安定であること、また
(2)法ではグリニア試薬を用いるため、反応系を無水
状態に保たなければならない等の欠点を有していた。
一方、実験室的方法として、下記一般式〔1%’)で表
わされるエチレン系化合物と、ニトロメタンとを反応さ
せて、シフ四プロパン誘導体を製造する下記式のものが
知られている。
(Chem、 Ber、 1978 111(9)、3
094−104 )この方法においては、エチレン系化
合物のR1及びR2が本願発明の如く低級アルキル基等
の場合、シクロプロパン銹導体の収率は、10〜22%
と非常に低いものである。
本発明者等は、この反応を活用し、史に好収率構造を有
するニトロ化合物(以下アリルニトロ化合物という。)
を使用することによシ、エチレン系化合物の置換基の種
類に拘らず目的のシクロプロパン環を好収率で製造し得
ると七を見い出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は 一般式 (式中、R1及びR2は、水素原子、ハロゲン原子又は
低級アルギル基を、R3はアセチル基、アリールスルホ
ニル基、ニトロ基、シアノ基又は低級アルコジカルボニ
ル基を、R4はシアノ基又は低級アルコキシカルボニル
基を示す′。)で表わされル化合物とアリルニトロ化合
物を反応させることを特徴とする一般式 (式中、Ro、R2、R3及びR4は前記と同一の意味
を示す。)で表わされる薄酸誘導体の製造方法である。
原料のアリルニトロ化合物としては、アルカリに安定で
あル、かつ当該ニトロ基以外にニトロ基を有しない化合
物又は当該ニトロ基以外にニトロ基を有する場合は、係
るニトロ基が三級位の化合物ならばどんな化合物でも使
用が可能である。
このようなアリルニトロ化合物として例えば下記のもの
が挙げられる。
(式中、R5及びR6は、そtぞれ水素原子、ハロゲン
原子又はニトロ基を有しない、もしくは三級位のニトロ
基を有する有機の基を、R7は水素原子、ハロゲン原子
又は低級アルキル基を、R8は水素原子又は低級アルキ
ル基を示す。)で表わされる化合物。
んでいてもよい単環、スピロ環又は縮合環を、R9は任
意の基(但し、該置換基がニトロ基の場合、もしく日、
該置換基中にニトロ基を有する場合は三級位の場合に限
る。)を、n u Oまたは正の整数を、R7及びR8
は、前記と同一の意味を示す。)で表わされる化合物。
んでいてもよい単環、スピロ環又は縮合環を、R8、R
o及びnは前記の場合と同一の意味を示す。)で表わさ
れる化合物。
さらに具体的には (1)型として HO−CH2(CH2)m CH= C)夏−CH2N
O2、ArSO2(CH2)mcH=cII CH2N
O2、t \ (2)型として (3)型として 笠の化合物が羊げられる。
本発明の反応は、有機溶媒中、アルカリの存在下で行な
われる。
有史溶媒としてはDMSO,HMPA、 DMF、アセ
トニトリル、MIBK等が使用される。またベンゼン、
トルエン等を用い、相関移動触媒の存在下で反応させる
ことも可能である。
アルカリとしては水酸ナトリウム、水酸化カリウム、ナ
トリウ文アルコキシド等、通常のアルカリが使用される
反応温度は0〜50℃、好ましくは室温付近で行なわれ
、反応時間I′i1時間から数時間で十分である。
反応終了後は、中和、抽出、水洗等通常の後処理を行な
って目的物を得る。
精ケ!の必要な場合は、カラムクロマトグライー、百結
晶または蒸留によシ精製が可能である。
打乍造はIR,N■11114ASSスペクトル等によ
シ決定した。
原料のアリルニトロ化合物は対応するブロム化合物と亜
硝酸塩との反応により、または対応するアミンもしくは
オキシム等の酸化によシ得られる。
本発明の製造方法は穏やかな条件で反応が進行し、好収
率で目的化合物が得られるため、工業的製法として極め
て優れた製造方法である。
また、本発明の製造方法において使用されるアリルニト
ロ化合物は、前述した東件を満足する化合物であればど
んな化合物でも当該ニトロ基に隣接する炭素原子が選択
的に反応し、目的のシクロプロパン環を形成せしめ得る
。従って、本発明は非常に広い範囲の薄酸誘導体の製造
方法として適用できる。
さらに、本発明による製造方法は、一般式(1)で表わ
される化合物のR3、R4の置換基の種類を適宜選択す
ることにより、トランス体、シス体を任意に製造できる
ため、極めて有利な薄酸銹導体の製造方法である。
次に実施例を挙げ、本発明を更に詳細に説明する0 実施例11−シアノ−2,2−ジメチル−3−(2−メ
チル−1−プロペニル)シクロプロパンカルボン酸エチ
ルの合成;化合物番号I KOI O,15グ (2,2m mol ) をDM
SO5d、水05n1eに溶角了し、l−ニトロ−3−
メチル−2−ブテン0.23 F (2mmot)を滴
下して、5分間攪拌した後、2−シアノ−3,3−ジメ
チルアクリル酸エチル0.31 t C2mmot>を
加え、室温で激しく攪拌した。3時間後、反応溶液を水
中(50mfl)に注いだ後、20Tdのクロロホルム
で3回抽出した。抽出液を飽和食塩水で3度洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで脱水した後、クロロホルムを減圧
留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(ベンゼン溶出液)によって精製し、淡黄色液体の目的
物0.36f(収率81%)を得た。
IR(neat ) 二 22 1 0 cm−” 、
1 7 20 cm−”NMR(CDC13) δ: 
1.10〜1.38 (m 、 91() 、1.72
(s 、 3)1) 、1.78 (s 、 3H)、
2.44 (d 、 J = 7Hz 、 0.211
)、2.64 (d 1J = 7Hz 、 0.8H
)、4.22 (m、 21() 、5.0〜5.2(
m、01) 実施例21−シアノ−2,2−ジメチル−3−(1−へ
プラニル)シクロプロパンカルボン酸エチルの合成:化
合物番号3 KOHo、15 f C2,2mmot)をn1805
 mM、水0.5m(に溶解し1.1−二トロー2−オ
クテン0.34 f(2m mot)を滴下した後、5
分間攪拌した。2−シアノ−3,3−ジメチルアクリル
酸エチル031? (2mmot)を加え、実施例1と
同様に反応、後処理を行なって目的物0.354(収率
67%)を得た。
IR(neat ) : 2210cm−’、1720
cm”NMR(CDC13)δ: 0.88 (m、 
3H) 、1.30〜1.50(m115H) 、2.
10 (m。
2H) 、 2.34〜2.64 (m 、IH)、4
.24 (m 12H) 、5.14〜5.40(m 
、 IH) 、5.64〜6.00 (m、Hi) 実施例31−シアノ−2,2−ジメチル−3−(シクロ
ペンチリデンメチル)シクロプロノくンカルボン酸エチ
ルの合成:化合物番号4 KOH0,15f (2,2mmot) をDMSO5
mQ 、水05rneに溶角Tし、2−ニトロエチリデ
ンシクロペンクン0.28 f (2mmot)を滴下
した後5分間攪拌した。2−シアノ−3,3−ジメチル
アクリル酸エチル0.31 ? (2mmot)を加え
、実施例1と同様に反応、後処理を行なって目的物0.
385’(収率75%)を得た。
IR(neat ) : 2210C+n”、1720
 cm−”NMR(CDCta ) δ: 1.30 
(t 、 3H) 、1.30 (8゜3H) 、1.
32 (S 13H) 、1.55(m、 4H) 、
2.0 (m、 4H)、2.50 (m、IH) 、
4.25 (q。
2H) 、5.1 (m、IH) 以下同様に本発明の製造方法によシ製造された化合物の
代表例を第1表に示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (リ一般式 (式中、R1及びR2は水素原子、〕・ロゲン原子又は
    低級アルキル基を、R411アセチル基、アリールスル
    ホニル基、ニトロ基、シアノ基又は低級アルコジカルボ
    ニル基を、R4はシアノ基又は抵級アで表わされる部分
    構造を有するニトロ化合物とを反応させることを特徴と
    する一般式 (式中、R□、R2、R3及びR4は前記と同一の意味
    を示す。)で表わされる部分構造を有する薄酸誘導体の
    製造方法。
JP11383083A 1983-06-24 1983-06-24 菊酸誘導体の製造方法 Pending JPS606641A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63200702A (ja) * 1987-02-17 1988-08-19 株式会社ブリヂストン 発泡ゴムソ−ル材

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63200702A (ja) * 1987-02-17 1988-08-19 株式会社ブリヂストン 発泡ゴムソ−ル材

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